電子器件介紹ppt課件

1、8:36:571.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬 一般都是導(dǎo)體。一般都是導(dǎo)體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣 體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵 和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。8:36:571.1.1 1.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱

2、為本征半導(dǎo)體。一、半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體 導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體低價(jià)元素構(gòu)成和絕導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體低價(jià)元素構(gòu)成和絕緣體高價(jià)元素構(gòu)成之間，稱為半導(dǎo)體，如緣體高價(jià)元素構(gòu)成之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅等，均為四價(jià)元素。鍺、硅等，均為四價(jià)元素。8:36:57共價(jià)鍵共價(jià)鍵價(jià)電子共有化，形成共價(jià)鍵的晶格結(jié)構(gòu)價(jià)電子共有化，形成共價(jià)鍵的晶格結(jié)構(gòu)8:36:571.1.1 1.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。一、半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電情況二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電情況金屬導(dǎo)電是由于其內(nèi)部有自由電子存在金屬導(dǎo)電是由于其內(nèi)部有自由電子存在( (載流子載流子),),在外電場(chǎng)的作用下在外電場(chǎng)

3、的作用下, ,自由電子定向移動(dòng)自由電子定向移動(dòng), ,形成電流形成電流. .8:36:57半導(dǎo)體中有兩種載流子半導(dǎo)體中有兩種載流子: :自由電子和空穴自由電子和空穴自由電子自由電子空穴空穴8:36:57在外電場(chǎng)作用下，電子的定向移動(dòng)形成電流在外電場(chǎng)作用下，電子的定向移動(dòng)形成電流+ + + + + + + + +- - - - - - - - -8:36:57在外電場(chǎng)作用下，空穴的定向移動(dòng)形成電流在外電場(chǎng)作用下，空穴的定向移動(dòng)形成電流+ + + + + + + + +- - - - - - - - -8:36:571.1.本征半導(dǎo)體中載流子為電子和空穴本征半導(dǎo)體中載流子為電子和空穴; ;2.2.電

4、子和空穴成對(duì)出現(xiàn)電子和空穴成對(duì)出現(xiàn), ,濃度相等濃度相等; ;3.3.由于熱激發(fā)可產(chǎn)生電子和空穴由于熱激發(fā)可產(chǎn)生電子和空穴, ,因此半導(dǎo)因此半導(dǎo)體的導(dǎo)電性和溫度有關(guān)體的導(dǎo)電性和溫度有關(guān), ,對(duì)溫度很敏感。對(duì)溫度很敏感。8:36:571.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體一、一、N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在純凈的硅晶體在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素中摻入五價(jià)元素如磷），使之取如磷），使之取代晶格中硅原子的代晶格中硅原子的位置，就形成了位置，就形成了N N型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。電子電子-多子多子; ;空穴空穴-少子少子. .converteam 周宇8:36:571.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體二、二、P型半導(dǎo)體

5、型半導(dǎo)體 在純凈的硅晶體在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素中摻入三價(jià)元素如硼），使之取如硼），使之取代晶格中硅原子的代晶格中硅原子的位置，就形成了位置，就形成了P P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。空穴空穴-多子多子; ;電子電子-少子少子. .注意注意雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子的濃度決定于摻雜原子的濃度；雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子的濃度決定于摻雜原子的濃度；少子的濃度決定于溫度。少子的濃度決定于溫度。converteam 周宇8:36:571.1.3 PN結(jié)結(jié)采用不同的摻雜工藝，將采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體與型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN

6、結(jié)。結(jié)。PN結(jié)結(jié)具有單向?qū)щ娦?。具有單向?qū)щ娦?。一、一、PN結(jié)的形成結(jié)的形成P區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū)converteam 周宇8:36:57一、一、PN結(jié)的形成結(jié)的形成在交界面，由于兩種載流子的濃度差，出在交界面，由于兩種載流子的濃度差，出現(xiàn)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)?，F(xiàn)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。converteam 周宇8:36:57一、一、PN結(jié)的形成結(jié)的形成在交界面，由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)在交界面，由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng), ,經(jīng)過復(fù)合經(jīng)過復(fù)合, ,出現(xiàn)空出現(xiàn)空間電荷區(qū)間電荷區(qū) 空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)耗盡層耗盡層converteam 周宇8:36:57一、一、PN結(jié)的形成結(jié)的形成當(dāng)擴(kuò)散電流等于漂移電流時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)當(dāng)擴(kuò)散電流等于漂移電流時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成

