材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)自測(cè)評(píng)第二、三章

1、1. 材料是由物質(zhì)構(gòu)成的，因而物質(zhì)就是材料材料是指用來(lái)制造某些有形物體的基本物質(zhì)。VxV按照化學(xué)組成，可以把材料分為三種基本類型(A)金屬材料、硅酸鹽、有機(jī)高分子材料(B) 陶瓷材料、高分子材料、鋼鐵(C) 有機(jī)高分子材料、金屬材料、無(wú)機(jī)非金屬材料C4在四個(gè)量子數(shù)中,x5在四個(gè)量子數(shù)中,x6在四個(gè)量子數(shù)中,V7在四個(gè)量子數(shù)中,V(D)有機(jī)材料、無(wú)機(jī)非金屬材料、金屬材料ms是確定體系角動(dòng)量在磁場(chǎng)方向的分量(ml)。mi決定電子自旋的方向(ms)。n是第一量子數(shù)，它決定體系的能量。I是第二量子數(shù)，它決定體系角動(dòng)量和電子幾率分布的空間對(duì)稱性8原子中每個(gè)電子必須有獨(dú)自一組四個(gè)量子數(shù)。n,l,ml,ms

2、V泡利不相容原理、能量最低原則和洪特規(guī)則是電子在原子軌道中排列必須遵循的三個(gè)基本原則VNa原子中11個(gè)電子的填充方式為1s22s22p53s2o1s22s22p63s1x11按照方框圖，N原子中5個(gè)價(jià)電子的填充方式為Ut2s2pxCu原子的價(jià)電子數(shù)是_3_個(gè)。xS原子的價(jià)電子數(shù)是5個(gè)。x晶體物質(zhì)的共同特點(diǎn)是都具有金屬鍵。x2.金屬鍵既無(wú)方向性，也無(wú)飽和性。V共價(jià)鍵中兩個(gè)成鍵電子的自旋方向必須相反。V元素的電負(fù)性是指元素的原子在化合物中把電子引向自己的能力V兩元素的電負(fù)性相等或接近，易形成離子鍵，不易形成共價(jià)鍵。x兩元素的電負(fù)性差較大，易形成離子鍵，不易形成共價(jià)鍵。V離子鍵的基本特點(diǎn)是以離子而不

3、是以原子為結(jié)合單元。V3. 范德華力既無(wú)方向性亦無(wú)飽和性，氫鍵有方向性但無(wú)飽和性。X范德華力既無(wú)方向性亦無(wú)飽和性，氫鍵有方向性和飽和性。4. 絕大多數(shù)金屬均以金屬鍵方式結(jié)合，它的基本特點(diǎn)是電子共有化。X11共價(jià)鍵既有飽和性又有方向性。V12兩種元素電負(fù)性差值決定了混合鍵合中離子鍵的比例。VXV13范德華力包括取向力、色散力和氫鍵三種類型。VXX14原子的基本鍵合中不一定存在著電子交換。VXX15氫鍵具有方向性，但無(wú)飽和性。VXX三種基本鍵合的結(jié)合強(qiáng)弱順序?yàn)榻饘冁I離子鍵共價(jià)鍵。VXX金屬鍵是由眾多原子最（及次）外層電子釋放而形成的電子氣形成的，因而具有最高的鍵能。VX隨著兩個(gè)原子間距離減小，相互

4、間的吸引力下降，排斥力增加。VXX兩個(gè)原子處于平衡間距時(shí)，鍵能最大，能量最高。VXX同一周期中，原子共價(jià)半徑隨價(jià)電子數(shù)的增加而增加。VXX（C-0.771,N-0.70,O-0.66,F-0.64）同一族中，原子共價(jià)半徑隨價(jià)電子到原子核的距離增加而減小。VXX正離子的半徑隨離子價(jià)數(shù)的增加而減小。VXV原子半徑大小與其在晶體中配位數(shù)無(wú)關(guān)。VXX所謂原子間的平衡距離或原子的平衡位置是吸引力與排斥力的合力最小的位置。VXX共價(jià)鍵是由兩個(gè)或多個(gè)電負(fù)性相差不大的原子間通過(guò)共用電子對(duì)而形成的化學(xué)鍵。VXV？X（只能是兩個(gè)原子間）離子化合物的配位數(shù)取決于離子最有效的堆積。VXX在氧化物中，O2-的配位數(shù)主要

