材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題匯總

1、1、極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響,可使鍵性由B過渡,最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化.A:共價鍵向離子鍵B:離子鍵向共價鍵C:金屬鍵向共價鍵D:鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中,由于離子的極化作用,通常使正負離子間的距離B,離子配位數(shù).A:增大,降低B:減小,降低C:減小,增大D:增大,增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu),具晶胞分子數(shù)是C.A:5B:6C:4D:3C:全部立方體D:1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu),由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成,具一個單位晶胞中有B個MgO分子.A:2B:4C:6D:87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積,F一填充了DA:八面體空隙的半

2、數(shù)C:全部八面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8,A:2C:69、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,A:2C:6D:810、硅酸鹽晶體的分類原那么是B.A:正負離子的個數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成D:離子半徑11、皓英石ZrSiO4是A.A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代,這種現(xiàn)象稱為C.A:同質(zhì)多品B:有序一無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2SiO4是A.A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)14、對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較,具由大到小的順序為A.4、NaCl單位晶胞中

3、的分子數(shù)為4,A:全部四面體C: 1/2四面體5、CsCl單位晶胞中的分子數(shù)為1,A:全部四面體Na+填充在C所構(gòu)成的B:全部八面體D: 1/2八面體Cs+填充在C所構(gòu)成的B:全部八面體B空隙中.C空隙中.B:四面體空隙的半數(shù)D:全部四面體空隙F-配位數(shù)為B.B:4D:8C的配位數(shù)為D.B:4A:沸石螢石MgOB:沸石MgO螢石C:螢石沸石MgOD:螢石MgO沸石15、根據(jù)鮑林Pauling規(guī)那么,離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時,價陰離子的配位數(shù)為B.A: 2B:4C: 6D:816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的根本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體,兩個相鄰的SiO4四面體之問只能A連接.A:共頂B:共面

4、C:共棱D:A+B+C17、點缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動力學(xué)過程等有關(guān),以下點缺陷中屬于本征缺陷的是D.A:弗侖克爾缺陷B:肖特基缺陷C:雜質(zhì)缺陷D:A+B18、位錯的A是指在熱缺陷的作用下,位錯在垂直滑移方向的運動,結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少.A:攀移B:攀移C:增值D:減少19、對于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價正離子占據(jù)高價正離子位置時,該位置帶有負電荷,為了保持電中性,會產(chǎn)生D.A:負離子空位B:間隙正離子C:間隙負離子D:A或B20、對于形成雜質(zhì)缺陷而言,高價正離子占據(jù)低價正離子位置時,該位置帶有正電荷,為了保持電中性,會產(chǎn)生D.A:正離子空位B:間隙負離子C:負離

5、子空位D:A或B21、形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為D.A:穩(wěn)定品格B:活化品格C:固溶強化D:A+B+C22、固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變,但點陣畸變,性能變化.固溶體有有限和無限之分,其中B.A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件,不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對晶體的性能有重要影響,常見的缺陷為D.A:點缺陷B:線缺陷C:面缺陷D:A+B+C24、根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因,可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為D.A:熱缺陷B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計量缺陷D:A+B+C25、

6、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加,具變化規(guī)律是B.A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無規(guī)律D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體,其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中.討論形成間隙型固溶體的條件須考慮D.A:雜質(zhì)質(zhì)點大小B:晶體基質(zhì)結(jié)構(gòu)C:電價因素D:A+B+C27、位錯的滑移是指位錯在A作用下,在滑移面上的運動,結(jié)果導(dǎo)致永久形變.A:外力B:熱應(yīng)力C:化學(xué)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量BurgersVector與位錯線垂直的位錯稱為(A),其符號表小為().A:刃位錯；!B:刃位錯；VXC:螺位錯；D:刃位錯；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷,是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點原子或離子

7、.當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷Schottkydefect時,B.A:正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負離子間隙是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷,是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點原子或離子.生成弗侖克爾缺陷Frenkeldefect時,A.A:間隙和空位質(zhì)點同時成對出現(xiàn)B:正離子空位和負離子空位同時成對出現(xiàn)C:正離子間隙和負離子間隙同時成對出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn)31、

