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文檔簡介
1、第2章 光纖通信基礎(chǔ) 凌 云 寬帶光纖傳輸與通信網(wǎng)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2.1 光纖和光纜階躍折射率光纖和梯度折射率光纖的截面結(jié)構(gòu)和折射率分布 Core 包層包層 涂敷層涂敷層光纖剖面光纖的光學(xué)分析方法量子理論2.1.1光纖的幾何光學(xué)分析1. 階躍折射率光纖幾何光學(xué)分析的適用范圍:芯徑a波長c 全反射條件: ,光纖導(dǎo)光。最大輸入角imax 數(shù)值孔徑: 其中: 相對折射率差NA物理意義:表示光纖的收光能力。NA大收光能力強(qiáng);NA小收光能力弱。越大,光纖的收光能力越好,是否越適合光纖通信?ABLn1i=0 imax 時(shí)延差: 最快到達(dá)光線:最慢到達(dá)光線:n2脈沖展寬 脈沖展寬 比特時(shí)間即越小越有利于
2、提高BL積例: n1=1.5,n2=1, BL0.4Mbpskm =210-3,則BL100Mbpskm 子午光纖和偏斜光纖2. 梯度折射率光纖折射率分布:=2,為拋物線分布折射率旁軸近視:纖芯內(nèi):(漸變折射率光纖)其中:可以消除模間色散 2 色散達(dá)到最小值2.1.2 階越折射率光纖的波動光學(xué)分析1波動方程麥克斯韋方程組 電極化強(qiáng)度:波動方程:真空中的波數(shù) 2光纖中的模式芯徑為a的階躍折射率光纖 :Er,E和Hr ,H也有類似表達(dá)式,6個(gè)量只有兩個(gè)獨(dú)立,可取Ez和Hz分離變量法求解 Z =exp(i z) =exp(im) 貝塞爾方程 解:引入了兩個(gè)參量: ,m1類貝虛宗量2類貝2類貝虛宗量1
3、類貝導(dǎo)模在r=0時(shí)為有限值,在r=時(shí)為零的邊界條件 :A=0,B=0 其余四個(gè)量:Ez,E,Hz,H在纖芯和包層的分界面上切向分量連續(xù)的邊界條件 可得出A、B、C、D必須滿足的4個(gè)齊次方程 ,只有當(dāng)系數(shù)矩陣的行列式為零時(shí)才有平凡解.本征方程 注意:對每一個(gè)整數(shù)值m具有多解,可以用mn來表示 本征方程 對每一個(gè)整數(shù)值m具有多解,可以用mn來表示 每一個(gè)mn對應(yīng)于光場的一種可能的空間分布,稱為光纖中的一個(gè)模式。 可能的模式有:m=0: 1) 0n , A=B=0,TEon (E,Hr,Hz); 2) 0n , C=D=0,TMon (H,Er,Ez);m0, mn ,HEmn或EHmn在弱導(dǎo)光纖(
4、 很?。〦z和Hz都近似為零, 疊加形成LPmn(Linearly Polarized Mode)模LPon模是由HE1n模得到;LP1n模是由TEon、TMon和HE2n模線性組合得到;LP2n模是由EH1n模和HE3n模線性組合得到引入?yún)⒘浚?n強(qiáng)度簡諧變化指數(shù)衰減指數(shù)衰減纖芯 n1包層 n2包層 n2模場的橫向分布引入了一個(gè)模折射率(或有效折射率) 當(dāng)導(dǎo)模存在當(dāng)導(dǎo)模截止包層衰減 物理意義:當(dāng) 定義歸一化頻率(V參數(shù)):定義歸一化傳播常數(shù): b=0和b=1分別代表什么?臨界截止V參數(shù):光纖參數(shù)決定1)V值較大,支持模式越多,為多模光纖;2)由一定的光纖設(shè)計(jì)參數(shù),可以確定V,也可以確定支持的
5、模式數(shù)目;3)一般來說存在高階模,一定存在低階模; 4)HE11模不截止,單模光纖的條件;5)V與波長的關(guān)系,V(0) 0, V(1) V(0)2.4056)V與的關(guān)系, 越小, V越小。應(yīng)用:歸一化傳播常數(shù)b與光纖的歸一化頻率V的關(guān)系 3. 單模光纖單模光纖:只支持基模HE11,高階模被截止。1)單模條件 由TE01、TM01模式達(dá)到截止時(shí)的V值來確定 J0(V)=0 得到單模條件:V2.405 HE11模式b與V的曲線 2)模折射率1.5VZD,Dm為正值;ZD,Dm為負(fù)值;波導(dǎo)色散: 產(chǎn)生原因:(1)單模光纖中,攜帶信息的光脈沖在纖芯和包層間分布:主要部分在纖芯中傳輸,剩余部分在包層中傳