7、平衡，形成PNPN結(jié)。結(jié)。PN結(jié)結(jié)converteam 周宇8:36:571.1.由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū)和內(nèi)電場(chǎng)由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū)和內(nèi)電場(chǎng); ;2.2.內(nèi)電場(chǎng)阻礙多子擴(kuò)散，有利于少子漂移內(nèi)電場(chǎng)阻礙多子擴(kuò)散，有利于少子漂移; ;3.3.當(dāng)擴(kuò)散電流等于漂移電流時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)當(dāng)擴(kuò)散電流等于漂移電流時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成平衡，形成PNPN結(jié)。結(jié)。converteam 周宇8:36:57二、二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?. 1. PN結(jié)外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)結(jié)外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)加正向電壓是指加正向電壓是指P端加正電壓，端加正電壓，N端加負(fù)電壓，端加負(fù)電壓，也稱正向接法或正向

8、偏置。也稱正向接法或正向偏置。converteam 周宇8:36:571. 內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)抵消內(nèi)電場(chǎng)的作用，使耗盡層變外電場(chǎng)抵消內(nèi)電場(chǎng)的作用，使耗盡層變窄，形成較大的擴(kuò)散電流。窄，形成較大的擴(kuò)散電流。converteam 周宇8:36:572. PN結(jié)外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)結(jié)外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)外電場(chǎng)和內(nèi)電場(chǎng)的共同作用，使耗盡層變外電場(chǎng)和內(nèi)電場(chǎng)的共同作用，使耗盡層變寬，形成很小的漂移電流。寬，形成很小的漂移電流。converteam 周宇8:36:57三、三、PN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性 正向特性正向特性反向特性反向特性反向擊穿反向擊穿PN結(jié)的電流方程為結(jié)的電流方程為

9、)1( TUuSeIi其中，其中， IS 為反向飽和電流，為反向飽和電流， UT26mV，converteam 周宇8:36:571.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管converteam 周宇8:36:571.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 將將PN結(jié)用外殼封裝起來，并加上電極引線就構(gòu)成了結(jié)用外殼封裝起來，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管。由半導(dǎo)體二極管。由P區(qū)引出的電極為陽極區(qū)引出的電極為陽極A） ，由，由N區(qū)區(qū)引出的電極為陰極（引出的電極為陰極（ K ）。）。二極管的符號(hào)：二極管的符號(hào)：PN陽極陰極 converteam 周宇8:36:57converteam 周宇 功率二極管的工作原理功率二

10、極管的工作原理由于由于PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，所以二極管是結(jié)具有單向?qū)щ娦?，所以二極管是一個(gè)正方向單向?qū)щ?、反方向阻斷的電一個(gè)正方向單向?qū)щ?、反方向阻斷的電力電子器件。力電子器件?:36:57converteam 周宇1. 功率二極管的特性功率二極管的特性(1) 功率二極管的伏安特性功率二極管的伏安特性二極管具有單向?qū)щ娔芰?，二極管正向?qū)щ姇r(shí)必須二極管具有單向?qū)щ娔芰?，二極管正向?qū)щ姇r(shí)必須克服一定的門坎電壓克服一定的門坎電壓Uth(又稱死區(qū)電壓又稱死區(qū)電壓)，當(dāng)外加，當(dāng)外加電壓小于門坎電壓時(shí)，正向電流幾乎為零。硅二電壓小于門坎電壓時(shí)，正向電流幾乎為零。硅二極管的門坎電壓約為極管的門坎電壓約為0

