EMC_測試整改實用方法

1、PAGE:1EMI常用常用對對策方式及策方式及 EMI 設(shè)計簡介設(shè)計簡介南寧市躍龍科技有限南寧市躍龍科技有限公司公司 -質(zhì)量質(zhì)量部部PAGE:2EMC簡介簡介 EMC (Electro-Magnetic Compatibility) -裝置裝置 整組設(shè)備或系統(tǒng)整組設(shè)備或系統(tǒng),在其本身的電磁環(huán)境中能圓滿完成動作在其本身的電磁環(huán)境中能圓滿完成動作,同時不同時不 會讓其它在會讓其它在此此環(huán)境中的環(huán)境中的 設(shè)備承受難以忍受的電磁干擾設(shè)備承受難以忍受的電磁干擾. EMI (Electro-Magnetic Interference) -裝置整組設(shè)備或系統(tǒng)動作時自身產(chǎn)生的噪聲裝置整組設(shè)備或系統(tǒng)動作時自身產(chǎn)

2、生的噪聲. EMS (Electro-Magnetic Susceptibility) -裝置整組設(shè)備或系統(tǒng)在電磁擾的環(huán)境中承受其它噪聲干擾的能力裝置整組設(shè)備或系統(tǒng)在電磁擾的環(huán)境中承受其它噪聲干擾的能力. PAGE:3EMC簡介簡介EMC(就是電磁兼容性就是電磁兼容性)簡單簡單講就是：講就是： -電子電氣產(chǎn)品在操作時電子電氣產(chǎn)品在操作時,本身會產(chǎn)生可能會干擾到其它產(chǎn)品操作本身會產(chǎn)生可能會干擾到其它產(chǎn)品操作 的電磁波的電磁波(EMI),同時同時其本身也其本身也會受到來自此環(huán)境中其它產(chǎn)品發(fā)出的會受到來自此環(huán)境中其它產(chǎn)品發(fā)出的 電磁干擾電磁干擾（EMS)。即是規(guī)范產(chǎn)品的電磁干擾波即是規(guī)范產(chǎn)品的電磁干

3、擾波,使其使其不會影響到其不會影響到其 它的產(chǎn)品運作它的產(chǎn)品運作,同時同時本身本身具備可以抵抗外界干擾的能力具備可以抵抗外界干擾的能力。PAGE:4EMC簡介簡介EMC的構(gòu)成的構(gòu)成PAGE:5EMC簡介簡介v造成造成EMC的三要素的三要素: A.干擾源干擾源: 自然的自然的 人為的人為的 B.干擾路徑干擾路徑:空間輻射空間輻射,傳導(dǎo)傳導(dǎo) 等等 C.受干擾設(shè)備受干擾設(shè)備:電視機電視機 收音機收音機 電話電話 飛機飛機 醫(yī)療設(shè)備醫(yī)療設(shè)備 等等 路徑路徑 干擾源干擾源被干擾設(shè)備被干擾設(shè)備PAGE:6EMC簡介簡介v為何要求電磁兼容為何要求電磁兼容: 電子電氣產(chǎn)品之普及電子電氣產(chǎn)品之普及,已成為生活中

4、不可或缺的一部分已成為生活中不可或缺的一部分,伴隨著而來的伴隨著而來的 電磁干擾的影響很廣電磁干擾的影響很廣.小至電視畫面受影響小至電視畫面受影響,大至危害飛機安全等大至危害飛機安全等,甚至甚至 影響人體健康的可能影響人體健康的可能,有鑒于此許多國家都已要求產(chǎn)品需通過電磁兼容有鑒于此許多國家都已要求產(chǎn)品需通過電磁兼容 的測試才能進入市場銷售的測試才能進入市場銷售,同時有些國家也將電磁兼容技術(shù)作為壁壘限制進同時有些國家也將電磁兼容技術(shù)作為壁壘限制進 口產(chǎn)品口產(chǎn)品，迫使他迫使他國國通過提高成本等來降低對本國產(chǎn)品的沖擊通過提高成本等來降低對本國產(chǎn)品的沖擊v通常的指令通常的指令: 有歐盟的有歐盟的EM

5、C規(guī)范規(guī)范,通常產(chǎn)品標(biāo)示通常產(chǎn)品標(biāo)示CE以表明符合以表明符合EMC等歐盟指令才能等歐盟指令才能 輸入歐洲輸入歐洲,可以通過歐盟認證的實驗室或自我宣告方式進行可以通過歐盟認證的實驗室或自我宣告方式進行。美國美國的的FCC，凡凡 銷往美國的電子通訊產(chǎn)品皆銷往美國的電子通訊產(chǎn)品皆需需符合符合FCC所制定的相應(yīng)規(guī)范所制定的相應(yīng)規(guī)范 。 PAGE:7EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑v主要介紹三項和你們的產(chǎn)品相關(guān)的測試主要介紹三項和你們的產(chǎn)品相關(guān)的測試1.空間輻射空間輻射RadiationPAGE:8EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑PAGE:9EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑PAGE:1

