半導體研究系列之四（存儲器）自主可控存儲之道

1、目錄 HYPERLINK l _bookmark0 1、 存儲器種類多應用廣，行業(yè)呈高成長與強周期5 HYPERLINK l _bookmark1 、 存儲器種類眾多，特點不同優(yōu)勢各異5 HYPERLINK l _bookmark4 、 DRAM 和 Flash 是目前主流存儲器6 HYPERLINK l _bookmark6 、 縱觀歷史，存儲器行業(yè)呈高成長與強周期特性7 HYPERLINK l _bookmark11 2、 需求端：下游需求持續(xù)旺盛，全球存儲器持續(xù)景氣8 HYPERLINK l _bookmark12 、 全球 IC 景氣復蘇，存儲器市場迎來周期上行8 HYPERLINK

2、l _bookmark15 、 DRAM：大數(shù)據(jù)時代，服務器內存成最大動力8 HYPERLINK l _bookmark18 、 服務器內存：受益 IDC 增長爆發(fā)，將成 DRAM 成長最大動能9 HYPERLINK l _bookmark21 、 消費電子：出貨量趨緩，需求受內存容量升級驅動10 HYPERLINK l _bookmark24 、 其他領域內存：短期均有不同程度下滑，長期看好新興應用崛起11 HYPERLINK l _bookmark25 、 NAND Flash 需求：SSD 與手機閃存雙輪驅動11 HYPERLINK l _bookmark29 、 企業(yè)級 SSD 或為N

3、AND Flash 最強成長動能12 HYPERLINK l _bookmark35 、 智能手機閃存容量擴大，為 NAND Flash 需求另一推手13 HYPERLINK l _bookmark40 、 NOR Flash 需求：傳統(tǒng)市場已經觸底，新應用強勢崛起14 HYPERLINK l _bookmark41 、 傳統(tǒng)領域：功能機出貨量止跌回暖，市場已經觸底14 HYPERLINK l _bookmark44 、 新興領域：AMOLED 和TDDI 滲透率提升為 NOR 需求核心推動力15 HYPERLINK l _bookmark51 、 新興領域：汽車電子、工控等領域帶動高容量NO

4、R 需求17 HYPERLINK l _bookmark55 3、 供給端：壟斷格局下，大陸廠商在NOR 上迎機會18 HYPERLINK l _bookmark56 、 DRAM：三寡頭高度壟斷，2018 年產能增長有限18 HYPERLINK l _bookmark60 、 NAND Flash：寡頭壟斷格局，3D NAND 逐步替代 2D20 HYPERLINK l _bookmark65 、 NOR Flash：集中度較高，產能向臺灣、大陸集中22 HYPERLINK l _bookmark69 、 全球龍頭基本情況23 HYPERLINK l _bookmark79 4、 價格端：D

5、RAM/NOR 維持高價，NAND 大幅下滑25 HYPERLINK l _bookmark80 、 2018 年DRAM 價格整體上行，2019 年預計價格不容樂觀25 HYPERLINK l _bookmark82 、 3D NAND 良率提升疊加成本下降，NAND 價格大幅下滑26 HYPERLINK l _bookmark84 、 擴產有限，NOR Flash 價格持續(xù)高位26 HYPERLINK l _bookmark86 5、 多重因素下，國內存儲器行業(yè)迎發(fā)展契機27 HYPERLINK l _bookmark87 、 因素一：政策扶持+產業(yè)遷移，國內半導體產業(yè)風起云涌27 HYP

6、ERLINK l _bookmark93 、 因素二：存儲技術更迭，國內廠商有望實現(xiàn)彎道超車29 HYPERLINK l _bookmark94 、 傳統(tǒng)存儲：NAND 新興技術更新，3D NAND 占比不斷上升29 HYPERLINK l _bookmark102 、 新型存儲：人才與技術儲備期，有望厚積薄發(fā)32 HYPERLINK l _bookmark103 、 因素三：國內企業(yè)存儲器研發(fā)已有突破32 HYPERLINK l _bookmark105 6、 重點公司推薦及投資建議33 HYPERLINK l _bookmark106 6.1、 兆易創(chuàng)新（603986）： NOR 市占率不

7、斷提升，切入 DRAM 領域 33 HYPERLINK l _bookmark109 7、 風險提示34圖表目錄 HYPERLINK l _bookmark2 圖 1： 存儲器分類明細5 HYPERLINK l _bookmark3 圖 2： 不同存儲器在計算機存儲系統(tǒng)中的應用6 HYPERLINK l _bookmark7 圖 3： 全球存儲器市場呈高成長特性7 HYPERLINK l _bookmark8 圖 4： 存儲器華強北指數(shù)呈現(xiàn)劇烈波動7 HYPERLINK l _bookmark9 圖 5： Dram 價格呈現(xiàn)周期波動（美元）8 HYPERLINK l _bookmark10 圖

8、 6： NAND Flash 價格呈現(xiàn)周期波動（美元）8 HYPERLINK l _bookmark13 圖 7： 2017 年全球半導體市場迎來復蘇8 HYPERLINK l _bookmark14 圖 8： 全球存儲器市場預計將持續(xù)增長8 HYPERLINK l _bookmark16 圖 9： 2017 年行動式內存和服務器內存占比最高9 HYPERLINK l _bookmark17 圖 10： 未來 DRAM 需求將持續(xù)增長9 HYPERLINK l _bookmark19 圖 11： 全球服務器出貨量保持高增長10 HYPERLINK l _bookmark20 圖 12： 全球

