VoLTE MOS優(yōu)化思路及方法

1、一、VoLTE語音MOS采樣點機制VoLTE語音MOS采樣機制如下：（1）主叫起呼，進行錄音（8s左右）；（2）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第1個MOS采樣點（8s）；（3）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第1個MOS采樣點（8s）；（4）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第2個MOS采樣點（8s，與第1個采樣點間隔16s）；（5）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第2個MOS采樣點（8s，與第1個采樣點間隔16s）；（6）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第3個MOS采樣點（8s），如此類推二、VoLTE語音MOS優(yōu)化分析方法1、MOS差的問題點定位測試log單次通話連續(xù)兩個采樣點MOS值小于3的問題點定義為MO

2、S差的問題點。注意事項：需剔除通話結(jié)束的最后一個采樣點與下次通話第一個采樣點的MOS值都小于3的問題點。2、MOS優(yōu)化分析方法 由MOS采樣點機制可以看出，MOS采樣點收集的是采樣時間點前8秒的語音質(zhì)量，所以在分析的時候，需著重分析MOS采樣時間前8秒UE本端的下行（包括：無線環(huán)境、語音編碼、抖動、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等），以及對端的上行（包括：頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等）。三、VoLTE語音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路1、MOS值的影響因素MOS值的直接影響因素為：端到端時延、抖動、丟包；VoLTE端到端時延可以分解為：UE語音編/解碼時延、空口傳輸時延、核心網(wǎng)

3、的處理時延、傳輸網(wǎng)的傳輸時延。丟包和抖動的影響因素包括：空口信號質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動。故將以上因素分解后，MOS的影響因素包括：語音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測試終端、人為操作失誤等。2、MOS值的優(yōu)化思路結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測試時遇到的MOS問題，共總結(jié)出四類問題點類型：無線問題、基站異常、測試規(guī)范和設(shè)備、核心網(wǎng)/傳輸。在分析MOS問題時，我們首先要考慮基站是否正常工作，其次考慮測試是否規(guī)范、測試設(shè)備是否正常，再次判斷是否為無線問題造成的，最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。因此我們在分析MOS問題時，應(yīng)該按以下步驟進行M

4、OS優(yōu)化：（1）基站問題： 是指問題路段中心經(jīng)緯度150米以內(nèi)的基站及主瓣65度范圍的小區(qū)，若存在基站負(fù)荷過大、影響業(yè)務(wù)的告警、斷站等問題，必將影響MOS值。處理方法：在測試前確?；菊９ぷ鳌０咐?：基站故障導(dǎo)致MOS值低問題描述：車輛由南向北行駛至清風(fēng)路與兩河大道交叉路口，UE占用金牛清淳一街-SCDHLS3HM3JN-D2的信號，無線環(huán)境RSRP為-116.81dbm,SINR為-2.5，MOS值1.14，經(jīng)測試數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)UE未能收到距離清風(fēng)路與兩河大道交叉路口50米的華力汽車公司車隊-SCDHLD3HM2GX站點信號，經(jīng)查詢告警得知，發(fā)現(xiàn)該站點網(wǎng)元斷鏈，因而導(dǎo)致該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象

5、，最終導(dǎo)致MOS值差。處理建議：建議處理華力汽車公司車隊-SCDHLD3HM2GX站點故障。案例2：基站負(fù)荷過大，導(dǎo)致MOS值低問題描述：無線環(huán)境較好（RSRP為-95dBm左右，SINR為10左右），無頻繁切換；但MOS打點前8s主被叫占用電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5，抖動和丟包均比較異常（RTP Jitter為992ms，RTP Loss Rate為3.99%），后臺查詢電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5問題發(fā)生時間點15分鐘粒度的上行PRB峰值利用率為65.145%，上行PRB平均利用率為45.949%，初步判斷為基站負(fù)荷過大導(dǎo)致調(diào)度不及時，從而影響了MOS值。處理建議

