半導(dǎo)體常用名詞定義

1、#15728. 半導(dǎo)體物理學(xué)（semiconductor physics） 半導(dǎo)體物理學(xué)是固體物理學(xué)的重要分支，是固體電子學(xué)的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料物理性質(zhì)的研究最早可追溯到1833年，當(dāng)時法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀的電導(dǎo)率隨溫度升高而迅速增加。1873年史密斯發(fā)現(xiàn)光照能改變硒的電導(dǎo)率，1874年布朗發(fā)現(xiàn)硫化鉛與一個探針接觸時呈現(xiàn)整流效應(yīng)。但對半導(dǎo)體中電子輸運過程的深刻理解則歸因于量子力學(xué)的創(chuàng)立及基于單電子理論的能帶模型的建立。20世紀(jì)30年代末，莫特、達(dá)維多夫和肖特基發(fā)展了金屬-半導(dǎo)體接觸的整流理論。在此基礎(chǔ)上肖克利、布拉頓和巴丁發(fā)明了第一個固體放大器點接觸晶體管，并于1956年獲得諾貝爾物理學(xué)獎。這一發(fā)明

2、及其后來的結(jié)型晶體管的制作是半導(dǎo)體器件發(fā)展史上的劃時代突破，是固體電子學(xué)時代的開始。20世紀(jì)50年代后期基爾比和諾伊斯發(fā)明了集成電路，實現(xiàn)了電路的微型化，引發(fā)了電子技術(shù)的革命。1958年江崎玲於奈發(fā)現(xiàn)了pn結(jié)二極管中的電子隧道現(xiàn)象，因此而獲得1973年諾貝爾物理學(xué)獎。由兩種不同半導(dǎo)體材料直接接觸構(gòu)成的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)概念是1960年前后由克羅默和阿爾弗洛夫提出的。1982年克利青（Klitzing）在超薄的異質(zhì)結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)了基于反型層中二維電子運動的量子霍爾效應(yīng)并獲1985年諾貝爾物理學(xué)獎。其后崔琦和施特默在超高純半導(dǎo)體材料中又發(fā)現(xiàn)分?jǐn)?shù)量子霍爾效應(yīng)。勞克林用量子流體的理論進(jìn)行了解釋，并與崔琦、斯特

3、默（Stormer）分享了1998年諾貝爾物理學(xué)獎。半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的發(fā)展產(chǎn)生了更快的晶體管高電子遷移率晶體管及性能更優(yōu)良的激光器雙異質(zhì)結(jié)激光器?？肆_默和阿爾弗洛夫因此獲得2000年諾貝爾物理學(xué)獎。1970年江崎玲於奈和朱兆祥首先提出超晶格的概念。它是一種人造的周期性結(jié)構(gòu)，其中電子的運動在一個方向上受到限制即電子在二維平面內(nèi)運動，這種結(jié)構(gòu)稱為量子阱。如果電子的運動在兩個維度方向上均受到限制時，這種結(jié)構(gòu)稱為量子線。若電子在三個維度方向上的運動均受到限制則稱為量子點。量子結(jié)構(gòu)中的電子能態(tài)具有離散的而不是連續(xù)的結(jié)構(gòu)，因此載流子的分布是離散的。通過制作量子結(jié)構(gòu)，不僅將材料的能帶變成離散能級或子能帶，甚至

4、可以改變能帶結(jié)構(gòu)，把間接帶隙變?yōu)橹苯訋?，因此將大大改善半?dǎo)體器件的性能。量子阱、量子點激光器及正在研究的單電子晶體管都是具有量子結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的制備，量子效應(yīng)及量子器件的研究正成為21世紀(jì)半導(dǎo)體物理及器件物理研究的主導(dǎo)方向，并將引起以集成電路光電子器件及光電集成為基礎(chǔ)的信息產(chǎn)業(yè)的新的革命。 #15729. 半導(dǎo)體（semiconductor） 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種材料。其能量系統(tǒng)分為許可能帶和禁帶，禁帶處于價帶和導(dǎo)帶之間。半導(dǎo)體的禁帶寬度較窄，在室溫下由熱激發(fā)就可能引起顯著的電離。熱電離產(chǎn)生自由電子和自由空穴，半導(dǎo)體的導(dǎo)電過程依賴于這兩種載流子。在半導(dǎo)體中摻入

