模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第9講場效應(yīng)管及其放大電路

1、第九講第九講 場效應(yīng)管及其放大電路場效應(yīng)管及其放大電路一、場效應(yīng)管一、場效應(yīng)管二、場效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點二、場效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點的設(shè)置方法的設(shè)置方法三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析四、復合管四、復合管晶體管是一種電流控制元件晶體管是一種電流控制元件(iB iC)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為雙極型器件。都參與運行，所以被稱為雙極型器件。 場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（Field Effect Transistor簡稱簡稱FET）是一種電壓控）是一種電壓控制器件制器件(uGS iD) ，只有一種載流子參與導電，因此它是單極，只有

2、一種載流子參與導電，因此它是單極型器件。型器件。 FET因其制造工藝簡單，功耗小，溫度特性好，輸入電因其制造工藝簡單，功耗小，溫度特性好，輸入電阻極高等優(yōu)點，得到了廣泛應(yīng)用。阻極高等優(yōu)點，得到了廣泛應(yīng)用。增強型增強型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道FET分類：分類： 絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管一、場效應(yīng)管一、場效應(yīng)管（以（以N溝道為例）溝道為例） 場效應(yīng)管有三個極：源極（場效應(yīng)管有三個極：源極（s）、柵極（、柵極（g）、漏極（）、漏極（d），），對應(yīng)于晶體管的對應(yīng)于晶體管的e、b、c；有；有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、三個工作

3、區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于可變電阻區(qū)，對應(yīng)于晶體晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。（一）（一）. 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管導電導電溝道溝道源極源極柵極柵極漏極漏極符號符號結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖柵極正向偏置柵極正向偏置時電流方向時電流方向 絕緣柵型場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，簡稱簡稱MOSFET。分為：。分為： 增強型增強型 N溝道、溝道、P溝道溝道 耗盡型耗盡型 N溝道、溝道、P溝道溝道 1.N N溝道增強型溝道增強型MOSMOS管管（1）結(jié)構(gòu)與符號）結(jié)構(gòu)與符號 4個引出端：漏極個引出端：漏極

4、D，源極源極S，柵極，柵極G和和 襯底襯底B-N+NP襯底sgdb源極柵極漏極襯底（二）（二）. 絕緣柵型場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管高摻雜高摻雜耗盡層耗盡層SiO2絕緣層絕緣層(2) 工作原理工作原理+ uGS=0情況情況 由結(jié)構(gòu)圖可見由結(jié)構(gòu)圖可見，N+型漏區(qū)和型漏區(qū)和N+型源區(qū)之間被型源區(qū)之間被P型型襯底隔開，漏極和源極之間是兩個背靠背的襯底隔開，漏極和源極之間是兩個背靠背的PN結(jié)結(jié)。SD 當柵源電壓當柵源電壓UGS = 0 時時，不管漏極和源極之間所不管漏極和源極之間所加電壓的極性如何，其加電壓的極性如何，其中總有一個中總有一個PN結(jié)是反向結(jié)是反向偏置的，反向電阻很高，偏置的，反向電阻很高，

5、漏極電流近似為零漏極電流近似為零。 uGS增大，反型層（導電溝道）將變厚變長。當增大，反型層（導電溝道）將變厚變長。當反型層將兩個反型層將兩個N區(qū)相接時，形成導電溝道。區(qū)相接時，形成導電溝道。襯底襯底空穴空穴反型層反型層大到一定大到一定值才開啟值才開啟 u uDSDS=0,=0,u uGSGS0 0 情況情況在一定的漏在一定的漏源電壓源電壓UDS下，使管子由不導通變?yōu)橄?，使管子由不導通變?yōu)閷ǖ呐R界柵源電壓稱為開啟電壓導通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓UGS(thth）。 漏源電壓漏源電壓u uDSDS對漏極電流對漏極電流i id d的控制作用的控制作用 用場效應(yīng)管組成放大電路時應(yīng)使之工作在恒流區(qū)

6、。用場效應(yīng)管組成放大電路時應(yīng)使之工作在恒流區(qū)。 uds=0時，時，id=0。iD隨隨uDS的增大而的增大而增大，可變電阻增大，可變電阻區(qū)區(qū) uGDUGS（th）,預(yù)夾斷預(yù)夾斷 iD幾乎僅僅幾乎僅僅受控于受控于uGS，恒，恒流區(qū)流區(qū)剛出現(xiàn)夾斷剛出現(xiàn)夾斷uDS的增大幾乎全部用的增大幾乎全部用來克服夾斷區(qū)的電阻來克服夾斷區(qū)的電阻（3 3）特性曲線）特性曲線 四個區(qū)：四個區(qū)：（a）可變電阻區(qū)）可變電阻區(qū)（預(yù)夾斷前）。（預(yù)夾斷前）。 輸出特性曲線：輸出特性曲線：iD=f(uDS) uGS=常量常量i(V)(mA)DDSuGS=6Vuu=5VGS=4VuGSu=3VGS（b）恒流區(qū)也稱飽和）恒流區(qū)也稱飽和

7、 區(qū)（預(yù)夾斷區(qū)（預(yù)夾斷 后）。后）。 （c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。 （d）擊穿區(qū)。）擊穿區(qū)?？勺冸娮鑵^(qū)可變電阻區(qū)恒流區(qū)恒流區(qū)截止區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)擊穿區(qū) 轉(zhuǎn)移特性曲線：轉(zhuǎn)移特性曲線： i iD D= =f f( (u uGSGS) ) u uDSDS= =常量常量 可根據(jù)輸出特性曲線作出轉(zhuǎn)移特性曲線?？筛鶕?jù)輸出特性曲線作出轉(zhuǎn)移特性曲線。例：作例：作u uDSDS=10V=10V的一條轉(zhuǎn)移特性曲線：的一條轉(zhuǎn)移特性曲線：i(mA)DGS=6Vuu=5VGS=4VuGSu=3VGSuDS(V)Di(mA)10V12341432(V)uGS246UGS（th）DGS(th)GSDOGS(t