6、播。(2)纖芯和包層擁有不同折射率,兩個(gè)部分以不同的速度傳播。(3)光被限制在一個(gè)擁有不同折射率的結(jié)構(gòu)纖芯和包層的組合中傳播,脈沖會擴(kuò)展。注意:即使光纖材料沒有色散特性,波導(dǎo)色散也會發(fā)生。純波導(dǎo)色散僅因?yàn)閷⒐庀拗圃谝粋€(gè)特定的結(jié)構(gòu)中而產(chǎn)生。波導(dǎo)色散: b及d(Vb)/dV和Vd2(Vb)/dV2隨V的變化關(guān)系 DW在01.6m整個(gè)波長范圍內(nèi)都是負(fù)值 典型單模光纖中的材料色散DM、波導(dǎo)色散DW及總色散隨波長的變化關(guān)系 ZD向長波方向移動了3040nm 1.31 1518ps/(kmnm) 普通單模光纖、色散平坦光纖及色散位移光纖的色散隨波長的變化曲線 改變光纖設(shè)計(jì)參數(shù)如a,n1等可以改變V,DM
7、色散位移光纖色散平坦光纖2. 光纖的損耗衰減系數(shù):單位:1/km光功率隨傳輸長度指數(shù)衰減:損耗定義1損耗定義2損耗:衰減系數(shù)與損耗的關(guān)系:物理意義:光功率隨傳播距離變化量與總光功率的比值。1.31 1.391.55 典型單模光纖的損耗曲線 光纖損耗的兩個(gè)主要原因:材料吸收,瑞利散射。 其他原因:波導(dǎo)缺陷,受激拉曼散射,受激布里淵散射。 損耗原因材料吸收 光纖材料:石英(SiO2)材料吸收:本征吸收:非本征吸收:電子諧振:紫外吸收(0.4m )分子諧振:紅外吸收(7m )1.31.6m,0.03dB/km 雜質(zhì)(過渡金屬 ,OH-,摻雜劑 )瑞利散射 定義:纖芯折射率起伏不均勻引起光信號的散射。
8、瑞利散射:濃度的漂移導(dǎo)致折射率變化的區(qū)域尺寸比波長小 瑞利散射公式: C:0.70.9(dB/km)m4 1.55m波長處,aR為0.120.16dB/km 瑞利散射波導(dǎo)缺陷 1)米氏散射:定義:理想的光纖具有完整圓柱對稱性,實(shí)際上纖芯和包層分界面上存在缺陷,芯徑發(fā)生漂移,使光纖產(chǎn)生附加損耗。在大于光波長尺度上出現(xiàn)折射率的非均勻性而引起的散射。措施:制造時(shí)控制芯徑漂移。影響:芯徑變化小于1%,米氏散射損耗典型值小于0.03dB/km 。 波導(dǎo)缺陷 2)彎曲損耗:光纖彎曲。 (宏觀彎曲)光纖彎曲損耗 exp(-R/Rc) 彎曲半徑:Rc : 0.20.4mm R5mm 彎曲損耗0.01dB/km
9、 應(yīng)用:模式過濾器,衰減器,光纖識別儀 3)微彎損耗:(微觀彎曲)光纖軸發(fā)生隨機(jī)的不規(guī)則彎曲,曲率半徑與光纖橫截面積相比擬。應(yīng)用: 多圈螺旋管式傳感器, 影響:可高達(dá)可高達(dá)100dB/Km100dB/Km。措施:(減小微彎損耗的方法)(1)選擇選擇V參數(shù)為2.405,使模式能量大部分局限在纖芯內(nèi)。(2)在光纖表面上安裝護(hù)套。全波光纖 3. 光纖中非線性效應(yīng)成因:導(dǎo)模將能量限制在很小的纖芯內(nèi)非線性效應(yīng)受激光散射非線性折射 四波混頻 受激布里淵散射Stimulated Brillouin Scattering,SBS受激拉曼散射Stimulated Raman Scattering,SRS自相位調(diào)
