2022年全國職業(yè)院校技能大賽高職組集成電路開發(fā)及應(yīng)用賽項(xiàng)賽題(試卷7)

1、 PAGE PAGE 2GZ2022* 7及“集成電路應(yīng)用”四部分組成。第一部分 集成電路設(shè)計與仿真使用集成電路版圖設(shè)計軟件，根據(jù)表 1-1 所示的集成電路真值表（Y0Y15 隨機(jī)抽取），PDK理圖和版圖，并進(jìn)行功能仿真。設(shè)計要求如下： 個輸入端 個輸出端VCC；1。1-1 所示的集成電路真值表， 、D 輸入不同的邏輯電平， Y 輸出對應(yīng)邏輯電平。上述邏輯Y0Y15 由比賽現(xiàn)場裁判長抽取的任務(wù)參數(shù)確定。為4kHz，D 8kHz。DRCLVS驗(yàn)證。MOS管數(shù)量應(yīng)盡量少?，F(xiàn)場評判要求：DRC LVS結(jié)果、版圖及尺寸。不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。輸入輸出Y10 Y輸入輸出Y10 Y11 Y

2、12 Y13 Y14Y15YY15 Y14 Y13 Y12 Y11 Y10 Y9 Y8 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1Y0ABCDY0000Y00001Y10010Y20011Y30100Y40101Y50110Y60111Y71000Y81001Y9101010111100110111101111第二部分 集成電路工藝仿真在交互仿真平臺進(jìn)行仿真操作。（單選）在視頻中，標(biāo)注的是選項(xiàng)中的哪種溶液？A.二甲苯B.KOHC.去離子水D.丙酮（單選）劃片，則會造成（）現(xiàn)象。晶圓沾污C.藍(lán)膜切透D.切割處嚴(yán)重崩邊（單選）能會造成（）。A.塑封料填充不足B.開模失敗C.溢料D.塑封體變色3（單選

3、）視頻展示的裝片機(jī)外觀中，進(jìn)行芯片粘接動作的位置是（）標(biāo)注的區(qū)域。（單選）可能會造成（）。塑封體氣泡塑封體上的打標(biāo)字跡模糊塑封溢料塑封料流動性差（多選）怎樣的異常現(xiàn)象？無影響C.墨點(diǎn)偏大D.墨點(diǎn)偏小4（多選）（）。A.操作簡單，技術(shù)要求較低B.技術(shù)要求較高C.墨點(diǎn)較精確D.墨點(diǎn)大小不可控（多選（傳統(tǒng)模或缺的一步，該操作的作用有（）。A.去除塑封料中的水分B.制作高質(zhì)量塑封料C.提高塑封料的可重復(fù)使用率D.加快模壓過程，提高塑封機(jī)工作效率（多選）指示的部位是（）。第一焊點(diǎn)第一鍵合點(diǎn)第二焊點(diǎn)第二鍵合點(diǎn)510.（多選）激光打標(biāo)是為芯片打上標(biāo)識的過程，當(dāng)大量出現(xiàn)視頻中標(biāo)注的現(xiàn)象時，下列操作正確的有（）

4、。繼續(xù)完成本批次作業(yè)暫停設(shè)備作業(yè)將存在該問題的芯片報廢處理技術(shù)人員檢修光路 11.（仿真操作）膜部分貼膜機(jī)操作過程12.（仿真操作）激光打標(biāo)結(jié)批：集成電路制造封裝工藝激光打標(biāo)部分故障排除和作業(yè)結(jié)批過程6 PAGE PAGE 1013.（仿真操作）轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備運(yùn)行：集成電路制造芯片測試工藝轉(zhuǎn)塔式測試分選環(huán)節(jié)分選機(jī)設(shè)備運(yùn)行14.（仿真操作）單晶硅生長拉晶與檢測：集成電路制造晶圓制造工藝單晶硅生長環(huán)節(jié)的拉單晶和單晶硅質(zhì)量檢測15.（仿真操作）物理氣相淀積參數(shù)設(shè)置與淀積：集成電路制造流片工藝金屬化部分的物理氣相淀積設(shè)備操作環(huán)節(jié)的參數(shù)設(shè)置和淀積設(shè)備運(yùn)行第三部分 集成電路測試參賽選手從現(xiàn)場下發(fā)的元器件

5、中選取待測試芯片及工裝所需元 件和材料，參考現(xiàn)場下發(fā)的技術(shù)資料（芯片手冊、元器件清單等測試任務(wù)。項(xiàng)子任務(wù)。子任務(wù)一：數(shù)字集成電路測試待測芯片：觸發(fā)器（例如：XD74LS76 參數(shù)測試開短路測試VOLIOHIH功能測試設(shè)計、焊接、調(diào)試完成測試工裝，搭建并配置測試環(huán)境，測試芯片邏輯功能，應(yīng)設(shè)置輸入引腳、控制引腳狀態(tài)，記錄輸出引腳電壓值并標(biāo)注單位。子任務(wù)二：模擬集成電路測試待測芯片：TPS73625TPS73625NMOS400mA電容也可以保持穩(wěn)定的輸出。TPS736xx 系列器件的另一個顯著優(yōu)點(diǎn)是它們采用先進(jìn)的雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (BiCMOS)工藝在保持LDO3-1圖 3-1 TPS73

6、625封裝及引腳圖參數(shù)測試輸出電源最大輸出電流輸入輸出壓差接地電流負(fù)載調(diào)整率線性調(diào)整率電源抑制比應(yīng)用電路測試TPS736XX5V測試并記錄以下數(shù)據(jù);輸出電源最大輸出電流輸入輸出壓差接地電流負(fù)載調(diào)整率線性調(diào)整率電源抑制比輸出噪聲電源第四部分 集成電路應(yīng)用STC12C5AS12stm32f103c8t6AT24c02、DS18B20參賽選手應(yīng)利用STC12C5AS12stm32f103c8t6DS18B20AT24c02AMS1117SS8550（帶轉(zhuǎn)速傳感器） 和LED4834-14-24-3低擋 中擋 高擋計時模式圖4-1LED顯示方式0000圖4-2 轉(zhuǎn)速數(shù)據(jù)顯示圖4-3 溫度數(shù)據(jù)顯示實(shí)現(xiàn)過程系統(tǒng)開機(jī)初始化，讀取AT24C024-3作擋位及模式；當(dāng)按下模式切換按鍵切換工作模式且AT24c02式，模式燈計時模式點(diǎn)亮、非計時模式熄滅。(120s2