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文檔簡介
1、1.1 80C51單片機的引腳功能80C51系列中,用CHMOS工藝制造的單片機都采用雙列直插式(DIP)40腳封裝,引腳信號完全相同。圖2-9為引腳圖,這40根引腳大致可分為:電源(VCC、VSS、VPP、VPD)、時鐘(XTAL1、XTAL2)、I/O口(P0P3)、地址總線(P0口、P2口)和控制總線(ALE、RST、 、 、 )等幾部分。它們的功能簡述如下:1電源 Vcc(引腳號40),芯片電源,接+5V;Vss(引腳號20),電源接地端。2時鐘 XTAL1(引腳號18)內(nèi)部振蕩電路反相放大器的輸入端,是外接晶振的一個引腳。當(dāng)采用外部振蕩器時,此引腳接地。XTAL2(引腳號19)內(nèi)部振
2、蕩器的反相放大器輸出端,是外接晶振的另一端。當(dāng)采用外部振蕩器時,此引腳接外部振蕩源。3控制總線(1)ALE/ (引腳號30): 正常操作時為ALE功能(允許地址鎖存),用來把地址的低字節(jié)鎖存到外部鎖存器。ALE引腳以不變的頻率(振蕩器頻率的1/6)周期性地發(fā)出正脈沖信號。因此,它可用作對外輸出的時鐘信號或用于定時。但要注意,每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,將跳過一個ALE脈沖。ALE端可以驅(qū)動(吸收或輸出電流)8個LSTTL電路。在8751單片機EPROM編程期間,此引腳接編程脈沖( 功能)。(2) (引腳號29):外部程序存儲器讀選通信號。在從外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))期間, 在每個機器周期內(nèi)
3、兩次有效。 可以驅(qū)動8個LSTTL電路。(3)RST/VPD(引腳號9):復(fù)位信號輸入端。振蕩器工作時,該引腳上持續(xù)2個機器周期的高電平可實現(xiàn)復(fù)位操作。此引腳還可接上備用電源。在Vcc掉電期間,由 向內(nèi)部RAM提供電源,以保持內(nèi)部RAM中的數(shù)據(jù)。 (4) /Vpp(引腳號31): 為內(nèi)部程序存儲器和外部程序存儲器的選擇端。當(dāng) 為高電平時,訪問內(nèi)部程序存儲器(PC值小于4K);當(dāng) 為低電平時,訪問外部程序存儲器。對于87C51單片機,在EPROM編程期間,此端為21V編程電源輸入端。4I/O線
4、60; (1)P0口(引腳號3239):單片機的雙向數(shù)據(jù)總線和低8位地址總線。在訪問外部存儲器時實現(xiàn)分時操作,先用作地址總線,在ALE信號的下降沿,地址被鎖存;然后用作為數(shù)據(jù)總線。它也可以用作雙向輸入/輸出口。P0口能驅(qū)動8個LSTTL負(fù)載。 (2)P1口(引腳號18):準(zhǔn)雙向輸入/輸出口,它能驅(qū)動4個LSTTL負(fù)載。 (3)P2口(引腳號2128):準(zhǔn)雙向輸入/輸出口。在訪問外部存儲器時,用作高8位地址總線。P2口
5、能驅(qū)動4個LSTTL負(fù)載。 (4)P3口(引腳號1017):準(zhǔn)雙向輸入/輸出口,它能驅(qū)動4個LSTTL負(fù)載。P3口的每一引腳還有另外一種功能: P3.0RXD:串行口輸入端 P3.1TXD:串行口輸出端 P3.2 :外部中斷0中斷請求輸入端
6、 P3.3 :外部中斷1中斷請求輸入端 P3.4T0:定時器/計數(shù)器0外部輸入端 P3.5T1:定時器/計數(shù)器1外部輸入端 P3.6 :外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通信號 P3.7 :外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通信號5時鐘電路 80C51單片機內(nèi)有一個高增
