一般CMOS電路中的MOS管跟一個(gè)單獨(dú)的NMOS或PMOS管有什么區(qū)別

1、陶顯芳答:在弄清什么是之前，首先要弄清什么是和。目前，一般管生產(chǎn)工藝基本上都是以一塊型半導(dǎo)體材料（型硅片）為襯墊（基片），然后在型半導(dǎo)體材料上面再外延一層型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體與型半導(dǎo)體之間在垂直方向，相當(dāng)于一個(gè)結(jié)，如用電極把兩塊半導(dǎo)體進(jìn)行連接，就是一個(gè)二極管；如在型半導(dǎo)體的上面再覆蓋一層金屬氧化物，這層金屬氧化物對(duì)型半導(dǎo)體是絕緣的，但由于兩種不同性質(zhì)的物體互相接觸時(shí)，會(huì)在接觸點(diǎn)（面）產(chǎn)生接點(diǎn)電位差，使金屬氧化物和型半導(dǎo)體都會(huì)感應(yīng)帶電,這種帶電屬于極化帶電，當(dāng)型半導(dǎo)體被極化帶電之后，其導(dǎo)電性能也會(huì)跟著極化帶電的程度改變。如果把金屬氧化物作為一個(gè)電極（極），型半導(dǎo)體作為另一個(gè)電極，再在兩個(gè)電極之間加

2、上電壓（一般金屬氧化物加正電，型半導(dǎo)體加負(fù)電），由于外加電壓會(huì)改變金屬氧化物會(huì)與型半導(dǎo)體之間極化帶電的程度，型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也將跟著外電壓的大小改變。如果我們利用型半導(dǎo)體的這種導(dǎo)電性能來(lái)制造一個(gè)器件，它就是場(chǎng)效應(yīng)管，而位于金屬氧化物與型半導(dǎo)體之間的型半導(dǎo)體就相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)電溝道。最后把型半導(dǎo)體的兩端引出的一個(gè)電極（極）與型半導(dǎo)體連接，并把三個(gè)電極、分別引出，就相當(dāng)于一個(gè)（溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管）。如果把做管的襯墊材料換成型半導(dǎo)體，對(duì)應(yīng)的外延層換成型半導(dǎo)體，利用同樣的制造工藝，又可以生產(chǎn)（溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管）。上面這兩種工藝生產(chǎn)的或都是屬于管的垂直生產(chǎn)工藝，另外還有一種橫向生產(chǎn)管的工藝，這種

3、橫向生產(chǎn)工藝是在一塊型（或型）型半導(dǎo)體襯墊材料上，同時(shí)外延兩層（型和型）半導(dǎo)體材料，以及一層金屬氧化物（極），再按類(lèi)似垂直生產(chǎn)工藝的方法把三個(gè)電極（、）引出，從橫向看它就是一個(gè)或場(chǎng)效應(yīng)管。簡(jiǎn)單地說(shuō)，橫向管生產(chǎn)工藝，可以看成是把垂直生產(chǎn)工藝旋轉(zhuǎn)度。如果在一塊型（或型）型半導(dǎo)體襯墊材料上，同時(shí)采用兩種工藝（垂直和橫向生產(chǎn)工藝）生產(chǎn)管，很容易就可以在一塊半導(dǎo)體基片上生產(chǎn)兩種不同類(lèi)型（和）的對(duì)管（互補(bǔ)管）。利用對(duì)管可以做成互補(bǔ)放大器，也可以利用對(duì)管的其中一個(gè)當(dāng)另一個(gè)管的負(fù)載（電阻），用管當(dāng)負(fù)載電阻，要比用純電阻省材料、省面積、可以提高集成電路的密度。這種同時(shí)采用兩種工藝生產(chǎn)的管工藝稱(chēng)為（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝。目前以上的集成電路生產(chǎn)技術(shù)都是屬于生產(chǎn)工藝。用工藝生產(chǎn)的管一般耐壓都不高，功率也不大，但管導(dǎo)通內(nèi)阻可