從國內NOR Flash產業(yè)進階看利基市場機遇

1、投資建議根據 WSTS 數(shù)據，2021 年全球存儲市場規(guī)模 1582 億美元，占半導體市場份額的比重為 28.61%，為全球半導體行業(yè)重要的組成部分。與之對比的是，國內存儲產業(yè)相對弱小，在全球份額不高，2020 年中國大陸存儲器的國產化率為 1%?；趪鴥?6 家主要存儲器上市公司，近五年存儲板塊加速增長，總營收規(guī)模由 2017年的 34.06 億元增長至 2021 年的 188.87 億元，CAGR 達 53.45%；總歸母凈利潤由 2017年 4.12 億元增長至 2021 年的 42.17 億元，CAGR 達 78.87%。兆易創(chuàng)新、北京君正和聚辰股份分別在 NOR Flash、車規(guī) D

2、RAM 和 EEPROM 等領域具有全球競爭力。我們選取國內競爭力較強的 NOR Flash 產業(yè)，借鑒其崛起路徑并分析當前國內 Fabless 存儲企業(yè)的布局以及利基存儲產業(yè)進階的可能性。行業(yè)供需關系突發(fā)性變化導致參與企業(yè)資源再配置，而產品技術迭代弱化進入壁壘。以 IDM 為主的存儲行業(yè)在面對產品進入生命周期末端時，其資本開支計劃日趨謹慎，在面對外部沖擊時，資源條件的約束將迫使其放棄低端產線甚至完全放棄市場。產品標準化和技術迭代弱化降低了進入壁壘，這將給新企業(yè)補位空間。國內企業(yè)通過成本優(yōu)勢和市場機遇切入市場，并逐步形成從低到高的替代。通過抓住 SPI NOR 滲透率提升和消費電子機遇，兆易創(chuàng)

3、新完成了容量與單價的快速上升并躋身產業(yè)前三；普冉股份利用 SONOS 工藝的成本優(yōu)勢以及中小容量需求的增長，其出貨量超過 26 億顆。新增需求提供空間，與國內企業(yè)優(yōu)勢匹配，而國內晶圓代工產能自給率上升帶來產能保障。物聯(lián)網與可穿戴設備的快速增長提供了行業(yè)新的空間，而此類下游對中小容量的需求更匹配國內企業(yè)的競爭優(yōu)勢，而國內晶圓代工產能自給率上升為 Fabless 企業(yè)提供產能保障，但同時一定程度上帶來行業(yè)集中度的分散。DDR3 市場變化與 2016-2017 年 NOR Flash 變化具有相似性，國內企業(yè)有望復制該路徑實現(xiàn)產業(yè)進階。1）半導體行業(yè)景氣導致有限資源的再分配，頭部廠商三星退出釋放行業(yè)

4、超過 30%的份額；2）中小容量 DDR3 產品在消費電子領域依然具備旺盛需求，其不需要汽車電子行業(yè)較高的行業(yè)認證壁壘，同時對成本具備價格敏感性，符合國內企業(yè)從低端向高端滲透的增長邏輯；3）近年來國內晶圓代工企業(yè)技術上的日益成熟提供了產能支撐，相較于臺系 IDM 企業(yè)資本開支約束，國內 Fabless 公司在份額爭奪上占有先機；4）國內利用先進制程生產利基產品的模式將構成成本優(yōu)勢。SLC NAND 同樣面臨國產替代機遇，國內企業(yè)有望獲得份額。海外企業(yè)逐步轉向工控與汽車領域，陸續(xù)退出 4Gb 以下中低容量 NAND 市場，SLC NAND 主要玩家逐步轉向國內大陸與臺企。如通信、汽車電子、物聯(lián)網

5、、可穿戴設備和工控等新興應用場景的拓展，下游市場對具備高可靠性、低功耗等特點的中小容量存儲芯片需求也持續(xù)上升，也為國內企業(yè)帶來國產替代機遇。基于 2016 年以后國內NOR Flash 產業(yè)進階路徑，我們重點關注兩個階段和三個指標：第一階段為龍頭退出份額的再分配，核心指標為出貨量的倍數(shù)擴張和產品在料號和容量上的加速覆蓋；第二階段為利潤釋放，在某一時期由于供給沖擊或新的增量需求導致供需逆轉，以容量和銷量為基礎，通過漲價攫取大量利潤。我們建議關注國內NOR Flash 龍頭，并向 DRAM 進一步延伸的兆易創(chuàng)新（603986.SH）、通過收購車規(guī)存儲行業(yè)的領先供應商 ISSI 的北京君正（3002