5、有4、6、12三種類型。VXX金屬原子的配位數(shù)越大，近鄰的原子數(shù)越多，相互作用越強(qiáng)，原子半徑越小。VXX金屬原子半徑隨配位數(shù)增加而增加。VXV金屬半徑是原子間平衡間距的一半。（A）V，（B）X，（C），（D）A當(dāng)中心原子的雜化軌道為sp3dx2時(shí)，其配位原子的空間排列為（A）四方錐形（B）三方雙錐形（C）八面體形原子軌道雜化形成雜化軌道后，其軌道數(shù)目、空間分布和能級(jí)狀態(tài)均發(fā)生改變。VXx雜化軌道是原子不同軌道線性組合后的新原子軌道，而分子軌道則是不同原子軌道線性組合成的新軌道。VxVS軌道是由兩個(gè)d軌道線性組合而成，它們是（A）dx、dx（B）dx-y、dx-y（C）dxy、dxyB費(fèi)米能級(jí)是

6、對(duì)金屬中自由電子能級(jí)填充狀態(tài)的描述。VxX（T=0K時(shí)）費(fèi)米能級(jí)是，在T=0K時(shí)，金屬原子中電子被填充的最高能級(jí)，以下能級(jí)全滿，以上能級(jí)全空。VXx按照費(fèi)米分布函數(shù)，TK0時(shí)，f（E）=1/2取決于聚集的原子數(shù)目。VX(A)E=Ef(B)EVEf(C)E>Ef在固體的能帶理論中，能帶中最高能級(jí)與最低能級(jí)的能量差值即帶寬，X能帶是許多原子聚集體中，由許多原子軌道組成的近似連續(xù)的能級(jí)帶。VXV？X（原子軌道裂分的分子軌道）價(jià)帶未填滿（A）絕緣體，（B）導(dǎo)體，（C）半導(dǎo)體，（D）B滿帶與空帶重疊（A）絕緣體，（B）半導(dǎo)體，（C）導(dǎo)體，（D）C滿帶與空帶不重疊（A）絕緣體，（B）導(dǎo)體，（C）半導(dǎo)

7、體，（D）A，C13. 能帶寬度與原子數(shù)目無(wú)關(guān)，僅取決于原子間距，間距大，帶寬大。B14. 原子數(shù)目越多，分裂成的能帶寬度越大。（A）V，（B）XB15. 能帶寬度與原子數(shù)目無(wú)關(guān)，僅取決于原子間距，間距小，帶寬大。A1. 具有一定有序結(jié)構(gòu)的固態(tài)物質(zhì)就是晶體。VXX2. 同一晶面族的晶面形狀相同,面上原子密度相同，彼此相互平行。X3. 在實(shí)際應(yīng)用的工業(yè)金屬中都存在各向異性。VXX4. 空間點(diǎn)陣相同的晶體，它們的晶體結(jié)構(gòu)不一定相同。VXV5. 空間點(diǎn)陣有14種，它們每個(gè)點(diǎn)陣都代表一個(gè)原子。VX16. 能帶寬度與原子數(shù)目無(wú)關(guān)，僅取決于原子間距，間距大，帶寬大。B17. 原子數(shù)目越多，分裂成的能帶寬度

8、越大。（A）V，（B）XB18. 能帶寬度與原子數(shù)目無(wú)關(guān)，僅取決于原子間距，間距小，帶寬大。A6. 具有一定有序結(jié)構(gòu)的固態(tài)物質(zhì)就是晶體。VXX7. 同一晶面族的晶面形狀相同,面上原子密度相同，彼此相互平行。X8. 在實(shí)際應(yīng)用的工業(yè)金屬中都存在各向異性。VXX9. 空間點(diǎn)陣相同的晶體，它們的晶體結(jié)構(gòu)不一定相同。VXV10. 空間點(diǎn)陣有14種，它們每個(gè)點(diǎn)陣都代表一個(gè)原子。VX(A)V，(B)C)，(D)(A)V，(B)VXX，(C)，(D)X，(C)，(D)X6. 如果空間點(diǎn)陣中的每一個(gè)陣點(diǎn)只代表一個(gè)原子時(shí)，則空間點(diǎn)陣與晶體點(diǎn)陣是同一概念。V由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的過(guò)程稱為凝固亦稱結(jié)晶。VXX在立方晶系

