半導體及集成電路領域的撰寫及常見問題課件

半導體及集成電路領域的撰寫及常見問題電學發(fā)明審查部半導體處沈麗半導體及集成電路領域的撰寫及常見問題電學發(fā)明審查部半1本文簡介：本文簡介：2主要內(nèi)容：.半導體領域介紹.申請文件的撰寫要求及相應的常見問題.審查答復通知書時提交文本的常見問題.導致駁回的幾種常見情況及案例分析主要內(nèi)容：3一、半導體領域介紹半導體領域廣義的說是與半導體材料有關的領域，涉及半導體材料、半導體材料的制備、半導體器件、半導體器件的制備、半導體器件的應用、半導體器件的測量等等一、半導體領域介紹半導體領域廣義的說是與半4半導體器件的制備包含通過常見的半導體工藝形成半導體器件的各個部件以及半導體封裝件，半導體器件的應用將具有特定的電學特性的半導體器件例如IC應用在電路、計算機、通信、商業(yè)等領域中。典型和常用的半導體材料是硅；硅的制備包括硅單晶的制備、硅晶片的加工；半導體器件從形式分可以分成分立器件和集成器件；半導體器件的制備包含通過常見的半導體工藝形成半導體器件的各個5電學發(fā)明審查部的半導體處僅涉及分立或集成的半導體器件及其制備，不涉及這些器件的應用，從分類號的角度來說，僅涉及H01L下的專利申請。因此，下面介紹的內(nèi)容也主要針對半導體器件及其制備。電學發(fā)明審查部的半導體處僅涉及分立或集成的半6H01L領域的特點是涉及到的產(chǎn)品種類多、工藝方法多、功能性限定相對少。H01L領域的特點是涉及到的產(chǎn)品種類多、工藝7半導體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點、安裝架、安裝容器、散熱裝置、密封層、封裝樹脂層等。產(chǎn)品種類多：分立器件例如有：二極管、晶體管、晶閘管、太陽能電池、壓電器件、發(fā)光器件等；集成電路例如有：集成的晶體管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；半導體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點、安8工藝方法多：外延生長、摻雜、擴散、離子注入、退火、光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、拋光、引線鍵合、載帶自動焊、芯片倒裝焊、外殼封裝、表面貼裝等等。工藝方法多：外延生長、摻雜、擴散、離子注入、退火、光刻、濕法9功能性限定相對少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對于元器件來說，通常不需要借助功能性限定，用元器件的結構特征及各個結構特征之間的位置或連接關系就可以將產(chǎn)品限定清楚，對于制造工藝，需要用制造步驟、工藝方法、工藝參數(shù)來限定，而不是功能性描述。功能性限定相對少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對于元器件10二、申請文件的撰寫要求及相應的常見問題二、申請文件的撰寫要求及相應的常見問題11根據(jù)專利法第26條第1款的規(guī)定，申請發(fā)明或者實用新型專利的，應當提交請求書、說明書及其摘要和權利要求書等文件。專利申請文件的組成根據(jù)專利法第26條第1款的規(guī)定，申請發(fā)明或者12（一）說明書應當符合專利法第26條第3款、專利法實施細則第18條、19條的規(guī)定。（一）說明書應當符合專利法第26條第3款、專利法實施細則13專利法第26條第3款規(guī)定：說明書應當對發(fā)明或者實用新型作出清楚、完整的說明，以所屬技術領域的技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)為準；必要的時候，應當有附圖。1）說明書應當滿足專利法第26條第3款的規(guī)定專利法第26條第3款規(guī)定：說明書應當對發(fā)明或14i）說明書的內(nèi)容應當清楚，具體應滿足下述要求。主題明確，前后一致用詞準確，無歧義i）說明書的內(nèi)容應當清楚，具體應滿足下述要求。15ii）說明書的內(nèi)容應當完整一份完整的說明書應當包含下列各項內(nèi)容：（1）幫助理解發(fā)明或者實用新型不可缺少的內(nèi)容。（有助于理解發(fā)明）（2）確定發(fā)明或者實用新型具有新穎性、創(chuàng)造性和實用性所需的內(nèi)容。（有別于現(xiàn)有技術）（3）再現(xiàn)發(fā)明或者實用新型所需的內(nèi)容。（能夠再現(xiàn)）ii）說明書的內(nèi)容應當完整16

iii）所屬技術領域能夠?qū)崿F(xiàn)是指所屬技術領域的技術人員按照說明書記載的內(nèi)容，不需要創(chuàng)造性的勞動，就能夠再現(xiàn)該發(fā)明的技術方案，解決其技術問題，并且產(chǎn)生預期的技術效果。iii）所屬技術領域能夠?qū)崿F(xiàn)17提示：如果申請人視為“技術秘密”（know-how）的內(nèi)容是該技術領域的技術人員實施或再現(xiàn)本發(fā)明或?qū)嵱眯滦退夭豢缮俚模筒豢勺鳛榧夹g秘密保留起來，應當記載在說明書中；否則，由于“說明書的修改不得超出原說明書和權利要求的記載范圍”，那些被申請人當作技術秘密保留起來的必不可少的技術內(nèi)容在修改時就不能補充到說明書中去，從而可能導致最后駁回申請。提示：如果申請人視為“技術秘密”（know-how）的內(nèi)容是18以下各種情況由于缺乏解決技術問題的技術手段而被認為無法實現(xiàn)：1）說明書中僅給出了任務和/或設想，或者只表明一種愿望和/或結果，而未給出任何使所屬技術領域的技術人員能夠?qū)嵤┑募夹g手段；2）說明書中給出了解決手段，但對所屬技術領域的技術人員來說，該手段是含糊不清的，根據(jù)說明書記載的內(nèi)容無法具體實施；以下各種情況由于缺乏解決技術問題的技術手段而被認為無193）說明書中僅給出了解決手段，但所屬技術領域的技術人員采用該手段并不能解決所述技術問題；4）申請的主題為由多個技術措施構成的技術方案，對于其中一個技術措施，所屬技術領域的技術人員按照說明書記載的內(nèi)容并不能實現(xiàn)；5）說明書中給出了具體的技術方案，但未提供實驗證據(jù)，而該方案又必須依賴實驗結果加以證實才能成立。3）說明書中僅給出了解決手段，但所屬技術領域的技術人20舉例1：發(fā)明名稱：半導體器件三維接觸的形成背景技術：現(xiàn)有技術中大多采用等離子體蝕刻技術進行三維蝕刻，但需要價格昂貴的設備，并且等離子體蝕刻中還有晶格損傷問題，盡管可以通過熱處理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的熱處理過程會導致制造成本上升。舉例1：21發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學藥品進行各向異性腐蝕形成半導體器件的電極接觸，增加電極接觸面積，使工作時通過表面的電流密度下降，從而使器件內(nèi)部的壓降降低。采用化學藥品進行腐蝕，晶格損傷為零，可以大量成批處理。只要控制化學藥品的組成、腐蝕溫度和時間，就能得到一定深度的槽狀結構。發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學藥品進行各向異性腐蝕形成半導體器件的電22實施例：結晶方向為<110>單晶棒，按一定的厚度切割成片，表面鏡面拋光。然后在表面涂布光刻膠，利用通常的方法進行曝光、顯影形成線寬為10micron，間隔為3micron連續(xù)圖形。如圖1所示，光刻膠（A）幅寬為10micron，間隔（B）為3micron。將此硅片放入溫度為40℃的堿性化學藥品中。實施例：23附圖1：附圖1：24舉例2：發(fā)明名稱：納米孔道中的晶體管及其集成電路技術方案：利用分子篩材料的納米孔道特點，在納米孔道中裝入P型和N型半導體材料，并且在P型和N型半導體的結合處形成P-N結。分別在孔道的兩端P型和N型半導體上蒸鍍金屬電極，作為外部引線的基礎。這樣便在納米孔道中構成了一種二極管。以此為出發(fā)點，利用分子篩中的納米孔道可控制生長特性，可以構造晶體管和集成電路。舉例2：25附圖：附圖：26分析：申請人在實施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側分別裝入P型和N型半導體材料”、“在三個不同方向的微孔內(nèi)分別裝入P型或N型半導體”、“通過分子組裝化學方法，將P型半導體材料18、22和N型半導體材料分別裝入圖2的納米孔道中”。然而眾所周知，制造均勻、具有20nm的孔徑、20nm厚度的管壁的納米管是非常困難的，依據(jù)現(xiàn)有的技術條件，本領域普通技術人員難以理解：分析：申請人在實施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側分別裝入P型和N型27如何利用分子組裝化學方法將P型半導體材料或N型半導體材料分別裝入納米孔道中，如何制造該申請中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三維尺寸都不超過20納米的晶體管及其集成電路。也就是說明中僅給出了解決手段，但對所屬技術領域的技術人員來說，該手段是含糊不清的，根據(jù)說明書記載的內(nèi)容無法具體實施，不符合專利法第26條第3款的規(guī)定。如何利用分子組裝化學方法將P型半導體材料或N型半導體材料分別282）說明書的撰寫順序應當符合實施細則第18條的規(guī)定，具體為：

