




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文檔簡(jiǎn)介
1、第一章 SABER的建模方法研究一、前言:SABER仿真軟件中的器體模型庫(kù)很豐富,各種器件模型多達(dá)1萬(wàn)個(gè),但它們均是一些通用的器件模型,可以滿足大多數(shù)情況下的仿真需求。但在下列三種情況下,就要自已建立模型進(jìn)行仿真。1、SABER 提供的仿真模型不能滿足一些特殊要求,如在進(jìn)行參數(shù)掃描仿真分析時(shí),不能將幾個(gè)參數(shù)同時(shí)變化掃描進(jìn)行仿真。2、在對(duì)控制策略和系統(tǒng)進(jìn)行仿真時(shí),對(duì)于特定的控制算法或調(diào)節(jié)器通用軟件本身不會(huì)提供現(xiàn)成的算法模型,此時(shí)就必須進(jìn)行建模。3、SABER 提供的模型本身存在缺陷,仿真不能真實(shí)地反映電路或系統(tǒng)的工作情況。 如果遇到上述情況之一,為了取得較好的仿真結(jié)果和現(xiàn)實(shí)指導(dǎo)意義,建立仿真模型
2、將不可避免。通常建立仿真模型的方法有兩種,一種是基于SABER 模型庫(kù)中已有的模型進(jìn)行組合,將由多個(gè)器件組成的電路打包成一個(gè)器件,這種方法也稱之為電路等級(jí)建模法;另一種是用MAST 語(yǔ)言進(jìn)行編寫(xiě),對(duì)器件的行為進(jìn)行描述,這在研究控制算法中應(yīng)用較多。下面列舉實(shí)例,從這兩個(gè)方面進(jìn)行具體介紹建模的操作方法和思路。二、基于電路基本器件的建模方法:電路等級(jí)建模法。實(shí)例:在進(jìn)行三相對(duì)稱電路仿真時(shí),在三相輸入或輸出的三根相線中串聯(lián)三個(gè)電抗器La 、Lb 、Lc 和并聯(lián)三個(gè)電容進(jìn)行濾波,并需要三個(gè)電抗器的電感值或三個(gè)電容值同時(shí)變化進(jìn)行參數(shù)掃描分析,為了簡(jiǎn)化電路和仿真分析,可將它們組合成一個(gè)電路符號(hào),并對(duì)三個(gè)電感
3、和電容進(jìn)行歸一化處理。1、畫(huà)電路圖:在SaberSketch 中,將三個(gè)電感和電容接成如圖1-1所示的電路。 圖1-1、三相濾波電路圖2、定義與外電路相連的接線端口和參數(shù):在SABER 的器件庫(kù)界面下,利用關(guān)鍵詞hierarchical 查找,可以查找出四種接線端:Hierarchical Analog、Hierarchical Bidirection、Hierarchical Input、Hierarchical Output四個(gè)接線端口,它們均可放入電路圖中與接線端相連,分別適用于模擬、雙向、輸入和輸出端口。在本例中,將它們定義為雙向即可,并將它們與相應(yīng)的接線端相連,如圖1-2所示。操作步
4、驟:(1)放置接線端:在菜單工具欄中,依次選中Schematic>Get Part>Parts Gallery,則出現(xiàn)一個(gè)對(duì)話界面,在Search String中輸入“Hierarchical ”進(jìn)行Search ,會(huì)出現(xiàn)四個(gè)等級(jí)接線端口,選取Hierarchical Bidirection,并用Place 放入電路圖。(2)連線:在電路圖中,用COPY 的方法產(chǎn)生六個(gè)相同的雙向接線端,分別與電路中的六個(gè)節(jié)點(diǎn)連接起來(lái)。(3)定義接線端:依次選中每個(gè)接線端,并雙擊鼠標(biāo)左鍵,出現(xiàn)的Propertier 界面,在Name 欄中,輸入其對(duì)應(yīng)的接線端口名稱(ina 、inb 、inc 、ou
5、ta 、outb 、outc ,并在圖中將其顯示出來(lái),這就生成了器件接線端口。(4)定義器件參數(shù):對(duì)于即將產(chǎn)生的新器件,可以定義它的相關(guān)器件參數(shù)。將電路圖中的三個(gè)電感的電感參數(shù)均設(shè)置成“l(fā)f ”,三個(gè)電容的電容值設(shè)置成“cf ”,如圖1-2所示,“l(fā)f ”、“cf ”并可成為新建器件模型的兩個(gè)參數(shù),可以使用的電路中進(jìn)行任意設(shè)置,而不必再對(duì)三個(gè)電容或電感的大小進(jìn)行設(shè)置。 圖1-2、定義輸入和輸出端口后的電路3、生成新的器件模型和定義名稱:在菜單工具欄中,選中File>Save As,將此電路存在當(dāng)前目錄下,文件名可取為lcfilter ,此文件名將同時(shí)作為新建器件模型的名稱。選中Schem
6、atic>Create>HierarchicalSymbol ,進(jìn)入模型符號(hào)編寫(xiě)狀態(tài),此界面與SaberSketch 的界面類似,此時(shí)將出現(xiàn)如圖1-3所示的器件符號(hào)原始圖。 圖1-3、器件模型原始圖5、生成器件符號(hào):在Symbol 界面下,選中菜單Tools>drawing Tool,出現(xiàn)圖形和文字輸入界面,如圖1-4(1) 所示,由此可以畫(huà)出如圖1-4(2)所示的所建模型器件符號(hào)圖。 圖1-4、器件符號(hào)圖6、定義器件的參數(shù):生成器件符號(hào)之后,下一步就可以定義它對(duì)應(yīng)參數(shù)了。在上述界面下,選中Symbol>Properties,出現(xiàn)如圖1-5所示的properties定義
7、對(duì)話界面。圖1-5、定義器件模型的參數(shù)在New Property中輸入lf 定義電感參數(shù),在New Value中輸入“req ”,這樣在具體電路調(diào)用此模型時(shí),只要將“req ”改為器件的具體值即可。同樣,可定義另一個(gè)參數(shù)cf ,如圖1-5所示,由此建立的模型有兩個(gè)參數(shù)輸入。7、模型的放置與利用:以上操作已經(jīng)完成了建立模型的工作,在這種情況下,此模型自動(dòng)放置在該用戶當(dāng)前目錄下,如果不進(jìn)行相應(yīng)的處理,則只有在該目錄下才能使用此模型。如果其它用戶需要用此模型,則有如下二種選擇。(1)在當(dāng)前目錄下,查找到lcfilter.ai_sch、lcfilter.ai_sym兩個(gè)文件,只要將它們拷貝到需要使用的
