筆記本電路基礎(chǔ) 最新

1、 電路基礎(chǔ)主要內(nèi)容：主要內(nèi)容： 講解元器件的認識、測量和代換；講解元器件的認識、測量和代換； 教學(xué)目的：教學(xué)目的：1 1、使每個學(xué)員認識并會測量和替換筆記本、使每個學(xué)員認識并會測量和替換筆記本主板上的元器件；主板上的元器件； 2 2、掌握三極管、掌握三極管、MOSMOS管在電管在電 路中的作用和工作方式；路中的作用和工作方式； 3 3、了解門控芯片、精密穩(wěn)壓器、線性穩(wěn)壓、了解門控芯片、精密穩(wěn)壓器、線性穩(wěn)壓 器、運算放大比較器、門電路。器、運算放大比較器、門電路。等芯片的功能和作用；等芯片的功能和作用； 由實際元器件構(gòu)成的由實際元器件構(gòu)成的可將其他形式的能量轉(zhuǎn)換成電能、向可將其他形式的能量轉(zhuǎn)換成

2、電能、向電路提供電能的裝置。電路提供電能的裝置?？蓪㈦娔苻D(zhuǎn)換成其他形式的能量、在可將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能量、在電路中接收電能的設(shè)備。電路中接收電能的設(shè)備。電源和負載之間不可缺少的連接、電源和負載之間不可缺少的連接、控制和保護部件統(tǒng)稱為中間環(huán)節(jié)，控制和保護部件統(tǒng)稱為中間環(huán)節(jié)，如導(dǎo)線、開關(guān)及各種繼電器等。如導(dǎo)線、開關(guān)及各種繼電器等。的電路可對電信號進行傳遞、變的電路可對電信號進行傳遞、變換、儲存和處理。換、儲存和處理。的電路可對電能進行傳輸、分配的電路可對電能進行傳輸、分配和轉(zhuǎn)換。和轉(zhuǎn)換。電路的基本公式：電路的基本公式：歐姆定律：歐姆定律：I=U/R I： 電流電流 安安 A mA U： 電壓電

3、壓 伏伏 V mV R： 電阻電阻 歐歐 m電功率：電功率：P=IU=I2R=U2/R 電功電功: W =Pt =1千瓦千瓦1 小時小時=1千瓦時千瓦時 P: 功率功率 瓦瓦 W 1度電度電=1000瓦時瓦時死區(qū)時間, 上下管驅(qū)動信號均為低電平發(fā)光二極管的工作電流很小，為了防止其燒毀或延長電源的使用時間，要將電路的電流限制在其工作電流范圍內(nèi)，根據(jù)歐姆定律可以計算出R1的值。 I=V/（R1+RD）(此時的I值應(yīng)該是發(fā)光二極管的工作電流值),相信不難求出電阻的值。電容器電容器：capacitor 1、符號和單位：符號： C、（TC、CT、CB、BC、CM、MC、CE、EC、CC、CN、CP）單位

4、：法（F）、微法（F=10-6F）、納法（nF=10-9F）、皮法（pF=10-12F）電容的常用單位是微法、納法和皮法；電容 的默認單位是微法；特性和作用：a、特性：電容是一種能夠儲存電能的元件，通過充電和放電來儲存和釋放電能；有如下特性：）充放電儲存和釋放能量；）通交流而隔直流；）通高頻交流電而阻礙低頻交流電；）電容不允許加在其兩端的電壓發(fā)生突變，電容的充放電需符合一定的規(guī)律，其充放電常數(shù)=RC 5）容抗：電容對交流電的阻礙作用，用Xc表示，單位為。 XC =1/（2f c)其中2為常數(shù)，f為頻率，c為容量電容的作用電容的作用C1、C2是耦合電容，傳輸音頻交流信號，C2同時有隔直流的作用，

5、防止直流燒壞揚聲器；電感：電感：1、符號和單位：、符號和單位： 符號：符號：L單位：單位：1亨（亨（H）=1000 毫亨（毫亨（mH） 1mH =1000 微亨（微亨（H）作用：a、濾波：電感的濾波作用與電容非常相似，只不過電容是并聯(lián)在電路中，而電感是串聯(lián)在電路中，它相當(dāng)于一個電源，這兩個電源是串聯(lián)關(guān)系。單獨電感做濾波的情況比較少，一般與電容配合使用組成L型或型濾波電路，濾波效果才更佳。L型濾波和型濾波b、儲能：晶振：1、符號：、符號：X、Y(晶振由壓電石英晶體制成晶振由壓電石英晶體制成) 2、頻率：、頻率：時鐘時鐘:14.318Mhz南橋南橋:32.768 khzI/O:32.768khz聲