（1）發(fā)明名稱i）應與請求書中的名稱一致，一般不超過25個字；舉例：a）“穩(wěn)定絕緣體基半導體器件的制造方法及絕緣體基半導體器件”；b）“非紡玻璃纖維部件的表面?zhèn)雀采w材料的太陽能電池組件”2）說明書的撰寫順序應當符合實施細則第18條的規(guī)定，具體為：29ii）采用所屬技術領域通用的技術術語，最好采用國際專利分類表中的技術術語，不得采用非技術術語；舉例：“形成半導體器件金屬互連的方法”H01L21/768“形成動態(tài)隨機存取存儲器的方法”H01L21/8242“線架及其制造方法”“二極體及其制造方法”ii）采用所屬技術領域通用的技術術語，最好采30iii）清楚簡明地反映要求保護的發(fā)明或者實用新型技術方案的主題和類型（產(chǎn)品或方法）；舉例：“半導體封裝裝置及成形物質(zhì)引起的寄生電容的計算方法”“熱電半導體材料或元器件及其制造方法與裝置”iii）清楚簡明地反映要求保護的發(fā)明或者實用31iv）應該全面地反映一件申請中包含的各種發(fā)明類型；舉例：“半導體器件的互連線及其制造方法”“一種散熱片及形成方法和組合件”“引線框架和半導體器件”（申請文件）“引線框架及其制造方法，和使用此引線框架的半導體器件”（授權）iv）應該全面地反映一件申請中包含的各種發(fā)明32v）不得使用人名、地名、商標、型號或者商品名稱，也不得使用商業(yè)性宣傳用語。舉例：“一種高效替換備用存儲單元陣列的半導體器件”“一種新穎整流元件的結構及其制法”v）不得使用人名、地名、商標、型號或者商品名33（2）技術領域發(fā)明或者實用新型的技術領域應當是保護的發(fā)明或者實用新型技術方案所屬或者直接應用的具體技術領域，而不是上位發(fā)明或者實用新型本身。（2）技術領域34舉例：發(fā)明名稱：半導體器件及其制造方法技術領域：“本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法”點評：由于半導體器件種類很多并且零部件也很多，因此寫成了廣義的技術領域，過于籠統(tǒng)，簡單地照抄發(fā)明名稱。舉例：35發(fā)明名稱：“形成半導體器件的場區(qū)的方法”技術領域：本發(fā)明涉及一種形成半導體器件的場區(qū)方法，特別涉及一種利用適用于一千兆DRAM規(guī)?；蚋笠?guī)模的半導體器件的STI（淺槽隔離）結構形成場區(qū)的方法。改進之處：在形成槽之前先進行離子注入。發(fā)明名稱：“形成半導體器件的場區(qū)的方法”36技術領域：本發(fā)明涉及一種半導體器件的形成方法（上位的技術領域），特別涉及先進行離子注入再形成STI（淺槽隔離）的半導體器件的場區(qū)的形成方法（發(fā)明本身）。技術領域：本發(fā)明涉及一種半導體器件的形成方法（上位的技術領域37（3）背景技術發(fā)明或者實用新型說明書的背景技術部分應當寫明對發(fā)明或者實用新型的理解、檢索、審查有用的背景技術，并且引證反映這些背景技術的文件。在說明書涉及背景技術的部分中，還要客觀地指出背景技術中存在的問題和缺點。但是，僅限于涉及由發(fā)明或者實用新型的技術方案所解決的問題和缺點。在可能的情況下，說明存在這種問題和缺點的原因以及解決這些問題時曾經(jīng)遇到的困難。（3）背景技術38一些申請文件中的缺陷：（i）對背景技術的描述過于簡單，只是籠統(tǒng)地一提而過，沒有引證文件；（ii）有的即使引用了相關文件，也與發(fā)明主題相距甚遠，有意或無意地掩蓋了最相關的背景技術；（iii）有的故意把背景技術說得一無是處，以此襯托發(fā)明的所謂“突出”或“顯著”；（iv）有的對于不重要的背景技術描述很多，對真正相關的背景技術卻避而不談。一些申請文件中的缺陷：39舉例：附圖：舉例：40圖面介紹：圖1是常規(guī)底部引線半導體封裝的縱剖圖，如該圖所示，常規(guī)底部引線半導體封裝包括：半導體芯片1；和由多根連接基片的引線2a組成的引線2，引線2a的上表面安裝半導體芯片1，底表面與基片連接（未示出）。多個連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸，以便與半導體芯片1引線接合。圖面介紹：41粘結劑3把半導體芯片1粘結在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導體芯片1的芯片焊盤/接合焊盤（未示出）和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹脂4模制包括已導線連接的半導體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預定區(qū)域，以使引線框架的連接基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面，引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預定深度。粘結劑3把半導體芯片1粘結在引線2的連接基片的引線242美國專利5428248中詳細說明了這種有上述結構的半導體封裝，該專利已轉讓給本發(fā)明的受讓者，在此可對它所公開的內(nèi)容作了引證。然而，在上述常規(guī)半導體封裝中，當芯片焊盤位于半導體封裝的側邊時，可以進行引線接合，但當芯片焊盤位于其中心時，無法進行引線接合。美國專利5428248中詳細說明了這種有上述結構的半43（4）發(fā)明或者實用新型的內(nèi)容要解決的技術問題是指發(fā)明或者實用新型要解決的現(xiàn)有技術中存在的技術問題。發(fā)明或者實用新型公開的技術方案應當能夠解決這些技術問題。（4）發(fā)明或者實用新型的內(nèi)容44撰寫要求：①針對現(xiàn)有技術中存在的缺陷或不足；②用正面、盡可能簡潔的語言客觀而有根據(jù)地反映發(fā)明或者實用新型要解決的技術問題，也可以進一步說明其技術效果。撰寫要求：45舉例：I.由于與基板等進行電連的外部引線收a被配置為比芯片焊盤3的位置往下，故半導體器件難于薄型化。II.由于芯片焊盤3設于IC封裝主體（鑄模樹脂5a）內(nèi)部，故散熱性差。