7、益反相放大器,其頻率范圍為1.2MHz12MHz,XTAL1和XTAL2分別為放大器的輸入端和輸出端。時鐘可以由內(nèi)部方式或外部方式產(chǎn)生。 80C51內(nèi)部方式時鐘電路如圖2-10(a)所示。在XTAL1和XTAL2引腳上外接定時元件,就能構(gòu)成自激振蕩電路。定時元件通常采用石英晶體和電容組成的并聯(lián)諧振電路。電容器C1和C2主要起頻率微調(diào)作用,電容值可選取為30pF左右(外接晶體時)或40pF左右(外接陶瓷諧振器時)。 80C51外部方式時鐘電路如圖2-10
8、(b)所示。XTAL1接外部振蕩器,XTAL2懸空。對外部振蕩信號無特殊要求,只要保證脈沖寬度,一般采用頻率低于12MHz的方波1.2 80C51 復(fù)位及復(fù)位電路1.2.1 復(fù)位結(jié)構(gòu)圖 2-11 80C51復(fù)位結(jié)構(gòu)80C51復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖2-11所示,此處的復(fù)位引腳只是單純地稱為RST而不是RST/VPD,因為CHMOS型單片機的備用電源也是由VCC引腳提供的。無論是HMOS型還是CHMOS型的單片機,在振蕩器正在運行的情況下,復(fù)位是靠在RST/VPD引腳加持續(xù)2個機器周期(即24個振蕩周期)的高電平來實現(xiàn)的。在RST引腳出現(xiàn)高電平后的第二個周期執(zhí)行內(nèi)部復(fù)位,以后每個周期重復(fù)一次,直至RST端變
9、低電平。1.2.2 復(fù)位電路及復(fù)位操作單片機的復(fù)位有上電復(fù)位和按鈕手動復(fù)位兩種。如圖2-12(a)所示為上電復(fù)位電路,圖(b)所示為上電按鍵復(fù)位電路。圖2-12 80C51復(fù)位電路上電復(fù)位是利用電容充電來實現(xiàn)的,即上電瞬間RST端的電位與VCC相同,隨著充電電流的減少,RST的電位逐漸下降。圖2-12 (a)中的R是施密特觸發(fā)器輸入端的一個10K下拉電阻,時間常數(shù)為10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升時間不超過1ms,振蕩器建立時間不超過10ms,這個時間常數(shù)足以保證完成復(fù)位操作。上電復(fù)位所需的最短時間是振蕩周期建立時間加上2個機器周期時間,
10、在這個時間內(nèi)RST的電平應(yīng)維持高于施密特觸發(fā)器的下閾值。上電按鍵復(fù)位2-12(b)所示。當(dāng)按下復(fù)位按鍵時,RST端產(chǎn)生高電平,使單片機復(fù)位。復(fù)位后,其片內(nèi)各寄存器狀態(tài)見表2-3,片內(nèi)RAM內(nèi)容不變。 表 2-3 復(fù)位后內(nèi)部寄存器狀態(tài)寄存器 內(nèi)容 寄存器 內(nèi)容 PC 0000H TCON 00H ACC OOH TL0 00H PSW 00H TH0 00H SP 07H TL1 00H DPTR 0000H TH1 00H P0P3 0FFH SCON 00H IP ×
11、5;000000B SBUF 不定 IE 0×000000B PCON 0×××0000B TMOD 00H 由于單片機內(nèi)部的各個功能部件均受特殊功能寄存器控制,程序運行直接受程序計數(shù)器PC指揮。表2-3中各寄存器復(fù)位時的狀態(tài)決定了單片機內(nèi)有關(guān)功能部件的初始狀態(tài)。另外,在復(fù)位有效期間(即高電平),80C51單片機的ALE引腳和 引腳均為高電平,且內(nèi)部RAM不受復(fù)位的影響。1.3 80C51單片機時序1.3.1 時鐘周期、機器周期與指令周期1指令周期 CPU執(zhí)行一條指令所用的時間稱為指令周期。一個指令周期由14個機器周期組成。2