8、目錄下,即可以在此目錄下利用。以此類推,此模型可以擴(kuò)大到其它使用場(chǎng)合。(2)將此模型放入到Saber 的器件庫(kù)中,則可其它用戶共同使用,與Saber 本身的器件模型在使用權(quán)方面沒(méi)有區(qū)別。操作如下:在SaberSketch 下,選中菜單中Tools>PartsGallery ,則會(huì)出現(xiàn)Parts Gallery對(duì)話界面,在此界面下,選中Edit>New Category,則會(huì)出現(xiàn)要求新器件目錄的輸入欄,如用戶可在欄中輸入U(xiǎn)ser Model,確認(rèn)后即創(chuàng)建了一個(gè)新器件分類目錄。在此目錄下,選中Edit>New Part,則會(huì)出現(xiàn)如圖1-6所示的對(duì)話界面,在description
9、和Symbol 欄中,輸入lcfilter 并確認(rèn),由此就完成了將新建的器件模型放入Saber 的器件庫(kù)中,用戶可以任意使用。 圖1-6、將器件模型放置在Saber 器件庫(kù)中8、電路等級(jí)(分層)建模:以上完成了從基本電路出發(fā)的建模和使用過(guò)程,其實(shí),由所建模型組成的電路同樣可以用建立更高一級(jí)的模型,使可由此類推,逐級(jí)建模,形成層次化的建模過(guò)程,建模方法與步驟同上,不再冗述。三、基于Mast 語(yǔ)言描述的建模方法:Mast 語(yǔ)言描述法。Saber提供的Mast 語(yǔ)言可以對(duì)模型的行為進(jìn)行描述,以達(dá)到使用者的仿真目的。這里可涉及的內(nèi)容較多,如MAST 語(yǔ)言功能的介紹和編程方法、編寫(xiě)模型的格式與步驟、信號(hào)
10、的轉(zhuǎn)換、模擬變量與邏輯變量、數(shù)模混合模型、S 域模型等,不能(也沒(méi)有必要)逐步詳細(xì)講述,針對(duì)常用的方法和思路,從基本概念和基本模型開(kāi)始,以具體應(yīng)用實(shí)例進(jìn)行介紹。1、Mast 語(yǔ)言:MAST 語(yǔ)言是一種高級(jí)建模描述語(yǔ)言,其語(yǔ)法規(guī)則與C 語(yǔ)言很相似,其程序是由區(qū)段結(jié)構(gòu)組成,其開(kāi)始用左括弧“”、結(jié)束用右括弧“”。它與C 語(yǔ)言等不同的是每一句的結(jié)束可不用分號(hào)“;”,但如果用了,也依然作為程序語(yǔ)句的結(jié)束標(biāo)志。MAST 語(yǔ)言還有如下幾種行繼續(xù)語(yǔ)句標(biāo)志:/ + - * & | < > ( = ,用它們之一作為行結(jié)束符,則表示下一行是本行的繼續(xù);否則,意味著本行結(jié)束。MAST語(yǔ)言 忽略空白
11、行和符號(hào)“# ”后面的一行文字,因此,如果需要在程序中進(jìn)行注解或說(shuō)明,則用“#”符號(hào)作為每一行的開(kāi)始。在程序中,變量、母板名稱、節(jié)點(diǎn)名稱、標(biāo)識(shí)或符號(hào)名稱等必須用字母或下劃線“_”開(kāi)頭,后面可跟數(shù)字或字母等;對(duì)于模型連接點(diǎn)的名稱可以用整數(shù),但不推薦這樣做,這是因?yàn)樗氖褂檬艿絿?yán)格限制,只能用于母板子器件的連接點(diǎn)。2、通用的母板語(yǔ)法參照結(jié)構(gòu):Template headerUnit and pin_type definitionsHeader declarationsLocal declarationsParameters Parameter assignmentsNetlist statement
12、sWhen State assignmentsValues Value assignmentsControl_section Simulator-dependent control statementsEquations Equations describing behaviour在以上程序結(jié)構(gòu)中,各個(gè)組成部分有較為嚴(yán)格的規(guī)則和編寫(xiě)語(yǔ)法,下面將以一個(gè)實(shí)例對(duì)進(jìn)行介紹。如在變頻器中,為三相逆變提供SPWM 波的方法有幾種,為了研究其基波含量、諧波的大小以及輸出電壓波形,需要進(jìn)行仿真分析。其中一種方法的用下面的公式計(jì)算: ton=T*(0.5+0.5sin(w*t+a*3.14/180,toff=1
13、-ton。用Mast 語(yǔ)言編寫(xiě)的母板程序如下:template clockph1 ckout = freq, ft,astate logic_4 ckoutnumber freq=0, # clock frequencyft=50, #a=0 #state nu tick, # internal "wake-up" stateton,toffnumber d=0.5# calculate off and on Timewhen (dc_init Schedule_event(time,ckout,l4_0# start clock ticking after delay t
14、imewhen (time_init if (freq > 0 schedule_event(time,tick,1when (event_on(tick if (driven (ckout=l4_0 # turn clock on (set to 1toff=1/freq-ton schedule_event(time,ckout,l4_1Schedule_event(time+ton,tick,1else# turn clock off (set to 0Schedule_event(time,ckout,l4_0Schedule_event(time+toff,tick,1以上是一
15、個(gè)完整的用MAST 語(yǔ)言編寫(xiě)的母板文本,程序編寫(xiě)類似于C 語(yǔ)言格式,其模型名稱為“clockph1”,輸出端為“ckout ”,可以設(shè)置的變量為調(diào)制頻率“freq ”、逆變輸出頻率“ft ”以及初相位“a ”。在母板文本中“#”后已經(jīng)有了關(guān)于程序編寫(xiě)的說(shuō)明,這里不必重復(fù)。將上述母板文本在寫(xiě)字板或記事本界面下,保存為“clockph1.sin ”文件,注意文件名與template 的名稱一致,文件的類型(后綴)為“.sin ”,并將此文件存放在工作目錄下,設(shè)工作目錄為“aaa ”。下面介紹一下如何給此母板建立一個(gè)對(duì)應(yīng)的模型符號(hào),以便于在電路圖中調(diào)用。3、模型符號(hào)圖的生成:(1) 進(jìn)入SaberS