6、卡聲卡:24.576 Mhz網(wǎng)卡網(wǎng)卡:25.00 Mhz顯卡顯卡:27Mhz 3、代換原則：原值代換不可偏差。同型號、代換原則：原值代換不可偏差。同型號原值代換。原值代換。3、晶振的測量：、晶振的測量：二極管：二極管：a、符號：b、分類： 按功能分：1）整流二極管： 普通、快恢復(fù)、超快恢復(fù)、肖特基 2）穩(wěn)壓二極管：3）開關(guān)二極管：4）發(fā)光二極管：5）光電二極管：按材料分： 硅管、鍺管按封裝形式分：玻璃封裝、塑料封裝c、特性與作用：1、特性：單向?qū)щ娦裕弘娏髦荒軓恼龢O流向負極而不能從負極流向正極；正向?qū)〞r有壓降，普通硅管為0.6-0.7V； 普通鍺管為0.2-0.3V 發(fā)光二極管的壓降1-5V

7、反向電壓大于定值時會擊穿；如1N4001 1A 50V 1N4007 1A 100V作用：作用： 整流：把交流電變成直流電；整流：把交流電變成直流電； 限幅：限幅：限制電壓幅度；限制電壓幅度；穩(wěn)壓：穩(wěn)壓：穩(wěn)壓二極管反向連接在電路中，穩(wěn)壓二極管反向連接在電路中， 工作在特殊的軟擊穿狀態(tài)，使兩端電壓保持穩(wěn)定。工作在特殊的軟擊穿狀態(tài)，使兩端電壓保持穩(wěn)定。一旦電壓超過其穩(wěn)壓值一旦電壓超過其穩(wěn)壓值,穩(wěn)壓二極管就會軟擊穿反向?qū)Х€(wěn)壓二極管就會軟擊穿反向?qū)ǎ瑢⒏叱龅碾妷簩Φ囟搪返?；通，將高出的電壓對地短路掉；?dāng)電壓低于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值時，穩(wěn)壓二極管是截止當(dāng)電壓低于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值時，穩(wěn)壓二極管是截止的。

8、的。注意：如果所加的反向電壓過大，超過了穩(wěn)壓二極管的注意：如果所加的反向電壓過大，超過了穩(wěn)壓二極管的允許值，就會擊穿短路、也可能燒斷或者穩(wěn)壓電壓值改允許值，就會擊穿短路、也可能燒斷或者穩(wěn)壓電壓值改變。變。 LED：光源、指示、顯示、傳遞信號；：光源、指示、顯示、傳遞信號； 光電二極管：光傳感器、光電控制；光電二極管：光傳感器、光電控制； 鉗位：鉗位： 好壞的判斷：好壞的判斷： 普通二極管只有一組數(shù)值就是好的普通二極管只有一組數(shù)值就是好的 （從電路上拆下來測量）；（從電路上拆下來測量）； 常見故障為擊穿或燒斷；常見故障為擊穿或燒斷；代換：代換： 同型號代換或用同類型的、同型號代換或用同類型的、

9、參數(shù)接近的代換；參數(shù)接近的代換；n晶體三極管晶體三極管：電流控制型器件，按導(dǎo)電類型分為PNP管和NPN管；n電路符號及常見型號： 圖中箭頭的方向是發(fā)射極e加正向電壓時電流的方向 NPN型三極管型號:T04、SIA、IAM、KIN、IP、IAP. PNP型三極管型號:T06、2B、2A.n工作狀態(tài)：在實際電路中，主要應(yīng)用了放大電路和開關(guān)電路。 1、放大電路：當(dāng)基極（輸入端）輸入一個較小的基極電流時，其集電極（輸出端）將按比例產(chǎn)生一個較大的集電極電流，這個比例就是三極管的電流放大系數(shù)。（VC Vb Ve）2、開關(guān)電路：三極管在電路中通常用做電子開關(guān)。在開關(guān)狀態(tài)下的三極管處于飽和（導(dǎo)通）狀態(tài)和截止?fàn)?/p>

10、態(tài)。 a、飽和（導(dǎo)通）狀態(tài)：三極管的發(fā)射極加正向電壓時，這時集電極與發(fā)射極之間的電阻很小，就像開關(guān)閉合一樣，三極管處于飽和（導(dǎo)通）狀態(tài)；（ Vb Ve ） b、截止?fàn)顟B(tài)：三極管的發(fā)射極加反向電壓或兩斷電壓為零時,這時集電極與發(fā)射極之間的電阻很大，就像開關(guān)斷開一樣，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)；（Vb Ve）n三極管的作用：放大、開關(guān)和穩(wěn)壓作用。n三極管的檢測與代換：用 檔 找基極：用一個表筆接任意一腳，另一表筆分別接另外兩腳，如果兩次都有400600的數(shù)值，則不動的表筆接的就是基極b； 集電極與發(fā)射極：兩次阻值中，較大的一次接的是發(fā)射極e，小的一次是集電極c； 紅表筆接基極b，能測出兩組數(shù)值的是NPN管

