MOS管工作原理講解課件

5場效應(yīng)管放大電路1精選PPT5場效應(yīng)管放大電路1精選PPT內(nèi)容5.3結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管5.2MOSFET放大電路5.5各種放大器件電路性能比較*5.4砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管2精選PPT內(nèi)容5.3結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)5.1金屬-氧化物要求

掌握場效應(yīng)管的直流偏置電路及分析；場效應(yīng)管放大器的微變等效電路分析法。3精選PPT要求掌握場效應(yīng)管的直流偏置電路及分析；3精選PPTN溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)管分類：4精選PPTN溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）F5.1金屬－氧化物－半導(dǎo)體

（MOS）場效應(yīng)管MOSFET簡稱MOS管，它有N溝道和P溝道之分，其中每一類又可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型：當(dāng)vGS＝0時，存在導(dǎo)電溝道，iD0。增強(qiáng)型：當(dāng)vGS＝0時，沒有導(dǎo)電溝道，iD＝0。5精選PPT5.1金屬－氧化物－半導(dǎo)體

（MOS）場效應(yīng)管MOSFE5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET1．結(jié)構(gòu)PNNGSDP型基底兩個N區(qū)SiO2絕緣層導(dǎo)電溝道金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型6精選PPT5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET1．結(jié)構(gòu)PNNGSDPN溝道耗盡型PNNGSD予埋了導(dǎo)電溝道GSD7精選PPTN溝道耗盡型PNNGSD予埋了導(dǎo)電溝道GSD7精選PPTNPPGSDGSDP溝道增強(qiáng)型8精選PPTNPPGSDGSDP溝道增強(qiáng)型8精選PPTP溝道耗盡型NPPGSDGSD予埋了導(dǎo)電溝道9精選PPTP溝道耗盡型NPPGSDGSD予埋了導(dǎo)電溝道9精選PPT2．工作原理JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。10精選PPT2．工作原理JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，2．工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）PNNGSDVDSVGSVGS=0時D-S間相當(dāng)于兩個反接的PN結(jié)ID=0對應(yīng)截止區(qū)11精選PPT2．工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）PNNGSDVDSVGSPNNGSDVDSVGSVGS>0時VGS足夠大時（VGS>VT）感應(yīng)出足夠多電子，這里出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的N型導(dǎo)電溝道。感應(yīng)出電子VT稱為開啟電壓12精選PPTPNNGSDVDSVGSVGS>0時VGS足夠大時（VGS>VGS較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將D-S連接起來，VGS越大此電阻越小。PNNGSDVDSVGS13精選PPTVGS較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將D-S連接起來，VGS越大PNNGSDVDSVGS當(dāng)VDS不太大時，導(dǎo)電溝道在兩個N區(qū)間是均勻的。當(dāng)VDS較大時，靠近D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。14精選PPTPNNGSDVDSVGS當(dāng)VDS不太大時，導(dǎo)電溝道在兩個N區(qū)PNNGSDVDSVGS夾斷后，即使VDS繼續(xù)增加，ID仍呈恒流特性。IDVDS增加，VGD=VT時，靠近D端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。15精選PPTPNNGSDVDSVGS夾斷后，即使VDS繼續(xù)增加，ID3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）16精選PPT3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）16精選PPT輸出特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）可變電阻區(qū)擊穿區(qū)IDUDS0UGS=5V4V-3V3V-5V線性放大區(qū)17精選PPT輸出特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）可變電阻區(qū)擊轉(zhuǎn)移特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）0IDUGSVT在恒流區(qū)（線性放大區(qū)，即VGS＞VT時有：ID0是vGS=2VT時的iD值。18精選PPT轉(zhuǎn)移特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）0IDUGS4．參數(shù)P210表5.1.1列出了MOSFET的主要參數(shù)。19精選PPT4．參數(shù)P210表5.1.1列出了MOSFET的主要參數(shù)。15.1.2N溝道耗盡型MOSFET耗盡型的MOS管UGS=0時就有導(dǎo)電溝道，加反向電壓才能夾斷。轉(zhuǎn)移特性曲線0IDUGSVT20精選PPT5.1.2N溝道耗盡型MOSFET耗盡型的MOS管UGS輸出特性曲線IDUDS0UGS=0UGS<0UGS>021精選PPT輸出特性曲線IDUDS0UGS=0UGS<0UGS>0215.2MOSFET放大電路

直流偏置電路靜態(tài)工作點(diǎn)