16、ketch 界面,從菜單File>new>symbol進(jìn)入SaberSketch 的new_sym1編輯界面,從菜單File>Save As進(jìn)入,在出現(xiàn)的文件存放界面,以文件名“clockph1 ”保存,這樣其實(shí)已經(jīng)產(chǎn)生了一個(gè)器件模型的符號(hào)文件。(2)從菜單Symbol>Create>Output Port進(jìn)入,如圖1-7所示。 圖1-7、生成器件模型符號(hào)的接線端口這樣,在圖1-7中就有了一個(gè)接線端口,對(duì)應(yīng)于母板文本中的接線端“ckout ”,接下來(lái)就可以定義它的名稱了。(3)用鼠標(biāo)左擊接線端“port_0_”,出現(xiàn)下拉菜單如圖1-8所示,選中“Attribute
17、s. ”。 圖1-8、編寫(xiě)接線端口特性的下拉菜單(4)完成上述操作之后,出現(xiàn)編寫(xiě)對(duì)話界面,如圖1-9所示,將Name 欄中的名稱更寫(xiě)為“ckout ”,其它特性如文字顏色、字體大小等也可選擇地進(jìn)行更改。 圖1-9、更寫(xiě)接線端口的名稱(5)從菜單Symbol>properties進(jìn)入定義器件模型特性的對(duì)話界面,如圖1-10所示。 圖1-10、器件模型特性參數(shù)編寫(xiě)界面將Name 欄中的new property更寫(xiě)為“primitive ”,Value 欄中的New Value更寫(xiě)為“clockph1” ,這里注意,Saber 將據(jù)此欄中的名稱clockph1找到當(dāng)前目錄下的母板文本,按下OK
18、 鈕后,母板中描寫(xiě)的其它變量設(shè)置欄將自動(dòng)給出,如圖1-10所示。在此例中,將freq 、ft 、a 對(duì)應(yīng)的New Value更寫(xiě) ”opt”,以上完成了對(duì)新建器件的參數(shù)和變量設(shè)置過(guò)程。下面介紹一下模型符號(hào)的產(chǎn)生過(guò)程。(6)從菜單Tools>Drawing Tool進(jìn)行畫(huà)圖狀態(tài),如圖11所示,圖1-11(1)為工具,圖1-11(2)為所建模型的圖形符號(hào),完成之后保存在當(dāng)前目錄下。 (1)工具欄 (2)模型符號(hào)圖1-11、模型的圖形符號(hào)與編輯工具上述過(guò)程介紹了怎樣建立模型的符號(hào),其實(shí)到此也就完成了建模的全過(guò)程,下面就可以在當(dāng)前目錄下調(diào)用此模型了,此模型的名稱為“clockph1”。如果此模型
19、經(jīng)過(guò)使用證明已經(jīng)是成熟的,則可以根據(jù)需要考慮是否放入到公用器件庫(kù)中。(7)模型測(cè)試:當(dāng)一種新器件模型建成后,一般需用一種最簡(jiǎn)單的方法測(cè)試一下。在本例中,如圖1-12所示,設(shè)置模型的必要參數(shù)后進(jìn)行仿真,得到了相應(yīng)的SPWM 波輸出信號(hào),證明所寫(xiě)模型是正確的。 圖1-12、模型的測(cè)試圖在一般情況下,所建模型不會(huì)一次性成功,此時(shí)就要進(jìn)行更寫(xiě)。如果更寫(xiě)母板文本,則在記事本或?qū)懽职逯羞M(jìn)行;其它更寫(xiě)則進(jìn)入相應(yīng)的界面即可,這里不重復(fù)了。模型建完之后,只要將該目錄下的“clockph1.sin ”、“clockph1.sym ”兩個(gè)文件拷貝到其它工作目錄下,其它用戶就可以調(diào)用此模型進(jìn)行仿真分析;當(dāng)然,也可以根
20、據(jù)前述方法將此模型放入到公用器件庫(kù)中,此時(shí)它應(yīng)該是經(jīng)過(guò)實(shí)際應(yīng)用證明是成熟可靠的,并在其母板文本中有較為詳細(xì)的說(shuō)明或注釋,以便于使用者查閱。綜上所述,以上介紹了兩種建立Saber 仿真模型的思路和操作方法,可以滿足一般的建模需求,但建立模型的過(guò)程還遠(yuǎn)不能限于本章描述,這只是為建模提供了一個(gè)學(xué)習(xí)建模的機(jī)會(huì),建立準(zhǔn)確而實(shí)用的模型是一個(gè)比較復(fù)雜的任務(wù),特別是關(guān)于用MAST 語(yǔ)言編寫(xiě)算法或控制文本,以及用C 語(yǔ)言或FORTRAN 語(yǔ)言編寫(xiě)嵌入程序,將涉及更高的要求,具體內(nèi)容可以查看原廠商提供的用戶資料和Saber 的在線幫助文件。第二章 DC-DC 電路仿真方法在前面的章節(jié)里, 已經(jīng)說(shuō)明了利用SABER
21、 進(jìn)行仿真的基本方法, 本章的主要內(nèi)容是針對(duì)DC_DC電路的特點(diǎn),說(shuō)明如何利用SABER 來(lái)解決設(shè)計(jì)中的問(wèn)題。2.1 常見(jiàn)器件的查找與使用在前面已經(jīng)說(shuō)明了如何查找器件的方法, 這里主要介紹一些在DC-DC 電路中常用的器件的使用方法。 圖 2-1圖2-1是一個(gè)普通的反激電路,我們可以把其中的器件分為以下幾類:1、集成電路,例如圖中的控制芯片UC3843、TL431、4N35等,在有的電路中,還會(huì)用到LM358、LM2901等運(yùn)放和比較器,這些器件都可以通過(guò)在器件庫(kù)中直接輸入他們的型號(hào)找到,基本上來(lái)說(shuō),目前使用的絕大多數(shù)模擬集成電路都是包括在SABER 的器件庫(kù)中的。2、分離半導(dǎo)體元件,例如圖中
22、的IRF220以及整流的肖特基。這些器件也可以用直接輸入型號(hào)的方法來(lái)查找,但是由于器件種類太多,很多時(shí)候會(huì)出現(xiàn)沒(méi)有相同器件的狀況,這時(shí)候可以運(yùn)用如下方法來(lái)查找替代的器件,使得仿真可以順利進(jìn)行。 選擇菜單Schematic->Get part->parametric search,進(jìn)入到以下界面,見(jiàn)圖2-2 圖 2-2這是一個(gè)通過(guò)器件的電氣參數(shù)來(lái)查找對(duì)應(yīng)器件型號(hào)的工具,例如需要查找一個(gè)Ids 在510A ,Vds 在200V 到300V 之間的MOSFET ,則在該界面中選擇“MOSFET ”,然后選擇“NEXT>”,進(jìn)入到如下界面,見(jiàn)圖2-3。 圖 2-3通過(guò)在圖中的表格里面
