化學選修三重點強化教案

1、.1V1重點強化教案本節(jié)內(nèi)容選修三重難點精析重點難點1.分子中心原子的雜化類型及分子的立體構(gòu)型2.分類比較晶體的熔沸點3.常見的晶體模型的考察4.晶胞的相關構(gòu)造考察與計算配位數(shù)、密度、相關的計算等教學內(nèi)容一、 根底回憶【難點一 分子中心原子的雜化類型及分子的立體構(gòu)型】1.價層電子對互斥理論電子對數(shù)成鍵對數(shù)孤電子對數(shù)電子對立體構(gòu)型VSEPR分子立體構(gòu)型實例鍵角220直線型330三角形21440正四面體形31221價層電子對互斥理論說明的是價層電子對的立體構(gòu)型也可以叫VSEPR模型，而分子的立體構(gòu)型是指成鍵電子對的立體構(gòu)型，不包括孤電子對。2孤電子對數(shù)的計算公式： a-xb/2 2.常見物質(zhì)的雜化

2、類型和立體模型化學式孤電子對數(shù)鍵電子對數(shù)價層電子對數(shù)VSEPR模型名稱分子或離子的立體模型名稱中心原子的雜化類型CO2ClO-HCN乙炔 / / / /H2OH2SSO2BF3SO3CO32-NO3-HCHONH3NCl3H3O+SO32-ClO3-CH4NH4+其實,任何一門學科都離不開死記硬背,關鍵是記憶有技巧,“死記之后會“活用。不記住那些根底知識,怎么會向高層次進軍?尤其是語文學科涉獵的范圍很廣,要真正進步學生的寫作程度,單靠分析文章的寫作技巧是遠遠不夠的,必須從根底知識抓起,每天擠一點時間讓學生“死記名篇佳句、名言警句,以及豐富的詞語、新穎的材料等。這樣,就會在有限的時間、空間里給學

3、生的腦海里注入無限的內(nèi)容。日積月累,積少成多,從而收到水滴石穿,繩鋸木斷的成效。SO42-PO43-金剛石/石墨/CH2=CH2/C6H6/CH3COOH/*等電子體原子構(gòu)造相似，如CO2是直線形分子，CNS- 、NO2+、N3-與CO2是等電子體，所以分子構(gòu)造均為直線形，中心原子均采用sp雜化?！倦y點二 分類比較晶體的熔沸點】晶體類型物質(zhì)類別及舉例晶體的熔、沸點比較及舉例分子晶體所有的非金屬氫化物如水、硫化氫、部分非金屬單質(zhì)如鹵素X2、部分非金屬氧化物如CO2、SO2、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)的有機物有機鹽除外（1） 分子間作用力越大，物質(zhì)的熔沸點越高；具有氫鍵的分子晶體，熔沸點異常地高試比較

4、H2O、H2S、H2Se和H2Te的熔沸點上下并說明原因 語文課本中的文章都是精選的比較優(yōu)秀的文章,還有不少名家名篇。假如有選擇循序漸進地讓學生背誦一些優(yōu)秀篇目、精彩段落,對進步學生的程度會大有裨益。如今,不少語文老師在分析課文時,把文章解體的支離破碎,總在文章的技巧方面下功夫。結(jié)果老師費力,學生頭疼。分析完之后,學生收效甚微,沒過幾天便忘的一干二凈。造成這種事倍功半的為難場面的關鍵就是對文章讀的不熟。常言道“書讀百遍,其義自見,假如有目的、有方案地引導學生反復閱讀課文,或細讀、默讀、跳讀,或聽讀、范讀、輪讀、分角色朗讀,學生便可以在讀中自然領悟文章的思想內(nèi)容和寫作技巧,可以在讀中自然加強語感