9、IDC 市場規(guī)模高速成長10 HYPERLINK l _bookmark22 圖 13： 全球智能手機出貨量趨緩10 HYPERLINK l _bookmark23 圖 14： 智能手機DRAM 平均搭載量持續(xù)擴大10 HYPERLINK l _bookmark26 圖 15： 行動式內存和服務器內存占比不斷提高11 HYPERLINK l _bookmark27 圖 16： NAND Flash 終端需求將高度增長11 HYPERLINK l _bookmark28 圖 17： 數(shù)據(jù)時代對SSD 需求不斷增加11 HYPERLINK l _bookmark30 圖 18： SSD 出貨量將保

10、持高速增長12 HYPERLINK l _bookmark31 圖 19： SSD 存儲密度快速提升12 HYPERLINK l _bookmark32 圖 20： 2017 年企業(yè)級 SSD 市場規(guī)模超過企業(yè)HDD12 HYPERLINK l _bookmark33 圖 21： SSD /HDD 定價比率將繼續(xù)下降13 HYPERLINK l _bookmark34 圖 22： SSD 在消費類PC 市場的滲透率不斷上升13 HYPERLINK l _bookmark36 圖 23： eMMC 與UFS 示意圖13 HYPERLINK l _bookmark37 圖 24： UFS 傳輸速度

11、優(yōu)于eMMC13 HYPERLINK l _bookmark38 圖 25： Apple Store 中單個 APP 所占空間越來越大14 HYPERLINK l _bookmark39 圖 26： 智能手機所需NAND Flash 將持續(xù)增長14 HYPERLINK l _bookmark42 圖 27： 功能機出貨量下降趨勢趨緩15 HYPERLINK l _bookmark43 圖 28： 全球智能手機滲透率趨緩15 HYPERLINK l _bookmark45 圖 29： AMOELD 補償示意圖15 HYPERLINK l _bookmark46 圖 30： 20172020 全球

12、智能手機出貨量預測16 HYPERLINK l _bookmark47 圖 31： 20172020 智能手機 AMOLED 滲透率預測16 HYPERLINK l _bookmark48 圖 32： TDDI 集成觸控與顯示芯片16 HYPERLINK l _bookmark49 圖 33： 未來 TDDI IC 出貨量高速增長16 HYPERLINK l _bookmark52 圖 34： NOR Flash 在汽車電子中的應用17 HYPERLINK l _bookmark53 圖 35： 全球汽車電子市場規(guī)模不斷增長18 HYPERLINK l _bookmark54 圖 36： 20

13、18 年車輛用 IC 市場增速將達 16%18 HYPERLINK l _bookmark57 圖 37： 全球 DRAM 供應被三大寡頭壟斷18 HYPERLINK l _bookmark58 圖 38： DRAM capex 達到新高18 HYPERLINK l _bookmark61 圖 39： 全球 NAND FLash 供應呈寡頭壟斷格局20 HYPERLINK l _bookmark62 圖 40： 近幾年 NAND capex 創(chuàng)新高20 HYPERLINK l _bookmark63 圖 41： NAND Flash 存儲密度大幅增長20 HYPERLINK l _bookma

14、rk66 圖 42： 2016 年 NOR Flash 市場競爭格局22 HYPERLINK l _bookmark67 圖 43： 2017 年 NOR Flash 市場競爭格局22 HYPERLINK l _bookmark70 圖 44： 近幾年三星電子營收與凈利穩(wěn)定增長23 HYPERLINK l _bookmark71 圖 45： 三星電子半導體業(yè)務增長迅猛24 HYPERLINK l _bookmark72 圖 46： 三星電子毛利率與凈利潤較高24 HYPERLINK l _bookmark73 圖 47： 2017 年 SK 海力士營收與凈利大幅增長24 HYPERLINK l

15、 _bookmark74 圖 48： 2017 年 SK 海力士毛利率與凈利率大幅增長24 HYPERLINK l _bookmark75 圖 49： 美光營收與歸母凈利潤持續(xù)增長25 HYPERLINK l _bookmark76 圖 50： 2018 年美光毛利率與凈利潤提升25 HYPERLINK l _bookmark77 圖 51： 美光存儲器業(yè)務快速增長25 HYPERLINK l _bookmark78 圖 52： 美光在大陸營收占比越來越高25 HYPERLINK l _bookmark83 圖 53： NAND Flash 價格已跌至新低26 HYPERLINK l _boo

16、kmark85 圖 54： 2017 年來旺宏 NOR Flash 價格持續(xù)上漲27 HYPERLINK l _bookmark88 圖 55： 中國串行NOR Flash 市場規(guī)模27 HYPERLINK l _bookmark89 圖 56： 中國 NAND Flash 市場規(guī)模27 HYPERLINK l _bookmark91 圖 57： 我國集成電路投資不斷增長（億美元）29 HYPERLINK l _bookmark96 圖 58： 幾種不同NAND 閃存顆粒原理圖30 HYPERLINK l _bookmark97 圖 59： TLC 閃存的優(yōu)勢是容量更大，成本更低30 HYPE

17、RLINK l _bookmark98 圖 60： 晶圓物理容量已接近極限30 HYPERLINK l _bookmark99 圖 61： 2D NAND 和 3D NAND 對比30 HYPERLINK l _bookmark100 圖 62： 3D NAND 技術發(fā)展路線圖，長江存儲已上榜31 HYPERLINK l _bookmark101 圖 63： 20182019 年，3D NAND 占比快速提升32 HYPERLINK l _bookmark107 圖 64： 兆易創(chuàng)新歷年營業(yè)收入情況34 HYPERLINK l _bookmark108 圖 65： 兆易創(chuàng)新歸母利潤總額34 H