FET小信號模型動態(tài)指標(biāo)分析

三種基本放大電路的性能比較5.2.1

FET的直流偏置及靜態(tài)分析5.2.2

FET放大電路的小信號模型分析法

22精選PPT5.2MOSFET放大電路直流偏置電路靜態(tài)工1.直流偏置電路5.2.1FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析（1）自偏壓電路（2）分壓式自偏壓電路vGSvGSvGSvGSvGSVGS=-IDR23精選PPT1.直流偏置電路5.2.1FET的直流偏置電路及靜態(tài)分2.靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn)：VGS、ID、VDSvGS=VDS=已知VP，由VDD-ID(Rd+R)-iDR可解出Q點(diǎn)的VGS、ID、VDS24精選PPT2.靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn)：VGS、ID、VDSvGS=V5.2.2FET放大電路的小信號模型分析法1.FET小信號模型（1）低頻模型25精選PPT5.2.2FET放大電路的小信號模型分析法1.FET?。?）高頻模型1.FET小信號模型26精選PPT（2）高頻模型1.FET小信號模型26精選P2.動態(tài)指標(biāo)分析（1）共源電路及其小信號模型27精選PPT2.動態(tài)指標(biāo)分析（1）共源電路及其小信號模型2.動態(tài)指標(biāo)分析中頻小信號模型：28精選PPT2.動態(tài)指標(biāo)分析中頻小信號模型：28精選PP2.動態(tài)指標(biāo)分析（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻（4）輸出電阻忽略rD由輸入輸出回路得則通常則29精選PPT2.動態(tài)指標(biāo)分析（2）中頻電壓增益（3）輸入

例5.2.2共漏極放大電路如圖示。試求中頻電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻得

解：（1）中頻小信號模型由例題30精選PPT例5.2.2共漏極放大電路如圖示。試求中（4）輸出電阻所以由圖有例題31精選PPT（4）輸出電阻所以由圖有例題31精選PPT3.三種基本放大電路的性能比較組態(tài)對應(yīng)關(guān)系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET電壓增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：32精選PPT3.三種基本放大電路的性能比較組態(tài)對應(yīng)關(guān)系：CEBJTFE輸出電阻：3.三種基本放大電路的性能比較BJTFET輸入電阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：33精選PPT輸出電阻：3.三種基本放大電路的性能比較BJTFET輸入電5.3結(jié)型場效應(yīng)管

結(jié)構(gòu)工作原理

輸出特性轉(zhuǎn)移特性

主要參數(shù)

5.3.1

JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理5.3.2

JFET的特性曲線及參數(shù)

34精選PPT5.3結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)工作原理輸出特性

源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示

P型區(qū)P型區(qū)柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號符號5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)???

符號中的箭頭方向表示什么？35精選PPT源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示P型區(qū)P2.工作原理①VGS對溝道的控制作用當(dāng)VGS＜0時（以N溝道JFET為例）

當(dāng)溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP

（或VGS(off)）。對于N溝道的JFET，VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄。VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄36精選PPT2.工作原理①VGS對溝道的控制作用當(dāng)VGS＜0時（以2.工作原理②VDS對溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時，VDSIDG、D間PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。

當(dāng)VDS增加到使VGD=VP時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時VDS夾斷區(qū)延長溝道電阻ID基本不變37精選PPT2.工作原理②VDS對溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時，V2.工作原理③

VGS和VDS同時作用時當(dāng)VP<VGS<0時，

導(dǎo)電溝道更容易夾斷，對于同樣的VDS，

ID的值比VGS=0時的值要小。在預(yù)夾斷處VGD=VGS-VDS=VP38精選PPT2.工作原理③VGS和VDS同時作用時當(dāng)VP<VGS綜上分析可知

溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因

此iG0，輸入電阻很高。39精選PPT綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)VP1.輸出特性輸出特性曲線用來描述vGS取一定值時，電流iD和電壓vDS間的關(guān)系，它反映了漏極電壓vDS對iD的影響。即可變電阻區(qū):柵源電壓越負(fù)，漏源間的等效電阻越大，輸出特性越傾斜。線性放大區(qū)：飽和區(qū)，恒流區(qū)，F(xiàn)ET用作放大電路的工作區(qū)。擊穿區(qū)：柵源間的PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，管子不能正常工作。40精選PPT5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)VP1.輸出特性???

JFET有正常放大作用時，溝道處于什么狀態(tài)？5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)2.轉(zhuǎn)移特性VP在一定的vDS下，vGS對iD的控制特性。實驗表明，在VP≤VGS≤0范圍內(nèi)，即飽和區(qū)內(nèi)，有：vDS=10V41精選PPT???JFET有正常放大作用時，溝道處于什么狀態(tài)？5.3.①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流IDSS：

