t-7半導(dǎo)體存儲器

1、第七章半導(dǎo)體存儲器7.1 概述概述7.2 只讀存儲器只讀存儲器( ROM )7.3 隨機存儲器隨機存儲器( RAM ) 7.4 存儲器容量的擴展存儲器容量的擴展7.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)第七章第七章 半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器內(nèi)容提要內(nèi)容提要 本章系統(tǒng)地介紹各種半導(dǎo)體存儲器的工作原理本章系統(tǒng)地介紹各種半導(dǎo)體存儲器的工作原理和使用方法。和使用方法。 在只讀存儲器中，介紹了掩模在只讀存儲器中，介紹了掩模ROM、PROM、EPROM和快閃存儲器等的工作原理和特點。和快閃存儲器等的工作原理和特點。在隨機存儲器中，分別介紹了靜態(tài)隨機存儲器在隨機存儲器中，分別介紹了靜態(tài)隨機存儲

2、器和動態(tài)隨機存儲器。和動態(tài)隨機存儲器。 此外，還講述了存儲器擴展存儲容量的方法以此外，還講述了存儲器擴展存儲容量的方法以及用存儲器設(shè)計組合邏輯電路的概念。及用存儲器設(shè)計組合邏輯電路的概念。7.1 概概 述述 半導(dǎo)體存儲器是能存儲二值信息（半導(dǎo)體存儲器是能存儲二值信息（0、1）的半導(dǎo)體器件，屬的半導(dǎo)體器件，屬大規(guī)模大規(guī)模集成電路，是進集成電路，是進一步完善數(shù)字系統(tǒng)功能的重要部件。一步完善數(shù)字系統(tǒng)功能的重要部件。 半導(dǎo)體存儲器可以被比喻為一個由許半導(dǎo)體存儲器可以被比喻為一個由許多房間組成的大旅館。每個房間有一個號多房間組成的大旅館。每個房間有一個號碼碼 ( 地址碼地址碼 )， 每個房間內(nèi)有一定內(nèi)容

3、每個房間內(nèi)有一定內(nèi)容( 一個一個二進制數(shù)碼，又稱一個二進制數(shù)碼，又稱一個“字字” )。(2) 隨機存儲器隨機存儲器( RAM )(1) 只讀存儲器只讀存儲器( ROM ) 半導(dǎo)體存儲器從存、取功能上分為兩大半導(dǎo)體存儲器從存、取功能上分為兩大類：類： 半導(dǎo)體存儲器從制造工藝上分為半導(dǎo)體存儲器從制造工藝上分為雙極型雙極型和和MOS型型存儲器。存儲器。 鑒于鑒于MOS電路具有功耗低、集成度高電路具有功耗低、集成度高的優(yōu)點，的優(yōu)點，目前，大容量的存儲器都是采用目前，大容量的存儲器都是采用MOS工藝制作的。工藝制作的。7. 2 只讀存儲器只讀存儲器( ROM ) 按按工藝工藝分分二極管二極管ROMMOS

4、型型ROM雙極型雙極型ROM按按存儲存儲機理機理分分固定固定ROM(掩膜式掩膜式ROM)EROM（光可擦除可編程存儲器）（光可擦除可編程存儲器）PROM（一次可編程存儲器）（一次可編程存儲器）E2PROM （電可擦除可編程存儲器）（電可擦除可編程存儲器）快閃存儲器快閃存儲器(Flash Memory) 只讀存儲器在正常工作狀態(tài)下只讀存儲器在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)只能讀取數(shù)據(jù)，不能快速修改或?qū)懭霐?shù)據(jù)。據(jù)，不能快速修改或?qū)懭霐?shù)據(jù)。優(yōu)點：優(yōu)點：電路結(jié)構(gòu)簡單，斷電數(shù)據(jù)不會丟失。電路結(jié)構(gòu)簡單，斷電數(shù)據(jù)不會丟失。7. 2 只讀存儲器只讀存儲器( ROM )7. 2. 1 掩模只讀存儲器掩模只讀存儲器 R