6、：解決電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5負(fù)荷過大的問題。（2）測試規(guī)范/測試設(shè)備：包括MOS設(shè)備調(diào)試造成的MOS設(shè)備性能低、MOS差、音頻線松動、終端異常等。處理方法：在測試前確保MOS設(shè)備正常工作、事先調(diào)試好MOS值、音頻線插緊、檢查終端等。案例1：調(diào)試MOS導(dǎo)致MOS值低問題描述：周圍站點狀態(tài)正常，無線環(huán)境良好；本次問題發(fā)生在1月25日下午第一個正式log的第1次至第3次呼叫，連續(xù)21個MOS值均低于1.5（覆蓋較好，無干擾和故障），車輛一直停留在北京華聯(lián)雙橋店門口，第4次起呼MOS值恢復(fù)正常，初步判斷為當(dāng)天下午剛開始測試時MOS設(shè)備有問題導(dǎo)致。處理建議：建議按測試規(guī)范進行測試，測試

7、前確保MOS設(shè)備正常工作。案例2： 無線環(huán)境良好，MOS采樣點前8s信令丟失問題描述：周圍站點狀態(tài)正常，無線環(huán)境良好；主叫9:29：35發(fā)起INVITE請求，9:32:28出現(xiàn)低MOS，分析主叫前8s測試數(shù)據(jù)，此時占用春良賓館-SCDHLD3HM3JJ-F3，此時RSRP=-87.25dbm，SINR=17，9:32:20至9:32:28主叫無信令交換，查看9:32:20無RTP丟包異常，RTP抖動正常，分析被叫LOG，無信令。初步判斷為終端問題導(dǎo)致MOS差。處理建議：建議按測試規(guī)范進行測試，測試前確保UE終端正常工作。（3）無線問題：主要包括弱覆蓋（RSRP<-100dBm，SINR&

8、lt;0）、質(zhì)差（RSRP>-100dBm，SINR<0）、頻繁切換等。引起弱覆蓋的原因包括：周邊缺站（需新規(guī)劃）、已規(guī)劃站點但未建設(shè)、周邊基站故障、室分泄露、鄰區(qū)漏配、切換參數(shù)不當(dāng)。質(zhì)差包括弱覆蓋質(zhì)差和強覆蓋質(zhì)差，前者優(yōu)先處理弱覆蓋，后者通常是由MOD3干擾、GPS失步引起的干擾、外部干擾等干擾引起的。頻繁切換通常是由于網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不合理、天饋接反、切換參數(shù)設(shè)置不當(dāng)造成的。案例1：周邊缺站（需新規(guī)劃），弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低問題描述：測試車輛在川建路由西向東行駛，主被叫占用靈潤路8號-SCDHLD3HM3JN-F1、鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN-D3通話（RSRP-94-1

9、15、SINR-915）鄰區(qū)無更好接續(xù)小區(qū)，該路段為弱覆蓋（連續(xù)覆蓋路段約180米RSRP-105），無線環(huán)境差導(dǎo)致低MOS（時間為14:58:30至14:58:41、14:59:11至14:59:45）。該路段鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN與匯澤路-SCDHLS3HM3JN站間距為600米左右，站間距過大不能夠保證有效覆蓋；周邊無規(guī)劃站點。處理建議：建議在川建路新建站點（經(jīng)度104.06242，緯度30.73527）案例2：已規(guī)劃站點未建設(shè)，弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低問題描述：主叫UE在成雙大道占用桐希亨-SCDHLS1HM1WH-D3時MOS低，在16:09:49的MOS統(tǒng)計為2.07

10、6，16秒后在16:10:04的MOS統(tǒng)計為1.401，UE所在路段周邊小區(qū)的RSRP均在-105dbm左右,屬于覆蓋不足，核實在覆蓋較差路段已有規(guī)劃L3HZ156054簇橋老農(nóng)管站，但未開通站點。處理建議：建議盡快開通站點L3HZ156054簇橋老農(nóng)管站。案例3：周邊站點故障，弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低問題描述：在一環(huán)路北一段路段被叫占用匯龍灣廣場-SCDHLS3HM3JN-F2小區(qū)（RSRP=-109dBm SINR=-10），通過查詢發(fā)現(xiàn)離問題路段最近的友納克酒店-SCDHLS0HM1JN站點斷站；處理建議：盡快恢復(fù)友納克酒店-SCDHLS0HM1JN站點故障。案例4：室分泄露，弱覆蓋導(dǎo)致MO