9、中點(diǎn)陣（晶格）常數(shù)通常是指。a）最近的原子間距，（B）晶胞棱邊的長(zhǎng)度，（C）棱邊之間的夾角B7. 空間點(diǎn)陣中每個(gè)陣點(diǎn)周圍具有等同的環(huán)境。VXV8. 空間點(diǎn)陣只可能有種型式。（A）12，（B）14，（C）16,（D）189. 空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中只可能劃分出個(gè)晶系。(A)5,(B)6,(C)7,(D)8C10. 晶格常數(shù)常用表示。(A)a,b,c；(B)%By；(C)a,b,c和cc,By；(D)都不是C11. 晶胞中原子占有的體積分?jǐn)?shù)稱為。(A)配位數(shù)，(B)致密度，(C)點(diǎn)陣常數(shù)，(D)晶格常數(shù)B1. fcc密排面的堆垛順序是_。(A) ABAB，(B)ABCD，(C)ABCACfcc結(jié)構(gòu)的致密度

10、為_。(A)0.62，(B)0.68，(C)0.74，(D)0.82C2. fcc結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是_。(A)6，(B)8，(C)10，(D)12D3. fcc晶胞中原子數(shù)為_。(A)6，(B)4，(C)3，(D)2B4. fcc晶胞中原子的半徑是。(A)21/2a/2，(B)21/2a/4，(C)31/2a/2，(D)31/2a/4B5. 以原子半徑R為單位，fcc晶體的點(diǎn)陣常數(shù)a是。(A)2(2)1/2R，(B)4(2)1/2R，(C)4(3)1/2R，(D)4(3)1/2R/3A6. bcc結(jié)構(gòu)的致密度為_。(A)0.62，(B)0.68，(C)0.74，(D)0.82B7. bcc結(jié)構(gòu)的配

11、位數(shù)是_。(A)6，(B)8，(C)10，(D)12B8. bcc晶胞中原子數(shù)為。(A)6，(B)4，(C)3，(D)2D9. bcc晶胞中原子的半徑是。(A)21/2a/2，(B)21/2a/4，(C)31/2a/4，(D)31/2a/2C10. 以原子半徑R為單位，bcc晶體的點(diǎn)陣常數(shù)a是_。1/21/21/21/2(A)2(2)1/2R，(B)4(2)1/2R，(C)4(3)1/2R/2，(D)4R/(3)1/2D11. hcp密排面的堆垛順序是_。(A)ABAB，(B)ABCD，(C)ABCAA12. hcp結(jié)構(gòu)的致密度為_。(A)0.82，(B)0.74，(C)0.68，(D)0.6

12、2B13. hcp結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是_。(A)12，(B)10，(C)8，(D)6A14. hcp晶胞中原子數(shù)為。(A)3，(B)4，(C)5，(D)6D15. 在體心立方晶胞中，體心原子的坐標(biāo)是。(A)1/2,1/2,0;(B)1/2,0,1/2;(C)1/2,1/2,1/2;0,1/2,1/2C在fee晶胞中，八面體間隙中心的坐標(biāo)是。(A)1/2,1/2,0;(B)1/2,0,1/2;(C)0,1/2,1/2;(D)1/2,1/2,1/2D每個(gè)面心立方晶胞有14個(gè)原子。VXX密排六方晶胞共有十七個(gè)原子。VX1.X下圖為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣晶胞，其中ABC面的指數(shù)是(A)(111),(B)(110),(

