合理用藥指標

1、河南理工大學高電壓技術(shù)期末考試總結(jié)名詞解釋1電介質(zhì)：在電場中能產(chǎn)生極化的物質(zhì) 通常條件下導電性能極差、在電力系統(tǒng)用作絕緣的材料。2電介質(zhì)的極化種類：電子位移極化當外加一電場，電場力將使荷正電的原子核像電場方向位移，荷負電的電子云中心向電場反方向位移，但原子核對電子云的引力達到平衡時，感應電距也達到穩(wěn)定。離子位移極化在有離子結(jié)合成的介質(zhì)中，外電廠的作用除了促使各個離子內(nèi)部產(chǎn)生電子位移極化外，還產(chǎn)生正負離子相對位移而形成的極化。轉(zhuǎn)向極化（偶極子極化）: 出現(xiàn)外電場后偶極子沿電場方向轉(zhuǎn)動，作較有規(guī)則的排列， 因而顯出極性，這種極化稱為偶極子極化或轉(zhuǎn)向極化?？臻g電荷極化(夾層極化：空間電荷極化常常發(fā)生

2、在不均勻介質(zhì)中，在外電場的作用下，不均勻電介質(zhì)中的正負間隙離子分別向負、正極移動，引起電介質(zhì)內(nèi)各點離子密度的變化，產(chǎn)生電偶極矩，這種極化稱為空間電荷極化。3電介質(zhì)損耗：任何電介質(zhì)在電場作用下都有能量損耗，包括由電導引起的損耗和某些極化過程引起的損耗。電介質(zhì)的能量損耗簡稱介質(zhì)損耗。4碰撞電離：氣體介質(zhì)中粒子相撞，撞擊粒子傳給被撞粒子能量，使其電離。 5光電離:在光照射下，將光子能量傳給粒子，游離出自由電子 。由光電離而產(chǎn)生的自由電子稱為光電子 必要條件：光子的能量大于氣體粒子的電離能 。6熱電離:是熱狀態(tài)下碰撞電離和光電離的綜合.7電極表面電離：氣體中的電子也可從金屬電極表面游離出來。8電子崩：

3、外界電離因子在陰極附近產(chǎn)生了一個初始電子，如果空間電場強度足夠大，該電子在向陽極運動時就會引起碰撞電離，產(chǎn)生一個新的電子，初始電子和新電子繼續(xù)向陽極運動，又會引起新的碰撞電離，產(chǎn)生更多電子。依此，電子將按照幾何級數(shù)不斷增多，類似雪崩似地發(fā)展，這種急劇增大的空間電子流被稱為電子崩。結(jié)論：由于碰撞電離引起電子崩過程，導致氣隙中電子數(shù)迅速增加。9自持放電：撤除外界電離因素后，能僅由電場的作用而維持的放電.10非自持放電：必須依靠外界電離因素的作用提供自由電子作為電子崩的初始電子，一旦外界電離因素停止發(fā)生作用，則放電中止.11極化效應：將電介質(zhì)放入電場，表面出現(xiàn)電荷。這種在外電場作用下電介質(zhì)表面出現(xiàn)電

4、荷的現(xiàn)象叫做電介質(zhì)的極化12電暈放電：極不均勻電場中，在外加電壓下，小曲率半徑電極附近的電場強度首先達到起始場強E0，在此局部區(qū)域先出現(xiàn)碰撞電離和電子崩，甚至出現(xiàn)流注，這種僅僅發(fā)生在強場區(qū)的局部放電稱為電暈放電，在外觀上表現(xiàn)為環(huán)繞電極表面出現(xiàn)藍紫色暈光。12極性效應：在極不均勻電場中，高場強電極的不同，空間電荷的極性也不同，對放電發(fā)展的影響也不同，這就造成了不同極性的高場強電極的電暈起始電壓的不同，以及間隙擊穿電壓的不同，稱為極性效應。13沿面放電：沿著固體介質(zhì)表面發(fā)展的氣體放電現(xiàn)象；14閃絡：沿面放電發(fā)展到跨接兩級的貫穿性的空氣擊穿稱為閃絡。15伏秒特性：在電壓波形一定的情況下，氣隙擊穿時的

5、外加電壓峰值與擊穿時間的關(guān)系氣，稱為該氣隙的伏秒特性Ub=f(tb表示該氣隙伏秒特性的曲線，稱為伏秒特性曲線。50%擊穿電壓：在一定波形的沖擊電壓作用下，外加電壓的幅值變化，導致間隙擊穿概率為50時的電壓。16電擊穿：在強電場下電介質(zhì)內(nèi)部電子劇烈運動，發(fā)生碰撞電離，破壞了固體介質(zhì)的晶格結(jié)構(gòu)，使電導增大而導致?lián)舸?7熱擊穿：由于固體介質(zhì)內(nèi)部熱不穩(wěn)定性造成。18電化學擊穿：固體介質(zhì)在長期工作電壓下，由于介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生局部放電等原因，使絕緣劣化，電氣強度逐漸下降并引起的擊穿。19小橋擊穿：若雜質(zhì)小橋接通電極，因小橋的電導大而導致泄露電流增大，發(fā)熱會促使水分汽化，氣泡擴大，發(fā)展下去也會出現(xiàn)氣體小橋，使

