第二章半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級

1、LOGO 第二章第二章 半導(dǎo)體中雜質(zhì)半導(dǎo)體中雜質(zhì) 和缺陷能級和缺陷能級1、硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級、硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級 2、缺陷、位錯(cuò)能級、缺陷、位錯(cuò)能級LOGO教學(xué)目標(biāo)、教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn)教學(xué)目標(biāo)、教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn) 教學(xué)目標(biāo)教學(xué)目標(biāo) 教學(xué)重點(diǎn)難點(diǎn)教學(xué)重點(diǎn)難點(diǎn)半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級的原理及作用半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級的原理及作用雜質(zhì)與缺陷的作用，對半導(dǎo)體性質(zhì)的影響；雜質(zhì)與缺陷的作用，對半導(dǎo)體性質(zhì)的影響；深能級雜質(zhì)。深能級雜質(zhì)。 LOGO第二章第二章 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級1、硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級、硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級 2、缺陷、位錯(cuò)能級、缺陷、位錯(cuò)能級LOGO硅

2、、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級v替位式雜質(zhì)間隙式雜質(zhì)替位式雜質(zhì)間隙式雜質(zhì)B 替位式雜質(zhì)替位式雜質(zhì)A 間隙式雜質(zhì)間隙式雜質(zhì)LOGO施主雜質(zhì)、施主能級施主雜質(zhì)、施主能級 摻入施主雜質(zhì)磷摻入施主雜質(zhì)磷 P P硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO如何用能帶理論解釋施主雜質(zhì)？硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO雜質(zhì)能級雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO施施 主主 電電 離離 能：能：E ED D = E= EC C- E- ED D 硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOvSi、Ge中中族雜質(zhì)的電離能

3、族雜質(zhì)的電離能ED（eV） 晶體晶體 雜雜 質(zhì)質(zhì) 電電 離離 能能ED 禁帶寬度禁帶寬度Eg P As Sb Si 0.044 0.049 0.039 1.12 Ge 0.0126 0.0127 0.0096 0.67硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO 摻入受主雜質(zhì)硼（摻入受主雜質(zhì)硼（B B）硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO如何用能帶理論解釋受主雜質(zhì)？硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOv特點(diǎn)：特點(diǎn)： 施主電離能施主電

4、離能 ED Eg 受主電離能受主電離能 EA Eg 即所謂的淺能級雜質(zhì)即所謂的淺能級雜質(zhì) 硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOv雜質(zhì)的補(bǔ)償：既摻有施主雜質(zhì)又摻有受主雜質(zhì)雜質(zhì)的補(bǔ)償：既摻有施主雜質(zhì)又摻有受主雜質(zhì)v雜質(zhì)補(bǔ)償作用分為三種情況考慮：雜質(zhì)補(bǔ)償作用分為三種情況考慮：（A） NDNA時(shí)時(shí) （B） NAND時(shí)時(shí) （C） ND NA時(shí)時(shí) 硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOv（A）NDNA時(shí)時(shí) n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 v因因 EA 在在 ED 之下，之下， ED上的束縛電子首先填充上的束縛電子首先填充EA上的空位，即施主與受主先相互上的空位，即施主與受主先相互

5、“抵消抵消”，剩余的束縛電子再電離到導(dǎo)帶上。剩余的束縛電子再電離到導(dǎo)帶上。v所以：有效的施主濃度所以：有效的施主濃度 ND*=ND-NA硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOv（B）NAND時(shí)時(shí) P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 v因因 EA 在在 ED 之下，之下， ED上的束縛電子首先填充上的束縛電子首先填充EA上的空位，即施主與受主先相互上的空位，即施主與受主先相互“抵消抵消”，剩余的束縛空穴再電離到價(jià)帶上。剩余的束縛空穴再電離到價(jià)帶上。v所以：有效的施主濃度所以：有效的施主濃度 NA*=NA-ND硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO 本征激發(fā)的導(dǎo)帶電子本征激發(fā)的