5、OM的電路結(jié)構(gòu)主要由的電路結(jié)構(gòu)主要由地址譯碼器地址譯碼器、存儲存儲矩陣矩陣和和輸出緩沖器輸出緩沖器三部分組成。三部分組成。A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯譯碼碼器器EN存儲存儲矩陣矩陣輸出輸出緩沖緩沖器器字線字線位線位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0譯譯碼碼器器A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯譯碼碼器器假設(shè)假設(shè) ：A1A0 1110001100ENA1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯譯碼碼器器1100及及 時時歸歸 納納1當(dāng)某一字線當(dāng)某一字線被選中時，被選中時，這個字線與這個字線與位線間

6、若接位線間若接有二極管，有二極管，則該位線輸則該位線輸出為出為 1 ，否，否則為則為0。EN假設(shè)假設(shè) ：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯譯碼碼器器0101A1A0 10EN假設(shè)假設(shè) ：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯譯碼碼器器0101A1A0 01EN假設(shè)假設(shè) ：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯譯碼碼器器0011A1A0 001111EN000101111111111000000001地地 址址A1A0D3D2D1D0內(nèi)內(nèi) 容容位線位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-

7、VCC譯譯碼碼器器 字線字線 輸入任意一個輸入任意一個地址碼，譯碼器地址碼，譯碼器就可使與之對應(yīng)就可使與之對應(yīng)的某條字線為高的某條字線為高電平，進而可以電平，進而可以從位線上讀出四從位線上讀出四位輸出數(shù)字量。位輸出數(shù)字量。EN圖圖7.2.3是使是使用用 MOS 管的管的ROM 矩陣：矩陣：字線與位線字線與位線的交叉點上的交叉點上有有 MOS 管管時相當(dāng)于存時相當(dāng)于存1，無無 MOS 管時相當(dāng)于管時相當(dāng)于存存0。7. 2. 2 可編程只讀存儲器（可編程只讀存儲器（PROM） 是一種可編程序的是一種可編程序的 ROM ，在出廠，在出廠時全部存儲時全部存儲 “1”，用戶可根據(jù)需要將某，用戶可根據(jù)需要

8、將某些單元改寫為些單元改寫為 “0”, 然而只能改寫一次，然而只能改寫一次，稱其為稱其為 PROM。 若將熔絲燒斷，若將熔絲燒斷，該單元則變成該單元則變成“0”。顯然，一旦燒斷后顯然，一旦燒斷后不能再恢復(fù)。不能再恢復(fù)。圖圖7.2.4 熔絲型熔絲型PROM的存儲單元的存儲單元7.2.3 可擦除的可編程只讀存儲器可擦除的可編程只讀存儲器EPROM:紫外線可擦除的可編程只讀存儲器紫外線可擦除的可編程只讀存儲器 (簡稱簡稱UVE-PROM)E2PROM:電可擦除的電可擦除的可編程只讀存儲器可編程只讀存儲器Flash Memory：快閃存儲器快閃存儲器1) 存儲單元存儲單元-疊柵疊柵MOS管（管（SIM

9、OS）原理：原理：利用浮置柵是否積累負(fù)電利用浮置柵是否積累負(fù)電荷來存儲數(shù)據(jù)。荷來存儲數(shù)據(jù)。在寫入數(shù)據(jù)前：浮在寫入數(shù)據(jù)前：浮置柵無電子，置柵無電子，SIMOS管同正常管同正常MOS管，管，開啟電壓為開啟電壓為VT ；寫數(shù)據(jù)時，需在漏、柵；寫數(shù)據(jù)時，需在漏、柵極之間加足夠高的電壓（如極之間加足夠高的電壓（如25V）使漏極）使漏極與襯底之間的與襯底之間的PN結(jié)反向擊穿，產(chǎn)生大量結(jié)反向擊穿，產(chǎn)生大量的高能電子。這些電子穿過氧化絕緣層堆的高能電子。這些電子穿過氧化絕緣層堆積在浮置柵上，從而使浮置柵帶有負(fù)電荷。積在浮置柵上，從而使浮置柵帶有負(fù)電荷。浮置柵有電子后，控制柵需要加更大正壓浮置柵有電子后，控制柵