11、.5V，當(dāng)外加電壓大于，當(dāng)外加電壓大于Uth后，電流會(huì)迅速上升。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，二極后，電流會(huì)迅速上升。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，二極管的反向電流管的反向電流IS是很小的，但是當(dāng)外加反向電壓是很小的，但是當(dāng)外加反向電壓超過二極管反向擊穿電壓超過二極管反向擊穿電壓URO后二極管被電擊穿，后二極管被電擊穿，反向電流迅速增加。反向電流迅速增加。8:36:57 伏安特性伏安特性UI導(dǎo)通壓降導(dǎo)通壓降: : 硅硅管管0.60.7V,0.60.7V,鍺管鍺管0.20.3V0.20.3V。反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBR死區(qū)電壓死區(qū)電壓 硅管硅管0.6V,鍺管鍺管0.2V。converteam 周宇8:36:57 環(huán)

12、境溫度升高時(shí)，二極管的正向特性曲線將左移，環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的正向特性曲線將左移，反向特性曲線下移。在室溫附近反向特性曲線下移。在室溫附近,溫度每升高溫度每升高1C,正正向壓降減小向壓降減小22.5mV;溫度每升高溫度每升高10C，反向電流約，反向電流約增大增大1倍。二極管的特性對(duì)溫度很敏感。倍。二極管的特性對(duì)溫度很敏感。converteam 周宇8:36:57穩(wěn)壓二極管及應(yīng)用穩(wěn)壓二極管及應(yīng)用1. 穩(wěn)壓管的工作原理穩(wěn)壓管的工作原理穩(wěn)壓管的符號(hào)穩(wěn)壓管的符號(hào)converteam 周宇8:36:572. 穩(wěn)壓管的主要參數(shù)穩(wěn)壓管的主要參數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UZUZ是指擊穿后在電流為規(guī)定值時(shí)，管子兩端

13、的電壓值。是指擊穿后在電流為規(guī)定值時(shí)，管子兩端的電壓值。穩(wěn)壓電流穩(wěn)壓電流IZ額定功耗額定功耗PZM IZ是穩(wěn)壓二極管正常工作時(shí)的參考電流。工作電流小于此值時(shí)，穩(wěn)壓二極管將失去穩(wěn)壓作用。PZM 等于穩(wěn)定電壓等于穩(wěn)定電壓UZ與最大穩(wěn)定電流與最大穩(wěn)定電流IZM （或（或 IZmax ）的乘積。的乘積。converteam 周宇8:36:573. 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓條件穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓條件穩(wěn)壓管正向工作時(shí)和二極管的特性完全相同。穩(wěn)壓管正向工作時(shí)和二極管的特性完全相同。必須工作在反向擊穿狀態(tài)；必須工作在反向擊穿狀態(tài)；流過穩(wěn)壓管的電流在流過穩(wěn)壓管的電流在IZ和和IZM之間之間 。注意！注意！converteam 周

14、宇8:36:57特殊二極管特殊二極管1. 光電二極管是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，只是管殼上留有一個(gè)能入射光線的窗口。converteam 周宇8:36:572. 發(fā)光二極管是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。它由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,當(dāng)發(fā)光二極管正偏時(shí)，注入到N區(qū)和P區(qū)的載流子被復(fù)合時(shí)，會(huì)發(fā)出可見光和不可見光。converteam 周宇8:36:571.3 雙極型晶體管雙極型晶體管converteam 周宇8:36:571.3 雙極型晶體管雙極型晶體管 一、晶體管的結(jié)構(gòu)和類型一、晶體管的結(jié)構(gòu)和類型NPN型型基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極基極集電極bec發(fā)射極箭頭的