6、油隙發(fā)生擊穿的現(xiàn)象，就是小橋擊穿。20耐壓試驗（破壞性試驗）：模仿設備絕緣在運行中可能收到的各種電壓，對絕緣施加與之等價或更為嚴峻的電壓，從而考驗絕緣耐受這類電壓的能力，這類實驗有可能導致絕緣的破壞 。21檢查性試驗（非破壞性實驗）： 測定絕緣某些方面的特性，并據(jù)此間接地判斷絕緣的狀況，這類實驗一般在較低電壓下進行，通常不會導致絕緣的擊穿損毀。22絕緣電阻：施加直流電壓時測得的電阻，通常指吸收電流衰減完畢后測得的穩(wěn)態(tài)電阻值。23介質(zhì)吸收比：電流衰減過程中，兩個瞬間測得的電流值或兩個相應的絕緣電阻之比，通常用時間60s與15s時所測的絕緣電阻之比。24耦合系數(shù)在電路中，為表示元件間耦合的松緊程度

7、，把兩電感元件間實際的互感（絕對值）與其最大極限值之比定義為耦合系數(shù)。25氣體擊穿：氣體由絕緣狀態(tài)變?yōu)閷щ姞顟B(tài)的現(xiàn)象稱為擊穿。26波阻抗：是表征分布參數(shù)電路特點的最重要的參數(shù)，它是儲能元件，表示導線周圍介質(zhì)獲得電磁能的大小，具有阻抗的量綱，其值決定于單位長度導線的電感和電容，與線路長度無關(guān)。27雷暴日(Td：一年中發(fā)生雷電的天數(shù)(30-40。雷暴小時(Th：一年中發(fā)生雷電的小時數(shù)(100。 地面落雷密度:每一雷暴日每平方公里地面遭受雷擊的次數(shù)。即100km線路每年約受到0.28（b+4h）次雷擊。20-30次；b為兩避雷線之間的距離；h為避雷線的平均高度。28繞擊率：指雷電繞過避雷裝置而擊中被

8、保護物體的概率。29保護角：避雷線和邊相導線的連線與經(jīng)過避雷線的垂直線之間的夾角。30耐雷水平：雷擊線路時線路絕緣不發(fā)生閃絡的最大雷電流幅值，以kA為單位。31雷擊跳閘率：每100km線路每年由雷擊引起的跳閘次數(shù)。32繞擊率：一次雷擊線路中出現(xiàn)繞擊的概率。33擊桿率：雷擊桿塔次數(shù)與落雷總數(shù)的比值。34接地電阻：就是電流由接地裝置流入大地再經(jīng)大地流向另一接地體或向遠處擴散所遇到的電阻，它包括接地線和接地體本身的電阻、接地體與大地的電阻之間的接觸電阻以及兩接地體之間大地的電阻或接地體到無限遠處的大地電阻。35變電所的進線段保護：作用在于限制流經(jīng)避雷器的雷電流和限制入侵波的陡度。采用裝設串聯(lián)電抗器即

9、電抗線圈既能限制流過避雷器的雷電流又能限制入侵波陡度。定義：指臨近變電所12km的一段路上加強防雷保護措施。當線路全線無避雷線時，此段必須架設避雷線；當線路全線有避雷線時，應使此段線路具有較高耐雷水平，減小該段線路內(nèi)由于繞擊和反擊所形成侵入波的概率。36電力系統(tǒng)內(nèi)部過電壓：在電力系統(tǒng)中，由于斷路器操作、故障或其他原因，使系統(tǒng)參數(shù)發(fā)生變化，引起系統(tǒng)內(nèi)部電磁能量的振蕩轉(zhuǎn)化或傳遞所造成的電壓升高。p 37 操作過電壓： 因操作或故障引起的瞬間（以毫秒計）電壓升高。 38暫時過電壓：在瞬間過程完畢后出現(xiàn)的穩(wěn)態(tài)性質(zhì)的工頻電壓升高或諧振現(xiàn)象。又包括工頻電壓升高和諧振過電壓。39工頻電壓升高：電力系統(tǒng)在正常

10、或故障運行時可能出現(xiàn)幅值超過最大工作相電壓、頻率為工頻或接近工頻的電壓升高。40容升效應：在集中參數(shù)L、C串聯(lián)電路中，如果容抗大于感抗，即1/C>L，電路中將流過容性電流。電容上的電壓等于電源電動勢加上電容電流流過電感造成的電壓升。這種電容上的電壓高于電源電動勢的現(xiàn)象，稱為電容效應。為了限制電容效應引起的工頻電壓升高，在超高壓電網(wǎng)中，廣泛采用并聯(lián)電抗器來補償線路的電容電流，以削弱其電容效應。41間歇電弧過電壓：在中性點不接地的系統(tǒng)中，發(fā)生穩(wěn)定性單相接地時，當單相接地電弧不穩(wěn)定處于時燃時滅的狀態(tài)時，這種間歇性電弧接地使系統(tǒng)工作狀態(tài)時刻在變化，導致電感電容元件之間的電磁振蕩，形成遍及全系統(tǒng)的

