模電試題答案

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上模擬電子技術(shù)測試題答案一、判斷題（在括號內(nèi)畫“”表示正確，畫“×”表示錯誤，共15分。）1、因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（ × ）2、二極管所加正向電壓增大時，其動態(tài)電阻減?。?）。3、測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為100，將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為10000。(  × )4、晶體三極管是由電流來控制電流的器件（ ），而場效應(yīng)管是由電壓來控制電流的器件（ ）。5、處在恒流區(qū)的場效應(yīng)管UDS與UGS同極性（ ）×。6、反相比例運(yùn)算電路的輸入電阻很大（ ）×

2、;。7、只要是共射放大電路，輸出電壓的削底失真都是飽和失真。（ ）×8、若放大電路引入負(fù)反饋，則負(fù)載電阻變化時，輸出電壓基本不變。（ ）×9、在運(yùn)算電路中，集成運(yùn)放的反相輸入端均為虛地。（ ）。×10、在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（ ）11、只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用；（ ）×12、晶體管工作在飽和狀態(tài)時，其發(fā)射結(jié)反偏（ ）×13、負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)與組成它的基本放大電路的放大倍數(shù)量綱相同。（ ）14、運(yùn)算電路中一般均引入負(fù)反饋。（ ）15、功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真

3、情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。（ ）16、功率放大電路中，輸出功率越大，功放管的功耗越大（ × ）。17、UGS=0時，耗盡型MOS場效應(yīng)管能夠工作在恒流區(qū)（ ）。18、雙端輸出的差分放大電路是靠兩個晶體管參數(shù)的對稱性來抑制溫漂的。（ ）19、阻容耦合多級放大電路各級的Q點(diǎn)相互獨(dú)立，( )它只能放大交流信號。( ) 20、凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。（ ）21、晶體管工作在截止?fàn)顟B(tài)時，其發(fā)射結(jié)反偏（ ）22、負(fù)反饋放大電路不可能產(chǎn)生自激振蕩。（ ×）23、只要在放大電路中引入反饋，就一定能使其性能得到改善。（ × ）24、若放

4、大電路的放大倍數(shù)為負(fù)，則引入的反饋一定是負(fù)反饋。（ × ）25、在RC橋式正弦波振蕩電路中，若RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)中的電阻均為R，電容均為C，則其振蕩頻率f01/RC。（ × ）26、電路只要滿足，就一定會產(chǎn)生正弦波振蕩。（ ×）27、運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓UIO是兩輸入端電位之差。(× ) 28、運(yùn)放的共模抑制比 ( )二、填空和選擇填空題（共25分）1、晶體三極管用來放大時，應(yīng)使發(fā)射結(jié)處于（正向 ）偏置，集電結(jié)處于（反向 ）偏置。2、對于圖4所示的放大電路，設(shè)VCC=12V，=50，VBE=0.7V, 若要求靜態(tài)電流ICQ=2mA ，VCEQ=4V，則電路

5、中的Rb=（282.5 ）k,Rc=（4 ）k。 3、差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的（ A ），共模信號是兩個輸入端信號的（ C ）。 A.差； B.和； C.平均值。4、對于圖4所示的放大電路，設(shè)VCC=12V,Rb=510k,Rc=8 k,VBE=0.7V,VCES(飽和壓降)=0.3V,當(dāng)=50時，靜態(tài)電流IBQ=(0.022 mA ),ICQ=(1.1mA ),管壓降VCEQ=(3.2V );若換上一個=80的三極管，則IBQ=(0.022 mA ),ICQ=(1.76mA),管壓降VCEQ=(0.3V )，三極管工作在（飽和）狀態(tài)。5在本征半導(dǎo)體中加入（五價 ）元素可形成N

6、型半導(dǎo)體，加入（三價）元素可形成P型半導(dǎo)體，PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將（變窄）。6、當(dāng)三極管的兩個PN結(jié)都有反偏電壓時，則三極管處于（截止?fàn)顟B(tài)），當(dāng)兩個PN結(jié)都有正偏電壓時，則三極管處于（飽和狀態(tài) ）。A、截止?fàn)顟B(tài)； B、飽和狀態(tài)； C、放大狀態(tài)。7、用萬用表R*1K的電阻擋測量能正常放大的三極管，若用黑表筆接觸一只引腳，紅表筆分別接觸另兩只引腳時測得的電阻值都較大，則該三極管是（PNP型）。A、PNP型； B、NPN型； C、無法確定。8、某三極管，當(dāng)測得IB=30A時，IC=1.2mA,則發(fā)射極電流IE=(1.23 ) mA；如果IB增大到50A時，IC增大到2 mA，則三極管的電流

7、放大系數(shù)=（40）。9、三極管的輸出特性曲線分為三個區(qū)域，當(dāng)三極管工作在（放大區(qū)）時，關(guān)系式ICIB才成立；當(dāng)三極管工作在（截止區(qū)）時，IC0；當(dāng)三極管工作在（飽和區(qū)）時，UCE0。10、阻容耦合放大電路與直接耦合放大電路的主要不同點(diǎn)是（直流通路不同）。A、所放大的信號不同; B、交流通路不同； C、直流通路不同。11、某傳感器產(chǎn)生的是電壓信號（幾乎不能提供電流），經(jīng)過放大后希望輸出電壓與信號成正比，這時放大電路應(yīng)選（ D ）負(fù)反饋。A.電流串聯(lián)； B.電壓并聯(lián)； C.電流并聯(lián)； D.電壓串聯(lián)。12、某集成運(yùn)放的Aud=1000,組成如圖6所示的反相比例運(yùn)算電路。設(shè)運(yùn)放線性變化的輸出電壓值可達(dá)