5、,增強語言的感受力。久而久之,這種思想內(nèi)容、寫作技巧和語感就會自然浸透到學生的語言意識之中,就會在寫作中自覺不自覺地加以運用、創(chuàng)造和開展。 （2）（3） 要練說，得練聽。聽是說的前提，聽得準確，才有條件正確模擬，才能不斷地掌握高一級程度的語言。我在教學中，注意聽說結(jié)合，訓練幼兒聽的才能，課堂上，我特別重視老師的語言，我對幼兒說話，注意聲音清楚，上下起伏，抑揚有致，富有吸引力，這樣能引起幼兒的注意。當我發(fā)現(xiàn)有的幼兒不專心聽別人發(fā)言時，就隨時表揚那些靜聽的幼兒，或是讓他重復別人說過的內(nèi)容，抓住教育時機，要求他們專心聽，用心記。平時我還通過各種興趣活動，培養(yǎng)幼兒邊聽邊記，邊聽邊想，邊聽邊說的才能，如

6、聽詞對詞，聽詞句說意思，聽句子辯正誤，聽故事講述故事，聽謎語猜謎底，聽智力故事，動腦筋，出主意，聽兒歌上句，接兒歌下句等，這樣幼兒學得生動活潑，輕松愉快，既訓練了聽的才能，強化了記憶，又開展了思維，為說打下了根底。組成和構(gòu)造相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔沸點越高，試比較SnH4、CH4、SiH4和GeH4的熔沸點 （4） 組成和構(gòu)造不相似的物質(zhì)相對分子質(zhì)量接近，分子的極性越大，其熔沸點越 。如： 4同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔沸點的順序為：鄰間對位化合物原子晶體部分非金屬單質(zhì)如金剛石、硅、晶體硼，部分非金屬化合物如SiC、SiO2由共價鍵形成的原子晶體中，原子的半徑小的鍵長短，鍵能大，晶體的

7、熔沸點越高。試比較金剛石、碳化硅、硅和石英的熔沸點上下 離子晶體金屬氧化物如NaCl、強堿、絕大部分鹽一般來說，陰、陽離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，其離子晶體的熔沸點就越高。試比較MgCl、NaCl、MgO和CsCl的熔沸點上下 金屬晶體金屬單質(zhì)與合金如Na、Al、Fe、青銅一般來說，金屬半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強，金屬的熔沸點也就越高，如第A族的金屬熔沸點上下為： 【難點三 常見的晶體模型的考察】強化記憶！1. 原子晶體金剛石與二氧化硅 (1) 金剛石晶體中，每個C與另外 個C形成共價鍵，C-C之間的夾角是 ，最小的環(huán)是 元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價鍵有

8、mol。（2） SiO2晶體中，每個Si與 個O成鍵，每個O與 個Si成鍵，最小的環(huán)是 元環(huán)，在“硅氧四面體中，處于中心的是 Si原子。*試比較金剛石和石墨的熔沸點上下？2. 離子晶體 1NaCl型：在晶體中，每個Na+同時吸引 個Cl-，每個Cl-同時吸引 個Na+,配位數(shù)為 。每個晶胞含 和Na+和 個Cl-；與Na+等距且最近的Na+有 個，與Cl-等距且最近的Cl-有 個。2CsCl型：在晶體中，每個Cs+同時吸引 個Cl-，每個Cl-同時吸引 個Cs+,配位數(shù)為 。每個晶胞含 和Cs+和 個Cl-；與Cs+等距且最近的Cs+有 個，與Cl-等距且最近的Cl-有 個。3CaF2型：在晶

9、體中，每個Ca+同時吸引 個F-，配位數(shù)為 ，每個F-同時吸引 個Ca+,配位數(shù)為 。每個晶胞含 和Ca+和 個F-；與Ca+等距且最近的Ca+有 個，與F-等距且最近的F-有 個。3.金屬晶體簡單立方堆積-Po：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個晶胞含 個原子。體心立方堆積-K型Na、K、Fe：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個晶胞含 個原子。六方最密堆積-Mg型Mg、Zn、Ti：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個晶胞含 個原子。面心立方堆積-Cu型Cu、Ag、Au：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個晶胞含 個原子。二、 典例分析【例題一 高考選修三基此題型】鈣鈦礦晶胞構(gòu)造如以下圖所示1該晶體構(gòu)造中氧、鈦、