10、需要加更大正壓才能使管子開啟，開啟電壓為才能使管子開啟，開啟電壓為VT。N+N+Gf 浮置柵Gc 控制柵極SD-+P型襯底VgsiD0VT VT 1. EPROM:紫外線可擦除紫外線可擦除只讀存儲器只讀存儲器符號符號1. EPROM: 擦除時，用紫外光照射其透明的石英蓋擦除時，用紫外光照射其透明的石英蓋板板2030分鐘，浮柵上的電子形成光電流分鐘，浮柵上的電子形成光電流而泄放，其內(nèi)部的數(shù)據(jù)將而泄放，其內(nèi)部的數(shù)據(jù)將全部擦除全部擦除了，這了，這時可以再通過專用的編程器寫入希望的數(shù)時可以再通過專用的編程器寫入希望的數(shù)據(jù)。據(jù)。 由于浮柵被絕緣二氧化硅包圍，浮柵上由于浮柵被絕緣二氧化硅包圍，浮柵上電荷沒

11、有放電回路，信息不會丟失，這種存電荷沒有放電回路，信息不會丟失，這種存儲的信息可能安全保存儲的信息可能安全保存20年以上，但為了防年以上，但為了防止平時日光中的紫外線的照射，在其石英窗止平時日光中的紫外線的照射，在其石英窗口上帖上黑紙。口上帖上黑紙。N+N+Gf 浮置柵Gc 控制柵極SD-+P型襯底2. E2PROM: 電可擦除的電可擦除的PROM E2PROM是在是在EPROM的基礎(chǔ)上開發(fā)出的基礎(chǔ)上開發(fā)出來的，可以在加電的情況下以來的，可以在加電的情況下以字節(jié)字節(jié)為單位進為單位進行擦除和改寫，并可直接在機器內(nèi)進行擦除行擦除和改寫，并可直接在機器內(nèi)進行擦除和改寫，方便靈活。和改寫，方便靈活。

12、E2PROM內(nèi)部電路與內(nèi)部電路與EPROM電路類似，電路類似，在在SIMOS中的結(jié)構(gòu)進行了一些調(diào)整，在浮置中的結(jié)構(gòu)進行了一些調(diào)整，在浮置柵延長區(qū)與漏區(qū)柵延長區(qū)與漏區(qū)N+之間的交疊處的薄絕緣層之間的交疊處的薄絕緣層相當(dāng)于一個相當(dāng)于一個遂道二極管遂道二極管（見圖（見圖7.2.10），該），該MOS管也稱為隧道管也稱為隧道MOS管。管。 E2PROM不需要紫外光激發(fā)放電，即擦除和不需要紫外光激發(fā)放電，即擦除和編程只須加電就可以完成了，且寫入的電流很編程只須加電就可以完成了，且寫入的電流很小。小。 原理：原理：利用浮置柵是否積累負(fù)電荷來存儲數(shù)利用浮置柵是否積累負(fù)電荷來存儲數(shù)據(jù)。據(jù)。在在D、G正向電壓正

13、向電壓作用下，漏極電荷通過作用下，漏極電荷通過該二極管流向浮柵，使管子導(dǎo)通；若該二極管流向浮柵，使管子導(dǎo)通；若D、G加加反向電壓反向電壓，浮柵上的電荷流回漏極，起擦除作，浮柵上的電荷流回漏極，起擦除作用，擦除電壓大小與工作電壓相同。用，擦除電壓大小與工作電壓相同。N+N+ Gf 浮置柵 Gc 控制柵極SD-+P型襯底 是是80年代末推出的新型存儲芯片，它的主要特年代末推出的新型存儲芯片，它的主要特點是在掉電情況下可長期保存信息點是在掉電情況下可長期保存信息,具有非易失性，具有非易失性，原理上看象原理上看象ROM；但又能在線進行快速擦除與改寫，；但又能在線進行快速擦除與改寫，功能上象功能上象RA

