電力電子填空

1、1、 為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在幵關(guān)_狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，_幵關(guān)_損耗會(huì)成為主要的損耗。2、 在 PWM 控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號頻率之比稱為 _載波比_ ，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為一同步_調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為分段同步調(diào)制_ 制。3、面積等效原理指的是，沖量_ 相等而形狀_不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。4、_在 GTR、GTO、IGBT 與 MOSFET 中，開關(guān)速度最快的是_MOSFET_ ，單管輸出功率最大的是_應(yīng)用最為廣泛的是_IGBT_。5、

2、 設(shè)三相電源的相電壓為 U2，三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即 根號 6，其承受的最大正向電壓為根號 2。6、 逆變電路的負(fù)載如果接到電源，貝 V 稱為有源逆變逆變，如果接到負(fù)載，則稱為 無源 逆變。7、 _GTR 存在二次擊穿現(xiàn)象,_ IGBT_ 在擎住現(xiàn)象。8 功率因數(shù)由_ 和_ 這兩個(gè)因素共同決定的。9、 晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R 是_均壓措施。10、 同一晶閘管，維持電流 IH與掣住電流 IL在數(shù)值大小上有 II _IHO11、電力變換通常可分為:AC-DC、 AC-AC、 DC-DC_ 和 DC-AC_12、在下

3、圖中，_V1_ 和_VD1_勾成降壓斬波電路使直流電動(dòng)機(jī)電動(dòng)運(yùn)行， 工作于第 1 象限；V2_和_VD2_ 勾成升壓斬波電路，把直流電動(dòng)機(jī)的動(dòng)能合管。14、 晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率_、觸發(fā)前沿要陡幅值要高_(dá) 和觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。15、 多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流_的問題，解決的方是串專用均流電抗器_ 。轉(zhuǎn)變成為電能反饋到電源,使電動(dòng)機(jī)作再生制動(dòng)運(yùn)行，工作于_第 2,象限。13、請?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱必UL0I1 丨電力晶體管 GTR_;可關(guān)斷晶閘管 GTO；功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT；IGBT是 MOSFETGTR

4、的復(fù)L *1-16、在電流源型逆變器中，電機(jī)負(fù)載，輸出電壓波形為波形為 矩形波波。17、三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在同一橋臂上的上、下二個(gè)幵關(guān)管間進(jìn)行，稱為_ 。導(dǎo)電型19、 由波形系數(shù)可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為iTn等于倍|T(AV),如 果IT(AV)=100 安培，則它允許的有效電流為 安培。通常在選擇晶閘管時(shí)還要留出_倍的裕量。20、三相橋式全控整流電路是由一組共 極三只晶閘管和一組共極的三只晶閘管串聯(lián)后構(gòu)成的，晶閘管的換相是在同一組內(nèi)的元件進(jìn)行的。每隔 _換一次相，在電流連續(xù)時(shí)每只晶閘管導(dǎo)通 _度。要使電路工作正常，必須任何時(shí)刻要有只晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，一個(gè)是共 _ 極的

5、，另一個(gè)是共 _ 極的元件，且要求不是_的兩個(gè)元件。21、為了減小變流電路的開、關(guān)損耗，通常讓元件工作在軟開關(guān)狀態(tài)，軟開關(guān)電路種類很多，但歸納起來可分為_ 與_ 兩大類。22、 提高變流置的功率因數(shù)的常用方法有 _ 、_ 、_ 、_幾種。23、 三相半波可控整流電路電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍 _ ，三相全控橋電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍 _。24、晶閘管是硅晶體閘流管的簡稱，常用的外形有 _與_。25、 選用晶閘管的額定電流時(shí)，根據(jù)實(shí)際最大電流計(jì)算后至少還要乘以 _。26、 晶閘管的導(dǎo)通條件是_。27、 晶閘管的斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓 UDSM與轉(zhuǎn)折電壓 UBO在數(shù)值大小上應(yīng)為 UDSM_小于_