6、23.SZ）和主營 SLC NAND并兼顧 DRAM 和 NOR 的東芯股份（688110.SH）。NOR Flash 基本特征與競爭格局NOR Flash 市場規(guī)模較小，偏向于利基型行業(yè)。在非易失性存儲產業(yè)中，由于 NOR Flash 在容量成本上相較于 NAND 有較大劣勢，在 1Gb 以上幾乎不具備性價比，市場規(guī)模相對較小。根據 SEMI 數(shù)據，2021 年 NOR Flash 和 EEPROM 市場規(guī)模約 40 億美元，而NAND Flash 全球市場規(guī)模約 636 億美元，DRAM 市場規(guī)模約為 870 億美元，NOR Flash和 EEPROM 占存儲行業(yè)比重約為 2.6%。商品標

7、準化程度高，技術進步不明顯。存儲產業(yè)商品化程度較高，同時 NOR 1Gb 以上受 NAND 替代影響，其容量上升路徑受阻，行業(yè)整體技術進步并不明顯。以產品多樣性和制程迭代作為衡量標準，當前 NOR Flash 領先企業(yè)的旺宏在 2015 年即提出 48nm 開發(fā)計劃，此后該計劃延續(xù)至 2021 年才變更為 45nm 并向客戶送樣，同時近年來幾乎不將 NOR Flash 納入研發(fā)投入。制程占比上旺宏 55nm 工藝占比由 2017 年約 5%提升至 2022Q1的 62%，相較于邏輯節(jié)點其滲透率速度并不快，同樣兆易創(chuàng)新在 2013 年大規(guī)模銷售 65nm節(jié)點產品后，將重點轉向容量提升，2019

8、年才在 55nm 上推出系列產品，中高容量產品并不以成本與體積作為考量優(yōu)勢，不影響廠商出貨量的快速上升。參與企業(yè)以調整業(yè)務結構為主要手段，部分戰(zhàn)略性退出市場。隨著 2010 年三星退出行業(yè)和 2014 年底 Cypress 與飛索合并后，NOR Flash 供應商主要包括 Cypress、旺宏、美光、華邦電和兆易創(chuàng)新。其中 Cypress 被英飛凌合并后大幅縮減了在消費電子端的業(yè)務規(guī)模，集中應用于汽車和通信領域；美光收購恒億后由于虧損，也再度縮減相關業(yè)務規(guī)模；現(xiàn)有旺宏和華邦電均專注于調整 NOR 業(yè)務結構，增加高容量產品業(yè)務占比，并將業(yè)務向工控/汽車/通信等領域傾斜，而新的資本開支則主要投向

9、DRAM 與 NAND。市場集中度隨并購與退出周期性升降，2020 年離散度加劇。受智能手機逐步取代功能機的影響，2009-2016 年 NOR Flash 市場規(guī)模一路下降至低于 20 億美元，存儲大廠陸續(xù)宣布退出或縮減業(yè)務，該階段 CR5 份額逐漸下降；2016 年后以中低容量為主的消費電子與物聯(lián)網設備需求增加，新進入玩家較多，在 2020 年市場離散度增加。市占率第一的企業(yè)份額從 2010 年的 32%下降到 2020 年的 25%，CR5 份額由 2017 年的 92%下降至 2020年的 78%?；仡櫿麄€過程，行業(yè)競爭格局變化的核心來自于行業(yè)前景預期變動和龍頭策略調整有關，2020

10、年的離散度變化則由國內企業(yè)的快速崛起相關。圖 1： 2021 年存儲行業(yè)市場結構構成圖 2： 2009-2020 年 NOR 市場規(guī)模與 CR5 份額變化NAND 41%DRAM56%NOR和 EEPROM 3%NOR市場規(guī)模CR5市場份額5045403530252015105095%93%91%89%87%85%83%81%79%77%75% 國際半導體產業(yè)協(xié)會，前瞻產業(yè)研究院，旺宏年報，圖 3： 2012-2021 年華邦電與旺宏資本開支情況圖 4： 2017-2021 年旺宏高中低容量NOR 收入占比變化180160140120100806040200華邦電旺宏100%90%80%70%

11、60%50%40%30%20%10%0%37%33%29%26%24%34%40%38%45%49%36%42%14%22%31%低容量中容量高容量 iFinD，iFinD，舊路徑：國內NOR Flash 產業(yè)進階復盤借成本與技術優(yōu)勢，國內企業(yè)參與度提升。我們以上市/擬上市企業(yè)為研究集（兆易創(chuàng)新/普冉股份/東芯股份/恒爍半導體/芯天下），復盤過去我國內地龍頭與新興企業(yè)成長路徑。借消費電子東風，兆易創(chuàng)新逐步成長為行業(yè)前三從量增到價漲，兆易創(chuàng)新 NOR 的成長三階段。按照公司平均價格與銷量變化，公司發(fā)展歷程可劃分為三個階段：1）2014-2016 年，公司存儲芯片銷售量由 11.08 億顆增長至