6、0EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑EN55022/CISPR22Frequency(MHz) classA (dBuV)classB(dBuV)3023040(50)30(40)230100047(57)37(47)()內(nèi)為3m LIMIT,()外為10m LIMIT10m/3m LIMIT相差10dB,conversion limit is20log10/3=10.457 輻射限制輻射限制(for CE)FCC Part 15BFrequency(MHz)classB3088 4088216 43.5216960 469601000 54Radiated limit(for FCC)P

7、AGE:11EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑2.傳導(dǎo)傳導(dǎo)ConductionPAGE:12EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑PAGE:13EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑PAGE:14EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑頻頻 率率classA(dBuV)classB(dBuV)(MHz) QP AVG QP AVG0.150.5 79 6656 6656 56460.55.0 73 60 56 465.030 73 60 60 501.classA為商業(yè)工業(yè)使用環(huán)境;2.classB為住家使用環(huán)境Conducted limit(for CE)PAGE:15EMI的發(fā)生和傳播路

8、徑的發(fā)生和傳播路徑3.ESD靜電靜電PAGE:16EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑3.ESD靜電靜電PAGE:17EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑v EMC對策工作的目的對策工作的目的: 將將EUT本身產(chǎn)生的干擾降低本身產(chǎn)生的干擾降低,符合標(biāo)準要求符合標(biāo)準要求,同時同時EUT本身抗干擾本身抗干擾能力能力提高提高，同樣滿足要求。，同樣滿足要求。 1.EMI的產(chǎn)生原理: 電場和磁場伴隨著電壓和電流作用而產(chǎn)生的,主要是單位時間內(nèi)電壓電流的變化率dI/dt dv/dt影響,如果dI/dt dv/dt越高相應(yīng)產(chǎn)生的電場和磁場干擾就越強. 2.EMI的輻射傳播路徑: 噪聲是以電波的特性，電場和

9、磁場的方式來傳播PAGE:18EMI的發(fā)生和傳播路徑的發(fā)生和傳播路徑PAGE:19EMI對策原理對策原理1. EMI形成原因形成原因源頭 :Clock (square wave)的上升沿或下降沿瞬間變化產(chǎn)生的干擾,還有 high frequency signal line. 路徑 : 通過空間及干擾強度大的線.感應(yīng)天線 : 干擾的天線.主要由PCB板上的Trace,連接線,外接線. PAGE:20EMI對策原理對策原理2. EMI對策思路對策思路 (1) 從根源入手,從源頭上將輻射能量降低 例如:時鐘crystal引角串入電阻,clock在線串入磁珠電阻等 (2) 破壞或改變輻射干擾的路徑 減

10、少耦合機制,通常當(dāng)trace 為干擾信號頻率的/4時干擾最強,可以改 動走線或加強濾波 (3) 輻射機制的破壞: 減少縫隙,加強濾波,改變線的位置PAGE:21EMI對策原理對策原理3. EMI對策的診斷方式對策的診斷方式 對于一臺EUT,首先我們按照標(biāo)準的測試方法進行EMI輻射干擾確認,找到測試Fail的頻率點,然后從EUT實際特點判斷,輻射天線的影響,路徑的影響及Source的影響,然后再根據(jù)各種因素產(chǎn)生的影響采取相應(yīng)的措施.以輻射為例介紹在Chamber內(nèi)的初步診斷: 一. 找到最大輻射方向 二. 移除外圍的信號線 三.EUT本身電源線輻射干擾的判斷 四. 檢查EUT金屬外殼螺絲有無擰緊

11、,接插口的接地是否良好. 五.內(nèi)部可移除接插線的判斷,除電源線外,其它可移除的線移除,不可移除 的加core判斷 PAGE:22EMI對策原理對策原理上述工作完成之后EUT Fail的頻點仍然很高需要查找其根源進行細步診斷.（利用頻譜分析儀及電場磁場探棒） 一.以磁場探棒探測電路板上各主要部分組件噪聲干擾的強度比較找到高點. 二.以電場探棒或探針探測一步中主要部分的元器件引腳連接器比較找到高點. 上述找到干擾的源頭與傳播路徑,相關(guān)天線根據(jù)實際情況進行相關(guān)的對策處理PAGE:23EMI對策原理對策原理4. EMI對策的處理方式對策的處理方式 (1) 機器外部構(gòu)造的屏蔽處理 (切斷干擾的傳播路徑使