15、方向發(fā)射極箭頭的方向?yàn)殡娏鞯姆较驗(yàn)殡娏鞯姆较騝onverteam 周宇8:36:57bPNP集電極集電極基極基極發(fā)射極發(fā)射極cePNP型型converteam 周宇8:36:57converteam 周宇 雙極型功率晶體管BJT的容量水平已達(dá)1.8kVlkA，頻率為20kHz。8:36:57converteam 周宇 雙極型功率晶體管的工作原理雙極型功率晶體管的工作原理 以以NPN型雙極型功率晶體管為例，若外電型雙極型功率晶體管為例，若外電路電源使路電源使UBC0,則發(fā)射結(jié)的則發(fā)射結(jié)的PN結(jié)處于正偏狀結(jié)處于正偏狀態(tài)。此時(shí)晶體管內(nèi)部的電流分布為：態(tài)。此時(shí)晶體管內(nèi)部的電流分布為： (1) 由于由于

16、UBC0,發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，P區(qū)區(qū)的多數(shù)載流子空穴不斷地向的多數(shù)載流子空穴不斷地向N區(qū)擴(kuò)散形成空區(qū)擴(kuò)散形成空穴電流穴電流IPE,N區(qū)的多數(shù)載流子電子不斷地向區(qū)的多數(shù)載流子電子不斷地向P區(qū)擴(kuò)散形成電子電流區(qū)擴(kuò)散形成電子電流INE。8:36:57converteam 周宇 單個(gè)BJT電流增益較低，驅(qū)動(dòng)時(shí)需要較大的驅(qū)動(dòng)電流，由于單級(jí)高壓晶體管的電流增益僅為10左右，為了提高電流增益，常采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，如每級(jí)有10倍的增益，則3級(jí)達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的電流增益可達(dá)1000左右。8:36:57converteam 周宇BJT的開關(guān)特性 在開關(guān)工作方式下，用一定的正向基極電流IB1去驅(qū)動(dòng)BJT

17、導(dǎo)通，而用另一反向基極電流IB2迫使BJT關(guān)斷，由于BJT不是理想開關(guān)，故在開關(guān)過程中總存在著一定的延時(shí)和存儲(chǔ)時(shí)間。8:36:57converteam 周宇 BJT的開關(guān)響應(yīng)特性8:36:57二、二、 晶體管的電流放大作用晶體管的電流放大作用 放大是對(duì)模擬信號(hào)最基本的處理。晶體管是放大電路的核放大是對(duì)模擬信號(hào)最基本的處理。晶體管是放大電路的核心元件，它能夠控制能量的轉(zhuǎn)換，將輸入的任何微小變化不失心元件，它能夠控制能量的轉(zhuǎn)換，將輸入的任何微小變化不失真的放大輸出，放大的對(duì)象是變化量。真的放大輸出，放大的對(duì)象是變化量。 晶體管工作在放大狀晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)

18、正向偏置且集電結(jié)反向偏置。向偏置且集電結(jié)反向偏置。晶體管的放大作用表現(xiàn)為晶體管的放大作用表現(xiàn)為小的基極電流可以控制大小的基極電流可以控制大的集電極電流。的集電極電流。共射放大電路共射放大電路converteam 周宇8:36:571. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流動(dòng)形成發(fā)射極電流IE2. 擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流流IB3.集電結(jié)加反向電壓，漂集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流ICIBICIE晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)converteam 周宇8:

19、36:57BCEIII 晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流分配關(guān)系IBICIEBCII 共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)1)1( BEBCIIIIconverteam 周宇8:36:57BCEIII 晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流分配關(guān)系BCII 共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)1)1( BEBCIIIIBCii 共射交流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù)通常認(rèn)為：通常認(rèn)為：converteam 周宇8:36:57晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流分配關(guān)系IBICIEIBICIEconverteam 周宇8:36:57三、晶體管的共射特性曲線三、晶體管的共射特性曲線UCEIC+-U

20、BEIB+- 實(shí)驗(yàn)線路實(shí)驗(yàn)線路mA AVVRBECEBRCconverteam 周宇8:36:571. 輸入特性輸入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降：工作壓降： 硅管硅管UBE0.60.7V,鍺鍺管管UBE0.20.3V。 死區(qū)電死區(qū)電壓，硅管壓，硅管0.5V，鍺，鍺管管0.2V。converteam 周宇8:36:572. 2. 輸出特性輸出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域此區(qū)域滿足滿足IC=IB稱為線稱為線性區(qū)性區(qū)放大放大區(qū)）。區(qū)）。IC只與只與IB有有關(guān)，關(guān)，IC=IB。converteam 周宇