8、h)GSDODiUuIUuIi時的為式中在恒流區(qū)時，2) 1(2 一個重要參數(shù)一個重要參數(shù)跨導跨導gm： gm= iD/ uGS uDS=常量常量 (單位單位mS) gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上，在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。為的曲線的斜率。 在輸出特性曲線上也可求出在輸出特性曲線上也可求出gm。1(mA)DSu=6V=3VuuGS(V)1D624i43=5V(mA)243iDGS210V(V)uGSiDGSuiDN型襯底型襯底P+P+GSD符號：符號：結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)2.P2.P溝道增強型溝道增強型 SiO2絕緣

9、層絕緣層加電壓才形成加電壓才形成 P型導電溝道型導電溝道3. 耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管GSD符號：符號：如果如果MOS管在制造時導電溝道就已形成，稱為耗盡型場管在制造時導電溝道就已形成，稱為耗盡型場效應(yīng)管。效應(yīng)管。(1 ) N溝道耗盡型管溝道耗盡型管SiO2絕緣層中絕緣層中摻有正離子摻有正離子預(yù)埋了預(yù)埋了N型型 導電溝道導電溝道 由于耗盡型場效應(yīng)管預(yù)埋了導電溝道，所以在由于耗盡型場效應(yīng)管預(yù)埋了導電溝道，所以在UGS= 0時，時，若漏若漏源之間加上一定的電壓源之間加上一定的電壓UDS，也，也會有漏極電流會有漏極電流 ID 產(chǎn)生。產(chǎn)生。當當UGS 0時，使導電溝道變寬，時，使導電溝

10、道變寬， ID 增大；增大； 當當UGS 0時，使導電溝道變窄，時，使導電溝道變窄， ID 減??；減?。?UGS負值愈高，溝道愈窄，負值愈高，溝道愈窄， ID就愈小。就愈小。 當當UGS達到一定達到一定負值時，負值時，N型導電溝道消失，型導電溝道消失，ID= 0，稱為場效應(yīng)管處于夾斷狀態(tài)（即截止）。稱為場效應(yīng)管處于夾斷狀態(tài)（即截止）。這時的這時的UGS稱為夾斷電壓，用稱為夾斷電壓，用UGS(off(off）表示。表示。 (2)(2)耗盡型耗盡型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線 漏極特性曲線：漏極特性曲線：u DSUGS=0UGS0OiD/mA16201248121648轉(zhuǎn)移特性曲線：轉(zhuǎn)

11、移特性曲線：夾斷電壓夾斷電壓2GS(off)GSDSSD)1 (UuIi(3) P 符號：符號：GSD預(yù)埋了預(yù)埋了P P型型 導電溝道導電溝道SiO2絕緣層中絕緣層中摻有負離子摻有負離子GSDGSDN溝道溝道GSDGSDP溝道溝道場效應(yīng)管的分類場效應(yīng)管的分類工作在恒流區(qū)時工作在恒流區(qū)時g-s、d-s間的電壓極性間的電壓極性)0(P)0(N)00(P)00(N)00(P)00(NDSGSDSGSDSGSDSGSDSGSDSGS極性任意，溝道極性任意，溝道耗盡型，溝道，溝道增強型絕緣柵型，溝道，溝道結(jié)型場效應(yīng)管uuuuuuuuuuuu20020 mA/V51m g421010 1471010 對應(yīng)

12、電極對應(yīng)電極 BEC GSD各種各種場效應(yīng)場效應(yīng)管導通時工作在恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的條件管導通時工作在恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的條件二、場效應(yīng)管靜態(tài)工作點的設(shè)置方法二、場效應(yīng)管靜態(tài)工作點的設(shè)置方法 1. 基本共源放大電路基本共源放大電路 根據(jù)場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件，在根據(jù)場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件，在g-s、d-s間間加極性合適的電源加極性合適的電源dDQDDDSQGS(th)GGDODQGGGSQRIVUUVIIVU2) 1(2. 分壓式偏置電路分壓式偏置電路sDQSQDDg2g1g1AQGQRIUVRRRUU2) 1(GS(th)GSQDODQUUII)(sdDQDDDSQRRIVU即典型的即

13、典型的Q點穩(wěn)定電路點穩(wěn)定電路三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析 1. 場效應(yīng)管的交流等效模型場效應(yīng)管的交流等效模型DSGSDmUuig近似分析時可認近似分析時可認為其為無窮大！為其為無窮大！根據(jù)根據(jù)iD的表達式或轉(zhuǎn)移特性可求得的表達式或轉(zhuǎn)移特性可求得gm。與晶體管的與晶體管的h參數(shù)等效模型類比：參數(shù)等效模型類比：2. 基本共源放大電路的動態(tài)分析基本共源放大電路的動態(tài)分析doidmgsddioRRRRgURIUUAu3. 基本共漏放大電路的動態(tài)分析基本共漏放大電路的動態(tài)分析ismsmsdgssdio1RRgRgRIURIUUAu基本共漏放大電路輸出電阻的分析基本共漏放大電路輸出電阻的分析msomsooooo1gRUgRUUIUR若若Rs=3k，gm=2mS，則Ro=?四、四、復合管復合管復合管的組成：多只管子合理連接等效成一只管子。復合管的組成：多只管子合理連接等效成一只管子。21)1)(1 (211BE ii 不同類型的管子復合不同類型的管子復合后，其類型決定于后，其類型決定于T1