舉例：46III.由于與基板等進行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導體器件的下邊的一個方向，故半導體器件的多層化是困難的。本發(fā)明就是為了解決這些問題而創(chuàng)造出來的，目的是提供一種可實現(xiàn)半導體器件的薄型化，可改善散熱性，可實現(xiàn)多層化的半導體器件及其制造方法。III.由于與基板等進行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導47技術方案：說明書中公開的技術方案是一件發(fā)明專利申請的核心，技術方案是申請人對要解決的技術問題采取的技術措施的集合。技術措施通常是由技術特征來體現(xiàn)的。發(fā)明為解決其技術問題所不可缺少的技術特征稱為必要的技術特征，其總和足以構成發(fā)明的技術方案，達到其目的和效果。技術方案：48與發(fā)明的目的有關的、用于進一步完善或展開技術方案的技術特征稱為附加的技術特征。如果一件申請中有幾項發(fā)明，應當用獨立的自然段說明每項發(fā)明的技術方案。與發(fā)明的目的有關的、用于進一步完善或展開技術方案的技術特征稱49（5）有益效果有益效果是指由構成發(fā)明的特征直接帶來的，或者是由所述的技術特征必然產(chǎn)生的技術效果。通常，有益效果可以由產(chǎn)率、質(zhì)量、精度和效率的提高，能耗、原材料、工序的節(jié)省，加工、操作、控制、使用的簡便，環(huán)境污染的治理或者根治，以及有用性能的增加等方面反映出來。（5）有益效果50常見缺陷：i）有的說明書提出的發(fā)明目的過于籠統(tǒng)。例如，本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種半導體器件及其制造方法。

本發(fā)明的發(fā)明目的是提高器件的可靠性。常見缺陷：51ii）有的說明書只講背景技術的缺點和本發(fā)明的優(yōu)點，而不明確提出本發(fā)明和所要解決的問題，也就是沒有發(fā)明目的部分。iii）夸大技術效果。ii）有的說明書只講背景技術的缺點和本發(fā)明的優(yōu)點，而52（6）附圖及附圖說明說明書有附圖的，應當寫明各幅附圖的圖名，并且對圖示的內(nèi)容做簡要說明。附圖不止一幅的，應當對所有附圖做出圖面說明。（6）附圖及附圖說明53例如：i）附圖說明中的內(nèi)容在相應的圖中沒有；舉例：圖9是沿圖8的B-B線的斷面；

圖11是沿圖10的C-C線的斷面；

圖13是沿圖12的D-D線的斷面；然而，在相應的圖8、10以及12中沒有出現(xiàn)B-B、C-C以及D-D。例如：i）附圖說明中的內(nèi)容在相應的圖中沒有；54ii）缺少部分附圖的介紹；例如有5個附圖，但只介紹了其中4個。ii）缺少部分附圖的介紹；例如有5個附圖，55（7）具體實施方式提示：該部分是說明書的重要組成部分，它對于充分公開、理解和再現(xiàn)發(fā)明或者實用新型，支持和解釋權利要求都是十分重要的。（7）具體實施方式56在描述具體實施方式時，并不要求對已知技術特征作詳細展開說明，但必須詳細說明區(qū)別于現(xiàn)有技術的必要技術特征和各附加技術特征以及各技術特征之間的關系及其功能和作用；具體實施方式中至少應包括一個獨立權利要求的全部必要技術特征，具體實施方式中的技術特征與技術方案以及獨立權利要求中的特征沒有矛盾。在描述具體實施方式時，并不要求對已知技術特征作詳細展開說明，57舉例：技術方案對Cx中的x限定為x400，而實施例1中的x=400，前后矛盾。舉例：58在半導體領域中，如果改進之處在于產(chǎn)品或材料，那么應借助附圖將產(chǎn)品的結構及組成或者將材料的組成、性能或制備工藝條件描述得清楚完整，如果改進之處在于方法步驟，那么實施例部分應當借助附圖清楚地描述出工藝的步驟順序、工藝方法、工藝參數(shù)以及各步驟得到的相應結構。在半導體領域中，如果改進之處在于產(chǎn)品或材料，那么應借助附59當權利要求（尤其是獨立權利要求）覆蓋的保護范圍較寬，其概括的特征不能從一個實施例中找到依據(jù)時，應當給出一個以上的不同實施例，以支持所要求保護的范圍。當權利要求（尤其是獨立權利要求）覆蓋的保護范圍較寬60舉例：i）僅給出了“碳化硅”作為基底的實施例，但獨立權利要求中要求“半絕緣基底”；ii）實施例中為“絕緣材料膜”，而獨立權利要求1要求保護“薄膜層”。舉例：61

當權利要求涉及較寬的數(shù)值范圍時，應給出兩端值附近的實施例和至少一個中間值的實施例。當權利要求涉及較寬的數(shù)值范圍時，應給出兩端值附近的62舉例：i）實施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”，獨立權利要求1中填充的氬氣含量為30-90%；ii）實施例中為“MnO2”但獨立權利要求1中要求保護“MxOy（x=1-3、y=2-4）”。舉例：63對照附圖描述發(fā)明的具體實施方式時，使用的附圖標記或符號應當與附圖中所示的一致，并放在相應的技術名稱后面，不加括號。對照附圖描述發(fā)明的具體實施方式時，使用的附圖標記或64舉例：i）同一附圖標記表示不同的技術特征；例如芯片5；內(nèi)引線5；ii）同一技術術語前后采用了不同的附圖標記；例如芯片5；芯片8；

iii）附圖中顯示的內(nèi)容與附圖說明中的內(nèi)容不符；舉例：65例如：說明書第3頁對圖1的說明中記載了：絕緣體上有硅基底100包括埋入式氧化層102和硅材層110，然而從圖1中可以看出，埋入式氧化層102和硅材層110位于絕緣體上有硅基底100之上，氧化層102和硅材層110與硅基底100并非包含關系。例如：說明書第3頁對圖1的說明中記載了：絕緣體上有硅基底1066附圖：附圖：67（8）不符合專利法實施細則第18條第3款的撰寫缺陷：a）同一技術術語前后不一致；例如：“馬達16”；“驅(qū)動機構16”；“承載臺28”；“承載28”；“閘刀33”；“間刀33”；“刀刃33”；“第一和第二導熱層17和19”，“金屬層17和19”，“保護劑材料61”，“保護材料61”，“包封材料63”，“包封劑材料63”，“接線夾27”，“電連接夾”。（8）不符合專利法實施細則第18條第3款的撰寫缺陷：68b）采用了不規(guī)范的技術術語；例如電漿、非等向性、打線、閘極、片子、汲極區(qū)、信道、通道、矽、磊晶、晶圓、布植、植入、制程、光罩、罩幕、遮罩、微影、二極體、燒錄、黃光暨蝕刻制作工藝、連接墊、主動區(qū)域、金氧半、側壁子、側子、熱載子、電子洞對、載子移動率、淡摻雜、井區(qū)、基材、崩潰電壓等等；c）沒有采用國家法定的計量單位；例如：達因、密耳、乇、英寸、鎊等。b）采用了不規(guī)范的技術術語；例如電漿、非等向69（9）說明書附圖要符合專利法實施細則第19條的規(guī)定。常見問題：i）說明書中出現(xiàn)的附圖標記在附圖中沒有出現(xiàn)；附圖中出現(xiàn)的附圖標記在說明書中沒有介紹；ii）附圖中有英文單詞；iii）提交的附圖數(shù)量不夠或數(shù)量夠內(nèi)容不夠；例如：提交了兩份圖2，但是沒有圖4。（9）說明書附圖70（10）說明書摘要及摘要附圖的缺陷：a）缺少技術內(nèi)容，例如只宣傳產(chǎn)品的性能；b）包括過多的廣告性宣傳用語；c）字數(shù)超過300字；d）沒有提交摘要附圖。（10）說明書摘要及摘要附圖的缺陷：71（二）權利要求書的撰寫要符合專利法第26條第4款、專利法實施細則第20條-23條的規(guī)定。（二）權利要求書的撰寫721.權利要求的種類按照權利要求的內(nèi)容劃分（1）產(chǎn)品權利要求，即物的權利要求；例如：引線框架及使用該引線框架的半導體封裝；動態(tài)隨機存取存儲器；鐵電半導體存儲器；氮化鎵藍光發(fā)光二極管；彈簧夾及散熱片組件；靜電放電保護電路；帶有透明窗口的半導體封裝。1.權利要求的種類73（2）方法權利要求，即活動的權利要求；例如：形成半導體器件通孔的方法；在半導體器件內(nèi)制造互連線的方法；半導體芯片的清洗方法；半導體芯片的貼裝方法。（2）方法權利要求，即活動的權利要求；742.按權利要求的形式劃分（1）獨立權利要求；保護范圍最大。獨立權利要求1應當滿足實施細則第21條第2款的規(guī)定，應當整體上反映發(fā)明或者實用新型的技術方案，記載解決技術問題的必要技術特征。2.按權利要求的形式劃分75