12、16.86 億顆，復合增速為23.36%，主要得益于份額提升以及手機存儲芯片多晶圓封裝需求提升，在此過程中受競爭與定價策略影響，單顆 asp 變化幅度較小。2）2017-2019 年，公司存儲芯片銷量由 17.36 億顆增長至 28.75 億顆，復合增速為28.69%，在該階段行業(yè)龍頭策略性退出，公司最核心變化是在繼續(xù)保持銷量快速成長的同時，加快了低容量向高容量的產品切換，2017 年公司產品集中于 128Mb 以下，后加速推出 256Mb 及以上產品。到 2019 年得益于消費電子客戶的導入和可穿戴設備的爆發(fā)，兆易創(chuàng)新出貨量同比增長 45.57%至 28.75 億顆，基本追平旺宏和華邦電的出

13、貨數(shù)據。同時從年報表述上，其產品推出速度明顯加快。3）2019-2021 年兆易創(chuàng)新存儲芯片（以 NOR Flash 為主，在此僅考慮 NOR 產品）出貨量從 28.75 億顆增長至 32.88 億顆，位居全球第二，僅次于華邦電 37.93 億顆，但復合增速降至 6.94%。主要收入增長來源于價格端的變化，存儲芯片平均價格由 2019 年的 0.79元提升至 2021 年 1.66 元，逐漸逼近華邦電的 NOR Flash 平均價格 1.92 元，落后于旺宏的 2.84 元（由于旺宏與日本游戲機行業(yè)強綁定，第一大客戶占比超過 40%，具有一定特殊性）。圖 5： 2013-2021 年兆易創(chuàng)新銷

14、量與價格變動圖 6： 2013-2021 年兆易創(chuàng)新/華邦電/旺宏銷量與價格12013115101520253035出貨量（億顆）兆易創(chuàng)新2021222113平均價格（元）3平均價格22120131201320132021華邦電旺宏兆易創(chuàng)新20212021510152025303540出貨量（億顆）iFinD，財信證券iFinD，財信證券在價格提升的主導下，公司毛利率穩(wěn)步攀升。2020 年以前公司微控制器業(yè)務占比相對較?。?5%-20%之間），毛利率較穩(wěn)定（43%-47%之間），其營業(yè)利潤主要影響因素以存儲芯片為主。我們考察公司存儲器板塊的銷售毛利率變化，在美光/賽普拉斯陸續(xù)宣布退出低端產品后

15、，2017 年受益于競爭格局改善與提價，公司毛利率從 25%以下上升一個臺階至 37.61%并基本維持在該水平，到 2021 年新一輪景氣中，公司通過產品調整與提價將毛利率進一步提升至 39.71%。圖 7：兆易創(chuàng)新在 2016 年后產品推出速度明顯加快圖 8： 2013-2021 年兆易創(chuàng)新/華邦電/旺宏毛利率變動250 0200 0150 0100 050001Gb32Mb128Mb256Mb2Gb50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%兆易創(chuàng)新華邦電旺宏iFinD，財信證券iFinD，財信證券完成技術積累后，進一步擴大在工控與汽車領域的份額。公司 GD25/55、G

16、D5F 全系列產品通過 AEC-Q100 車規(guī)級認證，實現(xiàn)了從 SPI NOR 到 SPI NAND 車規(guī)級產品的全面布局。目前公司車規(guī)級 Flash 產品已在國內外多家知名汽車企業(yè)批量采用，可為車載應用提供大容量、高可靠性、高性能的產品及解決方案。圖 9： Flash 在汽車電子中的應用容量與領域資料來源：兆易創(chuàng)新，財信證券新興企業(yè)皆集中成立，主承接中低容量產品目前上市/擬上市企業(yè)普冉股份/芯天下/恒爍股份以及未上市的珠海博雅/豆萁科技等均集中成立于 2014-2016 年，主要容量覆蓋 256Mb 以下產品，各企業(yè)復合增速超過行業(yè)平均水平。公司成立時間主要容量覆蓋主要下游復合增速表 1：新

17、興存儲企業(yè)集中成立于 2014-2016 年普冉股份20162-128Mb91.10%可穿戴設備恒爍股份2015消費電子、物聯(lián)1-128Mb71.23%網東芯股份2014通訊、安防監(jiān)控、2-256Mb55.69%可穿戴設備芯天下20142Mb-1Gb-40.12%藍牙、手機屏幕、iFinD，財信證券（僅考慮 NORFlash 業(yè)務）隨著主要的 NOR 參與方持續(xù)壓縮低容量業(yè)務規(guī)模，而包括物聯(lián)網設備、TWS 耳機、 AMOLED、TDDI 等產品的快速增長創(chuàng)造了旺盛的中小容量需求，這些應用產品容量范圍在 4Mb128Mb，有利于中小企業(yè)參與。根據普冉招股說明書，TWS 藍牙耳機預計能為 NOR

