電工電子技術南航2

1、基本放大電路的組成及工作原理放大電路分析場效應管靜態(tài)分析動態(tài)分析射極輸出器差動放大電路功放電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定多級放大電路負反饋 2-6 場效應管放大電路 場效應管： 輸入電阻高（電壓控制型器件），穩(wěn)定性好 結型場效應管 絕緣柵型場效應管 一、絕緣柵型場效應管（MOS管）Metal-Oxide Semiconductor ( 金屬氧化物半導體 )1、 N溝道增強型絕緣柵型場效應管P型硅襯底SGD(1) 結構及原理以P型硅為襯底，在其表面上覆蓋一層SiO2 作絕緣層，再在該層上刻出兩個窗口，形成兩個高摻雜的N型區(qū)（用N+表示）在兩個N型區(qū)上分別引出源極S和漏極D，同時在D與S之間的SiO2 表面

2、制作一個金屬電極柵極GSiO2 層GSDGateDrainSource當 UGS =0時，無論加上什么樣的UDS ，D、S之間總有一個PN結反偏，因此 ID=0GSD顯而易見，D、S之間形成了兩個背靠背的PN結IDSDNPNP型硅襯底SGDSDNPN當 UDS =0， UGS 0 時，柵極的金屬板與P型硅襯底之間形成了一平板電容器。由于絕緣層（ SiO2）很薄，很小的UGS 就能產(chǎn)生很強的電場（方向垂直向下），該電場吸引P型硅襯底中的電子（少子）到表層，與空穴復合形成由負離子組成的耗盡層 P型硅襯底SGD耗盡層 _P型硅襯底SGD_耗盡層 如果增強UGS 即增強電場，由于吸引了更多的電子，在耗

3、盡層與SiO2之間形成一個N型層反型層該反型層即為溝通源區(qū)與漏區(qū)的N型導電溝道。把開始形成導電溝道時所需的UGS 稱為開啟電壓UGS （th)N溝道 P型硅襯底SGDN溝道 導電溝道形成后，加上一定的UDS 將產(chǎn)生ID （管子導通）ID注意此時IG =0IGA、轉移特性曲線（2） 特性曲線UGS（V）ID/mAUDS=常數(shù)2UGS（th）無有溝道481216GSDIDUGS（V）ID/mAUDS=常數(shù)2UGS（th）481216UGS 對ID 控制作用可用 gm 表示gm 稱為場效應管的跨導。 即為曲線上工作點的切線的斜率B、輸出特性曲線UGS=3V4V5V6VUDS / VID/mA4812

4、164812I區(qū)II 區(qū)II 區(qū)為放大區(qū)GSDID2、 N溝道耗盡型絕緣柵型場效應管GSDP型硅襯底SGD+N溝道通過一定工藝使管子本身就具有一定的導電溝道轉移特性曲線UGS/VID/mAUGS（off）-4IDSSUGS（off）夾斷電壓 IDSS零偏電流該類管子一般工作在負柵源電壓(UGS(off) UGS0) 狀態(tài)下GSD輸出特性曲線UGS=0V-1V1V2VUDS / VID/mA4812164812I區(qū)II 區(qū)II 區(qū)為放大區(qū)增強型與耗盡型的區(qū)別：有無原始導電溝道UGS/VID/mAUGS（off）-4IDSSGSDUGS（th）UGS（V）ID/mA2481216GSDP溝道型場效

5、應管則采用N型硅作襯底， 原理完全類似于N型場效應管GSDP溝道增強型GSDP溝道耗盡型UGSIDUGS（th）UGSIDUGS（off）IDSS雙極型； 單極型流控； 壓控輸入電阻 低； 高熱穩(wěn)定性 差； 好三極管與場效應管的比較：三極管 場效應管2.6.2 場效應管放大電路共源 (共射 )共漏 (共集 )BECGSDG BS ED C GSD一般將襯底和 S 極相連GSDP型硅襯底SGD1、靜態(tài)工作點的設置（1）自給偏置電路RG 上沒有電流，很顯然，該電路只適用于耗盡型場效應管。對于增強型絕緣柵場效應管，其UGS必須大于零，因此無法采用該電路+GSD（2）分壓式偏置電路 RG1、 RG2 是分壓電阻，加入 RG 是為了提高輸入電阻+GSD+GSD2、動態(tài)分析+GSDGSD+_ugsuds+_idgmu