大學(xué)物理下公式方法歸納

1、高校物理下歸納總結(jié)電學(xué)基本要求：1會求解描述靜電場的兩個重要物理量：電場強度 E 和電勢 V；2把握描述靜電場的重要定理：高斯 定理和 安培環(huán)路 定理（公式內(nèi)容及物理意義）；3把握導(dǎo)體的靜電平穩(wěn)及應(yīng)用；介質(zhì)的極化機理及介質(zhì)中的高斯定理；主要公式：一、 電場強度1點電荷場強：E4qr2re運算場強的方法（03 種）1、點電荷場的場強及疊加原理點電荷系場強：Ei4Q irr i3dE、分解、積分 ,等于該曲面內(nèi)包圍的電0連續(xù)帶電體場強：EQ4rdQ30r（五步走積分法）建立坐標(biāo)系、取電荷元、寫2、靜電場高斯定理：表達式：esEd S0q電通量 （電場強度沿任意閉合曲面的面積分）物理意義： 說明靜電

2、場中,通過任意閉合曲面的荷代數(shù)和除以0；s Ed Sq對稱性帶電體場強： （用高斯定理求解）e3、利用電場和電勢關(guān)系：0UExx二、電勢電勢及定義：1電場力做功：Aq 0Uq0l2Eldl 12. 靜電場 安培環(huán)路定理：靜電場的保守性質(zhì)表達式：lEld0d0；物理意義： 說明靜電場中 ,電場強度沿任意閉合路徑的線積分為3電勢：Uap 0Eld Up00 ；電勢差：UABBElaA電勢的運算：1點電荷場的電勢及疊加原理點電荷電勢：V4q0rdV 、積分 點電荷系電勢：Ui4Q iri0連續(xù)帶電體電勢：VdV4dqr0（四步走積分法）建立坐標(biāo)系、取電荷元、寫2已知場強分布求電勢：定義法VlEldv

3、 0Edrp三、靜電場中的導(dǎo)體及電介質(zhì)1. 弄清靜電平穩(wěn)條件及靜電平穩(wěn)下導(dǎo)體的性質(zhì)Pv, 會用介質(zhì)中的高斯定理,求對稱或分區(qū)勻稱問題中2. 明白電介質(zhì)極化機理,及描述極化的物理量電極化強度 v v v的 D E P 及界面處的束縛電荷面密度；3. 會按電容的定義式運算電容；典型帶電體系的場強40cos1cos2典型帶電體系的電勢0 勻稱帶電球面勻稱帶電球面E0球面內(nèi)U4q0RE4qrr3球面外勻稱帶電無限長直線0勻稱帶電直線EU2lna U a無限長：E20rr0勻稱帶電無限大平面勻稱帶電無限大平面E20UEdd02磁學(xué)恒定磁場（非保守力場）基本要求：1熟識畢奧 - 薩伐爾定律的應(yīng)用,會用右手

4、螺旋法就求磁感應(yīng)強度方向；3把握描述磁場的兩個重要定理：高斯 定理和 安培環(huán)路 定理（公式內(nèi)容及物理意義）；并會用環(huán)路定理運算規(guī)章電流的磁感應(yīng)強度；3會求解載流導(dǎo)線在磁場中所受 安培力 ；4懂得介質(zhì)的磁化機理,會用介質(zhì)中的環(huán)路定律運算 H及 B. 主要公式：1畢奧 -薩伐爾定律表達式：dB40Idl2e r；）r1）有限長載流直導(dǎo)線,垂直距離r 處磁感應(yīng)強度：B40Icos1cos2r（其中1 和2分別是起點及終點的電流方向與到場點連線方向之間的夾角無限長載流直導(dǎo)線,垂直距離r 處磁感應(yīng)強度：B20Ir半無限長載流直導(dǎo)線,過端點垂線上且垂直距離r 處磁感應(yīng)強度：B40Ir2）圓形載流線圈,半徑

5、為R,在圓心 O處：B00I2R半圓形載流線圈,半徑為R,在圓心 O處：B040IR3）螺線管及螺繞環(huán)內(nèi)部磁場 自己看書,把公式記住 2磁場高斯定理 ：表達式：ms Bd S0（無源場 ） 由于磁場線是閉合曲線, 從閉合曲面一側(cè)穿入, 必從另一側(cè)穿出. 0倍；0稱物理意義： 說明穩(wěn)恒磁場中,通過任意閉合曲面的磁通量 （磁場強度沿任意閉合曲面的面積分）等于0；3磁場安培環(huán)路定理：lBld0I（有旋場 ）表達式：lBld0I物理意義： 說明穩(wěn)恒磁場中, 磁感應(yīng)強度B 沿任意閉合路徑的線積分,等于該路徑內(nèi)包圍的電流代數(shù)和的真空磁導(dǎo)率4. 洛倫茲力及安培力1）洛倫茲力 ：FlqvB（磁場對運動電荷的作