13、C)(101),(D)(011)1. 下圖為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣晶胞，其中ABCD面的指數(shù)是_A)(111),(B)(110),(C)(101),(D)(011)C下圖為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣晶胞，AD的晶向指數(shù)是(A),(B)110,(C)101,(D)0112. 下圖為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣晶胞，AB的晶向指數(shù)是(A)111,(B)100,(C),(D)001下圖為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣晶胞，AC的晶向指數(shù)是(A)111,(B)110,(C)101,(D)010在下圖的簡(jiǎn)單立方晶胞中，指數(shù)為(01-1)的晶面是(A)ADE,(B)CDE,(C)ACE,(D)CHFCCX軸為FB,_則C正確。3. 在下圖的簡(jiǎn)單立方晶胞中，指數(shù)為

14、(11-1)的晶面是(A)AFD,(B)ACH,(C)ACE,(D)CHEBEGB乘負(fù)號(hào)(-1,-1,1),原點(diǎn)為D，由于是晶面族，X軸方向變，可(1,1,-1),原點(diǎn)為F,BEG4. 在下圖的簡(jiǎn)單立方晶胞中，的晶向指數(shù)為11-1。(A)AF，(B)HA，(C)CE，(D)FD5. 在下圖的簡(jiǎn)單立方晶胞中，的晶向指數(shù)為1-10。(A)BG，(B)CH，(C)CE，(D)GEHAA點(diǎn)坐標(biāo)為1，-1，0)B點(diǎn)坐標(biāo)為1，-1，0)AX，F(xiàn)為原點(diǎn)可？(HAH為原點(diǎn),也可是GB,G點(diǎn)為原點(diǎn),6. 在簡(jiǎn)單立方晶胞中畫出的(1-21)晶面為。(A)BGN,(B)BEM,(C)CFM,(D)AFNC在簡(jiǎn)單立方

15、晶胞中畫出的22-1晶向?yàn)開(A)OS,(B)BR,(C)OR,(D)GSB在簡(jiǎn)單立方晶胞中畫出的210晶向?yàn)?A)BS,(B)BR,(C)BQ,(D)BT7. 在簡(jiǎn)單立方晶胞中畫出的02-1晶向?yàn)?A)BR,(B)BS,(C)BQ,(D)BTyD畫出立方晶胞中具有下列指數(shù)（111）的晶面和指數(shù)111的晶向，可以發(fā)現(xiàn)它們彼此。（A）平行，（B）垂直，（C）既不平行也不垂直，（D）B8. 晶面指數(shù)通常用晶面在晶軸上截距的互質(zhì)整數(shù)比來(lái)表示。VXX改正：晶面在晶軸上截距倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比9. 晶面指數(shù)較高的晶面通常具有的原子密度排列。（A）較高，（B）較低，（C）居中B1. 原子排列最密的晶面，其面間

16、距。a）最小，（B）最大，（C）居中B2. 在fee和bee結(jié)構(gòu)中，一切相鄰的平行晶面間的距離可用公式：d=a/（h+k+l）VXX2221/23. 晶面間距公式d=a/（h+k+l）適用于的一切晶面（h，k，l為密勒指數(shù)）。（A）立方晶系所包含的三種點(diǎn)陣，（B）立方和四方所包含的各種點(diǎn)陣，（C）簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣C4. 若在晶格常數(shù)相同的條件下體心立方晶格的致密度，原子半徑都最小。VXX5. 面心立方與密排六方晶體結(jié)構(gòu)，其致密度、配位數(shù)、間隙大小都是相同的，密排面上的堆垛順序也是相同的。VXX6. 在下列堆積方式中，屬于最緊密堆積的是。（A）體心立方，（B）面心立方，（C）簡(jiǎn)單立方，（D）B7.