8、位錯的具有重要的性質(zhì),以下說法不正確的選項是C.A:位錯不一定是直線B:位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯可以中斷于晶體內(nèi)部D:位錯不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯的運動包括位錯的滑移和位錯的攀移,其中AA:螺位錯只作滑移,刃位錯既可滑移又可攀移B:刃位錯只作滑移,螺位錯只作攀移C:螺位錯只作攀移,刃位錯既可滑移又可滑移D:螺位錯只作滑移,刃位錯只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度數(shù)量受A:組成B:溫度C:時間D:A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時,隨溫度升高,低聚物數(shù)量C,粘度A:降低；增加B:不變；降低C:增加；降低D:增加；不變35、當(dāng)溫度不變時,熔體組成的O/Si比高,低聚

9、物C,粘度A:降低；增加C:增加；降低36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而A:增大,降低C:增大,增大37、由結(jié)晶化學(xué)觀點知,具有AA:極性共價鍵C:共價鍵38、N%OAI2O34SiO2熔體的橋氧數(shù)為D.A:1C:3D:439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為B.A:2.5B:3C:3.5D:440、如果在熔體中同時引入一種以上的R2O時,粘度比等量的一種R2O高,這種現(xiàn)象為B.A:加和效應(yīng)B:混合堿效應(yīng)C:中和效應(yīng)D:交叉效應(yīng)41、對普通硅酸鹽熔體,隨溫度升高,外表張力將A.A:降低B:升高C:不變D:A或B42、熔體的組成對熔體的外表張力有很重要的影響,一般情況下,

10、O/Si減小,外表張力將A.A:降低B:升高C:不變D:A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是C的過程.D因素的影響B(tài):不變；降低D:增加；不變B,隨溫度下降而B:降低,增大D:降低,降低的氧化物容易形成玻璃.B:離子鍵D:金屬鍵B:2A:可逆與突變B:不可逆與漸變C:可逆與漸變D:不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時,玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有C.A:突變性B:不變性C:連續(xù)性D:A或B45、熔體組成對熔體的外表張力有重要的影響,一般情況下,O/Si減小,外表張力將A.A降低B升高C不變DA或B46、不同氧化物的熔點 TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值Tg/TM接近B易形成玻璃.A:二分之一B

11、:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三TTime-Temperature-Transformatiori曲線來討論玻璃形成的動力學(xué)條件,三T曲線前端即鼻尖對應(yīng)析出10一6體積分數(shù)的晶體的時間是最少的,由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率,通常,該臨界冷卻速率愈大,那么系統(tǒng)形成玻璃A.A:愈困難C:質(zhì)量愈好48、 不同O/Si比對應(yīng)著一定的聚集負離子團結(jié)構(gòu),形成玻璃的傾向大小和熔體中負離子團的聚合程度有關(guān).聚合程度越低,形成玻璃 A .A:越不容易B:越容易D:質(zhì)量愈差C的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時,對形成玻A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù),玻璃

12、的很多性質(zhì)取決于Y值.在形成玻璃范圍內(nèi),隨Y的增大,粘度D,膨脹系數(shù).A:增大；不變B:降低；增大C:不變；降低D:增大；降低50、 對于實際晶體和玻璃體,處于物體外表的質(zhì)點,其境遇和內(nèi)部是不同的,外表的質(zhì)點處于A的能階,所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì).A:較高B:較低C:相同D:A或C51、 由于固相的三維周期性在固體外表處忽然中斷,外表上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、下位移,稱為B.A:外表收縮B:外表弛豫C:外表滑移D:外表擴張52、 固體的外表能與外表張力在數(shù)值上不相等,一般說來,同一種物質(zhì),具固體的外表能B液體的外表能.53、重構(gòu)外表是指外表原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)層間距與