10、鈣的離子個數(shù)比是 ，化學式可表示為 2在該物質(zhì)的晶體構(gòu)造中，每個鈦離子周圍與它最接近且間隔 相等的鈦離子、鈣離子各有 、 個3假設鈣、鈦、氧三元素的相對原子質(zhì)量分別為a，b，c，晶體構(gòu)造圖中正方體邊長鈦原子之間的間隔 為dnm1nm=10-9m，那么該晶體的密度為 g/cm3阿伏加德羅常數(shù)用NA表示【提升訓練】氮化硼B(yǎng)N是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反響可以得到BF3和BN，如以下圖所示請答復以下問題：1由B2O3制備BN的化學方程式是 2基態(tài)B原子的電子排布式為 ；B和N相比，電負性較大的是 ，BN中B元素的化合價為 3在BF3分子中，F(xiàn)-B-F的鍵角是 ， B原子

11、的雜化軌道類型為 ，BF3和過量NaF作用可生成NaBF4，BF- 4的立體構(gòu)型為 4在與石墨構(gòu)造相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學鍵為 ，層間作用力為 （5） 六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其構(gòu)造與金剛石相似，硬度與金剛石相當，晶胞邊長為361.5 pm，立方氮化硼的一個晶胞中含有 個氮原子、 個硼原子，立方氮化硼的密度是 gcm-3只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA，上圖為金剛石晶胞【例題二 考察常見晶體的根本知識點】2019全國卷37化學選修3:物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)碳及其化合物廣泛存在于自然界中。答復以下問題:1處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子

12、核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描繪。在基態(tài)14C原子中,核外存在對自旋相反的電子。2碳在形成化合物時,其鍵型以共價鍵為主,原因是 。3CS2分子中,共價鍵的類型有,C原子的雜化軌道類型是,寫出兩個與CS2具有一樣空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。4CO能與金屬Fe形成FeCO5,該化合物的熔點為253 K,沸點為376 K,其固體屬于晶體。5碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體構(gòu)造如下圖:在石墨烯晶體中,每個C原子連接個六元環(huán),每個六元環(huán)占有個C原子。在金剛石晶體中,C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個C原子連接個六元環(huán),六元環(huán)中最多有個C原子在同一平面?！纠}三 陌生晶胞與元素推斷】

13、 前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A，B，C，D中，A和B的價電子層中未成對電子均只有1個，平且A-和B+的電子相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2答復以下問題：1D2+的價層電子排布圖為 2四種元素中第一電離最小的是 ，電負性最大的是 填元素符號3A、B和D三種元素組成的一個化合物的晶胞如下圖該化合物的化學式為 ；D的配位數(shù)為 列式計算該晶體的密度 gcm-34A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，其中化學鍵的類型有 ；該化合物中存在一個復雜離子，該離子的化學式為 ，配位體是 【變式訓練】1某晶體的部分構(gòu)造為正三棱柱，這種

14、晶體中A、B、C三種微粒數(shù)目之比為 A.394 B.142 C.294 D.3842前些年報道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導溫度的最高記錄。如下圖是該化合物的晶體構(gòu)造單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個鎂原子，6個硼原子位于棱柱內(nèi)。那么該化合物的化學式可表示為 A.MgB B.MgB2 C.Mg2B D.Mg3B2【例題四】有關晶胞的計算題專練*【原子坐標參數(shù)類考題】1.晶胞有兩個根本要素：原子坐標參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，以下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標參數(shù)A為0,0,0；B為，0，；C為，0。那么D原子的坐標參數(shù)為_。晶胞參數(shù)，描繪晶胞的大小和形狀

15、，Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm，其密度為_gcm-3列出計算式即可。；?！揪О芏阮悺?.M是第四周期元素，最外層只有1個電子，次外層的所有原子軌道均充滿電子。元素Y的負一價離子的最外層電子數(shù)與次外層的一樣，M與Y形成的一種化合物的立方晶胞如下圖。該化合物的化學式為_，晶胞參數(shù)a=0.542 nm，此晶體的密度為_gcm3。寫出計算式，不要求計算結(jié)果。阿伏加德羅常數(shù)為NACuCl 2.A、B為前三周期原子序數(shù)依次增大的兩種元素,A2-和B+具有一樣的電子構(gòu)型。A和B可以形成化合物F,其晶胞構(gòu)造如下圖,晶胞參數(shù)a=0.566 nm,F的化學式為;晶胞中A原子的配位數(shù)為;列式計算晶體F