18、YPERLINK l _bookmark5 表 1： 不同存儲器性能對比7 HYPERLINK l _bookmark50 表 2： AMOLED 和TDDI 用 NOR Flash 需求預測17 HYPERLINK l _bookmark59 表 3： 2017-2018 全球內存廠晶圓投片量預估（千片/月）（12 寸） 19 HYPERLINK l _bookmark64 表 4： 全球 NAND Flash 產能（12 英寸）21 HYPERLINK l _bookmark68 表 5： 全球 NOR Flash 產能與擴產預估（萬片/月）23 HYPERLINK l _bookmark

19、81 表 6： 當前 DRAM 價格走勢26 HYPERLINK l _bookmark90 表 7： 中國存儲器發(fā)展主要政策28 HYPERLINK l _bookmark92 表 8： 國內已經公布的半導體產線投資、擴建計劃明細29 HYPERLINK l _bookmark95 表 9： NAND 電子層數(shù)越多成本越低，壽命越短30 HYPERLINK l _bookmark104 表 10： 國內存儲器芯片廠商投資331、 存儲器種類多應用廣，行業(yè)呈高成長與強周期、 存儲器種類眾多，特點不同優(yōu)勢各異存儲器（Memory）是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在

20、數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO 等；在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF 卡等。存儲器依照特點不同可分為眾多類別。存儲器種類眾多，具有不同的分類方法，按存儲形式不同，存儲器可分為三大類：光學存儲，根據(jù)激光等特性進行存儲，常見的有DVD/VCD 等；磁性存儲，常見的有磁盤、軟盤等；半導體存儲器，采用電能存儲，是目前應用最多的存儲器。依照斷電后是否還能保留數(shù)據(jù)，可分為“易失性（VM）”與“非易失性（NVM）”存儲兩大類。按是否可以直接被 CPU 讀取，可分為內存（主存，如RAM

21、）和外存（如ROM，硬盤等）。圖1： 存儲器分類明細資料來源：電子工程世界，電子產品中處處要用到存儲器。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中，因此電子產品可謂處處用到存儲器。以計算機為例進行自上而下分析：最為核心的 CPU 部分對于數(shù)據(jù)的讀寫要求高，價格昂貴，依次為 cache 緩存，然后為主存儲器 DRAMSRAM，然后為輔助存儲器和大容量存儲器。通常速度越快、容量越大成本越高，但是隨著技術進步，成本有較大下降空間。圖2： 不同存儲器在計算機存儲系統(tǒng)中的應用資料來源：百度百科存儲系統(tǒng)，、 DRAM 和 Flash 是目前主流存儲器目前市

22、場上最重要的存儲器為 DRAM 存儲器和 Flash 閃存芯片。動態(tài)隨機存儲器DRAM 是最常見的系統(tǒng)內存，其性能出色但斷電易失，成本較同級別易失性存儲器更低，因此是是最常見的系統(tǒng)內存；Flash 閃存芯片是應用最廣的非易失性存儲， 由于斷電非易失性，因此主要用在大容量存儲領域。DRAM：DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，為了保持數(shù)據(jù)，DRAM 使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。相比 SRAM，DRAM 保留數(shù)據(jù)的時間較短，速度也相對較慢，但從價格上來說 DRAM 價格較 SRAM 便宜很多，且由于技術區(qū)別，DRAM 體積小、集成度高、功耗

23、低，同時其速度比所有 ROM 都快，因此被廣泛應用。Flash：從特點來看，F(xiàn)lash 結合了 ROM 和 RAM 的長處，不僅具備電子可擦除可編程性能，且斷電不會丟失數(shù)據(jù)，雖然讀取速度不及 DRAM 但依舊比較快，同時其成本較DRAM 大幅下降。在早期時候，系統(tǒng)一直使用 ROM(EPROM)作為存儲設備，但目前 Flash 已經全面代替了 ROM。從分類來看，F(xiàn)lash 主要有 NOR 和 NAND 兩種，區(qū)別在于存儲單元連接方式不同，導致兩者讀取方式不同。NOR Flash 目前以串行為主，具有 XIP 特性，但成本較高，主要占據(jù)小容量市場。NOR Flash 分為串行和并行，串行由于接口

24、簡單、更輕薄小巧、功耗和系統(tǒng)總體成本更低，因此雖然讀取速度不及并行NOR Flash，但已成為主要系統(tǒng)方案商的首選；從特點來看，NOR 以“字”為基本單位， 可以直接運行裝載在 NOR Flash 里面的代碼（XIP）。NOR 相比 NAND 成本較高，且寫入速度慢，因此主要用于功能手機、DVD、TV、USB Key、機頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設備等小容量代碼閃存領域，其占據(jù)容量為 016MB Flash 市場的大部分份額。NAND Flash 較 NOR Flash 單位容量成本更低，因此多用于大容量存儲。NAND Flash 以塊為基本單位，成本較 NOR 低，寫入與讀取速度都比較快，但用戶不能直接運