12、干擾消耗) (2) 機器外部的電源線信號線處理 (因為有些頻率干擾特別是30-300MHZ之間的干擾是通過接插線二次傳遞 干擾,再到輻射到空間) (3) 機器內(nèi)部的電源線信號線處理 (線材剪短,線材纏繞,線材遠離干擾) (4) 元器件擺設(shè)及走線對器件的位置及內(nèi)部走線控制 (5) 機器內(nèi)部振蕩線路 (6)元器件選用 (選擇各種性能參數(shù)與干擾類似的相關(guān)的特殊的元器件)PAGE:24EMI對策原理對策原理 在在處理處理EMI問題時對策修改方法往往不只是一種問題時對策修改方法往往不只是一種，可以，可以針對產(chǎn)品的針對產(chǎn)品的實實際情況際情況,選擇量產(chǎn)時可實施選擇量產(chǎn)時可實施較好，較好，成本成本較較低的方式

13、低的方式。5. EMI常用的對策處理方法常用的對策處理方法 (1). 屏蔽:外部采用金屬外殼或PCB上主振蕩放大部分主IC SDRAM加屏蔽罩 塑料外殼內(nèi)部噴涂導(dǎo)電漆或采用電鍍外殼. (2).接地: 加粗PCB板上的地線增大PCB板與金屬外殼的接地面積干擾較大主IC背面地可用導(dǎo)電泡棉或金屬彈片直接接地將干擾直接導(dǎo)入入地改變接地點,改變干擾路徑,縮小回路面積.PAGE:25EMI對策原理對策原理5. EMI常用的對策處理方法常用的對策處理方法(續(xù)續(xù)) (3). 濾波: a.加電阻: 30-50在Clock, data line, I/O port和其它含有噪聲的電路. b.加電容: 10-100

14、P在Clock, power,data Line, I/O port及其它針對所想 抑制含有噪聲的電路. c.加電感:power, K/B,data line Clock. d.加bead: power Clock data line I/O port. e.加core:機器內(nèi)部及外部電纜在線,電源在線. f. Common Choke:USB2.0, DC Power, AC Power. g. LC或RC濾波:Clock,data line, I/O port, Power. h.型濾波:DC power的輸入端或IC的power輸入端. I. T型濾波: 噪聲較大的Clock, data

15、 line, I/O port, DC power及其他電路. 上述對策方式使用后的位置及大小需經(jīng)過多次的測試來決定較佳的值PAGE:26EMI對策原理對策原理濾波圖PAGE:27EMI對策原理對策原理6.Reconfirm工作工作在許多EMI對策上我們會面臨Golden Sample可符合爾量產(chǎn)卻無法符合的困擾,會有這種現(xiàn)象最主要的是沒有逐一確認所下的對策是否有效,找reconfirm的工作量很重要的步驟如下: 一.將所加的對策修改逐一取下看噪聲是否升高 二.再將對策逐一加下看噪聲是否降低 三.將所有對策加到另一臺相同sample上看是否符合 經(jīng)過反復(fù)確認可以確保量產(chǎn)的穩(wěn)定,同時對各對策的細

16、節(jié)加以確定PAGE:28EMI Conduction對策方法對策方法主要針對主要針對adaptor電源部分電源部分(0.15MHz30MHz)X電容電容Y電容電容Differential chokevX電容作用電容作用:抑制抑制differential mode choke ,電容值越大對低頻效果越佳電容值越大對低頻效果越佳vDifferential:電感抑制電感抑制differential mode噪聲噪聲,感值越大對低頻效果越佳感值越大對低頻效果越佳vY電容電容:抑制抑制common mode噪聲電容值越大對低頻效果越佳噪聲電容值越大對低頻效果越佳,在安規(guī)方面在安規(guī)方面 有漏電流限制有漏電

17、流限制, 不可超過不可超過472vCommon電感電感:抑制抑制common mode噪聲噪聲,感值越大低頻噪聲效果越佳感值越大低頻噪聲效果越佳 這四種組件相互搭配這四種組件相互搭配,調(diào)整系數(shù)調(diào)整系數(shù),調(diào)整位置調(diào)整位置,同時達到對噪聲良好的抑制效果同時達到對噪聲良好的抑制效果Common chokePAGE:29ESD的對策方法的對策方法1. 結(jié)構(gòu)上進行調(diào)整結(jié)構(gòu)上進行調(diào)整,減少外殼的孔縫減少外殼的孔縫,部分電鍍位置確定部分電鍍位置確定 ,遠離遠離敏感電路敏感電路.2.電路中電路中重要電源線信號線對地加電容及重要電源線信號線對地加電容及Varistor.3. PCB板上地處理板上地處理,利用阻抗