23、填入需要查找器件的電氣參數(shù),然后按“Finish ”,SABER 即會(huì)顯示器件庫(kù)中匹配的器件模型。3、無(wú)源器件與電源:包括電源,電阻,電容等,通常它們的使用都很簡(jiǎn)單,這里主要介紹兩種原來(lái)沒(méi)有介紹的常用模型。在原來(lái)的實(shí)例中,輸入電源都是直流,也就是說(shuō),從電路開(kāi)始工作時(shí),其電壓值就已經(jīng)恒定,而實(shí)際上電壓會(huì)有啟動(dòng)過(guò)程,跳變過(guò)程,模擬這些狀態(tài),最好的辦法就是使用分段線性電源。即原理圖中的V_PWL,雙擊該器件, 可以看到它具有以下屬性 。在該電源的”P(pán)WL”屬性中,分別輸入各個(gè)時(shí)間點(diǎn)及此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓, 則可以形成一個(gè)分段連續(xù)的電壓波形,如圖2-4。 圖 2-4有的時(shí)候,為了分析電路的動(dòng)態(tài)特性,需要負(fù)載
24、隨時(shí)間進(jìn)行各種變化,這時(shí)候就可以使用“PWLR ”模型,如圖一中所示,它的阻值是分段線性的,其定義方法與上面的電壓源一樣。使用它就可以模擬各種動(dòng)態(tài)負(fù)載。例如:一個(gè)5歐姆的負(fù)載在5ms 時(shí)從滿載切換到空載,過(guò)渡時(shí)間為10us ,則可以如下定義該電阻的“pwl ”屬性:0,5,5m ,5,5.01m ,1k。4、磁性元件:對(duì)于電路中的變壓器,在器件庫(kù)中輸入:“transformer ”關(guān)鍵詞進(jìn)行搜索,進(jìn)入如下界面,如圖2-5 圖 2-5從圖中可以看到,對(duì)于同樣繞組(Wind數(shù)的變壓器,有三種模型,“DC ”,“Linear ”,“Nonlinear ”。分別說(shuō)明如下。A、“DC ”模型:它只有各個(gè)
25、繞組的匝比,電感量為無(wú)窮大,通常只能用于正激電路或者電流互感器。B、“Linear ”模型:它的屬性定義見(jiàn)圖2-6 圖 2-6在其中只需要定義各個(gè)繞組的電感量,及各個(gè)繞組間的耦合系數(shù),這是使用最廣的一種模型,它可以表示各種變壓器及耦合電感,可以滿足大多數(shù)分析的需要。唯一不足的是不能模擬變壓器的非線性特征。C 、“Nonlinear ”:它的屬性定義如圖2-7: 圖 2-7我們可以定義各個(gè)繞組的匝數(shù)、磁心的有效截面積、磁路長(zhǎng)度、氣隙長(zhǎng)度、磁心材料,SABER 中提供了多種硅鋼片、鐵粉芯、多種鐵氧體材料,對(duì)于在庫(kù)中沒(méi)有的材料,我們可以用以下方法自己定義材料特性。點(diǎn)擊模型中的“Saber_model
26、”屬性,會(huì)看到一個(gè)表格,如圖2-8。: 圖 2-8在圖形右邊的表格中,可以輸入磁性材料的各種特征系數(shù),如“bmax ”(最大磁感應(yīng)強(qiáng)度 、“ui ”(初始磁導(dǎo)率 、“hc ”(矯頑力 等等,運(yùn)用這種方法,可以描述各種形狀的B H 曲線。對(duì)于SABER 中的電感, 也分為三種模型A:理想電感:模型名稱為“ Inductor”, 只有電感量一個(gè)參數(shù)。B: 線性電感:模型名稱為“l(fā)c ”。其定義方法與線性變壓器基本相同。C:非線性電感:模型名稱為“l(fā)nlc ”,其定義方法與非線性變壓器基本相同。SABER提供了各種磁性元件的模型,開(kāi)發(fā)人員可以自己選擇最為適合的。一般的建議是如果該磁性元件只是在電路中
27、最為一個(gè)功能器件,而其內(nèi)部的工作狀況并非關(guān)心的重點(diǎn)時(shí),建議使用線性化的模型,這樣對(duì)于仿真精度影響不大而速度則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于使用非線性模型。當(dāng)然,如果是仿真磁飽和控制一類的電路,就必須使用非線性磁心模型了。2.2指標(biāo)分析方法一、合理簡(jiǎn)化電路:對(duì)于一般的DC DC 電路,SABER 都能夠完成分析。但對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō),如果任何電路都完全按照完整的電路圖分析,往往不是耗時(shí)過(guò)長(zhǎng)就是得不到正確結(jié)果。正確的方法是不要追求仿真電路與實(shí)際電路完全一致,而應(yīng)該根據(jù)主要矛盾對(duì)電路進(jìn)行適當(dāng)?shù)暮?jiǎn)化。基本的簡(jiǎn)化電路方法有以下兩種1、用理想器件代替實(shí)際器件。SABER軟件提供了很多的器件模型, 為了保證它們的分析精度, 模型往往
28、非常復(fù)雜, 如果一個(gè)電路里面所有的器件都用實(shí)際模型, 仿真時(shí)間會(huì)非常的長(zhǎng). 通常這時(shí)我們需要對(duì)電路進(jìn)行適當(dāng)?shù)暮?jiǎn)化. 簡(jiǎn)化原則是對(duì)主要分析指標(biāo)影響不大的器件可以用理想模型代替。2、簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。在了解了電路基本原理和明確了分析的重點(diǎn)的基礎(chǔ)上,我們可以去除對(duì)分析指標(biāo)影響小的電路部分,可以大大加速仿真速度。例如對(duì)于圖2-9的電路: 圖 2-9這樣的電路并不復(fù)雜,直接仿真是可以的,但是通過(guò)簡(jiǎn)單的分析我們可以發(fā)現(xiàn),該電路是一個(gè)普通反激電路的變形,主要的差別在于它加入了同步整流及其的驅(qū)動(dòng)電路,而仿真的主要目的也是選擇合理的驅(qū)動(dòng)電路參數(shù),使得電路效率最高。而效率指標(biāo)主要由功率器件決定,因此我們完全可以首先分
