圖設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)規(guī)則PPT學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1圖設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)規(guī)則圖設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)規(guī)則2第1頁(yè)/共54頁(yè)3第2頁(yè)/共54頁(yè)4第3頁(yè)/共54頁(yè)5第4頁(yè)/共54頁(yè)6第5頁(yè)/共54頁(yè)7第6頁(yè)/共54頁(yè)8第7頁(yè)/共54頁(yè)9 設(shè)計(jì)規(guī)則或規(guī)整格式設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)規(guī)則或規(guī)整格式設(shè)計(jì)規(guī)則 70年代末，Meed和Conway倡導(dǎo)以無(wú)量綱的“”為單位表示所有的幾何尺寸限制，把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為的倍數(shù)。通常 取柵長(zhǎng)度取柵長(zhǎng)度L的的一半一半，又稱等比例設(shè)計(jì)規(guī)則等比例設(shè)計(jì)規(guī)則。由于其規(guī)則簡(jiǎn)單，主要適合于芯片設(shè)計(jì)新手使用，或不要求芯片面積最小，電路特性最佳的應(yīng)用場(chǎng)合。在這類規(guī)則中，把絕大多數(shù)尺寸規(guī)定為某一特征尺寸“”的某個(gè)倍數(shù)。與工藝線所具有的工藝分

2、辨率有關(guān)，線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準(zhǔn)偏差。 優(yōu)點(diǎn)：版圖設(shè)計(jì)獨(dú)立于工藝和實(shí)際尺寸。第8頁(yè)/共54頁(yè)10第9頁(yè)/共54頁(yè)11 1. 設(shè)計(jì)規(guī)則或規(guī)整格式設(shè)計(jì)規(guī)設(shè)計(jì)規(guī)則或規(guī)整格式設(shè)計(jì)規(guī)則則 70年代末，Meed和Conway倡導(dǎo)以無(wú)量綱的“”為單位表示所有的幾何尺寸限制，把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為的倍數(shù)。通常 取柵長(zhǎng)度取柵長(zhǎng)度L的的一半一半，又稱等比例設(shè)計(jì)規(guī)則等比例設(shè)計(jì)規(guī)則。由于其規(guī)則簡(jiǎn)單，主要適合于芯片設(shè)計(jì)新手使用，或不要求芯片面積最小，電路特性最佳的應(yīng)用場(chǎng)合。在這類規(guī)則中，把絕大多數(shù)尺寸規(guī)定為某一特征尺寸“”的某個(gè)倍數(shù)。與工藝線所具有的工藝分辨率有關(guān)，線寬偏離理想

3、特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準(zhǔn)偏差。 優(yōu)點(diǎn)：版圖設(shè)計(jì)獨(dú)立于工藝和實(shí)際尺寸。第10頁(yè)/共54頁(yè)12第11頁(yè)/共54頁(yè)13層次表示 含義 標(biāo)示圖 NWELL N阱層 Locos N+或P+有源區(qū)層 Poly 多晶硅層 Contact 接觸孔層 Metal 金屬層 Pad 焊盤(pán)鈍化層 NWELL硅柵的層次標(biāo)示 第12頁(yè)/共54頁(yè)14編 號(hào)描 述尺 寸目的與作用1.1N阱最小寬度10.0保證光刻精度和器件尺寸1.2N阱最小間距10.0防止不同電位阱間干擾1.3N阱內(nèi)N阱覆蓋P+2.0保證N阱四周的場(chǎng)注N區(qū)環(huán)的尺寸1.4N阱外N阱到N+距離8.0減少閂鎖效應(yīng)第13頁(yè)/共54頁(yè)15第14頁(yè)/共54

4、頁(yè)16編 號(hào)描 述尺 寸目的與作用2.1P+、N+有源區(qū)寬度3.5保證器件尺寸，減少窄溝道效應(yīng)2.2P+、N+有源區(qū)間距3.5減少寄生效應(yīng)第15頁(yè)/共54頁(yè)17第16頁(yè)/共54頁(yè)18編 號(hào)描 述尺 寸目的與作用3.1多晶硅最小寬度3.0保證多晶硅線的必要電導(dǎo)3.2多晶硅間距2.0防止多晶硅聯(lián)條3.3與有源區(qū)最小外間距1.0保證溝道區(qū)尺寸3.4多晶硅伸出有源區(qū)1.5保證柵長(zhǎng)及源、漏區(qū)的截?cái)?.5與有源區(qū)最小內(nèi)間距3.0保證電流在整個(gè)柵寬范圍內(nèi)均勻流動(dòng)第17頁(yè)/共54頁(yè)19第18頁(yè)/共54頁(yè)20編 號(hào)描 述尺 寸目的與作用4.1接觸孔大小2.0 x2.0保證與鋁布線的良好接觸4.2接觸孔間距2.0

5、保證良好接觸4.3多晶硅覆蓋孔1.0防止漏電和短路4.4有源區(qū)覆蓋孔1.5防止PN結(jié)漏電和短路4.5有源區(qū)孔到柵距離1.5防止源、漏區(qū)與柵短路4.6多晶硅孔到有源區(qū)距離1.5防止源、漏區(qū)與柵短路4.7金屬覆蓋孔1.0保證接觸，防止斷條第19頁(yè)/共54頁(yè)21第20頁(yè)/共54頁(yè)22編 號(hào)描 述尺 寸目的與作用5.1金屬寬度2.5保證鋁線的良好電導(dǎo)5.2金屬間距2.0防止鋁條聯(lián)條第21頁(yè)/共54頁(yè)23第22頁(yè)/共54頁(yè)24編 號(hào)描 述尺 寸目的與作用6.1最小焊盤(pán)大小90封裝、邦定需要6.2最小焊盤(pán)邊間距80防止信號(hào)之間串繞6.3最小金屬覆蓋焊盤(pán)6.0保證良好接觸6.4焊盤(pán)外到有源區(qū)最小距離25.0提高可靠性需要第23頁(yè)/共54頁(yè)25第24頁(yè)/共54頁(yè)26第25頁(yè)/共54頁(yè)27第26頁(yè)/共54頁(yè)28第27頁(yè)/共54頁(yè)29第28頁(yè)/共54頁(yè)30第29頁(yè)/共54頁(yè)31第30頁(yè)/共54頁(yè)32第31頁(yè)/共54頁(yè)33第32頁(yè)/共54頁(yè)34第33頁(yè)/共54頁(yè)35下平行走過(guò)另一條用多晶硅或擴(kuò)散區(qū)走線的長(zhǎng)信號(hào)線。第34頁(yè)/共54頁(yè)36第35頁(yè)/共54頁(yè)37第36頁(yè)/共54頁(yè)38第37頁(yè)/共54頁(yè)39第38頁(yè)/共54頁(yè)40第39頁(yè)/共54頁(yè)41第40頁(yè)/共54頁(yè)42第41頁(yè)/共54頁(yè)43第42頁(yè)/共54頁(yè)44第43頁(yè)/共54頁(yè)45第44頁(yè)/共54頁(yè)46第45頁(yè)