6、用力）2）安培力 ：FIdlB（方向沿IdlB方向,或用 左手定就 判定）積分法五步走 :1. 建坐標(biāo)系 ;2. 取電流元Idl;3. 寫dFIdlBsin;4. 分解 ;5. 積分 . 3）載流閉合線圈所受磁力矩：MmB（要懂得磁矩的定義及意義）5.介質(zhì)中的磁場1）介質(zhì)的磁化機理及三種磁介質(zhì)2）有磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理：lHldIHB電磁感應(yīng)基本要求：1 懂得法拉第電磁感應(yīng)定律和楞次定律的內(nèi)容及物理意義；2 會求解 感應(yīng)電動勢及動生電動勢 的大小和方向；明白自感及互感；3 把握麥克斯韋方程組及意義,明白電磁波；主要公式：1法拉第電磁感應(yīng)定律：d,會用楞次定律判定感應(yīng)電動勢方向；d t2動生電動

7、勢l v B ld l vB sin dl cos是 v 與 B 的夾角 ;是 v B 的方向與 L 方向的夾角 .注：感應(yīng)電動勢的方向沿 v B 的方向,從 低電勢 指向 高電勢 ；3感生電動勢及感生電場：E 感 d l B d S ;L s t4麥克斯韋方程組及電磁波：sEd S0qi1SVdVBd S00sLEd lSSBd S變化的磁場產(chǎn)生電場tDd S變化的電場產(chǎn)生磁場Hd lJ 0d SLt波動光學(xué)基本要 求：把握楊氏 雙縫干涉 、單縫衍射 、劈尖 干涉、 光柵衍射 公式；懂得光程差的含義與半波缺失發(fā)生條件及 增透膜、增反膜 原理；主要公式：1光程差與半波缺失光程差 ：幾何光程乘以

8、折射率之差：n 1 r 1 n 2 r 2半波缺失 ：當(dāng)入射光從 折射率較小的光疏介質(zhì) 投射到 折射率較大的光疏密介質(zhì) 表面時,反射光比入射光有的相位突變,即光程發(fā)生 的躍變；（如兩束相干光中一束發(fā)生半波缺失,而另一束沒有,就附加 的光程差；如2 2兩有或兩無,就無附加光程差；）2楊氏雙縫干涉： （D-縫屏距； d- 雙縫間距； k- 級數(shù)）明紋公式:xk 明kDx與縫屏距 D 成正比,與入射光波長成正比,d暗紋公式:xk暗2k1 D2d相鄰條紋間距:xDd條紋特點： 明暗相間勻稱等間距直條紋,中心為零級明紋；條紋間距與雙縫間距d 成反比；3會分析薄膜干涉例如增透膜增反膜,劈尖牛頓環(huán)等4單縫衍

9、射： （ f- 透鏡焦距； a- 單縫寬度； k- 級數(shù)）明紋公式 :asin2 k21 ,x k 明2 k1fl 與透鏡焦距f 成正比,與入射光波2a暗紋公式 :asink,x k 暗kfa中心明紋寬度 :l02fa其它條紋寬度 :lfa條紋特點： 明暗相間直條紋,中心為零級明紋,寬度是其它條紋寬度的兩倍；條紋間距成正比,與單縫寬度a 成反比；5衍射光柵： （dab為光柵常數(shù),為衍射角 ）光柵方程：absink,k0 ,1,2a為透光部分,b 不透光部分,d1,N為每米刻痕數(shù)N光柵明紋公式：dsink,xk明kfd第 K 級光譜張角：21第 K 級光譜線寬度：xx2x 1f tg2tg1（d

10、sin1k1,dsin2k2,1400nm ,紫光,2760nm紅光條紋特點： 條紋既有干涉又有衍射；6光的偏振： （0I為入射光強度,為兩偏振化方向夾角）；折射光為部分偏振光,且 反射光自然光通過偏振片:II02 cos馬呂斯定律：偏振光通過偏振片:II02布儒斯特角：（0i為入射角,為折射角）i0arctgn2n 1當(dāng)入射角滿意上述條件時,反射光為完全偏振光,且 偏振化方向與入射面垂直線與折射光線垂直,即：i0900量子物理基礎(chǔ) 主要內(nèi)容：1. 黑體輻射的試驗規(guī)律不能從經(jīng)典物理獲得說明；規(guī)律,并導(dǎo)致了量力學(xué)的產(chǎn)生和很多近代技術(shù)；普朗克提出了 能量量子化 假設(shè),從而勝利地說明白黑體輻射的試驗量子概念：Eh光子假設(shè)；用愛因斯坦方程 h = mv 2/2 +w 說明白2. 光電效應(yīng)的試驗規(guī)律無法用光的波動理論說明；愛因斯坦提出了試驗規(guī)律；康普頓散射也證明白光的量子性；3. 德布羅意波 物質(zhì)波 假設(shè)：任何實物粒子和光子一樣都具有 波粒二象性 ；德布羅意關(guān)系式：h h 當(dāng) v c 時 , m 用靜