10、制Self-phase modulation, SPM交叉相位調(diào)制Cross-phase modulation, XPM受激拉曼散射(SRS) 入射光 散射光 +分子振動特點(diǎn):1)在SMF中,主要為前向散射波; 2)散射光強(qiáng)隨入射光強(qiáng)指數(shù)增加; 3)散射閾值散射閾值定義:定義為在長度為L的光纖輸出端,有一半功率被損失到SRS的入射光功率。 散射閾值估算:Leff有效作用長度: gR:拉曼增益系數(shù) Leff 1/a2 AeffgR110-13m/W 2=50m2 =0.2dB/km Pth =570mW 光纖通信系統(tǒng)中,發(fā)射光功率通常小于10mW 受激布里淵散射(SBS) 入射光 散射光 +聲子
11、特點(diǎn):1)在SMF中,主要為后向散射波; 2)散射光強(qiáng)隨入射光強(qiáng)指數(shù)增加; 3)散射閾值散射閾值估算:gB510-11m/W,它比gR (gR110-13m/W )大兩個(gè)數(shù)量級。 Pth1mW考慮到入射光譜寬后:Pth10mW光纖中各種光的散射應(yīng)用:SRS光纖拉曼放大器SBS光時(shí)域反射計(jì)(Optical Time Domain Reflectometer, OTDR)非線性折射 光功率較高時(shí):非線性折射系數(shù)石英光纖:貢獻(xiàn)10-7 由:可以得到:其中非線性相移NL 自相位調(diào)制(SPM)相移NL是由光場自身引起的 由于 脈沖前沿產(chǎn)生紅移,脈沖后沿產(chǎn)生藍(lán)移,因此SPM導(dǎo)致光譜展寬交叉相位調(diào)制(XPM
12、)兩個(gè)或兩個(gè)以上的波長信道,其他波長信道對折射率的調(diào)制,引起的本波長信道相位的變化 注意:“2”表示對于相同的功率來說XPM是SPM的兩倍。 在所有信道都是“1”碼的最壞情況下相位移為: 當(dāng)M=10, 每一信道的功率通常被限制在小于1mW 四波混頻 (3)不為零引起的另一種非線性效應(yīng)。 4=123 最容易產(chǎn)生:1+2-3 特別是信道間隔小,如約1GHz 2.1.4 光纜ITU-T定義的光纖種類:G.652光纖(常規(guī)單模光纖) 在1310 nm工作時(shí),理論色散值為零; 在1550 nm工作時(shí),傳輸損耗最低;G.653光纖(色散位移光纖) 零色散點(diǎn)從1310 nm移至1550 nm,同時(shí)1550
13、nm處損耗最低G.654光纖(衰減最小光纖) 纖芯純石英制造,在1550 nm處衰減最小(僅0.185dB/km),用于長距離海底傳輸G.655光纖(非零色散位移光纖) 引入微量色散抑制光纖非線性,適于長途傳輸1) 光纖的抗拉強(qiáng)度很高,接近金屬的抗拉強(qiáng)度2) 光纖的延展性(1%)比金屬差(20%)3) 當(dāng)光纖內(nèi)存在裂紋、氣泡或雜物,在一定張力下容易斷裂4) 光纖遇水容易斷裂且損耗增大5) 在低溫下?lián)p耗隨溫度降低而增加需要增強(qiáng)機(jī)械性能、需要防水光纖的機(jī)械和溫度特性光纖成纜之后要求光纜:1. 抗拉力特性 光纜能承受的最大拉力取決于加強(qiáng)構(gòu)件的材料和橫截面 積,一般要求大于1 km光纜的重量 (100
14、400 kg)2. 抗壓特性 光纜能承受的最大側(cè)壓力取決于護(hù)套的材料和結(jié)構(gòu)3. 改善溫度特性、隔離潮氣4. 要求光纜材料不容易析氫成纜要求簡單光纜結(jié)構(gòu)三種簡單的光纜結(jié)構(gòu): 光纖: 層絞式層絞式光纜的結(jié)構(gòu)類似于傳統(tǒng)的電纜結(jié)構(gòu)方式,故又稱為古典式光纜。骨架式骨架式光纜中的光纖置放于塑料骨架的槽中,槽的橫截面可以是 V形、U 形或其他合理的形狀,槽的縱向呈螺旋形或正弦形,一個(gè)空槽可放置510根一次涂覆光纖。束管式束管式結(jié)構(gòu)的光纜近年來得到了較快的發(fā)展。它相當(dāng)于把松套管擴(kuò)大為整個(gè)纜芯,成為一個(gè)管腔,將光纖集中松放在其中。帶狀式帶狀式結(jié)構(gòu)的光纜首先將一次涂覆的光纖放入塑料帶內(nèi)做成光纖帶,然后將幾層光纖帶