11、； 黑表筆接基極b，能測出兩組數(shù)值的是PNP管；n在路測量時，無論表筆怎么接，所測阻值不能為0或1（）； 場管場管N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)P型襯底BSiO2N+N+SDG 取一塊P型半導(dǎo)體作為襯底，用B表示。 用氧化工藝生成一層SiO2 薄膜絕緣層。 然后用光刻工藝腐蝕出兩個孔。 擴散兩個高摻雜的N型區(qū)。從而形成兩個PN結(jié)。（綠色部分） 從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。 在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。 N溝道增強型MOSFET的符號如左圖所示。左面的一個襯底在內(nèi)部與源極相連，右面的一個沒有連接，使用時需要在外部連接。DGSBDGSBnMOS：電壓控制型器

12、件，有N溝道和P溝道之分； 襯底中箭頭的方向表明是N溝道還是P溝道：箭頭朝里的是N溝 道，箭頭朝外的是P溝道。n實物外形：D S GB襯襯底底 N溝道增強型圖符號溝道增強型圖符號D S GB襯襯底底 P溝道增強型圖符號溝道增強型圖符號nN溝道MOS管（單管）nP溝道MOS管（單管）n復(fù)合MOS管SI4435SI48356986Sn特殊腳位MOS管G1S2G2D1D2/S14816G1S1S2G2D14814D24235n6腳中功率MOS管（有N溝道和P溝道）nN溝道MOS的導(dǎo)通條件：VG VS (八腳MOS管大于4.5V，三腳MOS管大于3V)nP溝道MOS的導(dǎo)通條件：VG VS （八腳MOS

13、管小于4.5V，三腳MOS管小于3V）nVGS VT（開啟電壓0.45V-3V）：MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流IDS 0，輸出電壓VDS VDD ，MOS管處于“斷開”狀態(tài)；nVGS VT（開啟電壓0.45V-3V ）：MOS管處于“導(dǎo)通”狀態(tài)， VD VS ； N溝道增強型MOSFET的工作原理 對N溝道增強型MOS場效應(yīng)三極管的工作原理，分兩個方面進行討論，一是柵源電壓UGS對溝道會產(chǎn)生影響，二是漏源電壓UDS也會對溝道產(chǎn)生影響，從而對輸出電流，即漏極電流ID產(chǎn)生影響。 1柵源電壓UGS的控制作用SDGPN+N+SiO型襯底DSUGSU2=0空穴正離子電子負離子+ 先令漏源電壓UDS=0

14、，加入柵源電壓UGS以后并不斷增加。 UGS帶給柵極正電荷，會將正對SiO2層的表面下的襯底中的空穴推走，從而形成一層負離子層，即耗盡層，用綠色的區(qū)域表示。 同時會在柵極下的表層感生一定的電子電荷，若電子數(shù)量較多，從而在漏源之間可形成導(dǎo)電溝道。 溝道中的電子和P型襯底的多子導(dǎo)電性質(zhì)相反，稱為反型層。此時若加上UDS ，就會有漏極電流ID產(chǎn)生。反型層0DSU 當(dāng)UGS較小時，不能形成有效的溝道，盡管加有UDS ，也不能形成ID 。當(dāng)增加UGS，使ID剛剛出現(xiàn)時，對應(yīng)的UGS稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。n檢測與代換：用檢測與代換：用 檔測量檔測量 N N溝道：黑表筆接溝道：黑表筆接D

15、 D，紅表筆接，紅表筆接S S，有，有400600400600阻值；阻值； G G和和S S，正反測都是，正反測都是“1” /1” /（） ； G G和和D D，正反測都是，正反測都是“1” /1” /（） ； P P溝道：黑表筆接溝道：黑表筆接S S ，紅表筆接，紅表筆接D D ，有，有400600400600阻值；阻值； G G和和S S，正反測都是，正反測都是“1” /1” /（） ； G G和和D D，正反測都是，正反測都是“1” /1” /（） ；n如果在測量時有極間短路現(xiàn)象，必須把三個電極相互短接（放電）如果在測量時有極間短路現(xiàn)象，必須把三個電極相互短接（放電）n在路測量時只要在路測量時只要G G和和S S、 G G和和D D沒有短路，沒有短路，MOSMOS管一般就是好的。管一般就是好的。n有部分有部分MOSMOS管測量阻值是好的，但輸出的電壓不正常（偏小或沒管測量阻值是好的，但輸出的電壓不正常（偏小或沒有），我們就要采取替換的方法。有），我們就要采取替換的方法。N溝道導(dǎo)通條件溝道導(dǎo)通條件: UG US典型應(yīng)用電路典型應(yīng)用電路16V 輸入控制信號5V輸出16VP溝道導(dǎo)通條件: UG VB;Q2為N溝道MOS管,導(dǎo)通條件為 UG US，當(dāng)Q2導(dǎo)通時, VA VB,故Q1也導(dǎo)通,VC輸出16V,當(dāng)Q2截止時, VA = VB,故Q2也截止,