第五節(jié)計算機硬件內(nèi)存

1、個人收集整理勿做商業(yè)用途第五節(jié)、計算機內(nèi)部硬件內(nèi)存內(nèi)存條的簡介計算機的存儲器由兩大部份組成內(nèi)存和外存，外存主要有硬盤、光盤等。計算機硬盤（或者是軟盤和CD- ROM就像是個文 件柜，桌面就相當于電腦的內(nèi)存,桌面越大，可以擺放的文件 數(shù)量就越多，使用者就不必經(jīng)常打開文件柜抽取或存放文件， 這樣它的工作效率也就會提高。同理內(nèi)存越大，計算機的速度 也越快.內(nèi)存的主要作用是用來臨時存放數(shù)據(jù)，再與 CPI協(xié)調(diào)工作，從 而提高整機性能。內(nèi)存作為個人計算機硬件的必要組成部分之 一，其地位越來越重要，內(nèi)存的容量與性能已成為衡量計算機 整體性能的一個決定性因素。在內(nèi)存中最小的物理單元是位，從本質上來講，位是一個

2、位于 某種二值狀態(tài)（通常是0和1）下的電氣單元.八位組成一個字 節(jié)，這樣組合的可能有256種（2的8次方）.字節(jié)是內(nèi)存可訪 問的最基本單元,每個這樣的組合可代表單獨的一個數(shù)據(jù)字符 或指令。內(nèi)存條的分類內(nèi)存（Memory也稱內(nèi)部存儲器或主存，按照內(nèi)存的工作原理 主要分為兩類。早期的主板使用的內(nèi)存類型主要有 FPM EDO SDRAM RDRAM, 目前主板常見的有DDR DDR2內(nèi)存。當前，內(nèi)存條的封裝方式有184線、200線、240線等多種.168線、184線已淘汰圖：SD-168線內(nèi)存條PC 150個人收集整理勿做商業(yè)用途DDR2-240 線內(nèi)存條（一 ）、RAM （Random Acces

3、s Memory ）隨機存取存儲器,用來暫時存放程序和數(shù)據(jù)，其特點是存儲的 數(shù)據(jù)在掉電后會丟失。系統(tǒng)運行時，首先將指令和數(shù)據(jù)從外部 存儲器（外存）中調(diào)入內(nèi)存，CPU再從內(nèi)存中讀取指令和數(shù)據(jù) 進行運算,并將運算結果存入內(nèi)存中。它又分為兩種。1、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM Dynamic RAMDRAMfc要應用在計算機中的主存儲器中，如內(nèi)存條由此構成 特點：集成度高，結構簡單，功耗低,生產(chǎn)成本低.2、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM Static RAM）SRAMt要應用在計算機中的高速小容量存儲器， 如CACH則是 由此構成特點：結構相對復雜，造價高，速度快.（二）、ROM（Read Only

4、Memory）只讀存儲器，特點：只能從中讀取信息而不能任意寫入信息。一般用于保存不可更改的數(shù)據(jù)，如 BIOS.可分為以下三種：.EPROM可擦可編程只讀存儲器，芯片上有一個透明窗口。EEPRQM電可擦可編程只讀存儲器。閃速存儲器Flash Memory :可以將BIOS存儲在其中,當需 要時可以利用軟件來自動升級和修改 BIOS,較為方便。三、內(nèi)存接口標準內(nèi)存條的接口類型有 SIMM DIMM和 RIMM等 3種.SIMM（ Si ngle Inline Memory Module ，單列直插內(nèi)存模塊）-2 -個人收集整理 勿做商業(yè)用途 就是一種兩側金手指都提供相同信號的內(nèi)存結構， 它多用于

5、早期的FPM和EDD DRAMDIMM（Dual Inline Memory Module, 雙列直插內(nèi)存模塊） 與SIM M相當類似，不同的只是 DIM M的金手指兩端不像SIMM 那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多 數(shù)據(jù)信號的傳送需要 .SDRAIDIMM為 168Pin DIMM結構；DDR2DIMM為 240pin DIMM 結構。RIMM（ Rambus Inline Memory Module ）是 Rambus公司生產(chǎn) 的RDRAI內(nèi)存所采用的接口類型四、內(nèi)存技術指標1 、存儲速度 內(nèi)存的存儲速度用存取一次數(shù)據(jù)的時間來表示，單位為納秒， 記為ns, 1秒=10億