15、疊放在一起構(gòu)成光纜芯。光纜對光纖特性的影響1. 改善光纖的溫度特性 虛線:光纖自身的特性曲線;實(shí)線:成纜后的特性曲線2. 增加機(jī)械強(qiáng)度 由于光纜結(jié)構(gòu)中加入了加 強(qiáng)構(gòu)件、護(hù)套、甚至鎧裝 層等,因此其斷點(diǎn)強(qiáng)度遠(yuǎn) 大于光纖;不僅如此,光 纜的抗側(cè)壓、抗沖擊和抗 扭曲性能都有明顯增強(qiáng)3. 成纜的附加損耗 不良的成纜工藝,把光纖制成光纜后,會帶來附加損耗, (比如說不良應(yīng)力造成微彎) 稱之為成纜損耗2.1.5 光纖和光纜的連接光纖連接頭種類:端面:PC, APC光纖法蘭盤:光纖連接:光纖的熔接 光纖熔接機(jī) 熔接過程:1)剝出裸纖;2)加加強(qiáng)芯,熱縮管3)兩根光纖端面切成平面; 4)端面清洗;5)對準(zhǔn),熔
16、接 6)固定熱縮管7)測量損耗光纜的連接 2.2 光源和光檢測器 2.2.1 光電器件的工作原理1. 光發(fā)射與光吸收 本征半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu) 自發(fā)輻射 受激輻射 光吸收 自發(fā)輻射:特點(diǎn):光子隨機(jī)地向各個(gè)方向發(fā)射,每次發(fā)射沒有確定的相位關(guān)系非相干光。LED通過自發(fā)輻射過程發(fā)光。LD低于閾值電流時(shí)通過自發(fā)輻射過程發(fā)光。受激輻射:特點(diǎn):光子的輻射方向、相位和頻率都與激發(fā)他們的光子相同相干光。LD大于閾值時(shí),通過受激輻射過程發(fā)光。受激吸收:特點(diǎn):如果入射光子的能量h近似等于E2-E1,光子能量就會被吸收,同時(shí)基態(tài)上的電子躍遷到高能態(tài)。半導(dǎo)體光探測器采用受激吸收效應(yīng)。電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶上的填充幾率可以由
17、費(fèi)米迪拉克分布 受激輻射大于吸收條件: 載流子統(tǒng)計(jì)分布:2. PN結(jié) PN結(jié)的形成: 費(fèi)米能級:在熱平衡情況下: 雙簡并型半導(dǎo)體:非熱平衡狀態(tài)時(shí),在Efc和Efv之間形成了一個(gè)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)區(qū)域。如果入射光波能量滿足:則經(jīng)過雙兼并型半導(dǎo)體時(shí)將得到放大。載流子運(yùn)動:外加電壓的影響:PN結(jié)能帶結(jié)構(gòu):獨(dú)立情況:在熱平衡狀態(tài)下,兩個(gè)費(fèi)米能級是重合的(Efc=Efv) 正向偏壓 光源 增益區(qū)PN結(jié)能帶結(jié)構(gòu):同質(zhì)結(jié)特點(diǎn):(1) 載流子擴(kuò)撒,復(fù)合長度大,載流子濃度低,發(fā)光效率低;(2)低溫下以脈沖方式工作。同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié):同質(zhì)結(jié): PN 結(jié)的兩邊使用相同的半導(dǎo)體材料雙異質(zhì)結(jié) 薄層帶隙小 可為本征半導(dǎo)體,p或n型
18、半導(dǎo)體 0.1m 雙異質(zhì)結(jié):在寬帶隙的P型和 N型半導(dǎo)體材料之間插進(jìn)一薄層窄帶隙的材料。(1)能帶結(jié)構(gòu)對載流子進(jìn)行限制(2)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)(折射率分布)對光子進(jìn)行限制雙異質(zhì)結(jié)的優(yōu)點(diǎn):3半導(dǎo)體材料幾種半導(dǎo)體材料的發(fā)光波長范圍 幾種半導(dǎo)體材料的檢波波長范圍 2.2.2 發(fā)光二極管(LED) 發(fā)光二極管工作原理:通過自發(fā)輻射過程發(fā)射非相干光。