5、雜質(zhì)將大大改變其導(dǎo)電能力，可制得摻雜半導(dǎo)體。如果材料中自由電子密度大于自由空穴密度稱n型半導(dǎo)體，反之稱為p型半導(dǎo)體。未摻雜、無缺陷的半導(dǎo)體具有相等的自由電子和自由空穴密度稱為本征半導(dǎo)體，而摻雜的半導(dǎo)體稱為非本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體一般是晶體材料，通常由四價或平均為四價的原子組成的類金剛石材料，硅和鍺是常見的單質(zhì)半導(dǎo)體，砷化鎵是最常見的化合物半導(dǎo)體。 #15730. 能帶（energy band） 相鄰原子在組成固體時，其相應(yīng)的電子能級由于原子間的相互作用而分裂，由于固體中包含的原子數(shù)很大，分離出來的能級十分密集，形成一個在能量上準(zhǔn)連續(xù)的分布即能帶。由不同的原子能級所形成的允許能帶之間一般隔著禁止能帶

6、。 #15732. 導(dǎo)帶（conduction band） 根據(jù)能帶理論，固體中的電子態(tài)能級分裂為一系列的帶，在帶內(nèi)能級分布是準(zhǔn)連續(xù)的，帶與帶之間存在有能量間隙。在非導(dǎo)體中，電子恰好填滿能量較低的一系列能帶，再高的各帶全部都是空的，在填滿的能帶中盡管存在很多電子，但并不導(dǎo)電。在導(dǎo)體中，則除了完全填滿的一系列能帶外，還有只是部分地被電子填充的能帶，這種部分填充帶中的電子可以起導(dǎo)電作用，稱為導(dǎo)帶。半導(dǎo)體屬于上述非導(dǎo)體的類型，但滿帶與空帶之間的能隙比較小。通常把半導(dǎo)體一系列滿帶中最高的能帶稱為價帶，把半導(dǎo)體中一系列空帶中最低的能帶稱為導(dǎo)帶。 #15733. 價帶（valence band） 半導(dǎo)體和

7、絕緣體中能量較低的若干能帶是被電子填滿的，其中能量最高的能帶稱為價帶，價帶是和原子中最外層軌道上的價電子的能級相對應(yīng)的。 #15735. 帶隙（band gap） 固體的能帶結(jié)構(gòu)中填充電子的最高能帶與最低空能帶之間的能量間隔。對半導(dǎo)體而言帶隙寬度即禁帶寬度。 #15736. 深能級（deep level） 距導(dǎo)帶底較遠(yuǎn)的施主能級和離價帶頂較遠(yuǎn)的受主能級稱為深能級。相應(yīng)的雜質(zhì)稱為深能級雜質(zhì)。深能級雜質(zhì)能夠產(chǎn)生多次電離，每次電離相應(yīng)地有一個能級，則在禁帶中引入若干個能級。而且，有的雜質(zhì)既能引入施主能級，又能引入受主能級。深能級雜質(zhì)一般含量極少，而且能級較深，它們對載流子濃度和導(dǎo)電類型的影響沒有淺能