6、導(dǎo)帶電子 本征激發(fā)的價(jià)帶空穴本征激發(fā)的價(jià)帶空穴EvEcEDEA硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO（1）淺能級雜質(zhì)）淺能級雜質(zhì)ED、EA遠(yuǎn)小于遠(yuǎn)小于Eg（2）深能級雜質(zhì)）深能級雜質(zhì) ED、EA和和Eg相當(dāng)相當(dāng)硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOv例例1：Au（族）在族）在Si中中 硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGOv例例2：Au（族）在族）在Ge中中Au在在Ge中共有五種可能的狀態(tài)：中共有五種可能的狀態(tài)： （1）Au+（2）Au0 （3）Au- （4）Au2-（5）Au3-。硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級LOGO第

7、二章第二章 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級硅、鍺中晶體中的雜質(zhì)能級 缺陷、位錯(cuò)能級缺陷、位錯(cuò)能級LOGO 缺陷、位錯(cuò)能級缺陷、位錯(cuò)能級缺陷對材料性能有重要的影響 理想晶體：質(zhì)點(diǎn)嚴(yán)格按照空間點(diǎn)陣排列 實(shí)際晶體：存在各種各樣的結(jié)構(gòu)不完整性 LOGO 形成原因：1、熱缺陷（晶格位置缺陷) 2、雜質(zhì)缺陷(組成缺陷 ） 缺陷、位錯(cuò)能級缺陷、位錯(cuò)能級LOGO（1）弗倫克爾缺陷（Frenkel） 原子進(jìn)入晶格的間隙位置，空位和間隙原子同時(shí)出 現(xiàn)，晶體體積不發(fā)生變化，晶體不會因?yàn)槌霈F(xiàn)空位而產(chǎn) 生密度變化。1、熱缺陷（晶格位置缺陷、熱缺陷（晶格位置缺陷)特點(diǎn)：空位與間隙粒子

8、成對出現(xiàn)，數(shù)量相等，晶體體積不發(fā)生變化。特點(diǎn)：空位與間隙粒子成對出現(xiàn)，數(shù)量相等，晶體體積不發(fā)生變化。 缺陷、位錯(cuò)能級缺陷、位錯(cuò)能級LOGO （2）肖特基缺陷（Schottky） 表面層原子獲得較大能量，離開原來格點(diǎn)位跑到表面外新的格點(diǎn)位，原來位置形成空位這樣晶格深處的原子就依次填入，結(jié)果表面上的空位逐漸轉(zhuǎn)移到內(nèi)部去。特點(diǎn)：晶體表面增加了新的原子層，晶體內(nèi)部只有空位缺陷。晶體體積膨脹，密度下降。1、熱缺陷（晶格位置缺陷、熱缺陷（晶格位置缺陷) 缺陷、位錯(cuò)能級缺陷、位錯(cuò)能級LOGO2、雜質(zhì)缺陷(組成缺陷 ） 外來原子進(jìn)入主晶格產(chǎn)生的缺陷。在原晶體結(jié)構(gòu)中進(jìn)入了雜在原晶體結(jié)構(gòu)中進(jìn)入了雜質(zhì)原子，它與固有

9、原子性質(zhì)不同，破壞了原子排列的周期性，質(zhì)原子，它與固有原子性質(zhì)不同，破壞了原子排列的周期性，雜質(zhì)原子在晶體中占據(jù)兩種位置：雜質(zhì)原子在晶體中占據(jù)兩種位置：（2） 替位式雜質(zhì)替位式雜質(zhì)（1） 間隙式雜質(zhì)間隙式雜質(zhì) 缺陷、位錯(cuò)能級缺陷、位錯(cuò)能級LOGO點(diǎn)缺陷和位錯(cuò)點(diǎn)缺陷和位錯(cuò) 點(diǎn)缺陷：在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個(gè)原子。是處于原子大小數(shù)量級上的缺陷 線缺陷（位錯(cuò))：缺陷尺寸在一維方向較長，另外二維方向上很缺陷尺寸在一維方向較長，另外二維方向上很短。在一維方向上偏離理想晶體中的周期性、規(guī)則性排列所產(chǎn)生短。在一維方向上偏離理想晶體中的周期性、規(guī)則性排列所產(chǎn)生的缺陷。這種線缺陷又稱位錯(cuò)。的缺陷