17、在下列堆積方式中，屬于最緊密堆積的是。（A）簡(jiǎn)單立方，（B）體心立方，（C）密排六方，（D）C8. 氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是。（A）5，（B）6，（C）4，（D）8C9. Al為面心立方結(jié)構(gòu)，其點(diǎn)陣常數(shù)為0.4049nm,其晶胞中原子體積是°（A）0.04912nnf,（B）0.06638nm3,（C）0.04514nm3,（D）0.05032nm3Al的點(diǎn)陣常數(shù)為0.4049nm,其晶胞中原子體積是0.04912nrrn,其結(jié)構(gòu)為。（A）密排六方，（B）體心立方，（C）面心立方，（D）簡(jiǎn)單立方CAl為面心立方結(jié)構(gòu)，晶胞中原子體積是0.04912nn3,其點(diǎn)陣常數(shù)為_。

18、（A）0.3825nm,（B）0.6634nm，（C）0.4523nm，（D）0.4049nmD面心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)晶胞中八面體間隙數(shù)為。（A）4，（B）8，（C）2，（D）1A1. 面心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)晶胞中四面體間隙數(shù)為。（A）2，（B）4，（C）6，（D）8D2. 面心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)原子平均形成的八面體間隙數(shù)為。（A）4，（B）3，（C）2，（D）1D3. 面心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)原子平均形成的四面體間隙數(shù)為。（A）4，（B）3，（C）2，（D）1C4. 體心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)晶胞中八面體間隙數(shù)為。（A）4，（B）6，（C）8，（D）12B5. 體心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)晶胞中四面體間隙數(shù)為。（A）4，（B）6，（C）8

19、，（D）12D6. 體心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)原子平均形成的八面體間隙數(shù)為（A）1，（B）2，（C）3，（D）4C7. 體心立方結(jié)構(gòu)每個(gè)原子平均形成的四面體間隙數(shù)為A）4，（B）6，（C）8，（D）12每一個(gè)面心立方晶胞中有八面體間隙m個(gè)，四面體間隙n個(gè)，其中:m=2，n=4（D）m=4，n=12A）m=4，n=8,（B）m=6，n=8,（C）A8. 每一個(gè)體心立方晶胞中有八面體間隙m個(gè)，四面體間隙n個(gè)，其中:m=6，n=12（D）m=8，n=12VXVX八面體空隙的體積。（A）m=4，n=8,（B）m=6，n=8,（C）C9. Fee和bee結(jié)構(gòu)中的八面體間隙均為正八面體。X面心立方結(jié)構(gòu)的總間隙體積比

20、體心立方小。V等徑球最緊密堆積時(shí)，四面體空隙的體積_（A）大于，（B）等于，（C）小于，（D）1. 二元相圖中三相平衡時(shí)溫度恒定，而平衡三相成分可變。VXX2. 在二元相圖中，L-S1+S2叫轉(zhuǎn)變。（A）共晶，（B）共析，（C）包晶A3. 在二元相圖中，S-S1+S2稱為轉(zhuǎn)變。（A）共晶，（B）共析，（C）包晶B4. 在二元相圖中，S-L+S1稱為轉(zhuǎn)變。（A）共晶，（B）共析，（C）包晶共晶線代表共晶反應(yīng)溫度其物理意義是。（A）無(wú)論何種成分的液相冷卻至共晶溫度就發(fā)生共晶反應(yīng),（B）無(wú)論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時(shí)，如剩余的液相具有共晶成分就發(fā)生共晶反應(yīng),？表達(dá)不確切（C）無(wú)論何種成分的液相冷

21、卻至共晶溫度時(shí)，全部會(huì)變成具有共晶成分的液相而發(fā)生共晶反應(yīng)BXA5. 共晶反應(yīng)發(fā)生在三相平衡的水平線上,可利用杠桿定理計(jì)算相組成物與組織組成物相對(duì)量,所以杠桿定理也可以在三相平衡區(qū)使用。VX共晶反應(yīng)發(fā)生在三相平衡點(diǎn)，不能用.V？X根據(jù)相律，二元系三相平衡時(shí)自由度為0，即表明三相反應(yīng)是在恒溫下進(jìn)行,三個(gè)平衡相的成分也是相同的，不可改變。VXV6. 所謂相，即是系統(tǒng)中具有均勻成份而且性質(zhì)相同并與其他部分有界面分開的部分。VXV7. 在界面兩側(cè)性質(zhì)發(fā)生突然變化的是兩個(gè)不同的相，否則是同一相。VXV8. 用杠桿規(guī)則進(jìn)行過(guò)程量的計(jì)算，得到的是。（A）累積量（B）瞬時(shí)量（C）（D）A9. 等壓條件下，二元