6、納秒,即1納秒=10" 9秒。ns和MHz之間的換算關系如下：1ns=1000MHz6ns=166MHz7ns=143MHz10ns=100MHz2、存儲容量目前常見的內(nèi)存存儲容量單條為 128MB 256MB 512MB當然 也有單條1GB的，內(nèi)存，不過其價格較高，普通用戶少有使用.3 、 CLCL是CASLstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內(nèi)存縱向地 址脈沖的反應時間， 是在一定頻率下衡量不同規(guī)范內(nèi)存的重要 標志之一.對于PC1600和 PC2100的內(nèi)存來說，其規(guī)定的CL應 該為 2，即他讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期。4、SPD芯片SPD是一個8針256字節(jié)的EER

7、ROM可電擦寫可編程只讀存儲 器）芯片。位置一般處在內(nèi)存條正面的右側，里面記錄了諸如 內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。當 - 3 -個人收集整理 勿做商業(yè)用途開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息.6、內(nèi)存帶寬 即內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率。 內(nèi)存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表于存儲器時鐘頻率、D表示存儲器數(shù)據(jù)總線位 數(shù), 則帶寬 B=FD/8如常見 100MHZ的 SDRAM內(nèi)存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒常見 133MHZ的 SDRAM內(nèi)存的帶寬=133MH才 64bit/8=1064MB/ 秒7、內(nèi)存電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值,SD

8、RA M內(nèi)存一般工作電壓都在3。3伏左右,上下浮動額度不超過 0.3伏；DDR SDRA內(nèi)存一 般工作電壓都在 2。 5 伏左右，上下浮動額度不超過 0。 2 伏; 而DDR2 SDRA內(nèi)I存的工作電壓一般在 1.8V左右.五、內(nèi)存選配指南1. 不要貪高求貴 , 量力而行 。如果不考慮以后主板或 CPU等系統(tǒng)的升級，最好是量體裁衣， 不要一昧求高頻率、高容量 .就目前水平，一般選擇容量 512M即可,如果要作圖形圖像處理 或運行大型3D游戲，可選擇更大一些的容量。2。注意速度同F(xiàn)SB的搭配目前 CPU常見的 FSB為 533MHHZ 800MHZ 1000MHZ 1066MHZ 可參考下表 .

9、FSB 內(nèi)存533MHZ DDR266如主板支持雙通道,則選兩條正好匹配。800MHZ DDR400如主板支持雙通道，則選兩條正好匹配。如板支持DDRII,可選DDRII400、DDRII533或更高總之，在同F(xiàn)SB的搭配上,內(nèi)存的總傳輸率同F(xiàn)SB要大致相當（同 頻內(nèi)存?zhèn)鬏斅孰p通道為單通道的兩倍） 。個人收集整理勿做商業(yè)用途3）注意同主板搭配在同主板的搭配上,要注意，當前不是所有主板都支持 DDRII,例 如Intel平臺主板，915以前的芯片組系列是不支持 DRRII的；而 AMD平臺主板比較好判定：754和939接口的主板都不支持 DDRII, 今年（06）開始流行AM2接 口的主板都支持

10、.六。內(nèi)存芯片編號以下分別列出了幾種常見內(nèi)存顆粒的編號，希望對您選購內(nèi)存有所幫助。1、HYUNDAI （現(xiàn)代）nmiiiHiimniHiiiHiiuiiihqnix 40U HT8DU66852CT-5I I * 4 * » » 1 t * 1 i Illii intnlHt tflHtHiul inhttlH“ HY"是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。“5D"是內(nèi)存芯片類型為 DDR , 57則為SD類型.“U"代表處理工藝及電壓為 2。5V。（V:VDD=3。3V & VDDQ=2。5V ; U:VDD=2。5V &

11、amp; VDDQ=2.5V ; W:VDD=2.5V &VDDQ=1。8V; S: VDD=1。8V & VDDQ=1。8V）“56"代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新.（64:64M 4K 刷新；66 : 64M 2K刷新；28 : 128M 4K刷新;56 : 256M8K 刷新;57 : 256M 4K 刷新；12 : 512M 8K 刷新；1G:1G 8K 刷新）“8”是內(nèi)存條芯片結構，代表改內(nèi)存由8顆芯片構成。（4=4顆芯片；8=8顆芯片；16=16顆芯片；32=32顆芯片）“2”指內(nèi)存的 bank （儲蓄位）。（仁2 bank ； 2=4 b