14、M，因此兼有，因此兼有E2PROM和和SRAM的優(yōu)點。的優(yōu)點。3、快閃存儲器、快閃存儲器(Flash Memory)N+N+Gf 浮置柵Gc 控制柵極SD-+P型襯底 內(nèi)部電路與內(nèi)部電路與EPROM電路電路類似，在類似，在SIMOS中的結(jié)構(gòu)進中的結(jié)構(gòu)進行了一些調(diào)整。行了一些調(diào)整。 原理：原理：利用浮置柵是否積利用浮置柵是否積累負(fù)電荷來存儲數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寫入累負(fù)電荷來存儲數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寫入與與EPROM 相同；相同；數(shù)據(jù)擦除，數(shù)據(jù)擦除，在在源極加正電壓，使浮柵放電，屬源極加正電壓，使浮柵放電，屬整片擦除。整片擦除。 Flash有單片應(yīng)用和固態(tài)盤應(yīng)用，固態(tài)有單片應(yīng)用和固態(tài)盤應(yīng)用，固態(tài)盤分卡式和盤式兩種。閃

15、速卡盤分卡式和盤式兩種。閃速卡,用在可移動用在可移動計算機中計算機中,如數(shù)字相機如數(shù)字相機,手機手機,CD-ROM等。等。閃速固態(tài)盤，用于惡略環(huán)境中代替硬盤。閃速固態(tài)盤，用于惡略環(huán)境中代替硬盤。 讀取速度較快讀取速度較快(100ns左右左右)，低功耗，改，低功耗，改寫次數(shù)目前達寫次數(shù)目前達100萬次，價格接近萬次，價格接近EPROM。存儲容量從幾十存儲容量從幾十KB，到幾十，到幾十MB、幾、幾GB等。等。體積小，可靠性高，體積小，可靠性高，內(nèi)部無可移動部分內(nèi)部無可移動部分,無噪無噪聲，抗震動力強，是小型硬盤的代替品聲，抗震動力強，是小型硬盤的代替品，其，其集成度與價格己接近集成度與價格己接近E

16、PROM，也是代替，也是代替EPROM和和E2PROM的理想器件。的理想器件。7. 3 隨機存儲器隨機存儲器( RAM )隨機隨機存儲器又稱存儲器又稱讀寫存儲器讀寫存儲器。 隨機隨機存儲器的存儲器的特點特點是：在工作過程中，是：在工作過程中，可隨時從存儲器的任何指定地址讀出數(shù)據(jù)，可隨時從存儲器的任何指定地址讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中去。儲單元中去。 按存儲機理主要可分為按存儲機理主要可分為 靜態(tài)靜態(tài)RAM 、動態(tài)動態(tài)RAM兩類；靜態(tài)和動態(tài)兩類；靜態(tài)和動態(tài)RAM是是易失易失性性存儲器，在供電電壓中斷時，存儲內(nèi)容存儲器，在供電電壓中斷

17、時，存儲內(nèi)容丟失。丟失。W3W2W1W0地地址址譯譯碼碼器器讀寫讀寫 及及 輸入輸入/輸出控制輸出控制I / O1I / O0CSR / WA0A1D1D1D0D0存存儲儲矩矩陣陣7. 3. 1靜態(tài)隨機存儲器（靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）(1) 存儲矩陣：存儲矩陣：存儲器容量存儲器容量= 字?jǐn)?shù)字?jǐn)?shù)字長字長如一個如一個1024 4存儲器，有存儲器，有4096個存儲單元。個存儲單元?？稍O(shè)計成可設(shè)計成64 64的矩陣形式。的矩陣形式。(2) 地址譯碼：地址譯碼： 存儲單元中每個存儲單元中每個字字有唯一的地址，利有唯一的地址，利用地址譯碼器進行地址選擇。用地址譯碼器進行地址選擇。大容量的存儲器中，一般采