11、S值低問題描述：問題點前從“香伯倫酒店-SCDHLS0HM1JJ-D1”（RSRP為-101dBm，SINR為9）切換至室分小區(qū)“長城錦苑-SCDHLS4WM3JJ-F1”（RSRP為-90dBm），之后由于無法切換出至室外宏站，弱覆蓋導(dǎo)致MOS值偏低。處理建議：處理室分小區(qū)“長城錦苑-SCDHLS4WM3JJ-F1”的室分外泄問題。案例5：鄰區(qū)漏配，弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低問題描述：周圍站點狀態(tài)正常；UE沿八里橋路至南向北后右過程中，由于2016/1/25測試時查看八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1到路段覆蓋站點鳳儀東路東端沒有添加鄰區(qū)關(guān)系，被叫UE占用八里橋路燈桿F-SCDHLD4

12、HM3CH-F1（RSRP=-103dBm SINR=-10），無法發(fā)生切換到合適的小區(qū)，被叫電平質(zhì)量較差且出現(xiàn)呼叫重建導(dǎo)致MOS質(zhì)差處理建議：添加八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1到鳳儀東路東端站點所有小區(qū)的鄰區(qū)關(guān)系。案例6：切換參數(shù)不當(dāng)，弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低問題描述：周圍站點狀態(tài)正常；輛沿新航路從西南向東北行駛，UE占用匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1的信號RSRP為-96dbm左右，SINR10.4左右，MOS值為1.52.隨著車輛繼續(xù)行駛且信號不斷減弱，而順康電子-SCDHLS1HM1GX-F1的電平到達了-83dbm左右都未能與匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM

13、2GX-F1發(fā)生切換，因此因匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1與順康電子-SCDHLS1HM1GX-D切換不及時引起MOS值差；處理建議：建議將匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1到順康電子-SCDHLS1HM1GX-F1的小區(qū)偏移量CIO由0調(diào)整到6dB，加快兩者之間的切換。案例7：切換參數(shù)設(shè)置不當(dāng)，頻繁切換導(dǎo)致MOS值低問題描述：周圍站點狀態(tài)正常；測試車輛行駛至靜渝路，由北向南行駛，主叫占用沙河農(nóng)牧市場-SCDHLD3HM3JJ-F2小區(qū)，切換至異頻小區(qū)千禧汽修廠-SCDHLS1HM1JJ-D2小區(qū)，測試車輛繼續(xù)向南行駛RSRP電平衰減至-95dBm，回切至異頻沙河農(nóng)牧市

14、場-SCDHLD3HM3JJ-F2小區(qū)，頻繁異頻切換導(dǎo)致低MOS.處理建議：測試時沙河農(nóng)牧市場-SCDHLD3HM3JJ-F2在RSRP=-88dBm觸發(fā)異頻切換A4事件，建議將基于A4的A2門限調(diào)整為-100dBm。案例8：網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不合理，頻繁切換導(dǎo)致MOS值低問題描述：周圍站點狀態(tài)正常；UE在“人和商務(wù)樓-SCDHLS1HM1QY-D5”和“煤建公司-VCDHLS1HM1QY-D3”兩個同頻小區(qū)之間頻繁切換，有異常丟包；問題路段為兩個小區(qū)的中間位置。處理建議：對“人和商務(wù)樓-SCDHLS1HM1QY-D5”和“煤建公司-VCDHLS1HM1QY-D3”進行RF優(yōu)化，緩解兩者間的頻繁切換。案

15、例9：越區(qū)形成MOD3干擾，SINR差導(dǎo)致MOS值低問題描述：周圍站點狀態(tài)正常；服務(wù)小區(qū)為“東郊分局-VCDHLS0HM1JJ-D1”（頻點為37900，PCI=262，RSRP為-76.75dBm），鄰區(qū)存在MOD3干擾小區(qū)“創(chuàng)意倉庫-SCDHLS1HM1JJ-D1”（頻點為37900，PCI=97，RSRP為-83.38dBm），導(dǎo)致MOS值偏低。處理建議： “創(chuàng)意倉庫-SCDHLS1HM1JJ-D1”離問題路段較遠(yuǎn)（有越區(qū)的情況），建議下壓問題小區(qū)“創(chuàng)意倉庫-SCDHLS1HM1JJ-D1”的下傾角，控制其在問題路段的覆蓋。案例10：近距離小區(qū)間MOD3干擾，SINR差導(dǎo)致MOS值低問題