29、析該電路的開(kāi)環(huán)特性,把電路簡(jiǎn)化如圖2-10。 圖2-10在簡(jiǎn)化后的電路中,我們保留了主電路及驅(qū)動(dòng)電路,而且所有的器件都使用實(shí)際模型,因?yàn)樵谶@里,不同的器件會(huì)直接影響電路的效率。從UC3843輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)用一個(gè)脈沖源代替,原邊與副邊的輔助電壓源都用分段線性的電壓源替代。通過(guò)這樣的簡(jiǎn)化,仿真的主要精力就集中在調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)及選擇合適的器件上,仿真速度大大提高,而且還容易找到問(wèn)題所在。對(duì)電路進(jìn)行合理簡(jiǎn)化需要一定的經(jīng)驗(yàn),但基本原則是一樣的,不要追求仿真電路與實(shí)際電路的完全一致, 而要突出主要矛盾。2.3 深入的參數(shù)分析:在前面的章節(jié)中我們只講到了如何從仿真直接生成的數(shù)據(jù)中觀察分析結(jié)果。通常情況下
30、,瞬態(tài)仿真的數(shù)據(jù)存在一個(gè)后綴為“tr ”的文件里面,它包括了各個(gè)節(jié)點(diǎn)電壓,電感和電壓源電流。對(duì)于其他的一些指標(biāo),例如器件的損耗,實(shí)際上系統(tǒng)是生成了,只是沒(méi)有加入到圖形文件中,如果需要觀察,可以按照以下步驟進(jìn)行抽取。例如在上面的例子中,如果需要觀察Q1的Id 和損耗,則在仿真完成之后,選擇菜單中的Extract->add signal to plotfiles 出現(xiàn)界面如圖2-11。 圖 2-11在這個(gè)對(duì)話框中主要完成以下內(nèi)容:1、Source Data File:該項(xiàng)指定數(shù)據(jù)的來(lái)源,通常輸入“tr ”即可。2、Plot After Analysis:選擇在完成后是否打開(kāi)圖形。3、Sign
31、al List:選擇需要抽取的信號(hào),點(diǎn)擊旁邊的“Select ”,出現(xiàn)一個(gè)下拉菜單,點(diǎn)擊“Browse Design.”,進(jìn)入到如下界面中,見(jiàn)圖2-12。 圖 2-12在這個(gè)圖形中我們可以看到,“irf220.q1”表示了器件的標(biāo)識(shí)與型號(hào),旁邊的“”表示這個(gè)器件下面還有很多分析結(jié)果,雙擊它可以展開(kāi)如圖2-13。我們可以看到其中有非常多的信號(hào),有的還可以進(jìn)一步展開(kāi)。 圖 2-13在其中選擇信號(hào),如果選擇多個(gè)信號(hào),按著“CRTL ”鍵即可。 選擇“id ”與“pwrd ”后,即完成了信號(hào)抽取工作,如圖2-14。在仿真完成之后,會(huì)生成一個(gè)后綴為“extract ”的文件, 點(diǎn)擊其中的信號(hào)即可以打開(kāi),
32、如圖2-15。 圖 2-14 圖 2-15通過(guò)這樣的方法, 我們可以得到很多器件的內(nèi)部特性,從而深入分析它們?cè)陔娐分械墓ぷ鳡顩r。2.4 電路仿真中的一些技巧:1、動(dòng)態(tài)性能分析:在前面我們介紹了“pwlr ”的基本用法,它是一個(gè)可以隨時(shí)間任意變化的電阻模型,利用它,我們可以完成一些特殊的仿真工作。A、高速動(dòng)態(tài)響應(yīng):在DC DC 電路中常見(jiàn)的是用負(fù)載切換來(lái)分析電路的穩(wěn)定性與動(dòng)態(tài)性能。盡管SABER 提供了一些頻域的分析模型與方法,但對(duì)于大信號(hào)或者特殊拓?fù)?,時(shí)域分析仍然是必須的。基本的分析過(guò)程如下:1 先定義負(fù)載為恒定值,例如10歐姆,仿真一段時(shí)間,例如5ms ,則在模型中的定義為 0,10,5m
33、,10。這里分別定義了兩個(gè)點(diǎn)的時(shí)間和電壓。2 如果電路到達(dá)穩(wěn)態(tài),改變負(fù)載進(jìn)行仿真,例如負(fù)載在 10us內(nèi)切換到空載(這里空載的意義是一個(gè)很大的電阻,結(jié)果1ms 后有變化回來(lái),則我們可以如下定義負(fù)載的特性: 0,10,5m ,10,5.01m ,1k ,6m ,1k ,6.01m ,10,這里注意的是曲線上各個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)必須完整,如果缺少了就會(huì)導(dǎo)致曲線形狀與預(yù)計(jì)的不一致。用黑體標(biāo)注的點(diǎn)是容易被忽略的。B、應(yīng)用同樣的方法,我們可以分析電路在突然短路或者開(kāi)路時(shí)的情形。2、信號(hào)的組合:在有的分析中,我們需要多個(gè)信號(hào)的疊加,或者相乘,用于模擬一些特殊的波形,這時(shí)我們可以使用以下的模型。輸入”Vsum”和 “
34、vmult”進(jìn)行搜索,可以得到如圖2-16的兩個(gè)模型,他們可以完成電壓信號(hào)疊加與相乘。 圖 2-163、寄生參數(shù)的處理在實(shí)際的電路中, 寄生參數(shù)必須考慮的項(xiàng)目之一。在仿真中,電路的寄生參數(shù)是不會(huì)主動(dòng)生成的,但仿真者可以根據(jù)自己的需要,加入一些對(duì)電路性能影響較大的寄生參數(shù)。A、漏感:在電路中,漏感是影響比較大的寄生參數(shù),通常的變壓器模型中是不包括漏感的,但我們可以通過(guò)適當(dāng)?shù)奶幚韥?lái)模擬它的行為。例如對(duì)于圖2-17所示的諧振正激電路, 圖 2-17 圖 2-18在使用變壓器模型仿真的情況下,電路中沒(méi)有漏感,得到的VDS 波形如圖2-18。為了模擬漏感的影響,我們可以在變壓器前面串聯(lián)一個(gè)小電感,如圖2
35、-19。 圖2-19這時(shí)仿真得到的VDS 波形發(fā)生了明顯的變化,如圖2-20。 圖 2-20通過(guò)理論與實(shí)驗(yàn)兩個(gè)方面的驗(yàn)證可以知道,這樣的等效是完全合理的。我們可以通過(guò)改變?cè)摯?lián)電感的等效,分析出漏感對(duì)于VDS 波形的影響。同樣,對(duì)于寄生電容等參數(shù),我們也可以通過(guò)在電路的適當(dāng)位置加入小的電容來(lái)仿真。B、電容的ESR 與電感的繞線電阻。在電容的模型中,提供了“ESR ”這一屬性,用于定義電容的等效串聯(lián)電阻,缺省情況下為0。但是,并非所有的電容都需要定義ESR ,通常,只是對(duì)于輸出內(nèi)部的電容,我們定義其ESR ,用于觀察它對(duì)于電路紋波及穩(wěn)定性的影響。在電感的模型中,有一個(gè)“R ”屬性,用于定義其繞線