25、行 NAND Flash 上的代碼，因此好多使用 NANDFlash 的開發(fā)板另需一塊 NOR Flash 來運行啟動代碼。由于 NAND Flash 低成本高寫入和擦除速度等特點，、因此主要用在大容量存儲領域，如嵌入式系統(tǒng)（非PC 系統(tǒng)）的 DOC（芯片磁盤）和常用的閃盤，如手機、平板電腦、U 盤、固態(tài)硬盤等。表1： 不同存儲器性能對比DRAMNAND FlashNOR Flash市場份額53%42%3%當前制程18/17nm16/15nm55/28nm成本高低中揮發(fā)性易失性非易失性非易失性隨機讀取極快低速高速擦除與寫入速度極快（無擦除）高速（4ms）低速（5s）尺寸-小，NOR 的 1/8

26、大壽命無限百萬次十萬次功耗-中高容量低 MB/GB高 GB/TB中 MB/GB資料來源：產業(yè)信息網(wǎng)，電子發(fā)燒友，、 縱觀歷史，存儲器行業(yè)呈高成長與強周期特性長遠看，全球存儲器呈現(xiàn)高成長特性。存儲芯片屬于半導體產品，占比集成電路產值近 30%，受摩爾定律的支配，整體行業(yè)技術發(fā)展極快。技術進步的推動下，存儲器下游產品容量需求提升迅速以及新興應用市場不斷被開辟，長期來看，存儲器行業(yè)整體呈現(xiàn)高成長特性。存儲器行業(yè)具有周期波動特性。從歷史表現(xiàn)上看，存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中，其產業(yè)周期強于電子元器件市場整體的周期性，暴漲暴跌的情況可謂常態(tài)。以存儲器華強北指數(shù)為參照，2013 年上半年華強北

27、指數(shù)便上漲 21.28%，隨后暴跌 14.18%，14 年又由 82.96 上漲至 104.22，漲幅達 25.63%。相比于整個電子元器件整體市場，存儲器的波動較大。存儲器自身特性造就行業(yè)周期波動。存儲器行業(yè)的周期性源于供給量和需求量的增減交替，而供需的錯位與其自身特性有關：存儲器產品需求量大、標準化程度高， 用戶和產品粘性弱；行業(yè)規(guī)模效應明顯，下游需求容易被迅速推動。因此在需求端， 新興應用領域的出現(xiàn)會刺激存儲器的市場需求；而在供給端存儲器廠商往往在景氣度上行周期有較強擴充產能的意愿，在景氣度下行周期則通過降價來清理庫存，進而導致存儲器價格呈現(xiàn)漲跌循環(huán)。圖3： 全球存儲器市場呈高成長特性圖

28、4： 存儲器華強北指數(shù)呈現(xiàn)劇烈波動10008006004002000全球存儲器產值（千億美元）1101051009590858075702009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016華強北指數(shù):存儲器資料來源：IC insights，資料來源：wind，圖5： Dram 價格呈現(xiàn)周期波動（美元）圖6： NAND Flash 價格呈現(xiàn)周期波動（美元）5.004.003.002.001.002011-122012-062012-122013-062013-122014-062014-122015-062015-122016-062016-122017-062017-

29、122018-062018-120.00DRAM DDR3 4GbDRAM DDR3 2Gb8.06.04.02.00.0NAND Flash 64GbNAND Flash 32Gb NAND Flash 16Gb資料來源：DRAMexchange，資料來源：DRAMexchange，2、 需求端：下游需求持續(xù)旺盛，全球存儲器持續(xù)景氣2.1、 全球 IC 景氣復蘇，存儲器市場迎來周期上行全球半導體市場迎來復蘇。據(jù)WSTS 統(tǒng)計，全球半導體市場規(guī)模2000-2009 年CAGR 為 5.87%，而 2011-2016 年僅由 2995.21 億元增長至 3389.31 億元，CAGR 為 2.5

30、0%，增速明顯趨緩。2017 年在存儲器帶領下，半導體行業(yè)迎來復蘇，銷售額達 4122 億美元，同比增長 21.6%，創(chuàng)下新高。隨著新科技如人工智能、AR/VR、物聯(lián)網(wǎng)崛起以及下游消費電子、汽車電子的強勁需求，全球半導體需求將繼續(xù)揚升。存儲器 2017 年迎來爆發(fā)，已成 IC 最大細分領域。得益于手機和云服務的強勁需求以及供應商集中度的提升，2017 年全球存儲器價格持續(xù)攀升，市場規(guī)模達到 1240億美元，同比大幅增長 61.5%，已成 IC 最大細分領域，市場份額達 30.1%。具體看，DRAM 銷售額為 728 億美元，同比增長 74%；NAND Flash 銷售額為 492 億美元， 同

31、比增長 44%；NOR Flash 約 16 億美元，SRAM 約 3.6 億美元。據(jù)WSTS 預測，2018 年全球存儲器市場預計同比增長 26.4%，市場規(guī)模將達 1567.9 億美元。圖7： 2017 年全球半導體市場迎來復蘇圖8： 全球存儲器市場預計將持續(xù)增長4500350025001500500-500-150045%35%25%15%5%2005200620072008200920102011201220132014201520162017-5%-15%18001300800300-20090%70%50%30%10%-10%全球半導體市場規(guī)模（億美元）YoY（右軸）全球存儲器市場

32、規(guī)模（億美元）YoY（右軸）資料來源：WSTS，資料來源：WSTS 預測，2.2、 DRAM：大數(shù)據(jù)時代，服務器內存成最大動力依照下游應用不同，DRAM 分為五類，基礎都是原始 DRAM 單元。分別是用于傳統(tǒng)PC 的標準DDR DRAM 以及從DDR 衍生的專用于圖形處理的 GDDR 顯存；用于智能終端的 Mobile DRAM，包括 PSRAM、LPDRAM 等，主要強調輕薄和低功率；用于服務器，大型網(wǎng)絡設備的 Server DRAM；用于液晶電視、互聯(lián)網(wǎng)電視的利基型DRAM，容量和用量小，以上內存的基礎都是原始DRAM 單元。行動式 DRAM 與服務器 DRAM 需求增速快，占比 DRAM