必要技術特征是指，發(fā)明或者實用新型為解決其技術問題所必不可缺少的技術特征，其總和足以構成發(fā)明或者實用新型的技術方案，使之區(qū)別于背景技術中所述的其他技術方案。必要技術特征是指，發(fā)明或者實用新型為解決其技76要解決的技術問題：消除半導體薄膜中存在的大量晶界，從而消除因晶界而產(chǎn)生的能級勢壘對相鄰晶粒之間的電子移動的妨礙作用。解決此技術問題的關鍵就是形成基本上無晶界的單疇區(qū)。但獨立權利要求1中卻缺少特征：所述單疇區(qū)基本上不包括晶界”。要解決的技術問題：消除半導體薄膜中存在的大量77（2）從屬權利要求：如果一項權利要求包含了另一項同類權利要求中的所有技術特征，且對該另一項權利要求的技術方案作了進一步的限制，則該權利要求為從屬權利要求。（專利法實施細則第21條第3款）（2）從屬權利要求：如果一項權利要求包含了另78舉例：a）獨立權利要求1、9、10、11、12和13分別是對獨立權利要求1中底座厚度和焊料厚度關系的具體限定，因此申請人應將權利要求9-13修改為獨立權利要求1的從屬權利要求。舉例：79b）獨立權利要求2與獨立權利要求1相比僅增加了“與第二互連相鄰的第二焊接區(qū)”，而權利要求6與獨立權利要求1相比僅增加了位于半導體器件相對側上的第一和第二刻劃線以及鈍化層還覆蓋導電區(qū)的第三和第四部分，因此申請人應將權利要求2和6修改為獨立權利要求1的從屬權利要求。b）獨立權利要求2與獨立權利要求1相比僅增加803.權利要求書應當滿足的實質(zhì)性要求

1）權利要求書應當以說明書為依據(jù)，是指權利要求應當?shù)玫秸f明書的支持。說明書不僅應當在表述形式上得到說明書的支持，而且應當在實質(zhì)上得到說明書的支持。也就是說，權利要求書中的每一項權利要求所要求保護的技術方案應當?shù)乃鶎偌夹g領域的技術人員能夠從說明書公開的內(nèi)容直接得到或者概括得出的技術方案，并且權利要求的范圍不得超出說明書記載的內(nèi)容。3.權利要求書應當滿足的實質(zhì)性要求81（1）如果說明書實施例中的技術特征是下位概念，而發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g方案是利用該下位概念的個性，則不允許權利要求將此技術特征概括成此下位概念的上位概念。反之，若發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g方案是利用了此上位概念技術特征的所有下位概念的共性，則允許權利要求書將此技術概念概括成上位概念；（1）如果說明書實施例中的技術特征是下位概念82例如：僅給出了“碳化硅”作為基底的實施例，但獨立權利要求中要求“半絕緣基底”；將“非晶硅”修改為“含硅的半導體膜”。例如：僅給出了“碳化硅”作為基底的實施例，但獨立權利要求中要83（2）說明書中的實施例或具體實施方式越多，那么可以允許權利要求書的概括程度越大；但是也可以只有一種具體實施方式，只要這種概括對該技術領域的技術人員是顯而易見的；（2）說明書中的實施例或具體實施方式越多，那84舉例：實施例中指出使用鎳作為催化劑元素可以得到最顯著的效果，其它可利用的催化劑的種類，理想的有Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As、Sb，使用Fe（鐵）作為催化劑元素時，鐵的化合物可以使用溴化亞鐵、溴化鐵；用Co（鈷）作為催化劑元素時，鈷的化合物可以使用下列的鈷鹽；舉例：85用Ru（釕）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；用Rh（銠）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；用Pd（鈀）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；由此可見，獨立權利要求中的特征“含促進結晶化的催化劑元素的化合物”的概括是允許的。用Ru（釕）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；86

a）每一項權利要求所要求保護的技術方案在說明書中都應清楚地記載。舉例：i）權利要求書中的特征“氮化鈦熱退火的時間30~60分鐘”的特征在說明書中沒有記載；ii）權利要求書中記載的特征“氮化鈦在300~450℃下熱分解”，與說明書中“氮化鈦在300~500℃下熱分解”不一致；a）每一項權利要求所要求保護的技術方案在說明87

iii）特征反應室內(nèi)電極溫度“從約-60C到25C”與說明書中記載的反應室內(nèi)電極溫度保持在“-60C到0C”不一致。iv）特征“位于第二介質(zhì)層上的第二列鍵合銷”與說明書中記載的“第二列鍵合銷48放置在第三介質(zhì)層20的頂面”不一致。iii）特征反應室內(nèi)電極溫度“從約-60C到88

b）為了獲得盡可能寬的保護范圍，權利要求，尤其是獨立權利要求一般都要對說明書中記載的一個或多個具體技術方案進行概括，權利要求的概括應當適當，使其保護范圍正好適應說明書所公開的內(nèi)容。b）為了獲得盡可能寬的保護范圍，權利要求，89舉例：i）獨立權利要求1中填充的氬氣含量為30-90%，實施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”。舉例：90

ii）特征“芯片載體電極的間距為芯片焊盤的間距的整數(shù)倍”，而說明書中記載的是芯片載體電極的間距為芯片焊盤的間距的2倍或更大。

分析：整數(shù)倍包括1及大于1的整數(shù)倍兩種情況，不能由2倍或更大概括出。ii）特征“芯片載體電極的間距為芯片焊盤的91iii）權利要求中的特征“導電組件”包含了很寬的范圍，僅在半導體器件領域就包括導體、布線、焊盤、突點、引線、焊料球等，而本申請說明書中僅給出了“焊盤及其上導電突點”的實施例。iii）權利要求中的特征“導電組件”包含了很寬的范圍，僅在半92

c）權利要求中應當用技術特征來表達完整的技術方案，所采用的技術特征應當是有技術含義的具體特征（例如，結構特征或方法步驟）。c）權利要求中應當用技術特征來表達完整的93

2）權利要求應當清楚（專利法實施細則第20條第1款）（1）每項權利要求的類型應當清楚，并且應當與發(fā)明要求保護的主題一致。產(chǎn)品權利要求應當用產(chǎn)品的結構和結構關系來描述。方法權利要求可以用工藝條件、操作條件、步驟或者流程等特征來描述。2）權利要求應當清楚（專利法實施細則第20條第1款）94舉例：a）一種電光探頭，由可微調(diào)位置的透明基板和附著在基板上的有機電光材料層組成，由電光探測光學單元產(chǎn)生的探測光束經(jīng)顯微物鏡頭聚焦后，穿過透明基板、基板與電光材料的界面和電光材料層，聚焦光斑落在電光材料層的外表面上，并被該表面上的高反射介質(zhì)膜反射，當聚焦光斑挨近帶測的電信號傳輸線時，信號電場進入有機電光材料層。（產(chǎn)品用方法特征限定）舉例：95

b）一種熱電半導體材料或元器件，包括。c）特征“將其支承在其周邊部”中的兩個其指代不清楚。b）一種熱電半導體材料或元器件，包括。96（2）每項權利要求所確定的保護范圍應當清楚。對于產(chǎn)品權利要求而言，應當盡量避免使用功能或者效果特征來限定發(fā)明。舉例：a）如權利要求4所述的球點陣列集成電路封裝的方法，其特征在于：所述散熱板的散熱效果是將該芯片于通電運作時的熱量導至該封裝后的球點陣列（BGA）集成電路之外的效果。（2）每項權利要求所確定的保護范圍應當清楚。對于產(chǎn)品97

b）權利要求中使用了含義不確定的詞語，例如：基本上；大約；尤其是；例如；如；類；優(yōu)選；等等；c）從屬權利要求中引用了在前權利要求中的特征，但在前權利要求中根本沒有出現(xiàn)該特征。例如：根據(jù)權利要求1的存儲器，其中鈍化層為氮化硅。b）權利要求中使用了含義不確定的詞語，例如98