22、合金中最大平衡相數(shù)為3。VXV10. 二元合金處于單相平衡時(shí)，自由度為2，這就是說(shuō)溫度變化時(shí)，成份隨之變化。VXX11. 在熱力學(xué)平衡條件下，二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平衡共存，它們是一個(gè)固相、一個(gè)液相和一個(gè)氣相。VXX改正：兩個(gè)固相和一個(gè)液相。12. 相數(shù)即為系統(tǒng)內(nèi)性質(zhì)相同且均勻的部分的種類數(shù)。（A）V，（B）X，（C），（D）A自由度數(shù)是指相平衡系統(tǒng)中可獨(dú)立改變而不引起相變的變量數(shù)。（A）V，（B）X，（C），（D）?A在一定范圍內(nèi)改變，故B點(diǎn)缺陷表現(xiàn)有兩種類型：（A）置換原子、晶格間隙；（B）空位、間隙原子；（C）空位、晶格間隙B晶體中存在著許多點(diǎn)缺陷，例如。（A）被激發(fā)的電子，（B）沉淀

23、相粒子，（C）空位C柏格斯矢量是位錯(cuò)的符號(hào)，它代表_。（A）位錯(cuò)線的方向，（B）位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向，（C）晶體的滑移方向BXC,應(yīng)為C實(shí)際金屬中都存在著點(diǎn)缺陷，即使在熱力學(xué)平衡狀態(tài)下也是如此。VXV柏格斯矢量就是滑移矢量。VXV位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向總是垂直于位錯(cuò)線。VX去掉V?該題有問(wèn)題空間點(diǎn)陣有14種，它們每個(gè)點(diǎn)陣都代表一個(gè)原子。VXX刃型位錯(cuò)線與其柏氏矢量平行，且其運(yùn)動(dòng)方向垂直于該柏氏矢量，螺型位錯(cuò)線與其柏氏矢量垂直，且運(yùn)動(dòng)方向平行于該柏氏矢量。VXX刃型位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線平行，螺型位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線垂直。VXX晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而。（A）增加，（B）不變，（C）降低，（D

24、）屬于晶體中的熱缺陷有。(A)空位，(B)非化學(xué)計(jì)量缺陷，(C)雜質(zhì)缺陷，(D)替代式固溶體中，d溶質(zhì)"d溶劑。Vxx間隙式固溶體中，d溶質(zhì)/d溶劑0.5QVxV擴(kuò)散是原子在固體物質(zhì)內(nèi)部無(wú)規(guī)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生定向遷移的過(guò)程。Vx？x擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度，所有擴(kuò)散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)行。(從自由能考慮)D=D0Exp(-Q/RT)，顯然擴(kuò)散激活能與擴(kuò)散系數(shù)呈正比，Qx改正：擴(kuò)散系數(shù)一般表示為x?x不是正比最常見的擴(kuò)散機(jī)理是(A)間隙擴(kuò)散，(B)B一般說(shuō)來(lái)，擴(kuò)散系數(shù)越大擴(kuò)散通量也越大。VXX?V還有濃度差，(按照Fick第一定律，該表述應(yīng)是正確

25、的)菲克第一定律只適用于穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散，而菲克第二定律只適用于非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。Vxx?V(按照教材的內(nèi)容，該表述應(yīng)是正確的)穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散就是指擴(kuò)散通量不隨時(shí)間變化僅隨距離變化的擴(kuò)散。x擴(kuò)散通量是指單位時(shí)間通過(guò)任意單位面積的物質(zhì)量。x金屬的自擴(kuò)散的激活能應(yīng)等于空位的遷移能A伴有濃度變化的擴(kuò)散或者說(shuō)與溶質(zhì)濃度梯度有關(guān)的擴(kuò)散被稱為是(A)反應(yīng)擴(kuò)散，(B)互擴(kuò)散，(C)自擴(kuò)散B？確實(shí)有問(wèn)題，題目的目的不明確。去掉在擴(kuò)散過(guò)程中，原子的流量直接正比于。(A)溫度，(B)濃度梯度，(C)時(shí)間B原子越過(guò)能壘的激活能為Q，(A)隨Q增加而減小，(B)A當(dāng)液體與固體的真實(shí)接觸角大于(D)B當(dāng)液體與固體的真實(shí)接觸角小于(C)，(