33、 前兩位。近年來受智能手機出貨量的強勁增長和 PC 出貨量下滑的雙重影響，行動式 DRAM 增長速率和市場份額已經遠超過標準 DRAM，成為目前 DRAM 的主流產品，占比超過 40%。此外大數(shù)據(jù)、云服務等需求的爆發(fā)快速發(fā)展促進了服務器 DRAM 需求增長，其占比也超過標準DRAM 成為第二大應用領域，占比 27.9%。新興領域推動未來 DRAM 需求高速增長?；诨ヂ?lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心（IDC）、移動電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領域的需求增長，未來 DRAM 市場將持續(xù)增長，根據(jù) IC Insights 預測 2019 年DRAM 市場規(guī)模突破 1000 億美元；美光預測 20172021 年DRAM

34、需求量的 CAGR 將達到 20%。圖9： 2017 年行動式內存和服務器內存占比最高圖10： 未來 DRAM 需求將持續(xù)增長繪圖用內存, 5.60%利基型內存, 8.30%標準型內存, 15.70%1300800120%95510427204573972015201620172018E2019E70%行動式內存, 42.50%服務器內存, 27.90%300-20020%-30%全球DRAM市場規(guī)模（億美元）YoY（右軸）資料來源：DRAMexchange，資料來源：IC Insights 預測，2.2.1、 服務器內存：受益 IDC 增長爆發(fā)，將成 DRAM 成長最大動能全球服務器市場需求

35、迎來復蘇。絕大部分的互聯(lián)網(wǎng)服務都需要通過服務器來做統(tǒng)合， 特別是對大數(shù)據(jù)進行運算與訓練、虛擬化平臺搭建運行以及云端存儲等。據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)顯示，2017 年下半年服務器市場強勢復蘇，Q3 全球服務器營收同比增長 16%， 出貨量同比增長 5.1%，Q4 營收同比增長 25.7%，出貨量同比增長 8.8%。2017 全年全球服務器營收和出貨量相較于 2016 年分別增長 10.4%和 3.1%，2018 前三季度 全球服務器市場保持增長勢頭，出貨量同比增長 14.15%，隨著中大型企業(yè)持續(xù)投入云服務，預計未來服務器市場將持續(xù)增長。服務器內存受益 IDC 需求推動。隨著云計算、大數(shù)據(jù)等技術

36、發(fā)展，IDC 作為處理、存儲、備份數(shù)據(jù)的重要物理載體快速發(fā)展，而云計算集中化和價格下降也倒逼 IDC朝著大規(guī)模/超大規(guī)模發(fā)展，未來網(wǎng)絡和資源的部署逐漸轉向以 IDC 為核心。目前全球亞馬遜、谷歌、微軟、Facebook 與中國 BAT 七大巨頭有逾十座網(wǎng)絡數(shù)據(jù)中心在建，據(jù) DRAMeXchange 統(tǒng)計，平均一座 IDC 可容納約 8000 至 15000 個服務器機架，而一個機架可搭載 4 臺以上不同尺寸的服務器，據(jù)估算將會消耗約 10Mn GB 至 20Mn GB 的服務器DRAM，全球 IDC 將極大推動 DRAM 需求。服務器單機內存裝載量提升進一步推動 DRAM 的需求。據(jù) DRAM

37、eXchange 統(tǒng)計， 服務器平均內存裝載量已達到 145GB，預計到 2021 年標準型服務器的DRAM 平均容量將達到 366GB，CAGR 將達 26%。在服務器整機數(shù)量和單機內存裝載量雙重作用下，DRAMeXchange 預計服務器內存 2018 年增長或達 28.6%，同時合約價或將有 58%的提升。圖11： 全球服務器出貨量保持高增長圖12： 全球 IDC 市場規(guī)模高速成長140012001000800600400200015%10%5%0%600450300150020122013201420152016201720%15%10%5%0%全球服務器出貨量（萬臺）YoY（右軸）全

38、球IDC市場規(guī)模（億美元）YoY（右軸）資料來源：wind，資料來源：中國 IDC 圈，、 消費電子：出貨量趨緩，需求受內存容量升級驅動全球智能機出貨量放緩。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)顯示，2017 年全球智能手機出貨量 14.69 億部，同比下滑 0.08%，首次出現(xiàn)下滑，2018H1 全球智能手機出貨量 6.76 億部， 同比下滑 2.4%，智能手機出貨量已經出現(xiàn)較大程度放緩。智能手機出貨量雖趨緩， 但單機 DRAM 容量不斷擴大：安卓系統(tǒng)本身對內存的消耗越來越大。從 07 年安卓 Beta 版首次發(fā)布至今，1.0 原生系統(tǒng)僅占 100M 內存，現(xiàn)在 7. 0 系統(tǒng)需要近 2GB 內存，翻了 20

39、 倍；為了達到及時推送信息和容納更豐富的功能，APP 不斷擴展功能導致內存需求上漲。以微信為例，6.5.4 版本內存需求為 2.3 版本的 7.6 倍，同時大型手游的推出也進一步推動手機內存需求；手機分辨率和屏幕尺寸提升推動。手機 SoC 芯片中 CPU 和GPU 使用的內存是同一個物理內存顆粒，GPU 主要處理圖像信息，當前手機分辨率和屏幕尺寸不斷提升，進一步加大了 GPU 對內存的需求。多重因素推動下，智能手機單機 DRAM 容量提升。根據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，2017 年全球智能手機 DRAM 平均搭載量從 2010 年的 0.5GB 已經提升至 3.2GB。目前6GB 已成為各

