第三章 無(wú)源器件_第1頁(yè)
第三章 無(wú)源器件_第2頁(yè)
第三章 無(wú)源器件_第3頁(yè)
第三章 無(wú)源器件_第4頁(yè)
第三章 無(wú)源器件_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè)，還剩35頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

第三章 集成電路中的無(wú)源元件一、集成電路電阻：1、電阻結(jié)構(gòu)o基區(qū)擴(kuò)散電阻o發(fā)射區(qū)擴(kuò)散電阻o基區(qū)溝道電阻o外延層電阻o外延層溝道電阻o離子注入電阻o多晶硅電阻oN阱電阻oMOS電阻集成電路中電阻1ALSiO2R+PP+P-SUBN+R-VCCN+-BLN-epiP+基區(qū)擴(kuò)散電阻集成電路中電阻2SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散電阻集成電路中電阻3基區(qū)溝道電阻集成電路中電阻4外延層溝道電阻SiO2RP+P-SUBRN-epiP+PN+集成電路中電阻5MOS中多晶硅電阻SiO2Si多晶硅氧化層集成電路中電阻62、電阻修正電阻端頭修正拐角的修正橫向擴(kuò)散修正薄層電阻值修正3、電阻版圖尺寸的確定提高電阻的比值精度用標(biāo)準(zhǔn)電阻組合實(shí)現(xiàn)不同阻值電阻的寄生效應(yīng)二、集成電路中的電容1、電容結(jié)構(gòu)pn結(jié)電容MOS電容MOS感應(yīng)溝道電容金屬電容多晶硅電容集成電路中電容1SiO2A-P+P-SUBB+N+-BLN+EP+NP+-IA-B+Cjs發(fā)射區(qū)擴(kuò)散層隔離層隱埋層擴(kuò)散層PN電容集成電路中電容MOS電容AlSiO2ALP+P-SUBN-epiP+N+N+2、電容器的寄生效應(yīng)三、集成電路中的連線1、連線

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論