8、級雜質(zhì)顯著，但對于載流子的復(fù)合作用比淺能級雜質(zhì)強(qiáng)，故這些雜質(zhì)又稱為復(fù)合中心。非、族雜質(zhì)在硅、鍺中往往產(chǎn)生深能級。硅中的金雜質(zhì)，可測到二個深能級，一個是施主能級，另一為受主能級。金是典型的復(fù)合中心，在制造高速開關(guān)器件時，常有意摻入金以提高器件的速度。 #15737. 準(zhǔn)費米能級（quasi-Fermi level） 當(dāng)半導(dǎo)體材料中存在非平衡載流子時，導(dǎo)帶電子和價帶電子在各自能帶中熱躍遷概率大，而處于熱平衡狀態(tài)；導(dǎo)帶電子與價帶電子之間，熱躍遷概率小，處于不平衡狀態(tài)。因此用電子準(zhǔn)費米（Fermi）能級(EF)n和空穴準(zhǔn)費米（Fermi）能級(EF)p分別描述非平衡半導(dǎo)體材料中電子濃度n和空穴濃度p：

9、 其中Nc、Nv為導(dǎo)帶和價帶的有效態(tài)密度，Ec、Ev為導(dǎo)帶底和價帶頂?shù)哪芰俊?EF)n(EF)p準(zhǔn)費米能級概念的引入對分析實際半導(dǎo)體器件工作原理十分重要。 #15739. 載流子（carrier） 指荷載電流的粒子，它們在電場作用下能作定向運動而形成電流。金屬中只有電子一種載流子，在電介質(zhì)中是正、負(fù)離子，半導(dǎo)體中有電子和空穴兩種載流子。有兩種載流子參與導(dǎo)電是半導(dǎo)體的一大特點。在金屬和電介質(zhì)中，載流子數(shù)目一般不變，在半導(dǎo)體中它們的數(shù)目隨其中的雜質(zhì)含量和外界條件（如加熱、光照等）的變化而顯著變化。 #15740. 多數(shù)載流子（majority carrier） 半導(dǎo)體的電導(dǎo)依賴兩種載流子，即導(dǎo)帶中

10、的電子和價帶中的空穴。在摻雜半導(dǎo)體中，居多數(shù)的一種載流子對電導(dǎo)起支配作用，稱為多數(shù)載流子。如n型半導(dǎo)體中電子為多數(shù)載流子，p型半導(dǎo)體中空穴為多數(shù)載流子。 #15741. 少數(shù)載流子（minority carrier） 同一種半導(dǎo)體材料中與多數(shù)載流子帶相反電荷的載流子。如n型半導(dǎo)體中的空穴和p型半導(dǎo)體中的電子均為少數(shù)載流子。熱平衡條件下，非簡并半導(dǎo)體中電子濃度n與空穴濃度p滿足 其中ni為本征載流子濃度，Eg為禁帶寬度。T為溫度。因此在本征激發(fā)尚不顯著的溫度范圍內(nèi)，多數(shù)載流子濃度可以近似認(rèn)為與摻雜濃度相等，基本不隨溫度而改變。少數(shù)載流子濃度隨溫度升高而迅速增加。對于同種半導(dǎo)體，摻雜濃度越高，少數(shù)

11、載流子濃度越低。對于相同摻雜濃度，材料的禁帶寬度Eg越大，少數(shù)載流子濃度越低。雖然熱平衡少數(shù)載流子對電導(dǎo)的作用較小，但非平衡少數(shù)載流子對電導(dǎo)的作用較小，但非平衡少數(shù)載流子，如pn結(jié)正向注入的非平衡少數(shù)載流子，對器件的工作起支配作用。 #15742. 載流子壽命（carrier lifetime） 在熱平衡條件下，電子不斷地由價帶激發(fā)到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子空穴對，與此同時，它們又不停地因復(fù)合而消失。平衡時，電子與空穴的產(chǎn)生率等于復(fù)合率，從而使半導(dǎo)體中載流子的密度維持恒定。載流子間的復(fù)合使載流子逐漸消失，這種載流子平均存在的時間，就稱之為載流子壽命。 #15743. 非平衡載流子壽命（nonequili