40、大安卓旗艦機型的主流選擇，小米 MIX 2S、Vivo NEX 等旗艦機型已經推出 8GB 版本，預計到 2021 年手機 DRAM 平均容量或達 4.8GB。受益容量擴大，行動式內存 2018 年增速或達到 5.1%。圖13： 全球智能手機出貨量趨緩圖14： 智能手機 DRAM 平均搭載量持續(xù)擴大2050%1640%1230%820%410%00%-4-10%全球智能手機出貨量（億部）YoY（右軸）3.532.521.510.503.22.41.81.40.50.70.81.12010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017智能手機DRAM平均搭載量（GB）資料

41、來源：IDC，資料來源：TrendForce，、 其他領域內存：短期均有不同程度下滑，長期看好新興應用崛起短期來看，除開智能手機領域的行動式內存和服務器領域的服務器內存，其余DRAM 下游均出現(xiàn)不同程度下滑，其中 PC 端由于前幾年對需求的充分挖掘，導致其需求下滑最為明顯，預計 2018 年增速為-5.0%。長期來看，隨著 DRAM 在汽車電子、AR/VR 和嵌入式設備等領域滲透，利基型DRAM 或迎復蘇。2.3、 NAND Flash 需求：SSD 與手機閃存雙輪驅動SSD 和移動終端為 NAND Flash 需求主要來源。NAND Flash 下游應用眾多，從分布領域看，移動終端占比最大，

42、主要是智能手機和平板電腦中的 eMMC、eMCP 等。其次是 SSD，需求增長強勁，尤其是企業(yè)級 SSD；第三是移動存儲，包括 USB 和閃存卡，目前份額不斷萎縮。根據(jù)美光數(shù)據(jù)預測，20172021 年，市場對 NAND Flash需求量 CAGR 達 40%45%，其中 SSD 將會是最大動力。圖15： 行動式內存和服務器內存占比不斷提高圖16： NAND Flash 終端需求將高度增長100%80%60%40%20%0%2014201520162017E2018EUSB+存儲卡智能手機+平板SSD其他資料來源：產業(yè)信息網(wǎng)，資料來源：美光，大數(shù)據(jù)時代，NAND Flash 需求將大幅增長。無

43、線寬帶和快速網(wǎng)絡的普及推動數(shù)據(jù)進入云端，同時手機、可穿戴設備等新型設備的興起以及計算能力的發(fā)展，全球已進入數(shù)據(jù)時代。就大數(shù)據(jù)而言，目前每天都會增加 1600 萬個傳感器，會產生大量的數(shù)據(jù)，同時 4G、5G，以及實時響應、實時分析等技術進一步提升數(shù)據(jù)產生速度， 巨量數(shù)據(jù)將產生巨大的數(shù)據(jù)存儲需求。根據(jù) IDC 預測，到 2025 年，全球數(shù)據(jù)圈將擴展至 163ZB (1ZB 等于 1 萬億GB)，相當于 2016 年的十倍。20172025 年，所有介質類型的存儲器出貨容量將超過 19ZB，其中約 58%來自于HDD，30%來自于閃存，主要是 NAND Flash，從目前 NAND Flash 出

44、貨容量來看，存在巨大成長空間。圖17： 數(shù)據(jù)時代對 SSD 需求不斷增加資料來源：IDC“數(shù)據(jù)時代 2025”，2.3.1、 企業(yè)級 SSD 或為 NAND Flash 最強成長動能SSD 出貨量與存儲密度都處于快速增長通道。SSD 即固態(tài)電子存儲陣列硬盤，是大數(shù)據(jù)存儲的核心介質，也是NAND Flash 最大的應用領域。2017 年NAND Flash 存儲密度為 1620 億 GB，其中 SSD 占比 42%的產能。2017 年全球 SSD 出貨量達1.57 億臺，較 2016 年增長 20%。據(jù) CFM 估計，到 2020 年，SSD 出貨量將達到 2.41億臺，SSD 存儲密度將達到

45、1800 億 GB。圖18： SSD 出貨量將保持高速增長圖19： SSD 存儲密度快速提升2.521.510.50201620172018E2019E2020ESSD出貨量（億臺）YoY（右軸）25%20%15%10%5%0%200015001000500018001430105068020172018E2019E2020ESSD存儲密度（億GB）資料來源：ChinaFlashMarket 預測，資料來源：ChinaFlashMarket 預測，企業(yè)級 SSD 受益云端服務興起，或為 NAND Flash 最強成長動能。企業(yè)級 SSD 主要是供應云端服務器市場，下游包括 Facebook、亞

46、馬遜、百度、阿里巴巴、Google 等。根據(jù) Gartner、The Register 和 Stifel 數(shù)據(jù)，2012 年至 2017 年間，企業(yè)級 SSD 硬盤市場收入從 30 億美元增至 114 億美元，CAGR 超過 30%。2017 年全球出貨 2200萬臺，同比增長 35%，今年或將達到 3000 萬臺。目前企業(yè)級 SSD 平均容量需求已達到 1.5TB，正快速向 8TB 邁進，未來在數(shù)據(jù)中心、服務器領域的應用將使企業(yè)級SSD 保持高速增長。企業(yè)級 SSD 滲透率不斷提升，已經超過 HDD。SSD 的技術進步解決了 NAND 芯片的一些固有技術缺陷(例如寫入時間長，讀/寫周期有限)