3）權利要求書應當簡明每一項權利要求應當簡明并且所有權利要求作為一個整體應當簡明；權利要求的數(shù)量應當合理；權利要求的用詞應當簡明；權利要求之間應當避免不必要的重復。3）權利要求書應當簡明99舉例：1.一種光檢測器，包括：設置在所述n型半導體襯底反面的導體，所述襯底和所述導體之間夾有絕緣體；12.根據(jù)權利要求1的光檢測器，其特征在于：所述n型半導體襯底的反面設置在所述導體上，所述襯底和所述導體之間夾有絕緣體。舉例：1004.權利要求存在的形式缺陷1）從屬權利要求沒有緊跟在所引用的獨立權利要求之后；2）權利要求不僅結尾處存在句號，中間處也存在句號；3）權利要求中使用的技術術語與說明書中使用的不一致；4）權利要求中存在括號，但括號中的內(nèi)容不是附圖標記；5）權利要求中存在公司名稱或商品名稱。4.權利要求存在的形式缺陷1015.獨立權利要求的撰寫要求1）獨立權利要求的保護范圍應當清楚，以符合專利法實施細則第20條第1款的規(guī)定。2）獨立權利要求應當反映出與現(xiàn)有技術的區(qū)別，使其描述的發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g方案具有新穎性和創(chuàng)造性，以符合專利法第22條的規(guī)定。5.獨立權利要求的撰寫要求1023）獨立權利要求應當從整體上反映出發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g方案，記載為達到發(fā)明或?qū)嵱眯滦湍康牡谋匾夹g特征，以符合專利法實施細則第21條的規(guī)定。4）獨立權利要求所限定的技術方案應該以說明書為依據(jù)，以符合專利法第26條第4款的規(guī)定。3）獨立權利要求應當從整體上反映出發(fā)明或?qū)嵱?036.從屬權利要求的撰寫要求1）從屬權利要求只能引用其前面的權利要求，不得引用在其后的權利要求或者其本身；例如：5.根據(jù)權利要求5的制造方法，其中。6.從屬權利要求的撰寫要求1042）多項從屬權利要求不得作為另一項從屬權利要求的引用基礎；例如：5.根據(jù)權利要求2或3或4的半導體器件，其中。6.根據(jù)權利要求2或3或4或5的半導體器件，其中。2）多項從屬權利要求不得作為另一項從屬權利要105

3）多項從屬權利要求只能擇一地引用在前的權利要求；例如：6.根據(jù)權利要求2、3、4以及5的半導體器件，其中。4）一項從屬權利要求不得同時引用在前的兩項或兩項以上的獨立權利要求。3）多項從屬權利要求只能擇一地引用在前的權利106

5）從屬權利要求的主題名稱應與所引用的主題名稱一致；例如：24.根據(jù)權利要求17的電子互連器件，其特征在于：。25.根據(jù)權利要求24的電子封裝外殼，其特征在于：。5）從屬權利要求的主題名稱應與所引用的主題名107三.答復通知書時提交文本中的常見問題

（一）說明書中的問題1.發(fā)明名稱1）權利要求書中產(chǎn)品或方法的獨立權利要求及從屬權利要求刪除之后，發(fā)明名稱沒有進行相應的變更，仍然是產(chǎn)品和方法；三.答復通知書時提交文本中的常見問題1082）審查員在第一次審查意見通知書中指出修改發(fā)明名稱，但仍然沒有修改；3）審查員在通知書中沒有指出修改發(fā)明名稱，但申請人主動變更了發(fā)明名稱。2）審查員在第一次審查意見通知書中指出修改發(fā)1092.技術領域發(fā)明名稱已變更但技術領域沒有變更。例如：發(fā)明名稱已由“芯片尺寸封裝及其制造方法”修改為“芯片尺寸封裝的制造方法”，但是技術領域仍然為“本發(fā)明涉及芯片尺寸封裝及其制造方法。2.技術領域1103.要解決的技術問題為了相對于審查員提出的對比文件具有新穎性和創(chuàng)造性，修改了獨立權利要求，增加了技術特征，但修改后的獨立權利要求的技術方案要解決的技術問題明顯與說明書中原有的要解決的技術問題不同，此時應該修改說明書中的該部分。3.要解決的技術問題1114.技術方案申請人修改了獨立權利要求，但沒有相應地修改技術方案部分。4.技術方案1125.有益效果1）為區(qū)別于審查員提出的對比文件，申請人在意見陳述書中強調(diào)的有益效果在原申請文件中沒有記載，也不能明顯推導出。2）申請人修改權利要求的同時，在該部分中添加有益效果，但該效果不能從原申請文件中明顯推導出。3）補充實驗數(shù)據(jù)。5.有益效果1136.附圖說明由于原說明書中的一些技術特征在附圖中沒有出現(xiàn)，審查員指出后添加附圖及圖面說明，但這些內(nèi)容不能從原申請文件中唯一地推導出，導致修改超范圍。6.附圖說明1147.具體實施方式1）修改技術內(nèi)容中的連接關系使修改后的技術內(nèi)容與原說明書中的技術內(nèi)容完全不同，導致修改超范圍。

2）修改技術術語，導致修改超范圍。7.具體實施方式115例如：將“非晶硅”修改為“含硅的半導體膜”。在本領域中半導體材料有很多種，有元素半導體、二元化合物半導體、固溶體半導體、氧化物半導體、玻璃半導體、有機半導體，常用的半導體材料有硅、鍺、碳化硅、砷化鎵等，半導體材料還分為單晶、多晶、非晶等，因此非晶硅僅是含硅的半導體膜中的一種。例如：將“非晶硅”修改為“含硅的半導體膜”。在本領域中半導1168.說明書附圖9.說明書摘要對獨立權利要求進行修改后，沒有對摘要中的技術內(nèi)容進行相應的修改。8.說明書附圖11710.權利要求書a）意見陳述書中指出已修改，但提交的權利要求書中仍存在同樣的缺陷；b）僅提交修改底稿，或者刪除部分權利要求之后，權利要求的編號沒有改變；10.權利要求書118例如：i）1.一種半導體封裝，包括：2.（刪除）3.根據(jù)權利要求1的半導體封裝，其中。