16、描述：周圍站點狀態(tài)正常；測試車輛行駛至靜安路，由北向南行駛，主叫占用如家靜安店-SCDHLD3HM3JJ-F2（PCI=106 RSRP=-87dBm SINR=-0.3)小區(qū)，與近距離小區(qū) 校園春天-SCDHLD3HM3JJ-F2（PCI=361 RSRP=-86dBm)小區(qū)之間存在模3干擾，SINR為-10dB左右，導(dǎo)致低MOS。處理建議：建議將如家靜安店-SCDHLD3HM3JJ-F2和校園春天-SCDHLD3HM3JJ-F2進行PCI優(yōu)化，解決MOD3問題。案例11：天饋接反形成MOD3干擾，SINR差導(dǎo)致MOS值低問題描述：該處被叫占用高新南凱德世紀(jì)名邸-SCDHLS3HM2GX-D

17、1小區(qū)信號，RSRP=-93dBm SINR=-12dB，PCI=270，鄰區(qū)內(nèi)有天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)信號，RSRP=-81dBm，PCI=165，沒有切換到該小區(qū)，查詢后臺網(wǎng)管發(fā)現(xiàn)高新南凱德世紀(jì)名邸-SCDHLS3HM2GX-D1和天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)的鄰區(qū)關(guān)系都正常，事件中一直出現(xiàn)A3事件，且信令中一直上報測量報告，但是存在MOD3干擾嚴(yán)重導(dǎo)致SINR很差，導(dǎo)致MOS值差。查看工參信息和覆蓋情況，發(fā)現(xiàn)天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)覆蓋情況不合理，懷疑是扇區(qū)接反。處理建議：核查天府一街西段-SCDHLS1HM1GX是否

18、存在小區(qū)接反情況；如果沒有接反，就調(diào)整高新南凱德世紀(jì)名邸-SCDHLS3HM2GX-D1和天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2的PCI解決MOD3干擾問題。案例12：主叫RRC重建并發(fā)生TAU，導(dǎo)致被叫MOS值低問題描述：被叫MOS較差，但無線環(huán)境良好，無頻繁切換、RRC重建，抖動和丟包正常；但主叫先占用東升賓館-VCDHLS0HM1CH-D2，異常切換至小區(qū)克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1（距離切換點800米，與車輛行駛方向為背向），隨著車輛逐漸遠(yuǎn)離，且克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1未添加附近小區(qū)：成都集郵公司-SCDHLD3HM3CH-F1為鄰區(qū)關(guān)系，導(dǎo)致

19、主叫RSRP、SINR快速惡化（RSRP=-122.88dBm，SINR=-14.5dB），從而發(fā)生RRC重建，并于重建后發(fā)生了TAU，使主被叫間的語音質(zhì)量變差，嚴(yán)重影響了MOS值。處理建議：下壓小區(qū):克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1的下傾角，減弱該小區(qū)在問題路段的覆蓋。（4）核心網(wǎng)/傳輸：主要為核心網(wǎng)、傳輸異常引起MOS值差，此類問題暫時缺少有效手段解決。后期將引進SEQ平臺，屆時可以在核心網(wǎng)上查看網(wǎng)絡(luò)側(cè)信令，協(xié)助分析。案例1：注冊信令未完成，CSFB至2G導(dǎo)致MOS值低問題描述：周邊基站狀態(tài)正常；該處三分鐘內(nèi)所有MOS采樣點都在3.0以下，MS1和MS2占用美視國際學(xué)校-SCDHLS2HM1GX-D3小區(qū)信號，RSRP=-82dBm SINR=7dB，信號質(zhì)量良好，不存在頻繁切換的現(xiàn)象，MS2一直沒收到尋呼消息，16s之后MS2發(fā)起重注冊請求，還沒有收到系統(tǒng)對重注冊的請求消息，MS2走CSFB流程，查看MS2通話期間語音編碼方式采用AMR12.2K，終端采用窄帶編碼方式MOS值低，最優(yōu)值基本在3左右，導(dǎo)致MOS值較差。處理建議：需核心網(wǎng)協(xié)助排查。案例2：媒體承載丟失，CSFB至2G導(dǎo)致MOS值低