18、Flash 帶來 3 億美元的新增市場，AMOLED 屏幕市場預計能帶來 1 億美元的NOR Flash 新增市場，TDDI 的增長預計能為 NOR Flash 帶來 5 億元人民幣的市場增長。代表企業(yè)普冉股份利用其技術優(yōu)勢與低價策略，2021 年銷量規(guī)模達到 27.59 億顆，營收規(guī)模來到 10 億級別。從盈利能力與價值量的角度，營收規(guī)模較大的新興企業(yè)集中在消費電子領域，其容量集中于 128Mb 及以下。圖 10：NOR Flash 中小容量增量來源圖 11：國內 NOR Flash 新興企業(yè)集中于中小容量市場增量（億美元）3.532.521.510.50市場增量（億美元）310.8TWS藍

19、牙耳機AMOLEDTDDI32.5平均價格（元）21.510.50旺宏東芯股份華邦電兆易創(chuàng)新芯天下恒爍股份普冉股份010203040出貨量（億顆）普冉招股說明書，財信證券iFinD，財信證券2016 年后國內產品容量/制程推進速度加快，并逐漸具備成本/技術上的獨特優(yōu)勢。從技術演進情況來看，NOR Flash 產品升級路線相對明確，圍繞更先進的制程/更高的容量的路徑穩(wěn)步推出新產品，實現(xiàn)研發(fā)-流片-量產-銷售。隨著美光和賽普拉斯在 2016 和2017 年先后宣布退出 NOR 低容量，在非易失性存儲方向上將資源向更高性價比的 NAND進行傾斜，國內產業(yè)開始進入快車道。新興企業(yè)陸續(xù)成立，而龍頭兆易創(chuàng)

20、新在產品推出速率上也明顯加快，2017 年 256Mb 產品量產，到 2020 年推出代表SPI NOR Flash 行業(yè)最高水準的容量高達 2Gb、高性能的 GD25/GD55 B/T/X 系列產品，產品競爭力基本以年為單位快速逼近國際主流水平。與中高容量為主三巨頭不同，由于中低容量市場競爭較為激烈，且下游多為物聯(lián)網和消費電子設備，參與廠商往往通過制程升級以滿足下游對成本與體積的需求，大多數(shù)企業(yè)制程節(jié)點來到 55nm 以下，與兆易/華邦/旺宏等基本一致甚至更低，在工藝升級上也表現(xiàn)出來更強烈的意愿。除此以外，部分參與廠商逐步發(fā)展出特殊的技術路線。如普冉半導體獲授權采用的 SONOS 工藝能夠減

21、少必要的掩模和處理步驟的數(shù)量，降低芯片的總體尺寸和面積； SONOS 不易受漏極導通和浮柵干擾，并且對應力誘導漏電流（SILC）不敏感，可以實現(xiàn)更快的編程和更低的寫入/擦除電壓，并且將工藝節(jié)點提升至 40nm，實現(xiàn)在中低容量上的競爭力。圖 12：SONOS 工藝下單元尺寸隨制程升級具有競爭力圖 13：國內主要NOR Flash 企業(yè)采用/量產制程40n公司65nm55/58nm50nm45/48nmm普冉股份恒爍股份東芯股份芯天下兆易創(chuàng)新華邦電旺宏Cypress SONOS Technology，財信證券iFinD，財信證券小結：國內 NOR Flash 產業(yè)進階的典型路徑NOR Flash

22、行業(yè)自下而上實現(xiàn)國產替代的典型路徑。我們在此對國產替代定義更加廣泛，即國內企業(yè)從國內市場替代到參與全球競爭的過程。從路徑上，我們可過程歸類為：行業(yè)景氣上行-海外廠商資源約束-海外廠商出讓市場-國內企業(yè)進入-規(guī)模迅速擴大-研發(fā)/設備再投資-技術逼近-參與主流競爭。其潛在的約束和有利條件包括：行業(yè)供需關系發(fā)生突發(fā)性變化，主要參與企業(yè)在資源約束下戰(zhàn)略性放棄部分低容量市場，甚至完全退出行業(yè)。存儲行業(yè)的主要參與方以 IDM 為主，在面對行業(yè)進入生命周期末端時，其資本開支計劃日趨謹慎，在面對外部沖擊時，資源條件的約束將迫使其放棄低端市場，這將給新企業(yè)補位空間。在 2016-2017 年期間，美光將 NOR