18、用雙譯碼結(jié)構(gòu)：大容量的存儲器中，一般采用雙譯碼結(jié)構(gòu)：行地址譯碼器行地址譯碼器 + 列地址譯碼器列地址譯碼器存儲器的容量存儲器的容量指的是每個存儲芯片所能存指的是每個存儲芯片所能存儲的二進制數(shù)的位數(shù)。儲的二進制數(shù)的位數(shù)。行行地址譯碼器地址譯碼器產(chǎn)生產(chǎn)生行行選擇線選擇線列列地址譯碼器地址譯碼器產(chǎn)生產(chǎn)生列列選擇線選擇線1024 4(64 16 4)的的存儲器的地址線：存儲器的地址線：6根行地址線：根行地址線：(A8A7A6A5A4A3)4根列地址線根列地址線: (A9A2A1A0)譯碼產(chǎn)生譯碼產(chǎn)生64根行根行選擇線選擇線譯碼產(chǎn)生譯碼產(chǎn)生16根列根列選擇線選擇線若若A9A8A7A6A5 A4A3A2A

19、1A0=0111111000，則選中則選中Y0和和X63。VDDVGGWiDDI/OR / W111T2T3T4T5T6QQT1字線字線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線二、二、 SRAM靜態(tài)存儲單元靜態(tài)存儲單元:WiDD符號符號1VDD介紹靜態(tài)介紹靜態(tài)RAM存儲單元的工作原理存儲單元的工作原理:VGGWiDDI/OR / W111T2T3T4T5T6QQT1字線字線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線 由增強型由增強型 NMOS管管T1和和 T2、T3和和T4 構(gòu)構(gòu)成一個基本成一個基本 R-S觸發(fā)器，觸發(fā)器， 它是它是存儲信息的基存儲信息的基本單元。本單元。 VGGT2T1T3T4VDD靜態(tài)靜態(tài)RAM特特點點是：

20、是：數(shù)據(jù)由觸發(fā)數(shù)據(jù)由觸發(fā)器記憶！器記憶！1VGGWiDDI/OR / W111T2T3T4T5T6QQT1字線字線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線 T5和和T6是是門控管，門控管， 由字由字線線Wi控制其導(dǎo)控制其導(dǎo)通或截止：通或截止： Wi1 ，否則就截止。否則就截止。T5T6兩管導(dǎo)通；兩管導(dǎo)通； 門控管門控管T5和和T6導(dǎo)通時可導(dǎo)通時可以進行以進行“讀讀”或或“寫寫”的操的操作。作。VDD1VGGWiDDI/OR / W123T2T3T4T5T6T1字線字線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線 R / W的控制作用：的控制作用： = 0時，時，R/W而門而門2處于處于高阻狀態(tài)，高阻狀態(tài)，0三態(tài)門三態(tài)門1、3接通

21、，接通，00 使使 I/O 信信號得以經(jīng)號得以經(jīng)過門過門1、3送到數(shù)據(jù)送到數(shù)據(jù)線上，以線上，以便便寫入寫入 。VDDVGGWiDDI/OR / W123T2T3T4T5T6T1字線字線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線 R / W的控制作用：的控制作用：R/W 1 時，時，門門1、3處于處于高阻狀態(tài)，高阻狀態(tài)，1門門2接通，接通，1將數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)線上信號送上信號送到到 I / O，以便以便讀出讀出。1VDD*7.3.2 動態(tài)隨機存儲器（動態(tài)隨機存儲器（DRAM） 為減少為減少MOS管數(shù)目，提高集成度和降低管數(shù)目，提高集成度和降低功耗，出現(xiàn)了動態(tài)功耗，出現(xiàn)了動態(tài)RAM器件。器件。 常見的動態(tài)常見的動態(tài)RA