12、ank;3=8 bank）“2 ”代表接口類型為 SSTL_2。（仁SSTL_3;2=SSTL_2 ； 3=SSTL_18）“B”是內(nèi)核代號為第3代。（空白=第1代;A=第2代；B=第3代;C=第4代）能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內(nèi)存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。封裝類型用“ T"表示，即 TSOP 封裝。（T=TSOP ； Q=LOFP ； F=FBGA ； FC=FBGA）封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix;K=M & T； J=其它；M=MCP （ Hynix ）； MU=MCP（UTC），上述內(nèi)存為空白，代表是普通 封裝堆棧.個人收集整理 勿做商

13、業(yè)用途封裝原料，空白=普通；P=鉛；H =鹵素；R=鉛+鹵素。該內(nèi)存為普通封裝材料?！癉43 ” 表示內(nèi)存的速度為 DDR400。( D43=DDR400 , 3-3 3; D4=DDR400 , 3-4-4 ; J=DDR333 ; M=DDR333 , 2 2-2 ; K=DDR266A ； H=DDR266B ； L=DDR200)工作溫度，一般被省略。匸工業(yè)常溫(4085度);E=擴展溫度(-2585度)因此，通過編號“ HY5DU56822BT D43 ”的內(nèi)存顆粒我們可以了解到 ，這是一款DDR SDRAM 內(nèi)存，容量為256MB , 采用 TSOP 封裝 ,速度為 DDR400

14、。現(xiàn)代的SDRAMS片上的標識為以下格式： 個人收集整理,勿做商業(yè)用途本文為互聯(lián)網(wǎng)收集,請勿用作商業(yè)用途HY 5X X XXX XX X X X X XX - XXHY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。5X表示芯片類型，57為一般的SDRAM 5D為DDR SDRAM第2個X代表工作電壓，空白為5V, "V"為3.3V， ” U為2。5V.第3-5個X代表容量和刷新速度，分別如下：第6、7個X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、 16 位和 32 位。第8個X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個 Bank組成，1、2、3分別代表2個、4個和8 個Bank.是2的冪次關系。第

15、 9 個 X 一般為 0，代表 LVTTL(Low Voltage TTL) 接口。第10個X可以為空白或A B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新。第11個X如為"L"則代表低功耗的芯片，如為空白則為普通芯片.第12、13個X代表封裝形式，分別如下：最后幾位為速度：注：例如常見的HY57V658010CTC-1QsHY是現(xiàn)代的芯片,57說明是SDRAM,6是 64Mhbit 和 4K refresh cycles/64ms,下來的 8 是 8 位輸出，10 是 2 個 Bank，C 是第4個版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP- H封裝，10S代表CL=3的PC100。

16、2、LGS(LG Semicon Co。 ,Ltd. )LGS的SDRAMS片上的標識為以下格式：GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表為LGS的產(chǎn)品。72 代表 SDRAM.第1、2個X代表容量，類似現(xiàn)代，16為16Mbits ，66為64Mbits。第 3、 4 個 X 表示數(shù)據(jù)位寬 , 一般為 4、 8、 16 等，不補 0。第5個X代表Bank，2對應2個Bank, 4對應4個Bank,和現(xiàn)代的不一樣，屬 于直接對應 .第6個X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到” E"了。第7個X如果是字母” L",就是低功耗，空白則為普通?！?T”為常見的

17、TSOPI封裝，現(xiàn)在還有一種BLP封裝出現(xiàn)，為"I ”.最后的XX自然是代表速度：個人收集整理 勿做商業(yè)用途注：例如 GM72V661641CT7這是 64Mbit , 16 位輸出，4 個 Bank,剛達到 PC100 的要求（CL=3）SDRAM3、SAMSUNG星）三星的SDRAMS片的標識為以下格式：KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的產(chǎn)品。三星的SDRAM產(chǎn)品KM后均為4,后面的"S”代表普通的SDRAM如為” H"，則 為 DDR SDRAM"S"前兩個XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、& 16、32分別代