6、UBO。28、 從晶閘管的伏安特性曲線可知，晶閘管具有 _ 的特性。29、 把晶閘管承受正壓起到觸發(fā)導(dǎo)通之間的電角度稱為 _。正弦波波，輸出電流18、當(dāng)溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì)減小正反向漏電流30、 觸發(fā)脈沖可采取寬脈沖觸發(fā)與雙窄脈沖觸發(fā)兩種方法，目前采用較多的是_ 觸發(fā)方法。31、 _ 可控整流電路，是三相可控整流電路最基本的組成形式。33、 三相橋式整流電路中，當(dāng)控制角a=30時(shí)，則在對應(yīng)的線電壓波形上觸發(fā)脈沖距波形原點(diǎn)為_ 。34、 考慮變壓器漏抗的可控整流電路中， 如與不考慮漏抗的相比，則使輸出電壓平均值_。35、 有源逆變器是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能饋送回 _ 的逆變電路。36

7、、 有源逆變產(chǎn)生的條件之一是：變流電路輸出的直流平均電壓Ud的極性必須保證與直流電源電勢 Ed的極性成_ 相連，且滿足|Ud|v|Ed|。38、 載波比（又稱頻率比）K 是 PWM 主要參數(shù)。設(shè)正弦調(diào)制波的頻率為 fr,三角波的頻率為 fc,則載波比表達(dá)式為 K=_。39、 抑制過電壓的方法之一是用 _吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。40、 斬波器的時(shí)間比控制方式分為 _、_ 、_ 三種方式。41、_ 晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有 端、層、個(gè) PN 結(jié)。42、 在螺栓式晶閘管上有螺栓的一端是_ 極。43、 晶閘管的關(guān)斷條件是 _。44、 額定電流為100A 的晶閘管，流過單向正弦全波時(shí)的最

8、大可能平均電流是_。45、 當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不論門極為何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在_狀態(tài)。46、 考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，在換相過程期間，兩個(gè)相鄰的晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，對應(yīng)的電角度稱為_ 。47、 在三相全控橋中，接在同一相的兩個(gè)晶閘管觸發(fā)脈沖的相位應(yīng)相差 _ 。48、 在三相半波可控整流電路中，電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角 _ 時(shí)，電流連續(xù)。51、 三相半波可控整流電路，供電變壓器每相漏感折合到次級的LB為 100H，直流負(fù)載電流 ld= 150A，則換相壓降 UY=_ 。52、 將直流電逆變?yōu)槟骋活l率或可變頻率的交流電直接輸出到 _的過程稱為無源逆變。53、在單相全控橋式變流器

9、控制直流電動(dòng)機(jī)卷揚(yáng)機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)an12時(shí)，電流主要是依靠電動(dòng)勢 Ed來維持的，所以總的能量是電動(dòng)機(jī)回饋給 _。55、 在無源逆變與直接斬波電路中，都必須設(shè)置換流 _ ，強(qiáng)迫導(dǎo)通的晶閘管可靠關(guān)斷。56、 晶閘管元件并聯(lián)時(shí)，要保證每一路元件所分擔(dān)的電流 _。58、_ 晶閘管是三端器件，三個(gè)引出電極分別為：陽極、陰極和 _極。59、 晶閘管的額定電流是用在一定條件下的 _電流來標(biāo)定。60、 為了保證晶閘管可靠與迅速地關(guān)斷，通常在管子陽極電壓下降為零之后，加一段時(shí)間的_電壓。61、 同一晶閘管，維持電流 IH與擎住電流 IL的數(shù)值大小上有 IL_ IH。62、_某晶閘管的型號為KP200-5，其中

10、 200 表示_ ，5 表示_。63、 從晶閘管開始承受正向電壓的到晶閘管導(dǎo)通時(shí)刻的電度角稱為 _ 。64、 為了保證三相全控橋電路能啟動(dòng)工作，觸發(fā)脈沖必須采用 _或_。65、 三相半波整流電路有 _ 和_兩種接法。66、 三相全控橋的共陰極組要求觸發(fā)脈沖以120為間隔，依次在_ 半周觸發(fā)共陰極組的各晶閘管。67、 電阻性負(fù)載三相橋式可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于_ ，設(shè) U2為相電壓有效值。68、在單相全控橋式變流器控制直流電動(dòng)機(jī)卷揚(yáng)機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)中，若使變流器工作于有源逆變狀態(tài)時(shí)，需使控制角 an/2,同時(shí)|Ed|_ |Ud|。70、 電壓型逆變器其中間直流環(huán)節(jié)以 _貯能