ii）6.根據(jù)權利要求7的引線框架，其中。例如：i）1.一種半導體封裝，包括：119c）采用的技術術語與原申請文件中的技術術語不同；例如將“金屬化孔”修改為“通過口”；d）意見陳述與修改的內(nèi)容不一致；c）采用的技術術語與原申請文件中的技術術語不120例如：申請人的意見陳述書中記載“相對低能量的雜質(zhì)離子不能穿過氧化層的中央部分”，但是權利要求中記載了特征“采用比第一能量低的第二注入能量所述第二注入能量足以使雜質(zhì)的所述離子通過所述場氧化層的所述中央?yún)^(qū)域”，例如：申請人的意見陳述書中記載“相對低能量的雜質(zhì)離子不能穿過121而說明書記載的是“第二次低能量注入的硼離子不能穿過厚的場氧化薄膜102的中心區(qū)域，而僅能穿過場氧化薄膜的周圍區(qū)域即鳥嘴”，因此所述特征既沒有記載在原說明書和權利要求書中，也不能由原說明書和權利要求書所記載的內(nèi)容導出，因此超出了原說明書和權利要求書記載的范圍，不符合專利法第33條的規(guī)定。而說明書記載的是“第二次低能量注入的硼離子不能穿過厚的場氧化122e）修改數(shù)值范圍，導致修改超范圍；例如：將獨立權利要求1將組合物的淀積厚度由“2.5-11微英寸”修改為“小于11微英寸”。e）修改數(shù)值范圍，導致修改超范圍；例如：將獨123f）修改技術術語，導致修改超范圍；例如：將“磷硅玻璃”修改成“玻璃”。特征“玻璃”概括了很寬的范圍，廣義的玻璃包括單質(zhì)玻璃、有機玻璃和無機玻璃，除工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的硅酸鹽玻璃之外，還有氧化物玻璃、非氧化物玻璃、由某些合金形成的金屬玻璃等。因此僅由說明書中記載的“PSG”是無法推導出特征“玻璃”。f）修改技術術語，導致修改超范圍；124

g）相對于審查員提出的對比文件修改了獨立權利要求，但修改后的權利要求的保護范圍沒有實質(zhì)性的變化。g）相對于審查員提出的對比文件修改了獨立權利125四、導致駁回的幾種常見情況及案例分析1.駁回的條件1）屬于專利法實施細則第五十三條規(guī)定的駁回情形；2）給申請人至少一次陳述意見和/或進行修改申請文件的機會；四、導致駁回的幾種常見情況及案例分析1263）申請人在指定的期限內(nèi)未提出有說服力的意見和/或證據(jù)，也未對申請文件進行符合專利法及實施細則規(guī)定的修改；4）或者修改后的申請文件中仍然存在足以用已通知過申請人的理由和證據(jù)予以駁回的缺陷。3）申請人在指定的期限內(nèi)未提出有說服力的意見和/或證據(jù)，也未1272.駁回的種類1）發(fā)明專利申請的主題違反國家法律、社會公德或者妨礙公共利益，或者申請的主題屬于專利法第25條規(guī)定的不授予發(fā)明專利權的客體；（專利法第5條和25條）2）申請的發(fā)明不具備新穎性、創(chuàng)造性和實用性；（專利法22條）2.駁回的種類1283）發(fā)明專利法申請沒有充分公開請求保護的主題（專利法第26條第3款），或者權利要求未以說明書為依據(jù)；（專利法第26條第4款）4）申請不符合專利法關于發(fā)明專利申請單一性的規(guī)定（專利法第31條第1款）；5）申請的發(fā)明根據(jù)“先申請原則”不能取得專利權（專利法第9條），或者申請不符合“一發(fā)明創(chuàng)造、一專利”的規(guī)定；（專利法實施細則第13條第1款）；3）發(fā)明專利法申請沒有充分公開請求保護的主題1296）發(fā)明專利申請不是對產(chǎn)品、方法或者改進所提出的新的技術方案（細則第2條第1款）；7）權利要求書不清楚、簡要（專利法實施細則第20條第1款），獨立權利要求缺少解決技術問題的必要技術特征（專利法實施細則第21條第2款）；8）申請的修改或者分案的申請超出原說明書和權利要求書記載的范圍（專利法第33條）。6）發(fā)明專利申請不是對產(chǎn)品、方法或者改進所提1303.案例發(fā)明名稱：半導體器件的制造方法申請簡介：薄膜半導體形成的薄膜晶體管（TFT）通常使用無定形硅膜作為半導體層，通常使用催化元素使其晶化，利用等離子體處理或蒸鍍會大量引入上述元素產(chǎn)生不利影響。3.案例131發(fā)明目的：控制引入催化劑元素的量，并且將其控制在最低限度的量也就是，僅僅在表面引入極微量催化元素發(fā)明目的：控制引入催化劑元素的量，并且將其控制在最低限度的量132申請文件中的部分權利要求：1）獨立權利要求1中包含特征“使含促進結晶化的催化劑元素的溶液與暴露的無定形硅膜連接的工序”；（不支持）2）從屬權利要求4的附加技術特征為催化劑元素使用選自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一種或幾種元素。申請文件中的部分權利要求：133審查過程：在第一次審查意見通知書中的其中一條意見中指出：特征“使溶液與硅膜連接的工序”概括了很寬的范圍，連接包括很多種，僅機械連接就有很多種，而說明書中僅給出了旋轉涂敷的實施例1-4，因此權利要求1沒有以說明書為依據(jù)，不符合專利法第26條第4款的規(guī)定，請申請人根據(jù)說明書具體限定。此外，在第一次審查意見通知書中沒有提及從屬權利要求4的缺陷。審查過程：134但申請人在答復審查員的第一次審查意見通知書提交的權利要求書中，1）將“無定形硅膜”替換為“含有無定形硅的膜”；（超范圍）2）沒有對特征“連接”進行修改（不支持）3）將權利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改為“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”。（超范圍）但申請人在答復審查員的第一次審查意見通知書提交的權利要求書中135針對上述缺陷審查員在第二次審查意見通知書中指出：1）‘含有無定形硅的膜’的含義為該膜除了含有無定形硅之外還含有其它成分，已超出了‘無定形硅膜’的含義，并且該特征既沒有明確地記載在原說明書和權利要求書中，也不能由原說明書和權利要求書所記載的‘無定形硅膜’的內(nèi)容直接導出，因此超出了原說明書和權利要求書記載的范圍，不符合專利法第33條的規(guī)定，是不允許的。針對上述缺陷審查員在第二次審查意見通知書中指出：1362）申請人將權利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改為“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”，然而修改后的“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”既沒有明確地記載在原說明書和權利要求書中，也不能由原說明書和權利要求書所記載的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的內(nèi)容直接導出，因此超出了原說明書和權利要求書記載的范圍，不符合專利法第33條的規(guī)定，是不允許的。2）申請人將權利要求4中的“VIII族、II1373）獨立權利要求1中出現(xiàn)特征“連接”概括了很寬的范圍，使一種物質(zhì)與另一種物質(zhì)相連接有很多種方式，機械方式的連接就有很多種，即使在本領域中使兩種膜相接觸的方式也有很多種，例如濺射、蒸鍍、CVD、等離子體處理、涂敷等等，但并非這些方法都能達到本申請說明書第3頁第四段中‘控制引入催化劑元素的量’的要求，3）獨立權利要求1中出現(xiàn)特征“連接”概括了很138從說明書第2頁最后一段中申請人指出等離子體處理不能有效地控制引入起作用的催化元素的量，說明書第3頁第2段中申請人指出蒸鍍法也不能嚴格地控制催化劑元素的加入量，并且申請人在四個實施例中均采用了涂敷法將含催化劑元素的溶液涂敷在無定形硅膜的表面上。因此獨立權利要求1不符合專利法第26條第4款的規(guī)定，請申請人根據(jù)說明書中記載的內(nèi)容將‘使連接’修改為‘通過涂敷使接觸’。從說明書第2頁最后一段中申請人指出等離子體處理不能有效地控制139在針對第二次審查意見通知書提交的權利要求書中，僅將權利要求4中的“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”中的“IIIb”刪除，變?yōu)椤?、9、10族、13族、14族、15族”，依然沒有對特征“連接”進行修改。申請人在意見陳述書中指出“8、9、10族、13族、14族、15族”為“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的現(xiàn)形表述方式，并且指出‘本申請的說明書中并未指定涂敷為唯一的連接方法’。在針對第二次審查意見通知書提交的權利要求書中140基于此，審查員做出駁回決定，在駁回決定正文中指出：1）認為特征“8、9、10族、13族、14族、15族”依然沒有明確地記載在原說明書和權利要求書中，也不能由原說明書和權利要求書所記載的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的內(nèi)容直接導出，并且“現(xiàn)形表述方式”的解釋也含義不清楚，因此仍然沒有克服超出了原說明書和權利要求書記載的范圍的缺陷，不符合專利法第33條的規(guī)定，是不允許的?；诖?，審查員做出駁回決定，在駁回決定正文中1412）權利要求1中仍然采用了特征“連接”，申請人在意見陳述書中指出‘本申請的說明書中并未指定涂敷為唯一的連接方法’，但是本申請的說明書中同樣沒有給出采取其它連接方法的實施例，也沒有明確指出可以采取其它的連接方法。因此審查員依然認為該特征概括了很寬的范圍，應該將‘使保持’具體限定為‘通過涂敷使接觸’。因此權利要求1仍然不符合專利法第26條第4款的規(guī)定。2）權利要求1中仍然采用了特征“連接”，申請142半導體及集成電路領域的撰寫及常見問題課件143謝謝！謝謝！144半導體及集成電路領域的撰寫及常見問題電學發(fā)明審查部半導體處沈麗半導體及集成電路領域的撰寫及常見問題電學發(fā)明審查部半145本文簡介：本文簡介：146主要內(nèi)容：.半導體領域介紹.申請文件的撰寫要求及相應的常見問題.審查答復通知書時提交文本的常見問題.導致駁回的幾種常見情況及案例分析主要內(nèi)容：147一、半導體領域介紹半導體領域廣義的說是與半導體材料有關的領域，涉及半導體材料、半導體材料的制備、半導體器件、半導體器件的制備、半導體器件的應用、半導體器件的測量等等一、半導體領域介紹半導體領域廣義的說是與半148半導體器件的制備包含通過常見的半導體工藝形成半導體器件的各個部件以及半導體封裝件，半導體器件的應用將具有特定的電學特性的半導體器件例如IC應用在電路、計算機、通信、商業(yè)等領域中。典型和常用的半導體材料是硅；硅的制備包括硅單晶的制備、硅晶片的加工；半導體器件從形式分可以分成分立器件和集成器件；半導體器件的制備包含通過常見的半導體工藝形成半導體器件的各個149電學發(fā)明審查部的半導體處僅涉及分立或集成的半導體器件及其制備，不涉及這些器件的應用，從分類號的角度來說，僅涉及H01L下的專利申請。因此，下面介紹的內(nèi)容也主要針對半導體器件及其制備。電學發(fā)明審查部的半導體處僅涉及分立或集成的半150H01L領域的特點是涉及到的產(chǎn)品種類多、工藝方法多、功能性限定相對少。H01L領域的特點是涉及到的產(chǎn)品種類多、工藝151半導體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點、安裝架、安裝容器、散熱裝置、密封層、封裝樹脂層等。產(chǎn)品種類多：分立器件例如有：二極管、晶體管、晶閘管、太陽能電池、壓電器件、發(fā)光器件等；集成電路例如有：集成的晶體管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；半導體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點、安152工藝方法多：外延生長、摻雜、擴散、離子注入、退火、光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、拋光、引線鍵合、載帶自動焊、芯片倒裝焊、外殼封裝、表面貼裝等等。工藝方法多：外延生長、摻雜、擴散、離子注入、退火、光刻、濕法153功能性限定相對少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對于元器件來說，通常不需要借助功能性限定，用元器件的結構特征及各個結構特征之間的位置或連接關系就可以將產(chǎn)品限定清楚，對于制造工藝，需要用制造步驟、工藝方法、工藝參數(shù)來限定，而不是功能性描述。功能性限定相對少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對于元器件154二、申請文件的撰寫要求及相應的常見問題二、申請文件的撰寫要求及相應的常見問題155根據(jù)專利法第26條第1款的規(guī)定，申請發(fā)明或者實用新型專利的，應當提交請求書、說明書及其摘要和權利要求書等文件。專利申請文件的組成根據(jù)專利法第26條第1款的規(guī)定，申請發(fā)明或者156（一）說明書應當符合專利法第26條第3款、專利法實施細則第18條、19條的規(guī)定。（一）說明書應當符合專利法第26條第3款、專利法實施細則157專利法第26條第3款規(guī)定：說明書應當對發(fā)明或者實用新型作出清楚、完整的說明，以所屬技術領域的技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)為準；必要的時候，應當有附圖。1）說明書應當滿足專利法第26條第3款的規(guī)定專利法第26條第3款規(guī)定：說明書應當對發(fā)明或158i）說明書的內(nèi)容應當清楚，具體應滿足下述要求。主題明確，前后一致用詞準確，無歧義i）說明書的內(nèi)容應當清楚，具體應滿足下述要求。159ii）說明書的內(nèi)容應當完整一份完整的說明書應當包含下列各項內(nèi)容：（1）幫助理解發(fā)明或者實用新型不可缺少的內(nèi)容。（有助于理解發(fā)明）（2）確定發(fā)明或者實用新型具有新穎性、創(chuàng)造性和實用性所需的內(nèi)容。（有別于現(xiàn)有技術）（3）再現(xiàn)發(fā)明或者實用新型所需的內(nèi)容。（能夠再現(xiàn)）ii）說明書的內(nèi)容應當完整160