主要缺點(diǎn):結(jié)構(gòu)類型:面發(fā)射和邊發(fā)射面發(fā)射LED邊發(fā)射LED邊發(fā)光二極管具有較小的載流子壽命,調(diào)制帶寬(約300MHz)也比面發(fā)光二極管高 2LED的工作特性(1)I較小時(shí)有線性關(guān)系;(2)會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象;(3)溫度升高,越趨于飽和;(4)內(nèi)部發(fā)射功率 10mW,出纖功
19、率小于100W。 LED的P-I特性 (1)譜寬較大 ,5080nm;(2)BL積小,只適合于短途通信;應(yīng)用:10Mbps左右,幾公里 。3050nm 5080nm LED的光譜特性:半極大值全寬(Full Width Half Maximum,F(xiàn)WHM) LED的調(diào)制特性 tc :載流子壽命 25ns3dB帶寬: 典型值:50140MHz 主要影響因素:(1)注入電流低時(shí),結(jié)電容的限制;(2)注入電流高時(shí),有源區(qū)載流子壽命的影響。2.2.3 半導(dǎo)體激光器(LD) LD的工作機(jī)理:受激輻射優(yōu)點(diǎn):1LD激光振蕩激光振蕩條件:(1)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 ;(2)正反饋(諧振腔) 光增益 g稱為增益系數(shù)
20、解理面反射: n=3.5 , 30% 閾值條件: 相位條件: 多縱模與光功率關(guān)系:P(L)=P(0)G 由相位條件可以得到多縱模:LD縱模分析2LD的結(jié)構(gòu)寬面半導(dǎo)體激光器 特點(diǎn):(1)光斑具有橢圓的形狀(約1100m2);(2)光斑隨注入電流變化;(3)閾值電流很高。 分類:寬面半導(dǎo)體激光器和條形半導(dǎo)體激光器。條形激光器 增益導(dǎo)引LD 特點(diǎn):(1)增益導(dǎo)引半導(dǎo)體激光器的閾值電流通常是在50100mA;(2)輸出光斑的尺寸約為110m2;(3)隨著注入電流的增大,光斑尺寸不太穩(wěn)定。 分類:增益導(dǎo)引和折射率導(dǎo)引 原理:通過注入電流控制折射率導(dǎo)引LD 有效折射率差0.01 大多數(shù)光纖通信系統(tǒng)中都采用
21、了強(qiáng)折射率導(dǎo)引的BH半導(dǎo)體激光器 原理:通過引入橫向折射率差折射率低,形成脊型分布3LD的工作特性單模速率方程 載流子濃度光子濃度凈增益:GN為微分凈增益系數(shù) 光子壽命:P-I特性 自發(fā)輻射 受激輻射 特點(diǎn):(1)光功率隨注入電流增加而增大;(2)存在閾值Ith;(3)IIth為受激輻射。特點(diǎn):(隨T增大)(1)閾值電流升高(2)線性度劣化;(3)輸出波長漂移典型值:GaAs激光器,0.2nm/C;InGaAsP激光器,(0.40.5)nm/C 要求工作恒溫 溫度的影響:調(diào)制響應(yīng) 注入電流:LD的調(diào)制響應(yīng)分為小信號調(diào)制和大信號調(diào)制 小信號調(diào)制:ImIb-Ith,主要為模擬調(diào)制;大信號調(diào)制:在閾值和大電流點(diǎn)的數(shù)字調(diào)制。小信號調(diào)制帶寬 :調(diào)制響應(yīng)曲線 小信號調(diào)制:特點(diǎn): (1)低通;(2)存在張弛振蕩;(3)Ib/Ith越大,調(diào)制帶寬大大信號調(diào)制:100ps 300ps 特點(diǎn):(1)上升沿和下降沿;(2)存在過沖(張弛振蕩頻率);(3)10Gbps,采用外調(diào)制。(4)啁啾;上升沿藍(lán)移動,下降沿紅移。 較小啁啾的辦法:減小線寬展寬因子。高
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