16、的密度gcm-3 ?！窘獯稹扛鶕?jù)晶胞構(gòu)造可知氧原子的個數(shù)=8+6=4,Na全部在晶胞中,共計是8個,那么F的化學式為Na2O。以頂點氧原子為中心,與氧原子間隔 最近的鈉原子的個數(shù)是8個,即晶胞中A原子的配位數(shù)為8。晶體F的密度=2.27 gcm-3。3.ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體構(gòu)造如以下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為 gcm-3列式并計算，a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的間隔 為 pm列式表示【與長度相關的晶胞計算題】1.某鎳白銅合金的立方晶胞構(gòu)造如下圖。晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_。假設合金的密度為dg/cm3，晶胞參

17、數(shù)a=_nm3:12. MgO 具有 NaCl 型構(gòu)造如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X 射線衍射實驗測得 MgO 的晶胞參數(shù)為 a=0.420nm，那么 rO 2- 為_nm。MnO 也屬于 NaCl 型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為 a =0.448 nm，那么 rMn 2+ 為_nm。0.148 0.0763.晶體是一種性能良好的非線性光學材料，具有鈣鈦礦型的立方構(gòu)造，邊長為，晶胞中、分別處于頂角、體心、面心位置，如下圖，與間的最短間隔 為_，與緊鄰的個數(shù)為_?！窘馕觥?最近的K和O是晶胞中頂點的K和面心的O，其間隔 為邊長的/2倍。故。從晶胞中可以看出，在一個晶胞中與頂點K緊鄰的O為含有該

18、頂點的三個面面心的O，即為個。由于一個頂點的K被八個晶胞共用，故與一個K緊鄰的O有：個。4.MgO具有NaCl型構(gòu)造如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實驗測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，那么rO2為 nm。MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為a=0.448nm，那么rMn2+為 nm。只用列出計算式【解析】因為O2是面心立方最密堆積方式，面對角線是O2半徑的4倍，即4r=a，解得r=/4 0.420nm；MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，根據(jù)晶胞的構(gòu)造，Mn2+構(gòu)成的是體心立方堆積，體對角線是Mn2+半徑的4倍，面上相鄰的兩個Mn2+間隔 是此晶胞的一半，因此有/4 /

19、2 0.448nm?！敬鸢浮?4 0.420 /4 /2 0.448【百分率相關計算】1.GaAs的熔點為1238，密度為gcm-3，其晶胞構(gòu)造如下圖。該晶體的類型為_,Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1 和MAs gmol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，那么GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。原子晶體；共價鍵；。三、 針對練習課后作業(yè)1.在以下有關晶體的表達中錯誤的選項是 A.分子晶體中，一定存在極性共價鍵B.原子晶體中，只存在共價鍵C.金屬晶體的熔沸點差異很大D.稀有氣體的原子能形成分子晶體2.以下有關晶

20、體構(gòu)造的表達中，不正確的選項是 A.冰晶體中，每個水分子與周圍最近的4個水分子通過氫鍵相吸引，并形成四面體B.干冰晶體中，每個晶胞平均含有8個氧原子C.金剛石晶體中，碳原子與C-C鍵之比為12D.二氧化硅晶體中，最小環(huán)是由6個硅原子組成的六元環(huán)3.以下有關離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的選項是 A.熔點：NaFMgF2AlF3B.晶格能：NaFNaClNaBrC.陰離子的配位數(shù)：CsClNaClCaF2D.硬度：MgOCaOBaO4.有關物質(zhì)的構(gòu)造和組成如下圖，以下說法中不正確的選項是 A.在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B.該氣態(tài)團簇分子的分子式為EF或FEC.在CO2 晶體