iii）所屬技術領域能夠?qū)崿F(xiàn)是指所屬技術領域的技術人員按照說明書記載的內(nèi)容，不需要創(chuàng)造性的勞動，就能夠再現(xiàn)該發(fā)明的技術方案，解決其技術問題，并且產(chǎn)生預期的技術效果。iii）所屬技術領域能夠?qū)崿F(xiàn)161提示：如果申請人視為“技術秘密”（know-how）的內(nèi)容是該技術領域的技術人員實施或再現(xiàn)本發(fā)明或?qū)嵱眯滦退夭豢缮俚?，就不可作為技術秘密保留起來，應當記載在說明書中；否則，由于“說明書的修改不得超出原說明書和權利要求的記載范圍”，那些被申請人當作技術秘密保留起來的必不可少的技術內(nèi)容在修改時就不能補充到說明書中去，從而可能導致最后駁回申請。提示：如果申請人視為“技術秘密”（know-how）的內(nèi)容是162以下各種情況由于缺乏解決技術問題的技術手段而被認為無法實現(xiàn)：1）說明書中僅給出了任務和/或設想，或者只表明一種愿望和/或結果，而未給出任何使所屬技術領域的技術人員能夠?qū)嵤┑募夹g手段；2）說明書中給出了解決手段，但對所屬技術領域的技術人員來說，該手段是含糊不清的，根據(jù)說明書記載的內(nèi)容無法具體實施；以下各種情況由于缺乏解決技術問題的技術手段而被認為無1633）說明書中僅給出了解決手段，但所屬技術領域的技術人員采用該手段并不能解決所述技術問題；4）申請的主題為由多個技術措施構成的技術方案，對于其中一個技術措施，所屬技術領域的技術人員按照說明書記載的內(nèi)容并不能實現(xiàn)；5）說明書中給出了具體的技術方案，但未提供實驗證據(jù)，而該方案又必須依賴實驗結果加以證實才能成立。3）說明書中僅給出了解決手段，但所屬技術領域的技術人164舉例1：發(fā)明名稱：半導體器件三維接觸的形成背景技術：現(xiàn)有技術中大多采用等離子體蝕刻技術進行三維蝕刻，但需要價格昂貴的設備，并且等離子體蝕刻中還有晶格損傷問題，盡管可以通過熱處理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的熱處理過程會導致制造成本上升。舉例1：165發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學藥品進行各向異性腐蝕形成半導體器件的電極接觸，增加電極接觸面積，使工作時通過表面的電流密度下降，從而使器件內(nèi)部的壓降降低。采用化學藥品進行腐蝕，晶格損傷為零，可以大量成批處理。只要控制化學藥品的組成、腐蝕溫度和時間，就能得到一定深度的槽狀結構。發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學藥品進行各向異性腐蝕形成半導體器件的電166實施例：結晶方向為<110>單晶棒，按一定的厚度切割成片，表面鏡面拋光。然后在表面涂布光刻膠，利用通常的方法進行曝光、顯影形成線寬為10micron，間隔為3micron連續(xù)圖形。如圖1所示，光刻膠（A）幅寬為10micron，間隔（B）為3micron。將此硅片放入溫度為40℃的堿性化學藥品中。實施例：167附圖1：附圖1：168舉例2：發(fā)明名稱：納米孔道中的晶體管及其集成電路技術方案：利用分子篩材料的納米孔道特點，在納米孔道中裝入P型和N型半導體材料，并且在P型和N型半導體的結合處形成P-N結。分別在孔道的兩端P型和N型半導體上蒸鍍金屬電極，作為外部引線的基礎。這樣便在納米孔道中構成了一種二極管。以此為出發(fā)點，利用分子篩中的納米孔道可控制生長特性，可以構造晶體管和集成電路。舉例2：169附圖：附圖：170分析：申請人在實施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側分別裝入P型和N型半導體材料”、“在三個不同方向的微孔內(nèi)分別裝入P型或N型半導體”、“通過分子組裝化學方法，將P型半導體材料18、22和N型半導體材料分別裝入圖2的納米孔道中”。然而眾所周知，制造均勻、具有20nm的孔徑、20nm厚度的管壁的納米管是非常困難的，依據(jù)現(xiàn)有的技術條件，本領域普通技術人員難以理解：分析：申請人在實施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側分別裝入P型和N型171如何利用分子組裝化學方法將P型半導體材料或N型半導體材料分別裝入納米孔道中，如何制造該申請中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三維尺寸都不超過20納米的晶體管及其集成電路。也就是說明中僅給出了解決手段，但對所屬技術領域的技術人員來說，該手段是含糊不清的，根據(jù)說明書記載的內(nèi)容無法具體實施，不符合專利法第26條第3款的規(guī)定。如何利用分子組裝化學方法將P型半導體材料或N型半導體材料分別1722）說明書的撰寫順序應當符合實施細則第18條的規(guī)定，具體為：