8、到電源電壓。在正常連接時，UO=-1V。若Rf開路后仍維持Ui不變，則UO等于（ B ）。A. 1000V； B. 9V； C. 1V； D. 12V。13、在OCL乙類功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的集電極最大功耗約為 C 。 A1W B0.5W C0.2W14、在選擇功放電路中的晶體管時，應(yīng)當(dāng)特別注意的參數(shù)有 BDE 。 A BICM CICBO DBUCEO EPCM FfT15、若圖1所示電路中晶體管飽和管壓降的數(shù)值為UCES，則最大輸出功率POM C 。 A B C圖.1 圖216、已知電路如圖2所示，T1和T2管的飽和管壓降UCES3V，VCC15V， RL8，。

9、選擇正確答案填入空內(nèi)。 （1）電路中D1和D2管的作用是消除 C 。 A飽和失真 B截止失真 C交越失真 （2）靜態(tài)時，晶體管發(fā)射極電位UEQ B 。 A0V B0V C0V （3）最大輸出功率POM C 。 A28W B18W C9W （4）當(dāng)輸入為正弦波時，若R1虛焊，即開路，則輸出電壓 C 。 A為正弦波 B僅有正半波 C僅有負(fù)半波 （5）若D1虛焊，則T1管 A 。 A可能因功耗過大燒壞; B始終飽和; C始終截止。17、當(dāng)集成運(yùn)放工作在（ 線性區(qū) ）時，可運(yùn)用（虛短 ）和（虛斷）概念，而（虛地 ）是（虛短 ）的特殊情況。A.線性區(qū)； B.開環(huán)； C.閉環(huán)； D.虛短； E.虛斷； F

10、.虛地。18、圖3所示電路輸出電壓為（-2.5V ） A.-2.5V； B. -7.5V； C. -10V； D. -12.5V。 19、圖3所示電路中，電阻RP的值為（1.4K ）。A.1K； B. 1.4K； C. 5K； D. 1.9K。 20、（反相 ）比例運(yùn)算電路中，運(yùn)放的反相輸入端為虛地點(diǎn)，而（同相 ）比例運(yùn)算電路中，運(yùn)放的兩個輸入端對地電壓基本上等于輸入電壓。A.同相； B.反相。21、某場效應(yīng)管的IDSS為6mA,而IDQ自漏極流出，大小為8mA,則該管是（ C ）。 AP溝道結(jié)型管： BN溝道結(jié)型管； C耗盡型PMOS管； D.耗盡型NMOS。22、 在單端輸出差分放大電路中

11、，差模電壓增益Avd=50,共模電壓增益Avc=-5,若輸入電壓vi1=80Mv,vi2=60mV,輸出電壓v02=( 無正確選項 ).A-1.035V; B-0.965V; C0.965V; D. 1.035V。23、集成運(yùn)放內(nèi)部是由直接耦合方式的多級放大電路組成的，作為放大器的應(yīng)用，它是（既能放大交流信號，又能放大直流信號）。A.能放大直流信號，不能放大交流信號；B.能放大交流信號，不能放大直流信號；C.既能放大交流信號，又能放大直流信號。24、如果想要改善電路的性能，使電路的輸出電壓穩(wěn)定而且對信號源的影響減小，應(yīng)該在電路中引入（電壓串聯(lián)負(fù)）反饋。25、UGS0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效

12、應(yīng)管有 AC    。           A. 結(jié)型管  B. 增強(qiáng)型MOS管   C. 耗盡型MOS管26、當(dāng)電路的閉環(huán)增益為40dB時，基本放大器的增益變化10%，反饋放大器的閉環(huán)增益相應(yīng)變化1%，則此時電路的開環(huán)增益為（ 60 ）dB。三解：1. IBQ=(VCC-0.7)/Rb+(1+)(Re1+Re2)=28uA 。ICQ=IBQ=50*28=1.4mA , VCEQ= VCC- ICQ(RC+ Re1+Re2)=

13、3.6V 。 2.rbe=100+(1+)26/1.4=1.05K3.Au=-(RCRL)/ rbe+(1+) Re1=-1.1 Ri=Rbrbe+(1+) Re1=10.9KRo=Rc=4 K H參數(shù)微變等效電路為： 四、解：理想運(yùn)放滿足虛短和虛斷，VR1=v1-v2； VR1/R1=（v3-v4）/(2R2+R1),得： v3-v4 =(2R2+R1)/ R1 * VR1=（1+2R2/ R1）（v1-v2） A3組成差動輸入的運(yùn)放，又差動輸入運(yùn)放輸入與輸出的關(guān)系得： Vo=-(R4/R3)( v3-v4)=-(R4/R3)（1+2R2/ R1）（v1-v2） AV=vo/(v1-v2)=-R4/R3（1+2R2/R1） （利用疊加原理等方法同樣可以證的正確結(jié)果，此處略）五：解：由電路圖知，UGS=0V,因而ID= IDSS=4mA,當(dāng)： UDS UGS-UP=O-(-4)=4V時，保證恒流ID= IDS