26、D)A空位擴(kuò)散，(C)易位擴(kuò)散，(D)Vx。(A)空位的形成能與遷移能的總和,則擴(kuò)散速率。隨Q增加而增加，(C)與Q無(wú)關(guān)90度時(shí)，粗糙度愈大，就愈潤(rùn)濕。(值愈大,D值愈大。Vx(B)空位的形成能,A)容易，(B)不易,C)(C)，90度時(shí)，粗糙度愈大，就愈潤(rùn)濕。(A)容易，(B)不易，由于粗糙度涉及到，未講，建議去掉15.溫度升高，熔體的表面張力一般將增加，(A)不變，(B)減少，(C)B16.液體與固體的接觸角大于B17.液體與固體的接觸角小于90°。90°。(D)(A)潤(rùn)濕，(B)不潤(rùn)濕，(C),(D)(A)潤(rùn)濕，(B)不潤(rùn)濕，(C),(D)11.12.13.1.2.3

27、.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.1.PercentioniccharacterB（A）離子的特點(diǎn)，（B）鍵的離子性結(jié)合比例，（C）,（D）2. EnergyBandCValencebandA，C4.UnitCellAsolidsolution（A）能級(jí),（B）能隙，（C）能帶，（D）（A）價(jià)帶，（B）能帶，（C）價(jià)電子能級(jí)展寬成的能帶，（D）（A）晶胞，（B）單位矢量，（C），（D）（A）固溶體，（B）雜質(zhì)原子等均勻分布于基質(zhì)晶體的固體，（C）固體溶解液,D)A,B？5. IonicBond（A）共價(jià)鍵，（B）次價(jià)鍵，（C）離子鍵，（D）氫鍵CCovalentBond（

28、A）氫鍵，（B）離子鍵，（C）次價(jià)鍵，（D）共價(jià)鍵D6. EquilibriumSpacing（A）平衡力，（B）平衡間距，（C）原子間斥力和引力相等的距離，（D）B，CCoordinationNumber（A）配位數(shù)，（B）原子具有的第一鄰近原子數(shù)，（C）價(jià)電子數(shù)，（D）A，BAtomicPackingFactor（A）晶胞內(nèi)原子總體積與晶胞體積之比，（B）原子體積（C）致密度，（D）原子堆積因子A,C,DDirectionalIndices（A）點(diǎn)陣，（B）晶體方向，（C）晶向指數(shù)，（D）晶向CMillerindices（A）晶向指數(shù)，（B）晶面指數(shù)，（C）密勒指數(shù)，（D）B，Cinter

29、planarspacing（A）晶面組中最近兩晶面間的距離，（B）晶面指數(shù)，（C）原子間距，（D）晶面間距D8（A）面心立方，（B）密排六方，（C）體心立方，（D）A（A）面心立方，（B）密排六方，（C）體心立方，（D）C（A）面心立方，（B）密排六方，（C）體心立方，（D）BPointDefect（A）點(diǎn)陣，（B）體缺陷，（C）面缺陷，（D）點(diǎn)缺陷DInterfacialDefects（A）位錯(cuò)，（B）點(diǎn)缺陷，（C）面缺陷，（D）體缺陷CEdgeDislocation（A）螺旋位錯(cuò)，（B）刃位錯(cuò)，（C）點(diǎn)缺陷，（D）BScrewDislocation（A）棱位錯(cuò)，（B）刃位錯(cuò)，（C）螺旋位錯(cuò)