36、電感,缺省值為0,通常,兩種情況下必須定義該屬性。1、流過(guò)電感電流很大,需要考慮線上損耗。2、在分析電路的均流特性,需要考慮電路內(nèi)阻的細(xì)微差別時(shí)。第三章 功率因數(shù)校正電路仿真3.1 如何控制數(shù)據(jù)與收斂性PFC電路比其它電路要復(fù)雜,在仿真的過(guò)程中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)因仿真設(shè)置而產(chǎn)生的問(wèn)題,為了使仿真正常進(jìn)行,良好地進(jìn)行設(shè)置就顯得特別重要。因?yàn)楣β室驍?shù)校正的仿真主要是進(jìn)行瞬態(tài)分析,所以進(jìn)行設(shè)置的時(shí)候主要設(shè)置就是瞬態(tài)分析的設(shè)置,打開(kāi)瞬態(tài)分析設(shè)置菜單如圖1-1所示。 圖3-1 瞬態(tài)分析設(shè)置菜單1、Basic 設(shè)置在瞬態(tài)分析設(shè)置菜單中有5個(gè)欄目,其中的Basic 欄目的設(shè)置和一般的瞬態(tài)分析基本上是一致的,要注意的
37、是仿真的步長(zhǎng)“ Time Step”框的設(shè)置。本欄目的設(shè)置通常要與電路中運(yùn)行的開(kāi)關(guān)管的主頻綜合考慮,選擇為遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于開(kāi)關(guān)管運(yùn)行周期,可以設(shè)置為1ns 或10ns 。這樣仿真進(jìn)行的精度才能夠滿足要求,從而更好地滿足數(shù)據(jù)收斂。2、Input/Output設(shè)置本設(shè)置欄目設(shè)置中所要注意的是,如果對(duì)仿真進(jìn)行完畢之后,希望對(duì)一些波形進(jìn)行傅立葉分析,那么對(duì)于“Data file”中必須保持為“ tr”,它對(duì)仿真過(guò)程中的一些數(shù)據(jù)生成tr 文件。由于傅立葉分析必須調(diào)用這個(gè)數(shù)據(jù)文件,所以需要注意設(shè)置。在下一節(jié)的內(nèi)容中會(huì)詳細(xì)講解傅立葉分析的詳細(xì)過(guò)程。 圖3-2 收斂方法設(shè)置3、Calibration 設(shè)置本設(shè)置中需要
38、注意的是“Max Truncation Error”設(shè)置。在進(jìn)行功率因數(shù)校正的仿真時(shí)候可以將它設(shè)置到較小的誤差限,如設(shè)置到0.001,0.0001,0.00001等,通常采用0.0001作為誤差限的時(shí)候比較多。4、Integration Control設(shè)置本欄目的設(shè)置重點(diǎn)是“Method ”與“Order ”。當(dāng)仿真過(guò)程中遇到下面的錯(cuò)誤提示的時(shí)候,進(jìn)行新的設(shè)置很有必要?!?ERROR *ALG_NO_SOLUTIONA* Cannotfind nonlinear system solution”和“* ERROR *ALG_ITERATIONSA* Too manyiterations ” 兩
39、個(gè)錯(cuò)誤。遇到上面的提示的時(shí)候,可以在本欄目中將原來(lái)采用的“Gear ”法換成“Trap ” 法,次數(shù)可以首先設(shè)置為1次,根據(jù)仿真的進(jìn)行,如果還遇到類似的問(wèn)題可以設(shè)置為2次。5、Algorithm Selection設(shè)置本欄目設(shè)置的重點(diǎn)是“ Target Iterations”,對(duì)于功率因數(shù)校正時(shí),選擇小的疊代次數(shù)系統(tǒng)將不能夠進(jìn)行仿真,根據(jù)需要可以將原來(lái)的疊代次數(shù)350次之間進(jìn)行調(diào)整,直到仿真能夠進(jìn)行為止。仿真的控制與收斂性除了進(jìn)行必要的設(shè)置之外,有時(shí)候還需要對(duì)仿真的電路進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。調(diào)整的原則是對(duì)電路進(jìn)行一定的簡(jiǎn)化但又不影響仿真需要解決的主要問(wèn)題,使仿真能夠有效進(jìn)行下去。3.2 傅立葉分析和
40、功率因數(shù)計(jì)算當(dāng)功率因數(shù)校正仿真進(jìn)行完畢,比較重要的兩點(diǎn)是進(jìn)行傅立葉分析和功率因數(shù)計(jì)算。Saber 仿真器提供了對(duì)電源波形進(jìn)行傅立葉分析的功能,通過(guò)傅立葉分析,能夠?qū)β室驍?shù)校正之后的輸入電流波形進(jìn)行相關(guān)參數(shù)的計(jì)算。因?yàn)镾aber 在傅立葉分析仿真結(jié)束的同時(shí)可以計(jì)算出諧波畸變的大小,根據(jù)諧波畸變定義。THD =I h /I 1=I 2+I 3+. +I n +./I 1在進(jìn)行功率因數(shù)校正之后,可以認(rèn)為相位畸變很小,可以直接通過(guò)計(jì)算畸變因數(shù)的大小,于是,PF 近似為。正是基于此上,Saber 仿真計(jì)算完I 1/I 12+I 22+I 32+. +I n 2. 畢之后通過(guò)諧波畸變率大小可以計(jì)算出功率
41、因數(shù)的大小。下面通過(guò)一個(gè)實(shí)際的例子講解傅立葉分析和功率因數(shù)的相關(guān)計(jì)算。傅立葉分析步驟傅立葉分析是在系統(tǒng)進(jìn)行瞬態(tài)分析之后進(jìn)行的,傅立葉分析要調(diào)用瞬態(tài)分析之后所生成的“tr ”數(shù)據(jù)文件。進(jìn)行完畢時(shí)域瞬態(tài)分析之后,運(yùn)行“AnalysesFourierFourier”得到圖2-1所示。 圖3-3 傅立葉分析基本設(shè)置從圖中可以看出相關(guān)的欄目的設(shè)置有三方面:1、Basic 基本設(shè)置“Number of Harmonics”:其作用是在進(jìn)行傅立葉分析的時(shí)候計(jì)算的諧波次數(shù)為10次;“Fundamental Frequency”:進(jìn)行傅立葉分析時(shí)候基波的頻率,通常分析的是50Hz ;“Period Start”