11、。71、_晶閘管串聯(lián)時(shí)， 給每只管子并聯(lián)相同的 RC 電路是_措施。72、 晶閘管的三個(gè)電極分別是 _ 、_ 、_。73、 選用晶閘管的額定電壓值應(yīng)比實(shí)際工作時(shí)的最大電壓大 _倍， 使其有 一定的電壓裕量。74、 當(dāng)晶閘管加上正向 _后，門極加上適當(dāng)?shù)?_電壓，使晶閘管導(dǎo)通的過程，稱為觸發(fā)。75、晶閘管和負(fù)載R串聯(lián)，接在正弦交流電源上，晶閘管的額定電流為100A，如果導(dǎo)電角為 90,允許通過的最大電流平均值是 _ 。76、 晶閘管每周期導(dǎo)通的電度角稱晶閘管的 _。77、 電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UTM等于 （設(shè)U2為相電壓有效值）。78、在三相可控整流電路中

12、 ,a0的地方（自然換相點(diǎn)）為相鄰線電壓的交點(diǎn)，它距對應(yīng)線電壓波形的原點(diǎn)為 _ 。79、 三相橋式全控整流電路，電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角 _ 時(shí)，電流連續(xù)。80、對于三相半波可控整流電路，換相重疊角的影響，將使輸出電壓平均值_ 。81、 逆變器可分為無源逆變器和_ 逆變器兩大類。82、 在晶閘管有源逆變電路中，絕對不允許兩個(gè)電源勢 _相連。83、 變流器換流的方式有 _和_兩種。84、 晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻 R 是_ 措施。85 晶閘管除了在門極觸發(fā)下可能導(dǎo)通之外，在以下幾種情況下也可能被觸發(fā)導(dǎo)通：陽極電 壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成 _ 效應(yīng)；陽極電壓_ 過高；結(jié)溫較高和光觸發(fā)

13、。但只有_ 是最精確、迅速而可靠的控制手段。對于其它幾種情況，在晶閘管的應(yīng)用中要采取措施防止因其造成晶閘管誤導(dǎo)通。86、 在 PWM 控制電路中，根據(jù)載波和信號波是否同步及載波比的變化情況，PWM 調(diào)制方式可分為_制和_ 制，_ 制方法克服了以上二者的缺點(diǎn)。87、 設(shè) DC/DC 變換器的 Boost 電路中，E=10V，0=0.5,貝 U Uo=_。88、 整流電路中變壓器漏抗對電路的影響是 _ 、_ _、_ 。89、換流的方式有 _ 、_、_、_ 全控型器件用_ 式換流90、電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)采取的主要保護(hù)措施有: _ 、_ 、_。91、 防止單相橋式半控整流電路失控的最有效方法是

14、 _ 。92、 電力電子器件的主要類型有 _，_ 。93、 晶閘管導(dǎo)通必須同時(shí)具備的兩個(gè)條件，在晶閘管陽極與陰極加足夠 _ ，控制極加適當(dāng)?shù)恼螂妷鹤鳛榫чl管導(dǎo)通的 _ 。94、 通態(tài)平均電流平均值也稱 _ 。95、 KP600-20G 表示額定電流為 _，管壓降為 0.9V 的_。96、單相可控整流電路中，把晶閘管承受正壓起到觸發(fā)導(dǎo)通之間的電度角稱為_ 。97、 三相半波整流電路電阻負(fù)載時(shí)的 a 移相范圍為_ 。98、三相全控是整流電路在任何時(shí)刻必須有兩個(gè)晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，一個(gè)在共陰極組，一個(gè)在共陽極組，才能保證有效的電流通路，其導(dǎo)通順序?yàn)?_ 。99、 在晶閘管單相可控整流電路中“逆變”的含

