離子晶體介紹

1、晶胞晶胞堆積模型堆積模型 典型代表典型代表配位數(shù)配位數(shù) 空間利用率空間利用率晶胞晶胞堆積模型堆積模型 典型代表典型代表配位數(shù)配位數(shù) 空間利用率空間利用率簡單簡單立方堆積立方堆積652%體心立方體心立方堆積堆積K、Na、Fe868%六方最密六方最密堆積堆積Mg、Zn、Ti1274%面心立方面心立方最密堆積最密堆積Cu, Ag, Au1274%Po (釙釙)回顧：三種晶體類型與性質(zhì)的比較回顧：三種晶體類型與性質(zhì)的比較（1 1）熔沸點(diǎn)較高）熔沸點(diǎn)較高（2 2）硬度較大，難于壓縮）硬度較大，難于壓縮（3 3）固體不導(dǎo)電，熔融態(tài)導(dǎo)電）固體不導(dǎo)電，熔融態(tài)導(dǎo)電（4 4）無單個(gè)分子存在）無單個(gè)分子存在晶胞中每

2、個(gè)陽離子吸引陰離子數(shù)目，晶胞中每個(gè)陽離子吸引陰離子數(shù)目，每個(gè)陰離子吸引陽離子數(shù)目；每個(gè)陰離子吸引陽離子數(shù)目；晶胞中含有陰、陽離子數(shù)目；晶胞中含有陰、陽離子數(shù)目；與陽離子距離最近的陽離子數(shù)目，與與陽離子距離最近的陽離子數(shù)目，與陰離子距離最近的陰離子數(shù)目；陰離子距離最近的陰離子數(shù)目；-Cl- Na+-Cs+-Cl-7、影響離子晶體配位數(shù)的因素、影響離子晶體配位數(shù)的因素n幾何因素幾何因素n晶體中正負(fù)離子的半徑比晶體中正負(fù)離子的半徑比n電荷因素電荷因素n晶體中正負(fù)離子的電荷比晶體中正負(fù)離子的電荷比n鍵性因素鍵性因素n離子鍵的純粹因素離子鍵的純粹因素二、晶格能簡言之簡言之,晶格能的大小與離子帶電量成正比

3、晶格能的大小與離子帶電量成正比,與離子半與離子半徑成反比徑成反比.rqq21晶格能各類型離子晶體晶胞的比較各類型離子晶體晶胞的比較晶體晶體類型類型晶胞晶胞類型類型晶胞結(jié)構(gòu)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖示意圖配位數(shù)配位數(shù)距離最近距離最近且相等的且相等的相反離子相反離子每個(gè)晶每個(gè)晶胞含有胞含有離子數(shù)離子數(shù)實(shí)例實(shí)例NaCl型型 ABCsCl型型ZnS型型AB2 2CaF2 2型型NaNa+ +：6ClCl- -：6CsCs+ +：ClCl- -：8 88 8ZnZn2+2+：S S2-2-：4 44 4CaCa2+2+：F F- -： 4 48 8NaNa+ +：ClCl- -：CsCs+ +：ClCl- -：Zn

4、Zn2+2+：S S2-2-：CaCa2+2+：F F- -：NaNa+ +：ClCl- -：CsCs+ +：ClCl- -：ZnZn2+2+：S S2-2-：CaCa2+2+：F F- -：668 88 84 44 44 48 8441 11 14 44 48 84 4KBr AgCl、MgO、CaS、BaSeZnS、AgI、 BeOCsCl、CsBr、CsI、TlCl堿土金屬鹵化堿土金屬鹵化物、堿金屬氧物、堿金屬氧化物。化物?！究偨Y(jié)歸納總結(jié)歸納】物質(zhì)的熔點(diǎn)與晶體類型的關(guān)系物質(zhì)的熔點(diǎn)與晶體類型的關(guān)系1、若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體離子晶、若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體離子晶體分

5、子晶體。體分子晶體。2、若晶體類型相同，則有：、若晶體類型相同，則有：離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，離子半徑越小，離子電荷離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，離子半徑越小，離子電荷越高，晶格能越大，離子鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。越高，晶格能越大，離子鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。原子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵原子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵長越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。長越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。分子晶體中（不含氫鍵時(shí)），分子組成和結(jié)構(gòu)相似時(shí)，分子晶體中（不含氫鍵時(shí)），分子組成和結(jié)構(gòu)相似時(shí)，相對分子質(zhì)量越大，范德華力就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。相對分子質(zhì)量越大，范德華力就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。金屬晶體中，離子半徑越小，離子電荷越高，金屬鍵