42、和“ Period End”表示分析的開(kāi)始時(shí)間和分析的結(jié)束時(shí)間的設(shè)置,假如設(shè)置“Period Start”那么傅立葉分析將從設(shè)置的這個(gè)時(shí)間開(kāi)始傅立葉分析,直到進(jìn)行到時(shí)域瞬態(tài)分析結(jié)束的時(shí)間為止;如果設(shè)置了是“Period End”表示傅立葉仿真分析從時(shí)域仿真的開(kāi)始點(diǎn)進(jìn)行分析直到設(shè)置的結(jié)束時(shí)間為止。結(jié)束時(shí)間必須小于瞬態(tài)分析的結(jié)束時(shí)間長(zhǎng)度。為了準(zhǔn)確地對(duì)穩(wěn)定之后的波形進(jìn)行諧波分析,對(duì)“Period Start”進(jìn)行設(shè)置,選擇電路穩(wěn)定運(yùn)行之后的時(shí)間直到時(shí)域瞬態(tài)分析的結(jié)束時(shí)間,這樣設(shè)置更好。2、Input/Output輸入輸出設(shè)置本欄的設(shè)置如圖2-2所示,本欄的設(shè)置重點(diǎn)是“Signal List”,設(shè)置的
43、時(shí)候根據(jù)傅立葉分析的需要選擇需要分析的波形名稱,如果不進(jìn)行選擇,系統(tǒng)將默認(rèn)為對(duì)所有的波形都進(jìn)行傅立葉分析,這會(huì)浪費(fèi)一定的時(shí)間,必須進(jìn)行必要的選擇和設(shè)置。在功率因數(shù)校正波形分析中,對(duì)電源輸入電流波形的分析是必要的,所以通常對(duì)輸入的電流信號(hào)進(jìn)行傅立業(yè)分析。 圖3-4 輸入輸出設(shè)置3、Control 控制設(shè)置如圖5所示,本欄的設(shè)置重點(diǎn)是“Calculate THD”。在進(jìn)行傅立葉分析的時(shí)候Saber 系統(tǒng)能夠同時(shí)計(jì)算出波形的諧波畸變大小來(lái),通常情況下,本框的設(shè)置都為“Yes”表示傅立葉分析完畢之后將諧波畸變的大小計(jì)算出來(lái)。 圖3-5 控制設(shè)置進(jìn)行傅立葉分析完畢之后,同時(shí)也計(jì)算出諧波畸變的大小來(lái)。下面
44、就是通過(guò)畸變的大小計(jì)算功率因數(shù)的大小。這里認(rèn)為輸入正弦電壓的波形和電流波形的相位差為零,所以位移因數(shù)為1,功率因數(shù)大小為:PF =I 1/I =1/1+THD 到此為止,相關(guān)的計(jì)算進(jìn)行結(jié)束。3.3 功率因數(shù)校正仿真過(guò)程的分析下面通過(guò)一個(gè)實(shí)際的功率因數(shù)校正例子進(jìn)行仿真分析。 本電路是一個(gè)功率因數(shù)校正電路,如圖3-1所示 圖3-6 典型功率因數(shù)校正電路原理圖 進(jìn)行仿真的過(guò)程中需要注意以下幾個(gè)方面:(1、瞬態(tài)分析按照時(shí)域瞬態(tài)分析的方法對(duì)本電路進(jìn)行初始的原理性仿真,通過(guò)瞬態(tài)分析重點(diǎn)分析電路的運(yùn)行狀態(tài),觀察電路運(yùn)行過(guò)程中各個(gè)指標(biāo)是否滿足要求:y輸出電壓Vout 是否符合標(biāo)準(zhǔn),是否出現(xiàn)較大的過(guò)沖電壓;y開(kāi)
45、關(guān)管電壓降和電流是否滿足要求;y通過(guò)對(duì)電源輸入電流進(jìn)行富立業(yè)分析,看電流諧波是否滿足要求,功率因數(shù)指標(biāo)是否滿足;y 同時(shí)根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)要求,對(duì)電路進(jìn)行輸入電壓和負(fù)載大動(dòng)態(tài)作用仿真;(1、對(duì)負(fù)載進(jìn)行過(guò)載到輕載到額定負(fù)載仿真,觀察校正電路是否能夠在這些惡劣的情況下工作;Saber提供了PWL 類型的模型,它可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行按仿真時(shí)間變化的模型參數(shù)。例如選擇阻性負(fù)載的時(shí)候,通過(guò)關(guān)鍵詞“pwl ”搜索,器件庫(kù)就會(huì)顯示出相關(guān)變參數(shù)類所有的元器件模型,通過(guò)移動(dòng)光標(biāo)到Resistor 處,選擇變電阻值的電阻,放置在設(shè)計(jì)中雙擊得到屬性菜單進(jìn)行設(shè)置,如下圖所示。 圖3-7 變負(fù)載設(shè)置從左邊的屬性菜單當(dāng)中用鼠標(biāo)
46、擊*req*項(xiàng)就可以得到右邊的選項(xiàng),點(diǎn)擊1就可以得到2段時(shí)間的變化設(shè)置,同樣點(diǎn)擊上面的6段就會(huì)得到7段的時(shí)間內(nèi)電阻的設(shè)置。下面圖 14中設(shè)置反映出了現(xiàn)面所示的一個(gè)負(fù)載電阻的變化情況。圖3-8 負(fù)載變化曲線 上面的圖表示在100ms 內(nèi)電阻的阻值為100k ,幾乎可以認(rèn)為負(fù)載為空載,當(dāng)在100ms 到100.00001ms 的時(shí)候,電阻突變到100歐姆,維持到200ms 的時(shí)候,電阻由100歐姆變化到400ms 時(shí)候的100k 。其過(guò)程反映了負(fù)載有輕載到重載再到輕載的過(guò)程,很好地實(shí)現(xiàn)了變負(fù)載仿真。 (2、對(duì)輸入電壓進(jìn)行過(guò)欠壓仿真的實(shí)現(xiàn)如下圖所示:圖39 單相過(guò)欠壓的設(shè)置及波形觀察在實(shí)現(xiàn)輸入電壓的