12、brium carrier lifetime） 當(dāng)半導(dǎo)體由于外界作用注入非平衡載流子時，它處于非平衡狀態(tài)。載流子間的復(fù)合使非平衡載流子逐漸消失。在注入非平衡載流子濃度不是太大的簡單情況下，非平衡載流子按下列規(guī)律消失：n=(n)0exp(-t/)。顯然，式中即為非平衡載流子平衡平均存在的時間，通常稱為非平衡載流子壽命。由于在非平衡狀態(tài)下，非平衡少子的影響起主導(dǎo)作用，因而又稱為非平衡少子壽命，而1/表示非平衡載流子的復(fù)合率。非平衡載流子壽命是一個結(jié)構(gòu)靈敏的參數(shù)，它與材料的種類、完整性、某些雜質(zhì)的含量以及樣品的表面狀態(tài)有密切的關(guān)系。 #15745. 本征載流子濃度（intrinsic carrier

13、 concentration） 本征半導(dǎo)體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度。 #15746. 空穴（hole） 是指半導(dǎo)體中的一種載流子。半導(dǎo)體內(nèi)部的熱運動、外部光照或在半導(dǎo)體內(nèi)摻入受主雜質(zhì)，都可以使半導(dǎo)體的價帶失去一些電子，原來被電子填滿的價帶頂部出現(xiàn)一些空能級。在外電場和磁場作用下，這些仍留在滿帶中的電子，也能夠?qū)щ?。滿帶電子的這種導(dǎo)電作用等效于把這些空的量子狀態(tài)看做帶正電荷的準(zhǔn)粒子的導(dǎo)電作用，稱這些價帶中空的量子狀態(tài)為空穴?？昭◣д姾尚?，還具有正的有效質(zhì)量。所以半導(dǎo)體中除了導(dǎo)帶電子導(dǎo)電作用外，還有價帶空穴的導(dǎo)電作用。 #15747. 有效質(zhì)量（effective mass） 晶體中的

14、電子或空穴在外加電場、磁場中運動，常?？梢杂脺?zhǔn)經(jīng)典運動規(guī)律來描述。根據(jù)晶體中電子運動加速度與外力之間的關(guān)系，與經(jīng)典力學(xué)牛頓第二定律相類比，引入了有效質(zhì)量m*。晶體中的電子始終受到晶體勢場的作用，在有外力作用時，電子運動狀態(tài)的變化是外力與晶體勢場共同作用的結(jié)果。引入有效質(zhì)量的意義在于，它概括了晶體勢場對電子的作用，把電子運動的加速度與外力直接聯(lián)系起來，從而使分析簡化。 #15748. 載流子注入（carrier ejection） 半導(dǎo)體通過外界作用而產(chǎn)生非平衡載流子的過程稱作載流子注入。利用光照在半導(dǎo)體內(nèi)引入非平衡載流子的方法稱為載流子的光注入。除光照外，還可以利用電的或其他能量傳遞方式在半導(dǎo)

15、體中注入載流子，最常用的是電的方法，稱作載流子電注入。電注入載流子現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)直接導(dǎo)致半導(dǎo)體放大器的發(fā)明。 在不同條件下，載流子注入的數(shù)量是不同的。當(dāng)注入載流子濃度與熱平衡時多數(shù)載流子濃度相比很小時，多數(shù)載流子濃度基本不變，而少數(shù)載流子濃度近似等于注入載流子濃度，這通常稱作小注入情況；若注入載流子濃度可與多數(shù)載流子濃度相比，則稱作大注入情況。 #15749. 復(fù)合中心（recombination center） 半導(dǎo)體中某些雜質(zhì)和缺陷可以促進(jìn)載流子復(fù)合，對非平衡載流子壽命的長短起決定性作用，這些雜質(zhì)和缺陷稱為復(fù)合中心。作為復(fù)合中心的雜質(zhì)與缺陷一般在禁帶中引入一個或幾個深能級，它們既可以俘獲電子又