15、義是 _ 。100、 在可控整流電路中，最小逆變角的范圍是 _ 。101、晶閘管觸發(fā)電路中，脈沖具有足夠的移相范圍，三相全控橋式整流電路電阻負(fù)載要求移相范圍 _，電感性負(fù)載（電流連續(xù)） _，三相橋式可逆變線路在反電勢負(fù)載下，要求移相范圍為 _ 。102、 在半控型器件和全控型器件中，IGBT_ ，各代表的什么器 件的晶體管。103、逆變失敗的原因有：觸發(fā)電路工作不可靠，不能適時(shí)準(zhǔn)確的發(fā)出觸發(fā)脈沖； _;晶閘管質(zhì)量不高或參數(shù)裕量不足； _。104、 在晶閘管的電流額定中，通態(tài)平均電流 |Ta=_，|T=_ 。105、三相半波可控整流電路電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍0o-150o，三相全控橋電阻性

16、負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍0o-120 o,三相半控橋電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍0o-150。106、 變流技術(shù)也稱為電力電子器件的應(yīng)用技術(shù)。107、 電力電子技術(shù)誕生于 1957年，是以美國通用電氣公司研制出第一個(gè)晶閘管 為 標(biāo)志的。108、 通常所用的電力有直流 和 交流 兩種。109、 1947_年，美國著名的貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管_。110、 迄今為止，用于制造電力電子器件的半導(dǎo)體材料仍然是硅。111、 在電化學(xué)工業(yè)中，電解鋁、電解實(shí)驗(yàn)室等都需要大容量的整流電源。112、 經(jīng)多年研究，能夠制造電力電子器件的新材料，有碳化硅、氮化鎵 、砷化鎵 、 金剛石等。113、 在磁懸浮列車中， _

17、技術(shù)是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。114、 相位控制方式和斬波控制方式分別簡稱為相控和_ 斬控_。115、 目前， 碳化硅以其優(yōu)越的性能已經(jīng)獲得了廣泛的應(yīng)用。116、 在電氣機(jī)車中，直流機(jī)車采用 _ 裝置，交流機(jī)車采用 _裝置。117、 通常把交流電變成直流電稱為整流，而把直流電變成交流電稱為逆變_。118、 有源逆變和無源逆變的區(qū)別僅僅在于變流電路的交流側(cè)是否與電網(wǎng)_ 連接。119、 以前的電梯大都采用直流調(diào)速系統(tǒng)，而近年來變頻調(diào)速已成為主流。120、 電力電子電路的換流方式可分為以下四種： _換流、_換流、_換流、_換流。121、 逆變電路根據(jù)直流側(cè)電源的性質(zhì)分類，可以分為電壓型逆變電路和電流 型逆變電

18、路。122、變頻 空調(diào)器 是家用電器中應(yīng)用電力電子技術(shù)的典型例子。123、軟開關(guān)_ 技術(shù)解決了電力電子電路中開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲問題。124、 電力電子器件按照被控制的程度可分為三類：不可控 器件, 半控 型器件,_全控型器件。125、 超導(dǎo)儲(chǔ)能是未來的一種儲(chǔ)能方式，它需要你強(qiáng)大的直流電源供電。126、 電力電子裝置的發(fā)展趨勢是小型化、輕量化。127、 在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔(dān)電能的變換或控制任務(wù)的電路被稱為_。12 8、在電力電子電路中，器件的開關(guān)損耗和開關(guān)頻率之間呈現(xiàn)線性 關(guān)系。129、 PWM 控制技術(shù)在逆變電路中的應(yīng)用最為廣泛。130、 器件換流只適用于全控型器件，其余三種方式重要是針對晶閘管而言的。131、 晶閘管電路的主要控制方式是相控 方式，而全控型器件電路的主要控制方式是 斬控方式。132、 不久的將來，采用碳化硅材料制成的 IGBT 壓降低、損耗小、耐壓高，而且耐高溫也將遠(yuǎn)高于用硅 材料制成的 IGBT。133、在交流一交流變流電路中，通過對晶閘管的控制，不改變其頻率，而調(diào)節(jié)交流電壓、電流或 對電路的通斷進(jìn)行控制，這樣的電路稱為交流電力控制電路。134、如果在交流-交流變流電路中，通過對晶閘管的控制，只改變交流電的頻率，這樣的電路可稱為變頻電路。