③

低頻跨導(dǎo)gm：或3.主要參數(shù)漏極電流約為零時的VGS值。在vDS=常數(shù)時，iD的微變量和vGS的微變量之比。④輸出電阻rd：在vGS=0的情況下，當(dāng)vDS>|VP|時的漏極電流。IDSS是JFET所能輸出的最大電流。反映了vDS對iD的影響?；?dǎo)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力。42精選PPT①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流I3.主要參數(shù)⑤直流輸入電阻RGS：在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時的柵源直流電阻就是直流輸入電阻RGS。⑧最大漏極功耗PDM⑥最大漏源電壓V(BR)DS⑦最大柵源電壓V(BR)GS發(fā)生雪崩擊穿、iD開始急劇上升時的vDS值。指輸入PN結(jié)反向電流開始急劇增加時的vGS值。JFET的耗散功率等于vDS與iD的乘積。PDM受管子最高工作溫度的限制。43精選PPT3.主要參數(shù)⑤直流輸入電阻RGS：在漏源之間短路的條件

結(jié)型場效應(yīng)管的缺點(diǎn)：1.柵源極間的電阻雖然可達(dá)107以上，但在某些場合仍嫌不夠高。3.柵源極間的PN結(jié)加正向電壓時，將出現(xiàn)較大的柵極電流。絕緣柵場效應(yīng)管可以很好地解決這些問題。2.在高溫下，PN結(jié)的反向電流增大，柵源極間的電阻會顯著下降。44精選PPT結(jié)型場效應(yīng)管的缺點(diǎn)：1.柵源極間的電阻雖然可達(dá)107以上5.5

各種放大器件電路性能比較1．各種FET特性比較2．使用注意事項見P237表5.5.1。見教材P23645精選PPT5.5各種放大器件電路性能比較1．各種FET特性比較2．使5場效應(yīng)管放大電路46精選PPT5場效應(yīng)管放大電路1精選PPT內(nèi)容5.3結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管5.2MOSFET放大電路5.5各種放大器件電路性能比較*5.4砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管47精選PPT內(nèi)容5.3結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)5.1金屬-氧化物要求

掌握場效應(yīng)管的直流偏置電路及分析；場效應(yīng)管放大器的微變等效電路分析法。48精選PPT要求掌握場效應(yīng)管的直流偏置電路及分析；3精選PPTN溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)管分類：49精選PPTN溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）F5.1金屬－氧化物－半導(dǎo)體

（MOS）場效應(yīng)管MOSFET簡稱MOS管，它有N溝道和P溝道之分，其中每一類又可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型：當(dāng)vGS＝0時，存在導(dǎo)電溝道，iD0。增強(qiáng)型：當(dāng)vGS＝0時，沒有導(dǎo)電溝道，iD＝0。50精選PPT5.1金屬－氧化物－半導(dǎo)體

（MOS）場效應(yīng)管MOSFE5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET1．結(jié)構(gòu)PNNGSDP型基底兩個N區(qū)SiO2絕緣層導(dǎo)電溝道金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型51精選PPT5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET1．結(jié)構(gòu)PNNGSDPN溝道耗盡型PNNGSD予埋了導(dǎo)電溝道GSD52精選PPTN溝道耗盡型PNNGSD予埋了導(dǎo)電溝道GSD7精選PPTNPPGSDGSDP溝道增強(qiáng)型53精選PPTNPPGSDGSDP溝道增強(qiáng)型8精選PPTP溝道耗盡型NPPGSDGSD予埋了導(dǎo)電溝道54精選PPTP溝道耗盡型NPPGSDGSD予埋了導(dǎo)電溝道9精選PPT2．工作原理JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。55精選PPT2．工作原理JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，2．工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）PNNGSDVDSVGSVGS=0時D-S間相當(dāng)于兩個反接的PN結(jié)ID=0對應(yīng)截止區(qū)56精選PPT2．工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）PNNGSDVDSVGSPNNGSDVDSVGSVGS>0時VGS足夠大時（VGS>VT）感應(yīng)出足夠多電子，這里出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的N型導(dǎo)電溝道。感應(yīng)出電子VT稱為開啟電壓57精選PPTPNNGSDVDSVGSVGS>0時VGS足夠大時（VGS>VGS較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將D-S連接起來，VGS越大此電阻越小。PNNGSDVDSVGS58精選PPTVGS較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將D-S連接起來，VGS越大PNNGSDVDSVGS當(dāng)VDS不太大時，導(dǎo)電溝道在兩個N區(qū)間是均勻的。當(dāng)VDS較大時，靠近D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。59精選PPTPNNGSDVDSVGS當(dāng)VDS不太大時，導(dǎo)電溝道在兩個N區(qū)PNNGSDVDSVGS夾斷后，即使VDS繼續(xù)增加，ID仍呈恒流特性。IDVDS增加，VGD=VT時，靠近D端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。60精選PPTPNNGSDVDSVGS夾斷后，即使VDS繼續(xù)增加，ID3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）61精選PPT3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）16精選PPT輸出特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）可變電阻區(qū)擊穿區(qū)IDUDS0UGS=5V4V-3V3V-5V線性放大區(qū)62精選PPT輸出特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）可變電阻區(qū)擊轉(zhuǎn)移特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）0IDUGSVT在恒流區(qū)（線性放大區(qū)，即VGS＞VT時有：ID0是vGS=2VT時的iD值。63精選PPT轉(zhuǎn)移特性曲線3．特性曲線（增強(qiáng)型N溝道MOS管）0IDUGS4．參數(shù)P210表5.1.1列出了MOSFET的主要參數(shù)。64精選PPT4．參數(shù)P210表5.1.1列出了MOSFET的主要參數(shù)。15.1.2N溝道耗盡型MOSFET耗盡型的MOS管UGS=0時就有導(dǎo)電溝道，加反向電壓才能夾斷。轉(zhuǎn)移特性曲線0IDUGSVT65精選PPT5.1.2N溝道耗盡型MOSFET耗盡型的MOS管UGS輸出特性曲線IDUDS0UGS=0UGS<0UGS>066精選PPT輸出特性曲線IDUDS0UGS=0UGS<0UGS>0215.2MOSFET放大電路