11、過電壓。42極化：在外加電場的作用下，電介質(zhì)中的正、負電荷沿電場方向作有限位移或轉(zhuǎn)向，形成偶極矩子的過程。43電介質(zhì)的極化特點電子位移極化：存在于一切電介質(zhì)，極化所需時間短， 不隨頻率變化；極化具有彈性，不損耗能量。離子位移極化：存在于離子結(jié)構(gòu)電介質(zhì)中，極化所需時間也很短；極化具有彈性，有極微量能量損耗；隨溫度升高而增大。轉(zhuǎn)向極化：存在于極性電介質(zhì)中，極化所需時間較長, 與電源頻率有很大關(guān)系；極化消耗能量, 溫度過高或過低, 都會減小?？臻g電荷極化(夾層極化：存在于復合介質(zhì)、不均勻介質(zhì)中；極化過程很緩慢 ，只在直流 和低頻交流下表現(xiàn)出來；極化伴隨著能量損耗。44電介質(zhì)的電阻率具有負的溫度系數(shù)；

12、金屬的電阻率具有正的溫度系數(shù)。45介質(zhì)損耗角 為功率因數(shù)角 的余角，其正切 tg關(guān)于印發(fā)焉耆縣人民醫(yī)院合理用藥指標的通知各科室：tg為做好抗菌藥物專項整治工作，進一步加強抗菌藥物臨床應用管理，優(yōu)化抗菌藥物臨床應用結(jié)構(gòu)，提高抗菌藥物臨床合理應用水平，有效遏制細菌耐藥，促進抗菌藥物臨床合理應用能力和管理水平，經(jīng)藥事管理與藥物治療學委員會及醫(yī)療質(zhì)量委員會討論，結(jié)合衛(wèi)生部醫(yī)療機構(gòu)合理用藥指標，現(xiàn)將焉耆縣人民醫(yī)院合理用藥指標印發(fā)下去，要求住院患者抗菌藥物使用率不超過60%，門診患者抗菌藥物處方比例不超過20%的增大，意味著介質(zhì)絕緣性能變差，實踐中常通過測量40DDD來判斷設備絕緣的好壞。類切口手術(shù)患者預

13、防使用抗菌藥物比例不超過 30% ，住院患者外科手術(shù)預防使用抗菌藥物時間控制在術(shù)前 30 分鐘至 2 小時， I 類切口手術(shù)患者預防使用抗菌藥物時間不超過 24 小時；接受抗菌藥物治療住院患者微生物檢驗樣本送檢率不低于 30% 。請各科室遵照各指標執(zhí)行，并將與科室績效考核掛鉤。47帕邢定律：表征均勻電場氣體間隙擊穿電壓、間隙距離和氣壓間關(guān)系的定律。48（1）有光、聲、熱效應造成能量損耗；電暈損耗在超高壓輸電線路設計中必須考慮（2）產(chǎn)生的高頻脈沖電流含有許多高次諧波，造成無線電干擾（31.每次就診人均用藥品種數(shù)）產(chǎn)生可聞噪聲；49指具有0.1%2.每次就診人均藥費50避雷針的保護原理是：能使雷云

14、電場發(fā)生突變，使雷電流先導的發(fā)展沿著避雷針的方向發(fā)展，直擊于其上，雷電流通過避雷針及接地裝置泄入大地而防止避雷針周圍設備受到雷擊。51雷電沖擊電壓波形的參數(shù)為：T=1.230s,半峰值波長時間就診使用注射藥物的百分率=50±20s5.基本藥物占處方用藥的百分率 操作沖擊電壓波形的參數(shù)為：波前時間T=250±（二）抗菌藥物用藥指標（Indicators of antimicrobial drugs use，半峰值波長時間）。T=2500±60s.簡答題2電介質(zhì)電導與金屬電導的區(qū)別？帶電質(zhì)點：電介質(zhì)中為 ionic conduction（固有及雜質(zhì)離子）；金屬中為 electronic conduction數(shù)量級：電介質(zhì)的小，泄漏電流??；金屬的電導電流很大。電導電流影響因素：電介質(zhì)中由離子數(shù)目決定，對所含雜質(zhì)、溫度很敏感；金屬中主要由外加電壓決定，雜質(zhì)、溫度不是主要因素。3湯遜放電理論和流注理論及其區(qū)別和適用范圍流注理論和湯遜理論比較：1. 湯遜理論適用于低氣壓、短氣隙的情況（pd<26.66kPacm）2. 流注理論適用于高氣壓、長氣隙的情況（pd>>26.66kPacm）3.湯遜理論認為電子崩和陰極上的二次發(fā)射過程是氣體自持放電的決定性因素；流注理論認為電子碰撞電離及空間光電離是維持自持放電的主要因素，并強調(diào)了空間電荷畸變電