13、體內(nèi)A0A:不同；相同C:相同；不同B:愈容易D:質(zhì)量愈差C:質(zhì)量愈好49、 當(dāng)熔體中負離子集團以 璃有利.B:相同；相同D:不同；不同,垂直方向的A:小于54、粘附劑與被粘附體間相溶性C,粘附界面的強度.A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不變55、 離子晶體MX在外表力作用下,極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的品格位置,易極化的負離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動,從而形成外表 C,這種重排的結(jié)果使晶體外表能量趨于穩(wěn)定.A:收縮B:弛豫C:雙電層D:B+C56、 外表微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生,微裂紋同樣會強烈地影響外表性質(zhì),對于脆性材料的強度這種影響尤為重要,微裂紋長

14、度,斷裂強度A.A:越長；越低B:越長；越高C:越短；越低D:越長；不變57、界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響,界面具有D的特性.B:界面上原子擴散速度較快D:A+B+C液體的內(nèi)聚功,液體即可在固體外表自B:大于D:等于時,即在潤濕的前提下,外表粗糙化后,液B:不變D: A或B時,即在不潤濕的前提下,外表粗糙化后,B:不變D:A或B-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度,粘附功數(shù)值；相反,粘附功越小,那么越易別離.A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越小；越牢固D:越大；不變62、 為了提升液相對固相的潤濕性,在固-氣和液-氣界面張力不變時,必須使液-固界面張力B.A:降低B:升高C:保持不變D:有時升高,

15、有時降低63、對于附著潤濕而言,附著功表示為W=rSV+禮V-L,根據(jù)這一原理,A才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固.A:盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)B:盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)C:采用在高溫時不發(fā)生固相反響的兩相系統(tǒng)A:會引起界面吸附C:對位錯運動有阻礙作用58、只要液體對固體的粘附功B開展開.A:小于C:小于等于59、 當(dāng)液體對固體的潤濕角990液體與固體之間的潤濕A.A:更難C:更易61、粘附功數(shù)值的大小,標(biāo)志著周B,固-液兩相互相結(jié)合D:前三種方法都不行64、將高外表張力的組分參加低外表張力的組分中去,那么外加組分在外表層的濃度C體積內(nèi)部的濃度.B:大于D:A或B65、 外表微裂紋是

16、由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生,微裂紋同樣會強烈地影響外表性質(zhì),對于脆性材料的強度這種影響尤為重要,微裂紋長度A,斷裂強度.A:越長；越低C:越短；越低66、吸附膜使固體外表張力BA:增大C:不變67、粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：CA:固體外表越粗糙,越易被潤濕B:固體外表越粗糙,越不易被潤濕C:不一定D:粗糙度對潤濕性能無影響68、以下關(guān)于晶界的說法哪種是錯誤的.AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B:晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C:晶界是原子、空位快速擴散的主要通道D:晶界易受腐蝕69、 相平衡是指在多相體系中,物質(zhì)在各相間分布的平衡.相平衡時,各相的組成及數(shù)量均不會隨時間而改變,

17、是C.A:絕對平衡B:靜態(tài)平衡C:動態(tài)平衡D:暫時平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3,而最大的自由度數(shù)為A.A:2C:4D:571、 熱分析法是相平衡的研究方法之一,其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化,該方法的特點是D.B:越長；越高D:越長；不變B:減小D:A或BB:3A:低于B:高于C:等于D:A或B75、在熱力學(xué)上,每一個穩(wěn)定相有一個穩(wěn)定存在的溫度范圍,超過這個范圍就變成介穩(wěn)相.在一定溫度下,穩(wěn)定相具有C的蒸汽壓.A:最高B:與介穩(wěn)相相等C:最低D:A或B76、多品轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律,系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的,而是依

18、次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài),最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài).最終存在的晶相由D決定.A:轉(zhuǎn)變速度B:冷卻速度C:成型速度D:A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中,相界線上的自由度為C.A:3B:2C:1D:078、根據(jù)杠杠規(guī)那么,在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中,如果一個總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量Gi和G2的兩個相,那么生成兩個相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個新生相的組成點之間線段BoA:成正比B:成反比C:相等D:A或C79、三元相圖中,相界線上的自由度為C.A:3B:2C:1D:080、固體中質(zhì)點的擴散特點為：D.A:需要較高溫度B:各向同性C:各向異性D:A+C81、在離子型材料中,影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷

19、與不等價置換產(chǎn)生的點缺陷,后者引起的擴散為C.A:互擴散B:無序擴散C:非本征擴散D:本征擴散82、固體中質(zhì)點的擴散特點為：DA:需要較高溫度B:各向同性A:簡便C:能確定相變前后的物相72、 淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法,A:準(zhǔn)確度高C:適用于相變速度快的系統(tǒng)73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多品現(xiàn)象,A:低于C:等于74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度B:測得相變溫度僅是一個近似值D:A+B其特點是D.B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)D:A+B多晶轉(zhuǎn)變溫度A兩種晶型的熔點B:高于D:A或BB種晶型的熔點.C:各向異性D:A+C83、擴散之所以能進行,在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在A.A:化學(xué)位梯度B:濃度梯

20、度C:溫度梯度D:壓力梯度84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴散的活化能有較大影響.那么H、C、Cr在TFe中擴散的活化能的大小順序為B.A:QHQCQCrB:QCrQCQHD:QCrQHQC85、晶體的外表擴散系數(shù)Ds、界面擴散系數(shù)Dg和體積擴散系數(shù)Db之間存在A的關(guān)系.A:DsDgDbC:DgDsDbD:DgDsDb86、在離子型材料中,影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷和摻雜點缺陷.由它們引起的擴散分別稱為B.A:自擴散和互擴散B:本征擴散和非本征擴散C:無序擴散和有序擴散D:穩(wěn)定擴散和不穩(wěn)定擴散87、穩(wěn)定擴散穩(wěn)態(tài)擴散是指在垂直擴散方向的任一平面上,單位時間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)

21、B.A:隨時間而變化B:不隨時間而變化C:隨位置而變化D:A或B88、不穩(wěn)定擴散不穩(wěn)態(tài)擴散是指擴散物質(zhì)在擴散介質(zhì)中濃度隨A.A:隨時間和位置而變化B:不隨時間和位置而變化C:只隨位置而變化D:只隨時間而變化89、菲克Fick第一定律指出,擴散通量與濃度梯度成正比,擴散方向與濃度梯度方向C.B:無關(guān)D:前三者都不是空位擴散三種機制中,其擴散活化能的大小為A:易位擴散二間隙擴散空位擴散C:易位擴散間隙擴散空位擴散91、一般晶體中的擴散為D.A:空位擴散C:易位擴散92、由肖特基缺陷引起的擴散為AA:本征擴散C:正擴散93、 空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子,散機制適用于C的擴散.A:各種類型

22、固溶體C:置換型固溶體C:QCQHQCrB:DbDgDsA:相同C:相反90、由于處于品格位置和間隙位置的粒子勢能的不同在易位擴散、間隙擴散和B:易位擴散間隙擴散二空位擴散D:易位擴散間隙擴散空位擴散B:間隙擴散D:A和BB:非本征擴散D:負擴散而原子反向遷入空位,這種擴B:間隙型固溶體D:A和B94、擴散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系,擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)A,擴散.A:越緊密；越困難B:越疏松；越困難C:越緊密；活化能越小D:越疏松；活化能越大95、不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu),其擴散難易程度不同,間隙型固溶體比置換型D.A:難于擴散B:擴散活化能大C:擴散系數(shù)小D:容易擴散96、擴散相與擴散介質(zhì)性質(zhì)

23、差異越大,B.A:擴散活化能越大B:擴散系數(shù)越大C:擴散活化能不變D:擴散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時對擴散有重要的影響,主要是通過D,使得擴散系數(shù)增大.A:增加缺陷濃度B:使晶格發(fā)生畸變C:降低缺陷濃度D:A和B98、通常情況下,當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時,其在高溫條件下引起的擴散主要是AoA:本征擴散B:非本征擴散C:互擴散D:A+B99、按熱力學(xué)方法分類,相變可以分為一級相變和二級相變,一級相變是在相變時兩相化學(xué)勢相等,其一階偏微嫡不相等,因此一級相變B.A:有相變潛熱,無體積改變B:有相變潛熱,并伴隨有體積改變C:無相變潛熱,并伴隨有體積改變D:無相變潛熱,無體積改變100、二級相變是指在相變時兩相化學(xué)勢