18、較低的地網(wǎng)絡(luò)將能量消耗掉利用阻抗較低的地網(wǎng)絡(luò)將能量消耗掉, 避免進入敏感電路避免進入敏感電路.4。主。主IC附近的電源，信號線處理。附近的電源，信號線處理。5。較長信號線上加。較長信號線上加CORE。 PAGE:30EMI對策原理對策原理 EMI的設(shè)計對于整個產(chǎn)品開發(fā)無論在時間上還是在成本花費上都很重要.PAGE:31EMI設(shè)計設(shè)計v 整體結(jié)構(gòu)上設(shè)計整體結(jié)構(gòu)上設(shè)計 (1) 機器外殼屏蔽處理 a. Metal:開孔方式以不規(guī)則及小圓孔的原則,避免長縫隙，接縫處要充分密合滴水不漏,密不透風(fēng),絕緣漆不要噴到機殼內(nèi)表面，螺絲接觸處。 b. Plastic:噴導(dǎo)電漆在內(nèi)殼，接縫處上下蓋接觸面積加大，接觸

19、良好。 (2) 機器內(nèi)部電源線和信號線處理 a. short b.core(for below300MHZ noise) c.shielding(for above 300MHZ noise) (3)機器外部電源線和信號線處理 a. short b.core(for below300MHZ noise) c.shielding(for above 300MHZ noise)PAGE:32PCB板上設(shè)計板上設(shè)計 (1) PCB板上組件的擺設(shè)布置 I/O口應(yīng)遠離 主IC, SDRAM及較高頻率的晶振，相互作用的組件盡量放一起, 維持最短路徑擺放;晶振電路盡量靠近其主IC;PCB板各端口的插接線避免

20、交叉跨越電路主板,避免 交互干擾，相互耦合。 (2)Ground處理,Analog與Digital安排分開 CPU處地與其它地切割開串入濾波，使高噪聲區(qū)隔離,（如地面積很大不用切割）I/O端口地適當(dāng)切割，為低頻噪聲提供Bypass干擾地，I/O connector地與金屬機殼密合,Main board利用螺絲孔使內(nèi)層Ground和金屬機殼連接.地層盡量布大,消除懸空地,增多接地過孔。 EMI設(shè)計設(shè)計PAGE:33EMI設(shè)計設(shè)計(3)濾波設(shè)計 Source處理:Bypass capacitor(20P-100P) Bead(500) Resistor(22-47) I/O Port處理:Bypa

21、ss(20P-100P) Bead(阻抗500)Resistor(2247) VCC/Ground處理:Bypass capacitor(可根據(jù)干擾情況加大?。?and Bead（注意DC阻抗不能太大）(4)布線先后順序控制原則 從EMI角度來講，先布重要的信號線如高電流變化率di/dt的信號線,大功率方波振蕩器,時鐘等高頻線,再布其它低頻線,電源線,地線。目的減少它們的長度. PAGE:34EMI設(shè)計設(shè)計(5)環(huán)路最小原則 信號線,電源線和他們回路組成面積越小越好可以布地線跟隨信號線,電 源線一起并盡量靠近.PAGE:35EMI設(shè)計設(shè)計 (6)走線控制 兩層板上下信號線避免平行,選擇正交,減

22、少差模共模干擾信號線盡量短,多 余線頭去掉走線單線避免環(huán)路線長不要接近信號線內(nèi)信號頻率半波長的整數(shù)倍線轉(zhuǎn)彎45度角,跡線寬度不要突變,避免阻抗不匹配引起反射。同時導(dǎo)線不要然拐彎. (7) IC電源處理 IC電源就近加電容對地,路徑不同處增多對地電容容值大小0.1uF100PF,重 要干擾電源與其它電源加Bead隔離;避免形成過多的環(huán)形通路。 (8)電路板上預(yù)留位 在主板重要干擾線預(yù)留電阻電容位I/O口,電源,地,預(yù)留電阻,電感,電容位 可先用0歐姆電阻，或空位.PAGE:36EMI設(shè)計設(shè)計PAGE:37EMI設(shè)計設(shè)計PAGE:38EMI設(shè)計設(shè)計PAGE:39EMI設(shè)計設(shè)計(9) 信號排插線及通常信號線設(shè)計。（主要為PCB到LCD的排線）PAGE:40EMI設(shè)計設(shè)計(10)地線網(wǎng)絡(luò)設(shè)計 地線