47、變化的過(guò)程中使用了一個(gè)乘法器元件”vmult”和隨時(shí)間變化的電壓源信號(hào)“v_pwl”,從圖中可以看出它的設(shè)置是,在時(shí)間段0>80ms,電壓保持 1v ,在80.001ms->120ms保持1.5v ,在120.001ms->200ms保持0.6v ;然后和標(biāo)準(zhǔn)的正弦電壓信號(hào)進(jìn)行乘積,Vin 的電壓信號(hào)的有效值就發(fā)生了變化分別是:在0-80ms, 為220v; 在80.001ms-120ms, 為330v; 在120.001ms-200ms ,為132v; 這樣就可以實(shí)現(xiàn)輸入電壓的過(guò)欠壓的仿真分析;對(duì)于三相輸入電壓可以按照下面的圖進(jìn)行電路的連結(jié)仿真:圖3-10 三相輸入電壓的過(guò)
48、欠壓仿真設(shè)置(2、補(bǔ)償環(huán)路環(huán)路參數(shù)分析與仿真對(duì)于觀察到輸出電壓過(guò)沖太高,或者是Boost 電感電流具有較大的過(guò)沖電流,那么必須對(duì)補(bǔ)償環(huán)路參數(shù)進(jìn)行調(diào)整仿真。因?yàn)樵诠β室驍?shù)校正中采用的是電壓和電流雙環(huán)作用,在進(jìn)行分析過(guò)程中,分別對(duì)電壓環(huán)和電流環(huán)進(jìn)行參數(shù)設(shè)置分析,在設(shè)計(jì)所允許的范圍內(nèi)進(jìn)行參數(shù)的調(diào)整,達(dá)到環(huán)路的穩(wěn)定性能更好。(3、應(yīng)力分析在初級(jí)階段的教材當(dāng)中,已經(jīng)講述了應(yīng)力分析的具體操作過(guò)程和步驟。在進(jìn)行功率因數(shù)校正時(shí)應(yīng)力分析是一個(gè)重要方面。具體進(jìn)行應(yīng)力分析有以下步驟:y在電路圖當(dāng)中,選擇功率因數(shù)校正電路中的開(kāi)關(guān)管,二極管等比較關(guān)注的元器件進(jìn)行應(yīng)力分析;y通過(guò)對(duì)觀注的器件特性中的Ratings 項(xiàng)進(jìn)行
49、實(shí)際設(shè)置,填寫(xiě)好和實(shí)際應(yīng)用中的器件一致的最大應(yīng)力參數(shù);y設(shè)置好參數(shù)之后首先進(jìn)行瞬態(tài)分析;y編制相應(yīng)的參數(shù)的降額文件;y進(jìn)行應(yīng)力分析,并且對(duì)應(yīng)力分析報(bào)告進(jìn)行處理;通過(guò)對(duì)應(yīng)力分析,在實(shí)際實(shí)驗(yàn)中可以對(duì)使用的有關(guān)功率管進(jìn)行調(diào)整,以選擇合理的器件。(4、靈敏度分析在功率因數(shù)校正電路當(dāng)中,進(jìn)行靈敏度分析的重點(diǎn)是通過(guò)仿真觀察環(huán)路參數(shù)對(duì)輸出某些指標(biāo)的影響。例如環(huán)路參數(shù)對(duì)輸出電壓的過(guò)沖的影響。步驟如下:y在原理圖中選擇好進(jìn)行分析的指標(biāo),例如選擇輸出電壓過(guò)沖值;y在仿真中設(shè)置選擇補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)中影響輸出電壓的有關(guān)電容、電阻、電感等參數(shù);y進(jìn)行靈敏度輸出結(jié)果的分析;通過(guò)對(duì)靈敏度分析,可以看出有關(guān)的電容、電阻、電感參數(shù)對(duì)輸
50、出電壓的影響是不一致的,其中有一個(gè)對(duì)指標(biāo)影響最大的參數(shù),在進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用和實(shí)驗(yàn)當(dāng)中對(duì)這個(gè)器件要選擇靈敏度比較高的器件。值得注意的是,應(yīng)用靈敏度分析可以通過(guò)分析補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)屬于輸出過(guò)沖電壓的影響,然后根據(jù)分析的結(jié)果對(duì)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整,這樣可以在一定的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)減小輸出電壓過(guò)沖。3.4 應(yīng)用UC3854校正的電路進(jìn)行仿真需要注意幾點(diǎn)(1、開(kāi)始進(jìn)行仿真的時(shí)候,通常選用理想開(kāi)關(guān)管作為初始仿真用的開(kāi)關(guān)器件,在電路仿真達(dá)到穩(wěn)定運(yùn)行之后將所采用的開(kāi)關(guān)器件進(jìn)行實(shí)際器件模型化,選用接近實(shí)際的元器件模型進(jìn)行仿真;(2、在進(jìn)行功率因數(shù)校正的大電路仿真過(guò)程時(shí),初始的驅(qū)動(dòng)通常采用邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng),即采用的模型是新建立的
51、UC3854,其輸出驅(qū)動(dòng)端是邏輯信號(hào),直接接理想理想邏輯開(kāi)關(guān)進(jìn)行仿真分析;(3、UC3854模型的修改在進(jìn)行仿真的時(shí)候,有時(shí)候需要對(duì)UC3854模型內(nèi)部一定參數(shù)的修改,這涉及到很多指標(biāo)。新建立的UC3854模型是等級(jí)模型,可以這樣進(jìn)行。移動(dòng)鼠標(biāo)光標(biāo)到UC3854模型上面點(diǎn)擊鼠標(biāo)郵件得到一個(gè)菜單,移動(dòng)管標(biāo)到菜單的“Open Hierarchy”得到下面的內(nèi)部電路。圖3-11 UC3854模型的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 通過(guò)上面的框圖可以進(jìn)行一定的修改,因?yàn)樵赨C3854的不同類型,內(nèi)部的某些 參數(shù)也不一樣,用戶進(jìn)行仿真的時(shí)候就可以進(jìn)行參數(shù)的調(diào)整。內(nèi)部元件比較重要的一個(gè)模型是乘除運(yùn)算器模型“mulanddiv ”,它調(diào)用了一個(gè)模型文件mulanddiv.sin 文件。所以UC3854的模型包括了四個(gè)文件,“muland
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