30、，（D）CInterstitialposition（A）間隙，（B）空位，（C）空隙，（D）空洞Avacancy（A）空洞，（B）空位，（C）空隙，（D）間隙Bself-diffusion（A）互擴(kuò)散，（B）自擴(kuò)散，（C）慢擴(kuò)散，（D）Binterdiffusion（A）互擴(kuò)散，（B）自擴(kuò)散，（C）慢擴(kuò)散，（D）ADiffusionCoefficient（A）擴(kuò)散作用，（B）擴(kuò)散通量，（C）擴(kuò)散系數(shù)，（D）擴(kuò)散通道CDiffusionFlux（A）擴(kuò)散作用，（B）擴(kuò)散通量，（C）擴(kuò)散系數(shù)，（D）擴(kuò)散能，B9. ContactAngle（A）三相交界處，自固液界面經(jīng)氣體至液氣界面的夾角，（B）三

31、相交界處，自固液界面經(jīng)固體內(nèi)部至液氣界面的夾角，（C）三相交界處，自固液界面經(jīng)液體內(nèi)部至液氣界面的夾角，（D）接觸角C，D體心立方金屬晶體具有良好的塑性和韌性。Vxx2面心立方金屬晶體具有較高的強(qiáng)度、硬度和熔點(diǎn)。VxxCuZn合金為電子化合物，其電子濃度（價(jià)電子數(shù)/原子數(shù)）為（A）21/14（B）21/13（C）21/12A鐵碳合金有六種組織結(jié)構(gòu)，它們是、3. 鐵素體是碳溶解在y鐵中的固溶體，C%<0.02%。VX奧氏體是碳溶解在y鐵中的固溶體，C%<0.2%。VXV ?X(C%<2%o)珠光體是由鐵素體和滲碳體組成的共析混合物。VXV8滲碳體是鐵和碳的化合物，F(xiàn)e/C=2/

32、1)VXX從圖3-47可以知道，共析鋼在1420C時(shí)的組織結(jié)構(gòu)是(A)奧氏體+鐵素體(B)奧氏體+液體(C)鐵素體+液體B鋼是碳含量低于2%的鐵碳合金)VXV鋁和紫銅都是面心立方晶體結(jié)構(gòu))VXV非晶態(tài)合金TTT曲線的右側(cè)為晶體結(jié)構(gòu)區(qū)域)VXV在再結(jié)晶過(guò)程中，晶粒的尺寸隨再結(jié)晶溫度的升高和時(shí)間的延長(zhǎng)而長(zhǎng)大)VXV9. 當(dāng)金屬材料的塑性變形度大于10%時(shí)，再結(jié)晶所形成的是細(xì)晶粒)VXV10. 共析鋼中的碳含量為(A)0.02180.77%(B)0.77%(C)0.772.11%(D)6.67%CXB為B11. 二次再結(jié)晶是大晶粒，小晶粒)(A)長(zhǎng)大、長(zhǎng)大；(B)變小、長(zhǎng)大；(C)長(zhǎng)大、變?。?D)

33、A？有問(wèn)題，去掉1. 在離子晶體中，當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在0.22廠0.414的范圍內(nèi)時(shí)，形成(A)四面體配位(B)八面體配位(C)平面三角形配位(D)立方體配位A2. 在離子晶體中，當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在0.7321.0的范圍內(nèi)時(shí)，形成(A)簡(jiǎn)單立方配位(B)面心立方配位(C)簡(jiǎn)單立方或面心立方配位CXA(在等電荷時(shí)，面心立方離子晶體的正負(fù)離子為八面體配位，半徑比是)面心立方ZnS中的Zn原子位于由S原子構(gòu)成的間隙中)(A)八面體(B)四面體(C)立方體B單晶硅為立方晶胞的共價(jià)晶體，每個(gè)晶胞中共有硅原子(A)6個(gè)(B)8個(gè)(C)4個(gè)AXB，是B3. 面心立方ZnS晶胞中的Zn原子和S原子數(shù)量分別為(A)4和4(B)14和4(C)8和4A鈣鈦礦晶體CaTiO3屬于立方晶系，Ca2+的配位數(shù)是12)VXV7尖晶石晶體屬于立方晶系，每個(gè)單位晶胞由相