47、，疊加大數(shù)據(jù)分析帶來具有實時、獨特、結構化和非結構化數(shù)據(jù)訪問和分析要求，因此企業(yè)用戶傾向于響應更快的內存/存儲層次結構，帶動 SSD 滲透率不斷提升，2017 年企業(yè)級 SSD 的市場規(guī)模達到 115 億美元，首次超過了企業(yè)級HDD（110 億美元）。圖20： 2017 年企業(yè)級 SSD 市場規(guī)模超過企業(yè) HDD1601401201008060402002012201320142015201620172018E2019E企業(yè)HDD銷售額（億美元）企業(yè)SSD銷售額（億美元）資料來源：Gartner 預測，The Register 預測，Stifel 預測，消費級 SSD 受益筆記本輕薄化與價格下

48、降，滲透率得到提升。SSD 相比機械硬盤擁有讀寫速度快、數(shù)據(jù)安全性高等多重優(yōu)勢。過去幾年，隨著輕薄本的推出以及傳統(tǒng)筆記本不斷輕薄化，具有體積、功耗優(yōu)勢的 SSD 不斷取代 2.5 寸 HDD，同時由于技術進步等原因，SSD 價格不斷下跌，進一步推升 SSD 滲透率，據(jù) CFM 統(tǒng)計，SSD 滲透率從 2015 年 25%提升至 2017 年 40%，預計 2021 年有望達到 80%。圖21： SSD /HDD 定價比率將繼續(xù)下降圖22： SSD 在消費類 PC 市場的滲透率不斷上升121086420201520162017 2018E 2019E 2020E 2021E每GB的SSD/HDD

49、定價比率100%80%60%40%20%0%201520162017 2018E 2019E 2020E 2021ESSD滲透率資料來源：IDC 預測，Stifle 預測，資料來源：ChinaFlashMarket 預測，2.3.2、 智能手機閃存容量擴大，為 NAND Flash 需求另一推手手機存儲方案多樣，但都要用到 NAND Flash。智能手機和平板電腦的存儲方案有兩種，一種是 CPU 和 DRAM 組成 POP，搭配 eMMC 做固態(tài)存儲，容易實現(xiàn)大容量存儲、信號完整性較好；另一種是將 eMMC 和 LPDDR 一起進行 MCP 封裝成eMCP，但由于其體積小，主要用于小容量儲存。

50、eMMC 是將MMC 接口、NAND Flash及主控集成的芯片，目前市場上還有一種存儲芯片 UFS，其與 eMMC 的主要區(qū)別在于 UFS 基于串行數(shù)據(jù)傳輸技術，而 eMMC 基于并行技術，因為傳輸方式不同，UFS 的讀寫速度要高于eMMC，但兩者所用存儲顆粒均為NAND Flash。圖23： eMMC 與 UFS 示意圖圖24： UFS 傳輸速度優(yōu)于 eMMC資料來源：腳本之家，資料來源：腳本之家，eMMC 為 NAND Flash 下游最大應用領域。eMMC/UFS 因為封裝有 NAND Flash 芯片，可以減少主芯片運算負擔，管理更大容量內存，以及產品研發(fā)速度快、功耗低、空間小等優(yōu)勢

51、，因此在智能手機及平板電腦中被廣泛應用，伴隨著過去幾年智能手機的崛起，eMMC 成為 NAND Flash 下游最大應用領域。手機容量升級驅動 eMMC/UFS 需求。隨著拍照、攝像分辨率的提升、大型手游的推出和傳統(tǒng) APP 所需容量越來越大，智能手機的 ROM 需求越來越大。國產龍頭的主流機型閃存配置都由 2015 年的 16/32GB 提升至 2017 年的 64/128GB。根據(jù)美光科技數(shù)據(jù)，2017 年智能手機閃存平均容量為 43GB，預計到 2021 年將達到 142GB，旗艦型號或將達到 1TB。圖25： Apple Store 中單個 APP 所占空間越來越大圖26： 智能手機所

52、需 NAND Flash 將持續(xù)增長資料來源：Sensor Tower，資料來源：美光，、 NOR Flash 需求：傳統(tǒng)市場已經觸底，新應用強勢崛起NOR Flash 于 1988 年由 Intel 公司推出，其結合了EPROM 和EEPROM 兩項技術， 徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下的局面。NOR Flash 具有芯片內執(zhí)行(XIP)和高可靠性等特點，在 14MB 的小容量時具有很高的成本效益，在功能機時代憑借NOR+PSRAM 架構稱霸一時，其中NOR FLASH 用來存儲代碼和數(shù)據(jù)，PSRAM 作為 MCU 和DSP 執(zhí)行運算時的數(shù)據(jù)緩存。NOR Flash

53、 中串行占比不斷提升。NOR Flash 分為串行和并行，串行由于接口簡單、更輕薄小巧、功耗和系統(tǒng)總體成本更低，因此雖然讀取速度不及并行 NOR Flash，但已成為主要系統(tǒng)方案商的首選。根據(jù)產業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，20082015 年間，在 NOR Flash 整體市場規(guī)模大幅下降的情況下，全球和國內串行 NOR 的市場規(guī)模都逆市增長，并行 NOR 市場規(guī)模大幅下降。2015 年串行 NOR 全球和中國的占比分別達到75.8%和 73.2%。、 傳統(tǒng)領域：功能機出貨量止跌回暖，市場已經觸底功能機出貨量已觸底，2017 年迎來反彈。NOR Flash 的傳統(tǒng)應用以功能手機內存為主，在經歷智能機替代浪潮