16、能俘獲空穴，從而促進(jìn)了復(fù)合過程。對載流子復(fù)合有促進(jìn)作用的雜質(zhì)很多，例如硅和鍺中的Au，Cu，F(xiàn)e，Ni，Zn以及許多其他重金屬雜質(zhì)都有明顯的復(fù)合作用。金是一種有效的復(fù)合中心，在半導(dǎo)體器件中，經(jīng)常引入金以降低注入載流子壽命，提高器件的開關(guān)速度。 #15750. 直接復(fù)合（direct recombination） 按照電子和空穴在復(fù)合時所經(jīng)歷的具體過程的不同，可把復(fù)合分為直接復(fù)合和間接復(fù)合兩類。直接復(fù)合是導(dǎo)帶中的電子直接落入價帶與空穴復(fù)合。而間接復(fù)合則是導(dǎo)帶中的電子首先被禁帶中某一個中間能級所俘獲，然后落入價帶與空穴相復(fù)合。 #15751. 表面復(fù)合（surface recombination）

17、 位于半導(dǎo)體表面禁帶內(nèi)的表面態(tài)（或稱表面能級）與體內(nèi)深能級一樣可作為復(fù)合中心，起著對載流子的復(fù)合作用。為此，通常把半導(dǎo)體非平衡載流子通過表面態(tài)發(fā)生復(fù)合的過程稱為表面復(fù)合。與體復(fù)合相比表面復(fù)合更為復(fù)雜，它不僅依賴于表面復(fù)合中心濃度及體摻雜濃度，還依賴于表面勢。而表面勢又是對周圍環(huán)境敏感的參量，所以表面復(fù)合會因表面環(huán)境條件的變化而發(fā)生變化。半導(dǎo)體器件通常都要求較低且穩(wěn)定的表面復(fù)合速度，因此，在半導(dǎo)體工藝技術(shù)上如何控制表面復(fù)合是一個非常重要的問題。 #15752. 輻射復(fù)合（radiative recombination） 根據(jù)能量守恒原則，電子和空穴復(fù)合時應(yīng)釋放一定的能量，如果能量以光子的形式放出

18、，這種復(fù)合稱為輻射復(fù)合。輻射復(fù)合可以是導(dǎo)帶電子與價帶的空穴直接復(fù)合，這種復(fù)合又稱為直接輻射復(fù)合，是輻射復(fù)合中的主要形式。此外輻射復(fù)合也可以通過復(fù)合中心進(jìn)行。在平衡態(tài)，載流子的產(chǎn)生率總與復(fù)合率相等。 #15753. 非輻射復(fù)合（nonradiative recombination） 按照復(fù)合時釋放能量的方式不同，復(fù)合可分為輻射復(fù)合和非輻射復(fù)合。以除光子輻射之外的其他方式釋放能量的復(fù)合稱為非輻射復(fù)合。非輻射復(fù)合中主要有多聲子復(fù)合和俄歇復(fù)合。 #15754. 陷阱（trap） 半導(dǎo)體中能夠俘獲電子或空穴的晶體缺陷或化學(xué)中心。熱平衡時由缺陷或雜質(zhì)引入的能級上具有一定數(shù)量的熱平衡電子，當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)引入非平

19、衡載流子時，這些能級上的電子數(shù)目將發(fā)生變化，如果能級上電子數(shù)目增加則該能級具有俘獲非平衡電子能力，該能級稱為電子陷阱。反之若該能級上電子數(shù)目減少則該能級具有俘獲空穴的能力稱為空穴陷阱。當(dāng)非平衡載流子落入陷阱后基本上不能直接發(fā)生復(fù)合，而必須首先激發(fā)到導(dǎo)帶或價帶，然后才能通過復(fù)合中心而復(fù)合。在整個過程中，載流子從陷阱激發(fā)到導(dǎo)帶或價帶所需的平均時間比它們從導(dǎo)帶或價帶發(fā)生復(fù)合所需的平均時間長得多，因此陷阱的存在大大增加了從非平衡恢復(fù)到平衡態(tài)的弛豫時間。 #15755. 猝滅（quenching） 激發(fā)態(tài)通過非輻射復(fù)合的途徑達(dá)到弛豫。如熱猝滅是通過處于發(fā)光中心激發(fā)態(tài)的電子與晶格碰撞把激發(fā)能交給晶格，產(chǎn)生