23、 產線轉向 NAND，Cypress 出售伯明頓 12 寸晶圓廠，產能進一步縮減。國內企業(yè)通過成本優(yōu)勢和市場機遇切入市場。根據公司投資者關系活動記錄表，兆易創(chuàng)新上市初期中心節(jié)點約為 64Mb，之后借助 SPI NOR Flash 在低功耗領域的應用，其出貨量和中心節(jié)點快速上升，迅速成為中國市場 SPI NOR Flash 市占率第一；普冉股份依托SONOS 工藝在 64Mb 的成本優(yōu)勢，其出貨量快速增長至 2021 年 27.59 億顆。新增需求提供空間，與國內企業(yè)優(yōu)勢匹配在手機上被 NAND 取代以后，NOR Flash 市場的主要增量為 OLED/物聯(lián)網/可穿戴設備，其規(guī)格容量集中在 8-

24、128Mb，為國內企業(yè)的營收增長提供空間。完成技術積累后，借價格與成本優(yōu)勢沖擊高端產品由于 NOR Flash 結構具有相似性，外圍控制電路決定芯片的控制算法，存儲單元影響芯片的單位面積和操作電壓等基礎參數(shù)。國內芯片設計企業(yè)在小容量 NOR 產品上完成利潤與技術的積累后，通過優(yōu)化電路驅動、結合面向制造和可靠性的芯片設計技術和生產工藝提高良率等手段，實現(xiàn)在高容量產品上的價格與成本優(yōu)勢，產品 asp 趨近于國外企業(yè)。新機遇：利基市場 DDR3 與 SLC NAND 帶來新空間DDR3：當前階段有望重現(xiàn) NOR Flash 增長路徑DDR3 市場規(guī)模企穩(wěn)，逐步轉入利基市場，預計 2021 年規(guī)模約為

25、 75 億美金。隨著DDR4 對 DDR3 在主流市場的替代接近尾聲，DDR3 占整體 DRAM 規(guī)模逐步企穩(wěn)，2021年其市場預計占 DRAM 市場比重的 8%，規(guī)模約為 75.35 億美元，并預計到 2022 年增長至 84 億美元。中低容量利基型 DDR3 市場參與方中，2021 年三星與美光依然保留 DDR3 產能，臺系利基DRAM生產大廠南亞科DDR3 占比約為30%，三者合計占據市場超過80%的份額，其余廠商營收規(guī)模大致相當（2-3 億美元）。從產品結構上，三星停止在 DDR3 上的投入，僅具備 1/2/4 Gb 產品約 75 款產品，美光具有完整 1-8Gb 產品線但型號僅 51

26、 款，南亞科深耕 4 Gb 以下容量，產品線較為豐富，型號多達 135 款。圖 14：2021 年 DDR3 市場規(guī)模預計約 75 億美金圖 15：2021 年 DDR2/DDR3 利基市場參與廠商份額估4%3% 3%35%24%5%23%3%計4003503002502001501005003803782181121307584DDR3規(guī)模(億美元）20162017201820192020 2021E 2022E三星SK海力士美光 華邦電南亞科晶豪科鈺創(chuàng) 其他iFinD，財信證券datayes，TrendForce，財信證券（部分依據各公司 2021 年報數(shù)據與 DDR2/3 占比估計）頭部

27、廠商三星退出釋放行業(yè)機遇，行業(yè)迎份額洗牌關鍵節(jié)點。從行業(yè)主要參與對象來看，根據臺灣工商時報信息，三星電子決定將 DDR3 產線轉向生產更高利潤率的 CIS產品，已經通知其客戶變更產品計劃，應用面最廣的 128Mx16 規(guī)格的 2Gb DDR3 將在 4月 28 日結束生產，最后出貨日為 6 月 30 日，下半年將完全停止 2Gb DDR3 供貨，2Gb以下低容量 DDR3 亦陸續(xù)進入停產階段，考慮三星為市場最大的 DDR3 生廠商，這將釋放 26-27 億美元的空間，且聚集在 4Gb 以下的低容量市場。而臺廠則積極擴產以接收頭部廠商讓渡出的市場份額，華邦電計劃將 DDR3 占 DRAM 比重由

28、 30%提升至 2024 年的50%，南亞科、晶豪科和鈺創(chuàng)也積極增加 DDR3 市場投入。從時間節(jié)點上，2022-2023 年將成為 DDR3 市場份額再分配的重要年份，一方面供給端的三星等 2022 年下半年后不再接收新訂單，IDM 臺廠裝機量產時間節(jié)點大多在 2023年后，而下游需求如通信、汽車、安防監(jiān)控和工業(yè)需求相對穩(wěn)定，這將為國內 Fabless 企業(yè)擴大市占率提供機遇。公司公司規(guī)劃表 2：主要 DDR3 市場參與廠商近年來公司規(guī)劃2021 年縮減 DDR3 產能，2022 年下半年開始陸續(xù)停止 1/2/4Gb 的 DDR3三星內存生產SK 海力士2021 年停止生產 2Gb DDR3