54、后，目前全球智能手機的滲透率已達到平臺期，功能手機出貨量下滑趨緩，非洲、日本等地區(qū)受收入和人口老齡化等因素限制，對功能機需求仍然存在。根據(jù)Strategy Analytics 數(shù)據(jù)，2016 年全球功能機出貨 3.96 億部， 同比增速-5.71%，遠小于過去幾年兩位數(shù)的衰退速度。2017 年由于功能機 4G 芯片的推出，功能機出貨量迎來反彈，根據(jù) Counterpoint Research 數(shù)據(jù)，2017 年功能機出貨量同比增長 5%，超過智能機 2%的增速。因此可以認為功能手機的市場已見底，未來大幅萎縮可能性較低，對NOR Flash 市場不利影響已消除。圖27： 功能機出貨量下降趨勢趨緩

55、圖28： 全球智能手機滲透率趨緩141210864202010 2011 2012 2013 2014 2015 20160%-10%-20%-30%-40%100%90%80%70%60%50%2014201520162017 2018E 2019E 2020E功能機出貨量（億臺）YoY（右軸）智能手機滲透率資料來源：Strategy Analytics，資料來源：IDC 預測，、 新興領域：AMOLED 和 TDDI 滲透率提升為 NOR 需求核心推動力由于技術和成本原因，目前AMOLED 必須配備8/16Mb NOR Flash。AMOLED 具有高對比度、超輕薄、可彎曲等諸多優(yōu)點，但由

56、于本身工藝原因，AMOLED 存在亮度均勻性和殘像兩大難題（Mura），因此需要進行補償（De-mura）。補償方法可以分為內部補償和外部補償兩大類。內部補償是指在像素內部利用 TFT 構建的子電路進行補償?shù)姆椒āＭǔ炔垦a償?shù)南袼亟Y構和驅動方式都較復雜，補償效果不明顯且范圍偏小，難以解決殘像問題；外部補償是指通過外部的驅動電路或設備感知像素的電學或光學特性然后進行補償?shù)姆椒?。外部補償?shù)姆绞骄哂邢袼亟Y構簡單，驅動速度快和補償范圍大的優(yōu)點，廣泛應用于AMOLED 手機、TV 等。在外部補償時，由于在驅動 IC 內建eFlash/eMTP 整合 De-mura 編碼將造成新增加的光罩成本過高的情況

57、，因此需要外掛一顆NOR Flash，來避免 AMOLED 面板的藍色光會隨時間消退的問題。在 Full HD 中，需要用 8Mb NOR Flash，QHD 中要用到 16Mb NOR Flash。圖29： AMOELD 補償示意圖資料來源：電子發(fā)燒友，智能機AMOLED 滲透率上升帶動中端NOR Flash 需求復合增速達 24%。根據(jù) IDC預測，20172020 年全球智能手機出貨量仍將增長，同時由于成本下降、以及進入iPhone 供應鏈等原因，AMOLED 在智能機中滲透率不斷提升。據(jù) WitsView 預測， 到 2020 年 AMOLED 滲透率或將達到 49.4%。以 2018

58、 年智能機出貨量 15 億臺，AMOLED 滲透率 35.3%計算，對 NOR Flash 的需求量將達到 5.3 億顆，到 2020 年將達到 7.8 億顆，相比 2017 年增幅達到 90.7%，CAGR 為 24%。圖30： 20172020 全球智能手機出貨量預測圖31： 20172020 智能手機 AMOLED 滲透率預測16.51615.51514.51413.51320172018E2019E2020E全球智能手機出貨量（億臺）60%50%40%30%20%10%0%49.40%41.90%35.30%28%20172018E2019E2020E智能機AMOLED滲透率資料來源：

59、IDC 預測，資料來源：WitsView 預測，全面屏潮流與成本下降帶動 TDDI 滲透率提升。TDDI 即觸控與顯示器驅動集成， 它將原本分離的手機觸控 IC 和顯示 IC 整合進單一芯片中，減少電路干擾和復雜堆疊，可實現(xiàn)超薄超窄的產品設計，同時具有良好的面板透光率、更長的電池壽命和更高的集成度等優(yōu)點，是手機全面屏時代屏幕模組理想的解決方案。但由于 TDDI 價格居高不下，導致其滲透率不高，隨著技術持續(xù)優(yōu)化，TDDI 芯片的成本不斷下降；目前國內一線手機廠的高端機型已經全部采用 TDDI 芯片，預計 2018 年TDDI 芯片滲透率將提升至 22%。據(jù)旭日大數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017 年全球 TDD

60、I 出貨量為 1.6 億顆，同比增長 113%；隨著滲透率提升，到 2020 年，預計出貨量將達到 5.76 億顆，未來三年CAGR 保持在 30%左右。圖32： TDDI 集成觸控與顯示芯片圖33： 未來 TDDI IC 出貨量高速增長65432102015201620172018E 2019E 2020E600%500%400%300%200%100%0%TDDI出貨量（億顆）YoY（右軸）資料來源：百度百科，資料來源：旭日大數(shù)據(jù)預測，TDDI 亦需外掛 NOR Flash 進行編碼存儲，帶動 NOR 需求。由于 TDDI 觸控功能分位編碼所需容量較大，無法一并整合入 TDDI 芯片中，因