18、表4位、8位、16位和32位。三星的容量需要自己計算一下。方法是用"S”后的X乘S前的數(shù)字，得到的結 果即為容量?！?0"后的第一個X代表由幾個Bank構成。2為2個Bank,3為難個Bank。"0"后的第 2 個 X,代表 in terface ，1 為 SSTL 0 為 LVTTL” 0"后的第3個X與版本有關，如B、C等，但每個字母下又有各個版本，在表 面上并不能看得出來 ."T”為TSOP封裝。速度前的” G"和” F"的區(qū)別在自刷新時的電流，” F”需要的電流較” G"小 ,相 當于一般的低功耗

19、版。"G/F”后的X代表速度：注：例如 KM416S4031BT-GH是 64Mbit（ 16*4），16，4 個 Bank,在 100MHZ時 CL=2。4、Micron MTMicron的SDRAMS片上標識為以下格式：MT48 XX XX M XX AX TGXX XMT代表是Micron的產(chǎn)品。48代表是SDRAI系列。其后的XX如為LC則為普通SDRAM.46為DDR SDRAMMricron的容量需要自己計算一下。方法是將 XX M XX中的M前后的數(shù)字相乘， 得到的結果即為容量。M后的XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、& 16、32分別代表4位、8位、16位和32位.AX代

20、表 Write Recovery （ Twr）,如 A2 表示 Twr=2clk.TG為TSOPI封裝。LG為TGFP封裝。最后的XX是代表速度：其中X為AE,字母越后性能越好.按CL TRCTRP的表示方法AE分別為：3-3 3、 3-2 3、 3 2-2 、2 2 2、 22 2.速度后如有 L 則為低耗。注： 例如 MT48LC8M8A2TG-8E,64Mb（it8*8）, 8 位,且是性能相當不錯的芯片, 完全符合PC100規(guī)范。5、IBM個人收集整理 勿做商業(yè)用途IBM的SDRAMS片上的標識為以下格式：IBM03 XX XX X XT3X - XXXIBM代表為IBM的產(chǎn)品。IBM

21、的SDRA產(chǎn)品均為03。第 1、 2 個 X 代表容量。第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，為40、80、16等。一般的封裝形式為TSOP對4位數(shù)據(jù)位寬的型號，如第4個X不為0而為B,則 為TSOJ封裝。第5個X意義不詳，16Mbit上多為9，64Mbit上多為4。第6個X為P為低功耗，C為普通。第 7 個 X 表示內(nèi)核的版本。最后的XXX代表速度：在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ注：例如 IBM0316809CT310，16Mbit，8 位，不符合 PC-100規(guī)范。6、HITACHI (日立)HITACHI 的 SDRA芯片上的標識為以下格式：HM 5

22、2 XX XX 5 X X TT XXHM代表是日立的產(chǎn)品，52是SDRAM如為51則為EDO DRAM第1、2個X代表容量。第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬,40、80、16分別代表4位、8位、16位。第5個X表示是第幾個版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到 "F" 了。第6個X如果是字母"L"就是低功耗.空白則為普通。TT為TSOPI封裝.最后XX代表速度：注：例如 HM5264805A60,是 64Mbit, 8 位輸出，100MHZ寸 CL可為 2。7、NECNEC勺SDRA芯片上的標識通常為以下格式：卩 PD45 XX X X XG5- AXX X-XXX卩P

23、D4代表是NEC勺產(chǎn)品.” 5”代表是SDRAM第1、2個X代表容量.第 3(4) 個 X 表示數(shù)據(jù)位寬 ,4 、 8、 16、 32 分別代表 4 位、 8 位、 16 位、 32 位. 當數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位，即占用第4個X。由于NEC的標識的 長度固定， 這會對下面的數(shù)字造成影響。第4 (5)個X代表Bank?！?3"或” 4"代表4個Bank,在16位和32位時代表2 個 Bank; "2 ”代表 2 個 Bank。第5個X,如為"1"代表LVTTL如為16位和32位的芯片，第5個X已被占用， 則第5個X有雙重含義，如” 1”代表2個Bank和LVTTL ” 3"代表4個Bank個人收集整理 勿做商業(yè)用途和 LVTTL。G5為 TSOffl 封裝。-A后的XX是代表速度：速度后的X如果是字母” L”就是低功耗，空白則為普通。-XXX:第一人X通常為數(shù)字，如64Mbit芯片上常為準，16Mbit芯片上常為7, 規(guī)律不詳。其后的XX的"JF"、” JH、"NF”