29、，2022 年考慮進一步退出計劃投資 3000 億新臺幣興建 12 寸晶圓廠，規(guī)劃產能 4.5 萬片/月，2023 年南亞科華邦電完工試產擴大 DDR3 產能，計劃 2024 年占 DRAM 營收比重 50%，高雄廠 25nm 制程 2022Q4 有望達 1 萬片/月，二階段 2023Q4 投產晶豪科/鈺創(chuàng)其主要晶圓代工廠力積電銅鑼廠預計 2023Q3 量產，陸續(xù)增加產能鎖定digitimes，快科技，財信證券DDR3 依然在部分細分市場上具備旺盛生命力。盡管 DDR4 在服務器/PC 領域為當前主流選擇且逐步迭代至 DDR5，但在運行周期長、需要與舊內存技術兼容的設備/通信/物聯(lián)網設備等領域

30、依然大規(guī)模使用DDR3，如 物聯(lián)網使用的開發(fā)板與擴展板未進行更新，則會繼續(xù)采用兼容的 DDR3 產品。目前安防監(jiān)控、網關路由器、WiFi 和機頂盒均可見使用 1Gb-4Gb 不等的 DDR3 內存。制程工藝相對集中，國內具有潛在成本優(yōu)勢。利基 DDR3 市場主要生產廠商中，華邦電重點拓展 25nm 制程技術并研發(fā)儲備下一代；晶豪科于 2021 年初步完成 25nm 開發(fā)進入導入量產工作；南亞科 2017 年完成了 20nm 的 DDR3 認證與量產工作。而國內企業(yè)兆易創(chuàng)新則借助合肥長鑫生產 17nm DDR3，北京君正（ISSI）與東芯股份則均為 25nm，整體 DDR3 制備工藝相對集中，而

31、兆易創(chuàng)新具備工藝領先優(yōu)勢。當前 DDR3 變化與 2016-2017 年 NOR Flash 變化具有相似性，國內企業(yè)居于更優(yōu)勢地位。回顧 NOR Flash 發(fā)展歷程，隨著市場份額分別居第一位和第三位的賽普拉斯和美光陸續(xù)宣布退出中小容量 NOR ，旺宏與華邦電 2016-2017 年出貨量增速分別為16.73%/40.34%和 15.86%/28.01%，成為此輪行業(yè)出清的最大贏家，2018 年市占率迅速上升至前兩位。而隨著中芯國際和華虹半導體技術的追趕，國內企業(yè)后來居上，增速高于行業(yè)平均。我們認為當前 DDR3 機遇類似于 2016-2017 年的 NOR Flash，且國內企業(yè)在份額爭奪

32、中具備一定優(yōu)勢，原因在于：半導體行業(yè)景氣導致有限資源的再分配，頭部廠商三星退出釋放行業(yè)超過 30%的份額；中小容量 DDR3 產品在消費電子領域依然具備旺盛需求，其不需要汽車電子行業(yè)較高的行業(yè)認證壁壘，同時對成本具備價格敏感性，符合國內企業(yè)從低端向高端滲透的增長邏輯；近年來國內晶圓代工企業(yè)技術上的日益成熟提供了產能支撐，相較于臺系 IDM企業(yè)資本開支約束，國內 Fabless 公司在份額爭奪上占有先機；國內利用先進制程生產利基產品的模式將構成成本優(yōu)勢?；?2016 年以后國內 NOR Flash 產業(yè)進階路徑，我們重點關注兩個階段和三個指標：第一階段為龍頭退出份額的在分配，核心指標為出貨量的

33、倍數(shù)擴張和產品在料號和容量上的加速覆蓋；第二階段為利潤釋放，在某一時期由于供給沖擊或新的增量需求導致供需逆轉，以容量和銷量為基礎，通過漲價攫取大量利潤。SLC NAND：國內企業(yè)積極進取SLC NAND 在高可靠性市場具有利基地位。按照每個 NAND 閃存單元能夠儲存的位數(shù)進行分類，NAND 閃存可分為SLC/MLC/TLC 和 QLC。為追求更高密度和更低的成本，主流市場產品中 TLC 占有較大的市場份額，并有部分開始采用容量更大的 QLC 顆粒。與之對應的是，容量越大，其耐久性越低，可擦寫次數(shù)也越少，即使有日益發(fā)展的控制器和固件技術的幫助，MLC/TLC 產品也不太適合用于工控等高可靠性市

34、場，主要表現(xiàn)在 3 個方面：1）存儲單位越多，電路需要更精確復雜的算法的分配電荷，導致讀寫速度變慢；2）在 Copyback/Partial 編程上，MLC/TLC 對讀/寫/改或小塊操作表現(xiàn)更差；3）存儲單位越多，可擦寫次數(shù)越少，不適用于頻繁更新或追求可靠性的場景。因此，在小容量 NAND 領域，串口 SPI NAND 為過去使用 NOR Flash 需要可靠性要求高/小封裝，又要求容量在 1GB 以上提供了代碼及數(shù)據存儲的解決方案；而并口 PPI SLC NAND 產品則適用于高帶寬應用。圖 16：SLC/MLC/TLC 產品特性對比圖 17：SLC NAND 具有更長的擦寫次數(shù)與壽命SL

