電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器電阻轉(zhuǎn)變比率疲勞特性合金電極

1、電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器論文：Ag-Ti合金電極與LSMO功能層對(duì)Metal/Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3/Pt異質(zhì)結(jié)電致電阻轉(zhuǎn)變特性的影響【中文摘要】隨著信息科技的飛速發(fā)展,存儲(chǔ)器得到廣泛的應(yīng)用,高速度與大容量的永久記憶存儲(chǔ)器的研制與開(kāi)發(fā)是推動(dòng)數(shù)字技術(shù)快速發(fā)展的必要條件。電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、讀/寫快速、低功耗、與CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),有著廣泛的應(yīng)用前景,已成為材料學(xué),物理學(xué)和電子學(xué)研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。目前,RRAM的研究主要面臨兩個(gè)方面的難題有待解決。首先,電阻轉(zhuǎn)變的物理機(jī)制仍不明確,其次RRAM器件的穩(wěn)定性,均勻性和疲勞特性等阻變性能與實(shí)際應(yīng)用還有很大差距。本文圍繞這兩個(gè)問(wèn)

2、題,對(duì)Metal /Pr_(0.3)Ca_(0.7)MnO_3/Pt (M/PCMO/Pt)異質(zhì)結(jié)在電場(chǎng)和電脈沖誘發(fā)條件下電阻轉(zhuǎn)變特性進(jìn)行深入的研究。主要研究結(jié)果如下:1.通過(guò)磁控濺射、PLD和噴涂?jī)x方式制備Ag電極,分別對(duì)這三種方式得到的Ag/PCMO/Pt異質(zhì)結(jié)阻變特性進(jìn)行研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出采用不同方法得到的樣品展現(xiàn)出不同的阻變特性。磁控制作電極的樣品得到低的轉(zhuǎn)變電壓,高的電阻轉(zhuǎn)變率,但樣品均勻性很差,樣品成品率低。PLD制作電極的樣品難出現(xiàn)電阻轉(zhuǎn)變特性?？諝鈬娡恐谱麟姌O的樣品成品率高,均勻性較好,但是疲勞特性差,電極不牢固不適合生產(chǎn)應(yīng)用。實(shí)驗(yàn)給出單純通過(guò).【英文摘要】With the r

3、apid development of information technology, the storage devices have been applied widely. The research and exploitation of permanent memory storage with high speed and large capacity is the prerequisite to promote rapid development of digital technology, resistance random access memory (RRAM) has be

4、come the hot issue of materials science, physics and electronics due to its simple structure, high writing/erasing speed, low power consumption and its compatible with CMOS process. At present, RRAM res.【關(guān)鍵詞】電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器 電阻轉(zhuǎn)變比率 疲勞特性 合金電極【英文關(guān)鍵詞】Resistance switching random access memory (RRAM) Ratio of re

5、sistance change Fatigue properties Alloy electrode【索購(gòu)全文】聯(lián)系Q1：138113721 Q2：139938848【目錄】Ag-Ti合金電極與LSMO功能層對(duì)Metal/Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3/Pt異質(zhì)結(jié)電致電阻轉(zhuǎn)變特性的影響摘要4-6Abstract6-71 緒論10-201.1 引言10-111.2 非易失性存儲(chǔ)器的種類與特點(diǎn)11-121.3 電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（RRAM）簡(jiǎn)介12-141.4 RRAM 電阻轉(zhuǎn)變機(jī)制研究進(jìn)展14-191.4.1 導(dǎo)電細(xì)絲路徑的形成于斷裂的機(jī)制15-161.4.2 電荷注入引起金屬絕緣體轉(zhuǎn)

6、變的機(jī)制16-171.4.3 電荷注入導(dǎo)致肖特基勢(shì)壘改變機(jī)制17-181.4.4 電子捕獲誘發(fā)的電阻轉(zhuǎn)變機(jī)制181.4.5 場(chǎng)致氧離子電化學(xué)遷移機(jī)制18-191.5 本文研究意義和內(nèi)容19-202 薄膜樣品制備方法與表征20-262.1 脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)202.2 PLD 制備Pr_(0.7)Ca_(0.3)Mn0_3（PCMO）薄膜20-232.2.1 靶材的燒制20-212.2.2 薄膜沉積21-232.3 PCMO 薄膜相結(jié)構(gòu)及電阻轉(zhuǎn)變性能表征23-262.3.1 相結(jié)構(gòu)分析23-242.3.2 PCMO 薄膜電阻轉(zhuǎn)變性能表征24-263 不同方法制作Ag 頂電極的Ag/

7、PCMO 異質(zhì)結(jié)的阻變特性26-333.1 Ag/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)IV 特性曲線的比較與載流子輸運(yùn)機(jī)制26-303.2 不同方法制作電極得到的 Ag/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)的阻態(tài)保持性以及疲勞性的比較30-313.3 小結(jié)31-334 Ag-Ti 合金電極的M/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)阻變的研究33-454.1 Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt 薄膜異質(zhì)結(jié)的制備344.2 Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)的I-V 特性以及阻變機(jī)制的研究34-414.2.1 不同金屬頂電極的I-V 特性曲線比較34-364.2.2 Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)的阻變機(jī)理的研究36-414.3 不同金屬頂電極樣品阻變的疲勞特性以及保持特性的分析41-444.3.1 M/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)阻變的疲勞特性41-434.3.2 M/PCMO/Pt 異質(zhì)結(jié)阻變的保持特性43-444.4 小結(jié)44-455 La_(0.67)Sr_(0.33)Mn0_3（LSMO）功能插層對(duì)阻變的影響45-505.1 有無(wú)插層的樣品I-V 特征曲線45-475.2 Ti/PCMO/LSMO/Pt 與Ti/PCMO/