21、中，一個CO2 分子周圍有12個CO2 分子緊鄰D.在碘晶體中，碘分子的排列有兩種不同的方向5.以下圖為CaF2、H3BO3層狀構(gòu)造，層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合、金屬銅三種晶體的構(gòu)造示意圖，請答復以下問題： 1圖所示的CaF2晶體中與Ca2+最近且等間隔 的F-數(shù)為 ，圖中未標號的銅原子形成晶體后周圍最緊鄰的銅原子數(shù)為 2圖所示的物質(zhì)構(gòu)造中最外能層已達8電子構(gòu)造的原子是 ，H3BO3晶體中B原子個數(shù)與極性鍵個數(shù)比為 3金屬銅具有很好的延展性、導電性、傳熱性，對此現(xiàn)象最簡單的解釋是用 理論4三種晶體中熔點最低的是 填化學式，其晶體受熱熔化時，抑制的微粒之間的互相作用為 5兩個間隔 最近的C

22、a2+核間間隔 為a10-8cm，結(jié)合CaF2晶體的晶胞示意圖，CaF2晶體的密度為 列出表達式，MCaF2= 78 gmol-16.VIA族的氧、硫、硒Se、碲Te等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和消費中有許多重要用處。請答復以下問題：1S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀構(gòu)造如以下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 2O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為 3Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 4H2Se的酸性比H2S 填“強或“弱。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ，SO2- 3離子的立體構(gòu)型為 5H2SeO3的K1和K2分別為2.710-3和2.51

23、0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.210-2，請根據(jù)構(gòu)造與性質(zhì)的關系解釋：H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因 H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因 （6） ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體構(gòu)造如以下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為 gcm-3列式并計算，a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的間隔 為 pm列式表示7.2019新課標三卷37化學選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)15分砷化鎵GaAs是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。答復以下問題：1寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。2

24、根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_As，第一電離能Ga_As。填“大于或“小于3AsCl3分子的立體構(gòu)型為_，其中As的雜化軌道類型為_。4GaF3的熔點高于1000，GaCl3的熔點為77.9，其原因是_。5GaAs的熔點為1238，密度為gcm-3，其晶胞構(gòu)造如下圖。該晶體的類型為_,Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1 和MAs gmol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，那么GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_?！靖呖颊骖}檢測】定時完成+自我評分1.2019全國卷化學選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)15分研究發(fā)現(xiàn)，在CO2

25、低壓合成甲醇反響CO2+3H2=CH3OH+H2O中，Co氧化物負載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應用前景。答復以下問題：1Co基態(tài)原子核外電子排布式為_。元素Mn與O中，第一電離能較大的是_，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是_。2CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為_和_。3在CO2低壓合成甲醇反響所涉及的4種物質(zhì)中，沸點從高到低的順序為_，原因是_。4硝酸錳是制備上述反響催化劑的原料，MnNO32中的化學鍵除了鍵外，還存在_。5MgO具有NaCl型構(gòu)造如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實驗測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm，那么rO2

26、-為_nm。MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為a =0.448 nm，那么rMn2+為_nm。【答案】11s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2 O Mn2sp sp33H2OCH3OHCO2H2H2O與CH3OH均為極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多；CO2與H2均為非極性分子，CO2分子量較大、范德華力較大4離子鍵和鍵或鍵 50.148 0.0762.2019全國卷化學選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)15分鉀和碘的相關化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領域有著廣泛的應用。答復以下問題：1元素K的焰色反響呈紫紅色，其中紫色對應的輻射波長為_nm填標號。A404.4B553.5 C589.2D670.8 E766.52基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號是_，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型一樣，但金屬K的熔點、沸點等都比金屬Cr低，原因是_。3X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在離子。離子的幾何構(gòu)型為_，中心原子的雜化形式為_。4KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學材料，具有鈣鈦礦型的立方構(gòu)造，邊長為a=0.446 nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如下圖。K與O間的最短間隔 為_nm，與K緊鄰的O個數(shù)為_。5在KIO3晶胞構(gòu)造的另一種表示中，I處于各頂角位置，那么K