半導體專業(yè)用語

1、頁眉內(nèi)容金屬前介質(zhì)層（PMD） 金屬間介質(zhì)層（IMD）W塞 （W PLUG）鈍化層（Passivation） Cassette 裝晶片的晶舟 CD：critical dimension 關(guān)鍵性尺寸，臨界尺寸 Chamber 反應(yīng)室 Chart 圖表 Child lot 子批 chiller 制冷機 Chip (die) 晶粒 Chip：碎片或芯片。 clamp 夾子 CMP 化學機械研磨 Coater 光阻覆蓋（機臺） Coating 涂布，光阻覆蓋 Computer-aided design（CAD）：計算機輔助設(shè)計。 Contact Hole 接觸窗 Control Wafer 控片 Co

2、rrelation：相關(guān)性。 Cp：工藝能力，詳見process capability。 Critical layer 重要層 CVD 化學氣相淀積 Cycle time 生產(chǎn)周期 Defect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。 Defect 缺陷 DEP deposit 淀積 Depth of focus（DOF）：焦深。 Descum 預處理 Developer 顯影液；顯影（機臺） developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液 Development 顯影 DG dual gate 雙門 DI filter 離子交換器 DI water 去離子水 Diffusion 擴散 d

3、isk 靶盤 disk/flag faraday 束流測量器 Doping 摻雜 Dose 劑量 Downgrade 降級 DRC design rule check 設(shè)計規(guī)則檢查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 擋片 E/R etch rate 蝕刻速率 EE 設(shè)備工程師 ELS extended life source 高壽命離子源 enclosure 外殼 acceptor 受主，如B，摻入Si中需要接受電子 Acid：酸 actuator激勵 ADI After develop inspection顯影后檢視 AEI After etching

4、 inspection蝕科后檢查 AFM atomic force microscopy 原子力顯微 ALD atomic layer deposition 原子層淀積 Align mark(key)：對位標記 Alignment 排成一直線，對平 Alloy：合金 Aluminum：鋁 Ammonia：氨水 Ammonium fluoride：NHF Ammonium hydroxide：NHOH Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） amplifier 放大器 AMU 原子質(zhì)量數(shù) Analog：模擬的 analyzer magnet 磁分析器 Angstrom：

5、A（E-m）埃 Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH） Antimony(Sb)銻 arc chamber 起弧室 ARC： anti-reflect coating 防反射層 Argon(Ar)氬 Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷 Arsenic(As)砷 Arsine(AsH) ASHER 一種干法刻蝕方式 Asher：去膠機 ASI 光阻去除后檢查 ASIC 特定用途集成電路 Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比） ATE 自動檢測設(shè)備 Back end：后段（CONTACT以后、PCM測試前） Backside Etch 背

6、面蝕刻 Backside 晶片背面 Baseline：標準流程 Beam-Current 電子束電流 Benchmark：基準 BGA ball grid array 高腳封裝 Bipolar：雙極 Boat：擴散用（石英）舟 BPSG 含有硼磷的硅玻璃 Break 中斷，stepper機臺內(nèi)中途停止鍵 cassette 晶片盒 metal n 金屬 Metal Via 金屬接觸窗 MFG 制造部 Mid-Current 中電流 Module 部門 nanometer (nm) n ：納米 nanosecond (ns) n ：納秒 NIT SiN 氮化硅 nitride etch n ：氮化

7、物刻蝕 nitrogen (N ) n： 氮氣，一種雙原子氣體 Non-critical 非重要 NP n-doped plus(N+) N型重摻雜 n-type adj ：n型 NW n-doped well N阱 OD oxide definition 定義氧化層 ohms per square n：歐姆每平方 方塊電阻 OM optic microscope 光學顯微鏡 OOC 超出控制界線 OOS 超出規(guī)格界線 orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向 Over Etch 過蝕刻 Over flow 溢出 overlap n ： 交迭區(qū) Overlay 測量前層與本層之間