直流偏置電路靜態(tài)工作點(diǎn)

FET小信號模型動態(tài)指標(biāo)分析

三種基本放大電路的性能比較5.2.1

FET的直流偏置及靜態(tài)分析5.2.2

FET放大電路的小信號模型分析法

67精選PPT5.2MOSFET放大電路直流偏置電路靜態(tài)工1.直流偏置電路5.2.1FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析（1）自偏壓電路（2）分壓式自偏壓電路vGSvGSvGSvGSvGSVGS=-IDR68精選PPT1.直流偏置電路5.2.1FET的直流偏置電路及靜態(tài)分2.靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn)：VGS、ID、VDSvGS=VDS=已知VP，由VDD-ID(Rd+R)-iDR可解出Q點(diǎn)的VGS、ID、VDS69精選PPT2.靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn)：VGS、ID、VDSvGS=V5.2.2FET放大電路的小信號模型分析法1.FET小信號模型（1）低頻模型70精選PPT5.2.2FET放大電路的小信號模型分析法1.FET小（2）高頻模型1.FET小信號模型71精選PPT（2）高頻模型1.FET小信號模型26精選P2.動態(tài)指標(biāo)分析（1）共源電路及其小信號模型72精選PPT2.動態(tài)指標(biāo)分析（1）共源電路及其小信號模型2.動態(tài)指標(biāo)分析中頻小信號模型：73精選PPT2.動態(tài)指標(biāo)分析中頻小信號模型：28精選PP2.動態(tài)指標(biāo)分析（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻（4）輸出電阻忽略rD由輸入輸出回路得則通常則74精選PPT2.動態(tài)指標(biāo)分析（2）中頻電壓增益（3）輸入

例5.2.2共漏極放大電路如圖示。試求中頻電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻得

解：（1）中頻小信號模型由例題75精選PPT例5.2.2共漏極放大電路如圖示。試求中（4）輸出電阻所以由圖有例題76精選PPT（4）輸出電阻所以由圖有例題31精選PPT3.三種基本放大電路的性能比較組態(tài)對應(yīng)關(guān)系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET電壓增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：77精選PPT3.三種基本放大電路的性能比較組態(tài)對應(yīng)關(guān)系：CEBJTFE輸出電阻：3.三種基本放大電路的性能比較BJTFET輸入電阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：78精選PPT輸出電阻：3.三種基本放大電路的性能比較BJTFET輸入電5.3結(jié)型場效應(yīng)管

結(jié)構(gòu)工作原理

輸出特性轉(zhuǎn)移特性

主要參數(shù)

5.3.1

JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理5.3.2

JFET的特性曲線及參數(shù)

79精選PPT5.3結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)工作原理輸出特性

源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示

P型區(qū)P型區(qū)柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號符號5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)???

符號中的箭頭方向表示什么？80精選PPT源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示P型區(qū)P2.工作原理①VGS對溝道的控制作用當(dāng)VGS＜0時（以N溝道JFET為例）

當(dāng)溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP

（或VGS(off)）。對于N溝道的JFET，VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄。VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄81精選PPT2.工作原理①VGS對溝道的控制作用當(dāng)VGS＜0時（以2.工作原理②VDS對溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時，VDSIDG、D間PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。

當(dāng)VDS增加到使VGD=VP時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時VDS夾斷區(qū)延長溝道電阻ID基本不變82精選PPT2.工作原理②VDS對溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時，V2.工作原理③

VGS和VDS同時作用時當(dāng)VP<VGS<0時，

導(dǎo)電溝道更容易夾斷，對于同樣的VDS，

ID的值比VGS=0時的值要小。在預(yù)夾斷處VGD=VGS-VDS=VP83精選PPT2.工作原理③VGS和VDS同時作用時當(dāng)VP<VGS綜上分析可知

溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因

此iG0，輸入電阻很高。84精選PPT綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)VP1.輸出特性