20、大量的聲子而無輻射地回到基態(tài)。光、電場及磁場等外界因素均可產(chǎn)生發(fā)光猝滅。 #15756. 漂移電流（drift current） 在沒有電場作用時，半導(dǎo)體中載流子在運動中不時遭到散射作雜亂無章的熱運動，并不形成電流。當(dāng)有電場存在時，使所有載流子沿電場力方向作定向運動。這種載流子在熱運動的同時，由于電場作用而產(chǎn)生的沿電場力方向的定向運動稱作漂移運動。所構(gòu)成的電流為漂移電流。定向運動的平均速度叫做漂移速度。在弱電場下，載流子的漂移速度v與電場強(qiáng)度E成正比 v=E 式中是載流子遷移率，簡稱遷移率。它表示單位場強(qiáng)下載流子的平均漂移速度，單位是m2/V·s或cm2/V·s。遷移率數(shù)值

21、決定于半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、材料中雜質(zhì)和缺陷對載流子的作用、以及其中原子的熱運動等因素。通常在同一種半導(dǎo)體中，電子的遷移率比空穴的大。遷移率是反映半導(dǎo)體載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。 #15757. 漂移遷移率（drift mobility） 在一塊均勻的半導(dǎo)體材料中，用局部的光脈沖照射會產(chǎn)生非平衡載流子，光脈沖停止后，整個非平衡載流子的“包”在電場作用下以漂移速度v=|E|向樣品一端運動，若已知電場強(qiáng)度|E|及脈沖電荷包漂移的距離x，可計算出遷移率=x/(|E|t)，其中t為光脈沖停止時刻與示波器探測到非平衡載流子電荷包的時間隔，這樣測得的遷移率為漂移遷移率。漂移遷移率是非平衡載流子的平均漂移速度與電

22、場強(qiáng)度的絕對值之比。 #15759. 界面散射（interface scattering） 半導(dǎo)體載流子沿表面層運動的表面遷移率總低于體內(nèi)遷移率，這種由于沿表面層運動的載流子受到的不同于體內(nèi)的附加散射，就稱之為表面散射或界面散射。界面散射機(jī)制比較復(fù)雜。例如表面粗糙度散射，是由于表面粗糙不平整引起的散射過程，這時表面不是一個平面而是像一個被彎曲了的薄片，因此當(dāng)電子沿表面運動時將受到干擾，使遷移率降低。這種散射作用對薄的表面空間電荷層較明顯，例如強(qiáng)反型層就屬于這種情況。 #15765. 場效應(yīng)（field effect） 電場對半導(dǎo)體的影響。在電場作用下半導(dǎo)體中自由電子和自由空穴的平衡遭到破壞。如

23、MOS結(jié)構(gòu)在不同的電場作用下，由于電場對半導(dǎo)體內(nèi)載流子的吸引或排斥作用而在半導(dǎo)體表面附近產(chǎn)生載流子的積累或耗盡，通常把這種半導(dǎo)體表面電導(dǎo)受垂直電場調(diào)制的效應(yīng)稱為場效應(yīng)。 #15766. 溝道（channel） 半導(dǎo)體中由于外加電場引起的沿長度方向的導(dǎo)電層。如MOS結(jié)構(gòu)中當(dāng)施加外部電場時在半導(dǎo)體表面形成的積累層及反型層。 #15767. 能帶彎曲（band bending） 半導(dǎo)體能帶圖表示電子在原子周期勢場中處于不同能量的能級上，電子能量與其所在的半導(dǎo)體的靜電勢成正比。顯然，如果半導(dǎo)體中靜電勢到處都相同，則能帶是水平的，即平帶狀態(tài)。反之，當(dāng)半導(dǎo)體表面存在垂直的外加電場時，半導(dǎo)體中各處靜電勢就不