8、曝光的準確度 OX SiO 二氧化硅 P poly 多晶硅 PA; passivation 鈍化層 Parent lot 母批 Particle 含塵量/微塵粒子 PH photo 黃光或微影 phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素 photomask n ：光刻版，用于光刻的版 photomask, negative n：反刻 photomask, positive n：正刻 Pilot 實驗的 PVD 物理氣相淀積 PW p-doped well P阱 quad rupole lens 磁聚焦透鏡 quartz carrier n 石英舟。 Queue time 等

9、待時間內(nèi)層介電層（ILD）、內(nèi)金屬介電層（IMD）ICP inductive couple plasma 感應(yīng)等離子體 ID 辨認，鑒定IGBT 絕緣門雙極晶體管 images：去掉圖形區(qū)域的版 implant 注入 Implant 植入 impurity n 摻雜 impurity：雜質(zhì) inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體 inert gas：惰性氣體 initial oxide：一氧 insulator：絕緣 isolated line：隔離線 junction 結(jié) junction spiking n 鋁穿刺 kerf 劃片槽 landing pad

10、 n PAD Layer 層次 LDD lightly doped drain 輕摻雜漏 liner drive 直線往復運動 lithography n 制版 loadlock valve 靶盤腔裝片閥 Local defocus 局部失焦因機臺或晶片造成之臟污 LOCOS local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路 Lot 批 LP(低壓)淀積多晶硅（LPPOLY） mainframe 主機 maintainability, equipment 設(shè)備產(chǎn)能 maintenance n 保養(yǎng) majority carrier n 多數(shù)載流子 Mask (re

11、ticle) 光罩 masks, device series of n 一成套光刻版 material n 原料 matrix n 矩陣 mean n 平均值measured leak rate n 測得漏率 median n 中間值 memory n 記憶體 Merge 合并 End Point 蝕刻終點 e-shower 中性化電子子發(fā)生器 ET etch 蝕刻 Exhaust 排氣（將管路中的空氣排除） Exposure 曝光 extrantion electrode 高壓吸極 FAB 工廠 fab：常指半導體生產(chǎn)的制造工廠。 FIB focused ion beam 聚焦離子束 Fie

12、ld Oxide 場氧化層 filament 燈絲 film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。 flat aligener 平邊檢測器 flat：平邊 flatband capacitanse：平帶電容 flatband voltage：平帶電壓 Flatness 平坦度 flow coefficicent：流動系數(shù) flow velocity：流速計 flow volume：流量計 flux：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù) Focus 焦距 forbidden energy gap：禁帶 Foundry 代工 four-point probe：四點探針臺 FSG 含有氟的硅玻璃 func

13、tional area：功能區(qū) Furnace 爐管 gate oxide：柵氧 glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度 GOI gate oxide integrity 門氧化層完整性 gowning：凈化服 gray area：灰區(qū) gyro drive 兩方向偏轉(zhuǎn) hard bake：后烘 ，堅烘,soft bake (軟烘) HCI hot carrier injection 熱載流子注入 HDP：high density plasma 高密度等離子體 heat exchange 熱交換機 High-Voltage 高壓 host：主機 Hot bak

14、e 烘烤 hot carriers：熱載流子 hydrophilic：親水性 hydrophobic：疏水性 Ground Bounce 地彈反射 GUI,Graphical User Interface 圖形用戶界面 Harmonica 射頻微波電路仿真 HFSS 三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真 HMDS (六甲基二硅胺)：涂膠前處理，增加圓片襯底與光刻膠的粘附性IC Integrate Circuit 集成電路 Image Fiducial 電路基準 Impedance 阻抗 In-Circuit-Test 在線測試 Initial Voltage 初始電壓 Input Rise Time 輸入躍

15、升時間 Inverter - 逆變器 Jumper 跳線 LCD Liquid Crystal Display 液晶顯示 LCM Liquid Crystal Module 液晶模塊 LED Light Emitting Diode 發(fā)光二極管 Linear Design Suit 線性設(shè)計軟件包 Local Fiducial 個別基準 manufacturing 制造業(yè) MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片組件 MDE,Maxwell Design Environment Merge 合并 MFG 制造部 Nonlinear Design Suit 非線性設(shè)計軟件包 NVT