12、機器周期 CPU執(zhí)行一個基本操作所用時間稱為機器周期,一個機器周期由6狀態(tài)S1S6組成,每個狀態(tài)由2時鐘脈沖組成,前一個脈沖叫相位P1,后一個脈沖叫相位P2。因此一個機器周期由12個時鐘脈沖S1P1、S1P2、S6P1、S6P2組成,如圖2-13所示。3時鐘脈沖周期 時鐘脈沖周期T為計算機系統(tǒng)主頻f的倒數(shù),即:T =1/f。若系統(tǒng)主頻為12MHZ,則T=1/12s。在80C51指令系統(tǒng)中,指令長度為13個字節(jié)。在單字節(jié)和雙字節(jié)的指令中,除了乘法和除法指令為4周期以外,都是單周期或雙周期的。三字節(jié)指令都是雙周期的。若系統(tǒng)主頻為12M,則單周期指令執(zhí)行時間為12T=12×121 =1s。
13、雙周期指令執(zhí)行時間為24T=24×121 =2s。4按字節(jié)與周期的指令分類 指令按字節(jié)與周期可分為4類:單字節(jié)單周期、雙字節(jié)單周期、單字節(jié)雙周期、訪問外存儲器指令,現(xiàn)用4條指令來說明4類指令的機器碼字節(jié)數(shù)、機器周期數(shù)及時鐘周期數(shù)。其中,INC指令是將累加器A或DPTR內(nèi)容加1,而MOVX A,DPTR指令是將以DPTR為地址的存儲單元內(nèi)容送累加器A。上述指令將在第三章中介紹,讀者只要知道指 令的機器碼字節(jié)數(shù)及機器周期數(shù)即可。 1.3.2 80C51單片機指令的取指、執(zhí)行時序現(xiàn)按4類指令介紹CPU時序。因為CPU工作的過程就是取指令與執(zhí)行指令的過程,所以CPU必須先取出指令,然后才能執(zhí)
14、行指令。1雙字節(jié)單周期指令 由于雙字節(jié)單周期指令必須在一個周期內(nèi)取機器碼二次,所以必須在一個機器周期內(nèi)安排二次讀操作碼的操作,分別發(fā)生在S1P2與S4P2。在S1P2讀入機器碼74并送入指令寄存器IR,在S4P2讀入數(shù)據(jù)03送入累加器A,即讀2取2。在指令的執(zhí)行過程中,P0口要分時傳送地址與數(shù)據(jù),因此當(dāng)操作碼的地址從P0口輸出后,必須發(fā)地址鎖存信號ALE給74LS373鎖存器,將地址鎖存在74LS373內(nèi),騰出P0口讀入機器碼74。在取數(shù)據(jù)03時同樣要發(fā)ALE信號。因此,在一個機器周期內(nèi)地址鎖存信號二次有效,見80C51時序圖2-13。2單字節(jié)單周期指令 對單字節(jié)單周期指令,由于操作碼只有一個
15、字節(jié),因此第一次讀操作碼有效,而第二次讀的操作碼將被丟棄,即:讀1丟1,且程序計數(shù)器PC不加1。3單字節(jié)雙周期指令 對單字節(jié)雙周期指令,由于操作碼只有一個字節(jié),而執(zhí)行時間長達(dá)2個機器周期,因此除第1次讀操作碼有效外,其余三次讀的操作碼均被放棄,即:讀1丟3。4訪問外部存儲器指令MOVX 執(zhí)行訪問外部存儲器指令MOVX時,首先從程序存儲器中取出指令,然后從外部數(shù)據(jù)存儲器中取出數(shù)據(jù),因此該指令執(zhí)行時序圖與前三類指令不同。由于MOVX是單字節(jié)雙周期指令,所以在取指令階段(即第一個機器周期的S1P1到S4P2)是讀1丟1,而在執(zhí)行指令讀數(shù)據(jù)階段(即第一個機器周期的S5到第二個機器周期的S3)所完成的操作如下:(1)先將外部數(shù)據(jù)存儲單元的地址ADDR由DPTR從P0與P2口輸出,即時序圖中的S5P1到S6P2階段。并
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