（1）發(fā)明名稱i）應與請求書中的名稱一致，一般不超過25個字；舉例：a）“穩(wěn)定絕緣體基半導體器件的制造方法及絕緣體基半導體器件”；b）“非紡玻璃纖維部件的表面?zhèn)雀采w材料的太陽能電池組件”2）說明書的撰寫順序應當符合實施細則第18條的規(guī)定，具體為：173ii）采用所屬技術領域通用的技術術語，最好采用國際專利分類表中的技術術語，不得采用非技術術語；舉例：“形成半導體器件金屬互連的方法”H01L21/768“形成動態(tài)隨機存取存儲器的方法”H01L21/8242“線架及其制造方法”“二極體及其制造方法”ii）采用所屬技術領域通用的技術術語，最好采174iii）清楚簡明地反映要求保護的發(fā)明或者實用新型技術方案的主題和類型（產(chǎn)品或方法）；舉例：“半導體封裝裝置及成形物質(zhì)引起的寄生電容的計算方法”“熱電半導體材料或元器件及其制造方法與裝置”iii）清楚簡明地反映要求保護的發(fā)明或者實用175iv）應該全面地反映一件申請中包含的各種發(fā)明類型；舉例：“半導體器件的互連線及其制造方法”“一種散熱片及形成方法和組合件”“引線框架和半導體器件”（申請文件）“引線框架及其制造方法，和使用此引線框架的半導體器件”（授權）iv）應該全面地反映一件申請中包含的各種發(fā)明176v）不得使用人名、地名、商標、型號或者商品名稱，也不得使用商業(yè)性宣傳用語。舉例：“一種高效替換備用存儲單元陣列的半導體器件”“一種新穎整流元件的結構及其制法”v）不得使用人名、地名、商標、型號或者商品名177（2）技術領域發(fā)明或者實用新型的技術領域應當是保護的發(fā)明或者實用新型技術方案所屬或者直接應用的具體技術領域，而不是上位發(fā)明或者實用新型本身。（2）技術領域178舉例：發(fā)明名稱：半導體器件及其制造方法技術領域：“本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法”點評：由于半導體器件種類很多并且零部件也很多，因此寫成了廣義的技術領域，過于籠統(tǒng)，簡單地照抄發(fā)明名稱。舉例：179發(fā)明名稱：“形成半導體器件的場區(qū)的方法”技術領域：本發(fā)明涉及一種形成半導體器件的場區(qū)方法，特別涉及一種利用適用于一千兆DRAM規(guī)?；蚋笠?guī)模的半導體器件的STI（淺槽隔離）結構形成場區(qū)的方法。改進之處：在形成槽之前先進行離子注入。發(fā)明名稱：“形成半導體器件的場區(qū)的方法”180技術領域：本發(fā)明涉及一種半導體器件的形成方法（上位的技術領域），特別涉及先進行離子注入再形成STI（淺槽隔離）的半導體器件的場區(qū)的形成方法（發(fā)明本身）。技術領域：本發(fā)明涉及一種半導體器件的形成方法（上位的技術領域181（3）背景技術發(fā)明或者實用新型說明書的背景技術部分應當寫明對發(fā)明或者實用新型的理解、檢索、審查有用的背景技術，并且引證反映這些背景技術的文件。在說明書涉及背景技術的部分中，還要客觀地指出背景技術中存在的問題和缺點。但是，僅限于涉及由發(fā)明或者實用新型的技術方案所解決的問題和缺點。在可能的情況下，說明存在這種問題和缺點的原因以及解決這些問題時曾經(jīng)遇到的困難。（3）背景技術182一些申請文件中的缺陷：（i）對背景技術的描述過于簡單，只是籠統(tǒng)地一提而過，沒有引證文件；（ii）有的即使引用了相關文件，也與發(fā)明主題相距甚遠，有意或無意地掩蓋了最相關的背景技術；（iii）有的故意把背景技術說得一無是處，以此襯托發(fā)明的所謂“突出”或“顯著”；（iv）有的對于不重要的背景技術描述很多，對真正相關的背景技術卻避而不談。一些申請文件中的缺陷：183舉例：附圖：舉例：184圖面介紹：圖1是常規(guī)底部引線半導體封裝的縱剖圖，如該圖所示，常規(guī)底部引線半導體封裝包括：半導體芯片1；和由多根連接基片的引線2a組成的引線2，引線2a的上表面安裝半導體芯片1，底表面與基片連接（未示出）。多個連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸，以便與半導體芯片1引線接合。圖面介紹：185粘結劑3把半導體芯片1粘結在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導體芯片1的芯片焊盤/接合焊盤（未示出）和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹脂4模制包括已導線連接的半導體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預定區(qū)域，以使引線框架的連接基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面，引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預定深度。粘結劑3把半導體芯片1粘結在引線2的連接基片的引線2186美國專利5428248中詳細說明了這種有上述結構的半導體封裝，該專利已轉讓給本發(fā)明的受讓者，在此可對它所公開的內(nèi)容作了引證。然而，在上述常規(guī)半導體封裝中，當芯片焊盤位于半導體封裝的側邊時，可以進行引線接合，但當芯片焊盤位于其中心時，無法進行引線接合。美國專利5428248中詳細說明了這種有上述結構的半187（4）發(fā)明或者實用新型的內(nèi)容要解決的技術問題是指發(fā)明或者實用新型要解決的現(xiàn)有技術中存在的技術問題。發(fā)明或者實用新型公開的技術方案應當能夠解決這些技術問題。（4）發(fā)明