16、：N MOS 調(diào)閾值電壓ODB+ Open Data Base 公開數(shù)據(jù)庫 OEM 原設(shè)備制造商 OLE Automation 目標連接與嵌入 On-line DRC 在線設(shè)計規(guī)則檢查 ONO：氧化層-氮化層-氧化層介質(zhì)；用作電容介質(zhì)Optimetrics 優(yōu)化和參數(shù)掃描 OSD On Screen Display 在屏上顯示 Overshoot 過沖 PAC感光化合物 Panel fiducial 板基準 顯影前烘焙 (PEB)Parameter參數(shù) PCB PC Board Layout Tools 電路板布局布線 PCB Printed Circuit Board 印刷電路板 BIST,

17、Built-in Self Test 內(nèi)建的自測試 Bus Route 總線布線 Carbide碳 circuit diagram 電路圖 Circuit 電路基準 Clementine 專用共形開線設(shè)計 Cluster Placement 簇布局 CM 合約制造商 COF Chip On FPC 將IC固定于柔性線路板上 COG Chip On Glass 將芯偏固定于玻璃上 Common Impedance 共模阻抗 component video - 分量視頻 Composite video - 復合視頻 Concurrent 并行設(shè)計 Constant Source 恒壓源 Coope

18、r Pour 智能覆銅 Crosstalk 串擾 CRT Cathode Radial Tude 陰極射線管 DC Magnitude 直流幅度 Delay 延時 Delays 延時 Design for Testing 可測試性設(shè)計 Designator 標識 DOF焦深 Depth Of Focus，區(qū)分IDOF、UDOF前者只有中心，后者包括四角DFC,Design for Cost 面向成本的設(shè)計 DFR,Design for Reliability 面向可靠性的設(shè)計 DFT,Design for Test 面向測試的設(shè)計 DPI Dot Per Inch 點每英寸 DSM,Dynam

19、ic Setup Management 動態(tài)設(shè)定管理 DVI Digital Visual Interface （VGA）數(shù)字接口 Dynamic Route 動態(tài)布線 Electro Dynamic Check 動態(tài)電性能分析 Electromagnetic Disturbance 電磁干擾 Electromagnetic Noise 電磁噪聲 EMC,Elctromagnetic Compatibilt 電磁兼容 EMI,Electromagnetic Interference 電磁干擾 Emulation 硬件仿真 Ensemble 多層平面電磁場仿真 ESD 靜電釋放 Expansio

20、n膨脹 Fall Time 下降時間 False Clocking 假時鐘 FEP 氟化乙丙烯 FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里葉變換 Float License 網(wǎng)絡(luò)浮動 Frequency Domain 頻域 Gaussian Distribution 高斯分布 Global flducial 板基準pn junction n：pn結(jié) Pod 裝晶舟與晶片的盒子 Polymer 聚合物 POR Process of record post accel 后加速器 Plasma 電漿 PMD premetal dielectric 電容 PP p-doped pl

21、us(P+) P型重摻雜 PR Photo resisit 光阻 PR photo resist 光阻pure water n 純水。半導體生產(chǎn)中所用之水。PVD 物理氣相淀積 PW p-doped well P阱 quad rupole lens 磁聚焦透鏡 quartz carrier n 石英舟。 Queue time 等待時間 QTIME-DUMMY：從此步驟到下一個步驟一共停留的時間范圍（超出范圍會出問題）顯影前烘焙 (PEB)：降低或消除駐波效應(yīng) R/C runcard 運作卡SOG是一種相當簡易的平坦化技術(shù)。因為介電層材料是以溶劑的形態(tài)覆蓋在硅片表面，因此SOG對高低起伏外觀的“

22、溝填能力”非常好，可以避免純粹以CVD法制作介質(zhì)層時所面臨的孔洞問題 Spacer ：SPACER工藝是通過LPTEPS ETCH BACK ，在PLOY側(cè)壁形成兩個側(cè)壁突出的工藝，用于源漏區(qū)注入的自對準和減少由于源漏橫向擴散形成的溝道效應(yīng)。LPTEOS主要用于SPACER及電容氧化層。 TEOS = Si（O C2H5）4名稱：正硅酸乙脂，又稱四乙氧基硅烷TM top mental 頂層金屬層 Undershoot 下沖 Uniform Distribution 均勻分布 Variant 派生 VDMOS( Vertical conduction Double scattering Meta