35、CMLCTLC容量低讀寫速度高中中高低擦除次數(shù)高中低可靠性高中低成本高中低Intel，財信證券Cactus 官網，財信證券依托高可靠性市場與新興場景應用的拓展，SLC 市場穩(wěn)健增長。根據 Gartner 數(shù)據統(tǒng)計，2019 年SLC NAND 全球市場規(guī)模約為 16.71 億美元，并預計到 2024 年增長至 23.24億美元，復合增長率將達到 6%。隨著如通信、汽車電子、物聯(lián)網、可穿戴設備和工控等新興應用場景的拓展，下游市場對具備高可靠性、低功耗等特點的中小容量存儲芯片需求也持續(xù)上升。包括 5G 基站/CPE、PON、路由器和機頂盒等通信應用、安防監(jiān)控、智能家居和汽車電子等物聯(lián)網應用等對 S

36、LC NAND 的市場需求形成支撐。部分具體產品表 3： SLC NAND 主要應用領域消費電子產品數(shù)字電視、機頂盒、數(shù)碼相機、攝像機等汽車汽車儀表盤、信息娛樂設備工業(yè)計量/照明設備、POS 機、工業(yè)機器人、儀表通信5G 基站/CPE、PON 設備其他玩具、娛樂設備產業(yè)信息網，財信證券圖 18：2017-2024 年全球 SLC NAND 市場規(guī)模及預測23.63SLC市場規(guī)模（億美元)同比增速23.5123.2420.9821.3718.3819.5716.712520151050資料來源：東芯股份招股說明書，財信證券30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%目前

37、SLC NAND 利基的市場主要參與方包括國外的三星、SK 海力士、鎂光和鎧俠等，我國臺灣企業(yè)主要包括旺宏、華邦和晶豪科等，國內則為兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份和芯天下等。由于海外企業(yè)逐步轉向工控與汽車領域，陸續(xù)退出 4Gb 以下中低容量 NAND 市場，SLC NAND 主要玩家逐步轉向國內大陸與臺企。從技術層面上，旺宏 19nm SLC NAND 順利出貨并在 2021Q4 位元占比達到 59%，其余廠商集中在 24nm 和38nm，東芯股份 SLC NAND 量產產品以中芯國際 38nm 為主，力積電 28nm 部分產品已量產，中芯國際 24nm 產品達到量產標準，基于中芯國際 19nm

38、 工藝節(jié)點的產品已經進入研發(fā)階段。新布局：國內企業(yè)利基市場產品策略兆易創(chuàng)新：從 NOR 到 MCU 到 DRAM圍繞成本與國產替代優(yōu)勢，兆易創(chuàng)新實現(xiàn)從 NOR 到 MCU 的雙輪驅動策略。上市以來公司業(yè)績與股價可大致分為兩個階段：2017-2019 年由 NOR Flash 高速發(fā)展驅動的增長和2020-2022 年由NOR 景氣和MCU快速成長帶來的市值增加。從路徑上可看到公司NOR產品初期重銷量輕價格的方式實現(xiàn)了出貨量/產品容量/產品料號的快速完善，并借助行業(yè)的兩次景氣完成利潤的增長。MCU 產品在初期的研發(fā)投入和 pin-to-pin 替代 STM32 的基礎上進一步豐富在主頻、內存、外

39、設管腳的多樣性，形成 32 個系列超過 400 余款產品，最終厚積而薄發(fā)，其出貨量由 2019 年的 1.09 億顆快速增長至 2021 年的 3.94 億顆，近兩年復合增速為 90.12%。圖 19：兆易創(chuàng)新GD32 MCU 型號家族資料來源：兆易創(chuàng)新官網，財信證券DRAM 從代銷轉向自研產品，以制程優(yōu)勢切入利基 DRAM 市場。公司于 2021 年12 月公告2022 年度日常關聯(lián)交易，預計2022 年代銷長鑫存儲DRAM產品的1.7 億美金，與去年同期交易額相當；預計自有品牌采購代工 1.35 億美元，而去年 1-11 月共計采購金額為 0.3 億美元。公司信息顯示 2021 年已量產首