22、M存儲單元有三管和單存儲單元有三管和單管動態(tài)存儲電路。管動態(tài)存儲電路。見書圖見書圖7.3.6、圖、圖7.3.7 動態(tài)動態(tài)RAM存儲數(shù)據(jù)的原理是基于存儲數(shù)據(jù)的原理是基于MOS管管柵極電容的電荷存儲效應(yīng)柵極電容的電荷存儲效應(yīng)。 即即存放信息靠的是存放信息靠的是電容電容， 由于電容會逐漸放電，故需對動態(tài)由于電容會逐漸放電，故需對動態(tài)RAM不斷進行讀出和再寫入，這就是所謂不斷進行讀出和再寫入，這就是所謂刷新。刷新。靜態(tài)靜態(tài)RAM(即即SRAM)，其存儲電路以雙穩(wěn)態(tài)觸其存儲電路以雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器為基礎(chǔ)，狀態(tài)穩(wěn)定，只要不掉電，信息不會發(fā)器為基礎(chǔ)，狀態(tài)穩(wěn)定，只要不掉電，信息不會丟失，但集成度低。丟失，但集成度低

23、。動態(tài)動態(tài)RAM(即即DRAM)，存儲單元電路以電容為存儲單元電路以電容為基礎(chǔ)，電路簡單，集成度高，功耗低，因電容漏基礎(chǔ)，電路簡單，集成度高，功耗低，因電容漏電，需定時刷新。電，需定時刷新。小小 結(jié)結(jié)7.4 存儲器容量的擴展存儲器容量的擴展123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R / WRAM 2114 管腳圖管腳圖2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM 6116 管腳圖管腳圖A2A711112141324A8D5

24、D6D7RDWR(1K4)(2K8)7.4.1 位擴展方式位擴展方式A9A0R/W CSD1D3D2D0A9A0R/W CSD1D3D2D0. . . . .2114 (2)2114 (1).A0A9D7D6D5D4D1D3D2D0CSR/W用兩片用兩片2114( 1024 4 )構(gòu)成構(gòu)成 1024 8 只要把只要把各片各片地址線、各控制線對應(yīng)并聯(lián)地址線、各控制線對應(yīng)并聯(lián)在一起，在一起， 要達到這個目的方法很簡單，要達到這個目的方法很簡單，示范接線如下圖：示范接線如下圖：7.4.2 字?jǐn)U展方式字?jǐn)U展方式思路：思路： ( 1) 訪問訪問4096個字單元，個字單元，必然有必然有 12 根地址線；根

25、地址線； ( 2) 訪問訪問 RAM2114，只需只需 10 根地址線，尚余根地址線，尚余 2根地址線根地址線 ； ( 3) 設(shè)法用設(shè)法用剩余的剩余的 2根根地址線去控制地址線去控制4個個2114的的片片選端選端 。 通過用通過用10244 ( 4片片2114 ) 構(gòu)成構(gòu)成40964為例，介紹解決這類問題的為例，介紹解決這類問題的辦法。辦法。CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D32 4譯譯碼碼器器A11A10A0A9D3D2D1D02114 (1)2114 (2)2114 (3)2114 (4)R

26、/WY0Y3用四片用四片 RAM 2114 構(gòu)成構(gòu)成 4096 4 的存儲容量的存儲容量A11A10選中片序號選中片序號對應(yīng)的存儲單元地址對應(yīng)的存儲單元地址 0 0 1 1 1 0 0 12114(1)2114(2)2114(3)2114(4)00 0000000000 00 11111111111024 20472048 3071 3072 4095CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D32114 (1)2114 (2)2114 (3)2114 (4)01 0000000000 01 111111

27、111110 0000000000 10 111111111111 0000000000 11 11111111110 10237.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)1. 用用ROM存儲固定的專用程序存儲固定的專用程序2. 利用利用ROM可實現(xiàn)可實現(xiàn)查表查表或或碼制變換碼制變換等功能等功能 查表查表功能功能 查某個角度的三角函數(shù)查某個角度的三角函數(shù) 把角度值作為地址碼，其對應(yīng)的函把角度值作為地址碼，其對應(yīng)的函數(shù)值作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲在數(shù)值作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲在 ROM 內(nèi)，這稱為內(nèi)，這稱為 “造表造表”。 碼制變換碼制變換 把欲變換的編碼作為地址，把欲變換的編碼作為地址，把最終的目的編碼作為相應(yīng)存儲單