23、l Oxide Semiconductor)垂直導電雙擴散型晶體管VGA Video Graphic Anay 視頻圖形陳列 VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架聯(lián)盟 Victim 被干擾對象 Video On Demand 視頻點播 Virtual System Prototype 虛擬系統(tǒng)原型 WEE 周邊曝光 Wizard 智能建庫工具,向?qū)?Yield 良率Trichloromethane (TCA)(CLCCH) 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。 AAS atomic absorptions spectro

24、scopy 原子吸附光譜 Acceptance testing (WAT wafer acceptance testing) ACCESS：一個EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng) Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對信號放大） Alloy 融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值 AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標準，在一定采樣下，可以%置信度通過質(zhì)量標準（不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率） ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）

25、 Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外延層） CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD 為多晶條寬。 Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。 Chemical vapor deposition（CVD）：化學汽相淀積。一種通過化學反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。 Chemical-mechanical polish（CMP）：化學機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。 CIM：computer-integrated manuf

26、acturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。 Circuit design ：電路設(shè)計。一種將各種元器件連接起來實現(xiàn)一定功能的技術(shù)。 Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。 CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。 Compensation doping：補償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。 Conductivity type：傳導類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多

27、數(shù)載流子是空穴。 Contact：孔。在工藝中通常指孔，即連接鋁和硅的孔。 Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。 Si（O C2H5）4 SiO2 +4C2H4 +2H2O它的設(shè)備結(jié)構(gòu)和LPSi3N4基本類似。Under Etch 蝕刻不足 USG undoped 硅玻璃 vacuum 真空。 vaporizer 蒸發(fā)器 W (Tungsten) 鎢 watt(W) 瓦。能量單位。 WEE 周邊曝光 well 阱。 wet chemical etch 濕法化學腐蝕。

28、wrench 扳手 專業(yè)術(shù)語 A/D 軍 AnalogDigital, 模擬/數(shù)字 AC Magnitude 交流幅度 AC Phase 交流相位 Accuracy 精度 Activity Model Activity Model 活動模型 Additive Process 加成工藝 Adhesion 附著力 Aggressor 干擾源 Analog Source 模擬源 AOI,Automated Optical Inspection 自動光學檢查 ASIC特殊應(yīng)用集成電路 Assembly Variant 不同的裝配版本輸出 Attributes 屬性 AXI,Automated X-ra

29、y Inspection 自動X光檢查 Backlight - 背光 PDP Plasma Display Panel 等離子顯示屏 Period 周期 Periodic Pulse Source 周期脈沖源 Phase Alrernating Line PAL制式（逐行倒相制式） Physical Design Reuse 物理設(shè)計可重復 PI,Power Integrity 電源完整性 Piece-Wise-linear Source 分段線性源 POD 裝晶舟和晶片的盒子 Preview 輸出預覽PSG 硼硅玻璃 Pulse Width 脈沖寬度 Pulsed Voltage 脈沖電壓

30、Quiescent Line 靜態(tài)線 Radial Array Placement 極坐標方式的元件布局 Reflection 反射 Refractive折射 Reticle 光罩 Reuse 實現(xiàn)設(shè)計重用 Rise Time 上升時間 Rnging 振蕩,信號的振鈴 Rounding 環(huán)繞振蕩 Rules Driven 規(guī)則驅(qū)動設(shè)計 Runcard 運作卡 Sax Basic Engine 設(shè)計系統(tǒng)中嵌入 Scratch 刮傷 SDE,Serenade Design Environment SDT,Schematic Design Tools 電路原理設(shè)計工具 SDG：源漏柵，如SDG曝光，

31、就是經(jīng)過一次性曝光得到源漏柵Setting 設(shè)置 Settling Time 建立時間 Shape Base 以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線 Shove 元器件的推擠布局 SI,Signal Integrity 信號完整性 Simulation 軟件仿真 Sketch 草圖法布線 Skew 偏移 Slew Rate 斜率 Solvent 溶劑 SPC,Statictical Process Control 統(tǒng)計過程控制 Spin 旋轉(zhuǎn) Split/Mixed Layer 多電源/地線的自動分隔 Sputter 濺射 SSO 同步交換 Strip 濕式刻蝕法的一種 Symphony 系統(tǒng)仿真 TCP