40、款 19nm 4Gb DDR4 產品，廣泛應用在消費電子（包括機頂盒、電視、智能家居等）、工業(yè)安防和網絡通信等領域。目前公司 17nm DDR3 產品按計劃推進，并預計 2022 年開始貢獻營收。根據官網信息的產品料號數(shù)據，公司主要進入大批量供應（MP）階段的為 DDR4 4Gb產品，速率涵蓋 2400Mbps-3200Mbps；DDR3 料號數(shù)相對較少且均處于樣品階段，主要集中在 4Gb 和 2Gb 上，共 8 款商規(guī)和 12 款工規(guī)產品，速率涵蓋 1866Mbps-2133Mbps，電壓參數(shù) 1.35/1.5V。目前隨著三星的退出，主流 DDR3 制程為 25nm，南亞科技技術較為領先，而

41、兆易創(chuàng)新借助合肥長鑫生產 17nm DDR3 將在工藝上具備優(yōu)勢。圖 20：2022 年公司預計自有品牌采購代工金額顯著上升圖 21：2022-2025 年兆易創(chuàng)新 DRAM 產品路線圖1.81.61.41.210.80.60.40.20代銷DRAM金額（億美元） 自有品牌采購代工（億美元）1.71.591.350.32021年1-11月2022EiFinD，財信證券資料來源：兆易創(chuàng)新，財信證券北京君正：借 ISSI 切入車規(guī)市場公司通過收購 ISSI 迅速獲得完整的車規(guī)級存儲產品線，避免進入該細分領域所需要的長時間開發(fā)與認證過程，并同時帶來了模擬與互聯(lián)芯片產品。根據 Omdia 統(tǒng)計，202

42、1年度 ISSI SRAM、DRAM、Nor Flash 產品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位，處于國際市場前列。根據公司 2021 年年報，北京矽成（ISSI）實現(xiàn)營收 40.83億元，占公司營收比重的 77.42%，實現(xiàn)凈利潤 6.08 億元，占利潤的比重的 65.66%。分產品來看，2019 年 1-5 月 DRAM 收入占比 62%，其次 SRAM 為 19%；分下游應用領域來看，汽車與工業(yè)占據主要份額，分別為 39%和 31%；消費電子占比較小，僅為 16%。信息通訊與其他14%消費電子16%汽車39%工業(yè)31%圖 22：2019 年 1-5 月 ISSI 產品收入構成

43、圖 23：2020 年 ISSI 下游應用領域構成DRAM 62%FLASH 14%ANALOG5%SRAM19%iFinD，財信證券iFinD，財信證券根據官網公開的產品選型手冊，ISSI 涵蓋 RLDRAM、DRAM、LPDRAM、NOR Flash、 MCP 和 SRAM 共計 6 大類。其中最主要的收入來源 DRAM 包括 SDR、DDR、DDR2、 DDR3 和 DDR4，其中 DDR4 產品以 4Gb 以上大容量為主，車規(guī)（IS46）與非車規(guī)（IS43）各 5 小類；DDR3 為公司主力產品，容量覆蓋 1-16Gb，電壓以 1.35V 和 1.5V 分類合計車規(guī)（IS46）與非車規(guī)

44、（IS43）各 29 小類，另外還包括 1.8V 的 DDR2、2.5V DDR SDRAM和 3.3V SDRAM。制程遷移提升競爭力，加速產品拓展。公司目前主要產品 DDR3 制程為 25nm，與當前市場主流制程相當，并隨著市場需求不斷更新工藝。公司主要依托自身在非消費電子領域的優(yōu)勢逐漸拓寬產品線。根據年報，公司 8Gb LPDDR4 產品預計將于 2022 年開始送樣。公司不斷加大 Flash 產品線的市場推廣，在汽車、工業(yè)、醫(yī)療和高端消費等市場的強勁需求下，F(xiàn)lash 業(yè)務同比實現(xiàn)了快速增長，車規(guī) Flash 產品的市場銷售在快速成長中。公司完成了兩款面向大眾消費類市場的 Nor Fl

45、ash 芯片產品的投片并展開了市場推廣，預計可于 2022 年實現(xiàn)量產銷售。東芯股份：SLC NAND 為主，兼顧 DRAM 與 NOR Flash公司早期聚焦于平面型 SLC NAND Flash 的設計與研發(fā)，目前基于 SMIC 24nm 工藝平臺，實現(xiàn) 1Gb 到 32Gb 系列產品設計研發(fā)的全覆蓋，并在 2021 年基于 19nm 完成 SLC NAND 的首顆流片。公司之后通過收購韓國 Fidelix 加強在 DRAM、NOR 和 MCP 產品上的技術儲備。目前公司所售產品主要為利基型 SLC NAND，NOR 系列產品主要面向消費級市場，DRAM 產品主要為針對利基型市場的中小容量 DRAM。根據公司 2021 年年報，公司 NAND 系列產品實現(xiàn)收入 6.60 億元，占業(yè)務收入比重的 58.16%，NOR/DRAM/MCP收入占比分別為 16.53%/6.97%/15.72%。根據公司官網的產品數(shù)據， SPI/PPI NAND 產品系列豐富，SPI NAND 包括 512Mb4Gb 容量，