EPI外延培訓(xùn)教材課件

1、EPI外延培訓(xùn)教材10/10/20221EPI外延培訓(xùn)教材10/9/20221介紹 本文稿主要介紹EPI外延設(shè)備的相關(guān)知識(shí)。主要內(nèi)容包括： 1.設(shè)備簡(jiǎn)介。 2.外延工藝介紹 10/10/20222介紹 本文稿主要介紹EPI外延設(shè)備的相關(guān)知識(shí)。10/9/20設(shè)備簡(jiǎn)介設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成System head pull-down menusProcess chamber結(jié)構(gòu)圖設(shè)備安全簡(jiǎn)介10/10/20223設(shè)備簡(jiǎn)介設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成10/9/20223設(shè)備的結(jié)構(gòu)和組成EPI主要由以下幾部分組成：1:Mainframe2:Remote controller/AC Power frame3:Vacuum sy

2、stem4:Exhaust system具體結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照附圖10/10/20224設(shè)備的結(jié)構(gòu)和組成EPI主要由以下幾部分組成：10/9/202Mainframe10/10/20225Mainframe10/9/20225附圖二整體示意圖10/10/20226附圖二整體示意圖10/9/20226System head pull-down menus10/10/20227System head pull-down menus10/Process chamber結(jié)構(gòu)圖10/10/20228Process chamber結(jié)構(gòu)圖10/9/20228設(shè)備安全簡(jiǎn)介 EPI機(jī)臺(tái)由于用到大量的 易燃,腐蝕及劇毒氣

3、體: H2,PH3,B2H6,DCS,HCL.所以在使用時(shí)一定要注意安全問題:我們要在平時(shí)的維護(hù)中注意以下要點(diǎn):(1)SCRUBBER的排氣一定要處于負(fù)壓狀態(tài)(2)在SCRUBBER排氣處嚴(yán)禁任何明火存在,各類物品均需要防暴型.(3)設(shè)備端OVER PRESSURE管道一定要勤于檢查防止堵塞.(4)在做PM時(shí)一定要帶好防毒面具,嚴(yán)格按PM操作規(guī)程操作.(5)一定要勤于檢查各項(xiàng)INTERLOCK信號(hào)的功能是否可用.10/10/20229設(shè)備安全簡(jiǎn)介 EPI機(jī)臺(tái)由于用到大量的 易燃,腐蝕及劇毒外延工藝簡(jiǎn)介外延的優(yōu)點(diǎn)外延的缺點(diǎn)埋層圖形的移動(dòng)VLSI器件外延的要求外延膜表面的光學(xué)檢查10/10/202

4、210外延工藝簡(jiǎn)介外延的優(yōu)點(diǎn)10/9/202210外延的優(yōu)點(diǎn)減少了在結(jié)構(gòu)功率增加或在遭到輻射脈沖時(shí)CMOS電路可能經(jīng)受的閂鎖效應(yīng)；器件攙雜濃度的精確控制；層中可以不含氧和碳10/10/202211外延的優(yōu)點(diǎn)減少了在結(jié)構(gòu)功率增加或在遭到輻射脈沖時(shí)CMOS電路外延的缺點(diǎn)增加了工藝復(fù)雜性和硅片成本；在外延層中產(chǎn)生缺陷；自摻雜效應(yīng)；圖形改變和沖壞10/10/202212外延的缺點(diǎn)增加了工藝復(fù)雜性和硅片成本；10/9/202212埋層圖形的移動(dòng)影響因素:基片取向、淀積速率、淀積溫度和硅的原料?；∠颍喝∠虻墓杵?軸的方向上的圖形移動(dòng)得最小;硅片則在偏離111方向2-5、接近方向時(shí)，表現(xiàn)出最小的影響（效

5、應(yīng)）。因而用于生長(zhǎng)取向的外延層的基片有3的偏離10/10/202213埋層圖形的移動(dòng)影響因素:基片取向、淀積速率、淀積溫度和硅的原VLSI器件外延的要求嚴(yán)格的厚度和電阻率控制；少量的工藝誘發(fā)缺陷；減少圖形移動(dòng)和沖壞；減少自摻雜；降低工作溫度10/10/202214VLSI器件外延的要求嚴(yán)格的厚度和電阻率控制；10/9/20外延膜表面的光學(xué)檢查光學(xué)顯微鏡（霧、坑、顆粒和釘）；UV光源；低倍（75-200X）的顯微鏡顯示了層錯(cuò)和金字塔型缺陷；外延層的摻雜濃度通常用四極探針測(cè)量方塊電阻來確定（異型）；摻雜剖面由測(cè)量擴(kuò)展電阻、電容-電壓、中子激活分析和二次離子質(zhì)譜SIMS技術(shù)獲得。少子壽命提供了對(duì)重金屬雜質(zhì)濃度的測(cè)量（Zerbst方法）10