32、Tape Carrier Package 柔性線路板 TFT Thin Film Transistor 薄膜晶體管 Time domain 時域Timestep Setting 步進時間設(shè)置Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。 Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復的變形也可以叫做損傷。 Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。） Depletion layer：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠低于施主和受主的

33、固定電荷密度的區(qū)域。 Depletion width：耗盡寬度。中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。 Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學反應(yīng)的薄膜的一種方法。 design of experiments (DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的，所設(shè)計的初始工程批試驗計劃。 develop：顯影（通過化學處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程） diborane (BH)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃氣體，常用來作為半導體生產(chǎn)中的硼源 dichloromethane (CHCL)：二氯甲，一種無色，不可燃

34、，不可爆的液體。 dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氣氛中。 die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。 dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。 diffused layer：擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。 disilane (SiH)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃

35、燒時能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。 drive-in：推阱，指運用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴散。 dry etch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學腐蝕的工藝過程。 effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。 EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。 epitaxial layer：外延層。半導體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導 體材料，這

36、一單晶半導體層即為外延層。 equipment downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預定功能的時間。 ESD electrostatic discharge/electrostatic damage 靜電離子損傷 etch：腐蝕，運用物理或化學方法有選擇的去除不需的區(qū)域。 exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。 feature size：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。 field-effect transistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。 grazing incidence

37、 interferometer：切線入射干涉儀 heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法 high-current implanter：束電流大于ma的注入方式，用于批量生產(chǎn) hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉%的大于um的顆粒 HMDS Hexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱HMDS oxidation n ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學反應(yīng) PE process engineer; plasma enhance

38、 、工藝工程師 、等離子體增強 pilot n ：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子 plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體 plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等離子體化學氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝 plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝 pocked bead n：麻點，在X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠 polarization n：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語 polycide n：多晶硅 /金

39、屬硅化物， 解決高阻的復合柵結(jié)構(gòu) polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（E）的硅，能導電。 prober n 探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。 process control n 過程控制。半導體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 proximity X-ray n 近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。 quantum device n 量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。 rapid thermal processing (RTP) n

40、快速熱處理(RTP)。 recipe n 菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。 scanning electron microscope (SEM) n 電子顯微鏡(SEM)。 SEM：scanning electron microscope 掃描式電子顯微鏡 semiconductor n 半導體。電導性介于導體和絕緣體之間的元素。 sheet resistance (Rs) (or per square) n 薄層電阻。一般用以衡量半導體表面雜質(zhì)摻雜水平。 silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer外延是藍寶石襯底硅的原片 small scale

41、 integration(SSI)小規(guī)模綜合，在單一模塊上由到個圖案的布局。 source code原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計語言里或編碼器的代碼。 spectral line 光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。 spin webbing 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。 sputter etch 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。 stacking fault堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的次空間錯誤。 steam bath蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。 step response time瞬態(tài)特性

42、時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛 到達特定地帶的那個時刻之間的時間。 stress test 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。 surface profile表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。 symptom征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認識。 tack weld間斷焊，通常在角落上尋找預先有的地點進行的點焊（用于連接蓋子）。 temperature cycling溫度周期變化，測量出的重復出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。 TEOS (CHCHO)Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作LPCVD /PECVD生長SiO的

43、原料。又指用TEOS生長得到的SiO層。 testability易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。 thermal deposition熱沉積，在超過度的高溫下，硅片引入化學摻雜物的過程。 thin film超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導或絕緣的一層特殊薄膜。 toluene(CHCH) 甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。 total fixed charge density(Nth) 下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。 trench 溝道，深腐蝕區(qū)域，用于從另

44、一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。 tungsten hexafluoride(WF) 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導的薄膜。 vapor pressure 當固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。 via 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實現(xiàn)電連接。 wafer flat 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。 wafer process chamber(WPC) 對晶片進行工藝的腔體。 window 在隔離晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。 CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷陰極熒光燈 COB Chip On Board 通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上 CVT,Component Verification and Tracking 元件確認與跟蹤 DFM,Design for Manufacturing 面向制造過