21、8:36:57IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中此區(qū)域中UCEUBE,集電集電結(jié)正偏，結(jié)正偏，IBIC，UCE0.3V稱為稱為飽和區(qū)。飽和區(qū)。2. 2. 輸出特性輸出特性converteam 周宇8:36:57IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE0.3V (3) 截止區(qū)：截止區(qū)： UBE0時(shí)時(shí)UGS排斥空排斥空穴，形成耗穴，形成耗盡層。盡層。8:36:57PNNGSDUDSUGSUGS0時(shí)時(shí)UGS足夠大時(shí)足夠大時(shí)UGSVGS

22、(th)），），出現(xiàn)以電子導(dǎo)電出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的為主的N型導(dǎo)電型導(dǎo)電溝道。溝道。吸引電子吸引電子VGS(th)稱為開啟電壓稱為開啟電壓8:36:57PNNGSDUDSUGS當(dāng)當(dāng)UDS不太不太大時(shí)，導(dǎo)電大時(shí)，導(dǎo)電溝道在兩個(gè)溝道在兩個(gè)N區(qū)間是均區(qū)間是均勻的。勻的。當(dāng)當(dāng)UDS較較大時(shí)，靠大時(shí)，靠近近D區(qū)的導(dǎo)區(qū)的導(dǎo)電溝道變電溝道變窄。窄。8:36:57PNNGSDUDSUGS夾斷后，即使夾斷后，即使UDS 繼續(xù)增繼續(xù)增加，加，ID仍呈仍呈恒流特性。恒流特性。IDUDS增加，增加，UGD= VGS(th)時(shí)，靠近時(shí)，靠近D端端的溝道被夾斷，稱為的溝道被夾斷，稱為預(yù)夾斷。預(yù)夾斷。8:36:57conve

23、rteam 周宇 2. 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理 當(dāng)柵源極電壓當(dāng)柵源極電壓UGS0時(shí)，漏極下的時(shí)，漏極下的P型區(qū)型區(qū)表面不出現(xiàn)反型層，無法溝通漏源。此時(shí)表面不出現(xiàn)反型層，無法溝通漏源。此時(shí)即使在漏源之間施加電壓也不會(huì)形成即使在漏源之間施加電壓也不會(huì)形成P區(qū)內(nèi)區(qū)內(nèi)載流子的移動(dòng)，即載流子的移動(dòng)，即VMOS管保持關(guān)斷狀態(tài)。管保持關(guān)斷狀態(tài)。 當(dāng)柵源極電壓當(dāng)柵源極電壓UGS0且不夠充分時(shí)，柵極且不夠充分時(shí)，柵極下面的下面的P型區(qū)表面呈現(xiàn)耗盡狀態(tài)，還是無法型區(qū)表面呈現(xiàn)耗盡狀態(tài)，還是無法溝通漏源，此時(shí)溝通漏源，此時(shí)VMOS管仍保持關(guān)斷狀態(tài)。管仍保持關(guān)斷狀態(tài)。 當(dāng)柵源極電壓當(dāng)柵源極電壓UGS或超過強(qiáng)反型條件時(shí)，或超過強(qiáng)反型條件時(shí)，柵極下面的硅的表面從柵極下面的硅的表面從P型反型成型反型成N型，形型，形成成N型表面層并把源區(qū)和漏區(qū)聯(lián)系起來型表面層并把源區(qū)和漏區(qū)聯(lián)系起來,從從而把漏源溝通，使而把漏源溝通，使VMOS管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。8:36:57輸出特性曲線輸出特性曲線IDU DS0UGS0可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)夾斷區(qū)夾斷區(qū)恒流區(qū)恒流區(qū)8:36:57DSBGN 溝道增強(qiáng)溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管型場(chǎng)效應(yīng)管NPN 型型三極管三極管ecbG- bD- cS- e與與 NPN 三極