24、同，則能帶就相應(yīng)地發(fā)生彎曲，稱為能帶彎曲。 #15789. 場發(fā)射（field emission） 在外電場作用下，非加熱的金屬或半導(dǎo)體表面處表面勢壘變窄，由于量子力量隧道效應(yīng)引起的表面電子發(fā)射。在電子器件和表面物理研究中可以應(yīng)用的幾個場發(fā)射陰極是鎢尖、硅尖、金剛石陰極、碳納米管陰極及電子槍用場發(fā)射陰極。 #15790. 熱電子（hot electron） 半導(dǎo)體中的電子可以吸收一定能量（如光子、外電場等）而被激發(fā)，處于激發(fā)態(tài)的電子稱為熱電子，處于激發(fā)態(tài)的電子可以向較低的能級躍遷，如果以光輻射的形式釋放出能量，這就是半導(dǎo)體的發(fā)光現(xiàn)象。 #15793. 量子阱（quantum well） 量子阱

25、是一種人工設(shè)計采用外延方法生長的半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)。其主要特性是電子（空穴，有時還包括光子）在空間上被限制在一個很薄的區(qū)域內(nèi)運動，該區(qū)域的厚度小于電子的德布羅意波長，電子（空穴）行為表現(xiàn)出二維特征。量子阱結(jié)構(gòu)主要用于發(fā)光器件和光電探測器件。和非量子阱結(jié)構(gòu)相比，由于在量子阱中電子（空穴）相對比較集中（有時光子也比較集中），所以有很高的量子效率，用于半導(dǎo)體激光器能大幅度降低閾值電流密度，增加輸出功率。量子阱結(jié)構(gòu)中，與量子阱層相對的還有勢壘層，用以限制電子（空穴）在垂直于阱面方向上的運動。量子阱結(jié)構(gòu)通常用分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積方法制備。 #15795. 量子線（quantum wire） 量子線

26、是一種人工微結(jié)構(gòu)，其主要特性是電子（空穴）在空間上被限制在一個很細(xì)的線狀區(qū)域內(nèi)運動，該區(qū)域的橫向尺度小于電子的德布羅意波長，電子（空穴）行為表現(xiàn)出一維特征。目前量子線結(jié)構(gòu)主要用于半導(dǎo)體激光器。與量子阱激光器相比，量子線激光器閾值電流密度更低，輸出功率更大，而且輸出激光的波長隨溫度的變化更小。量子線的制作分為自組裝生長和微加工兩類。 #15796. 量子點（quantum dot） 量子點是指電子（空穴）在空間上三個方向都受到限制，只能在微小空間中運動的人工微結(jié)構(gòu)，該空間區(qū)域的尺度在三個方向上都小于電子的德布羅意波長，電子（空穴）行為表現(xiàn)出零維特征。目前量子點結(jié)構(gòu)主要用于制作半導(dǎo)體激光器和納米電

27、子器件。在所有的量子結(jié)構(gòu)激光器中，量子點激光器閾值電流密度最低，輸出功率最大，而且輸出激光的波長不隨溫度變化。量子點的制作主要靠自組裝生長。 #15798. 半導(dǎo)體超晶格（semiconductor superlattice） 由一組多層薄膜周期重復(fù)排列而成的單晶。多層薄膜中各層厚度從幾個到幾十個原子層范圍。各層的主要半導(dǎo)體性質(zhì)如帶隙和摻雜水平可以獨立地控制。多層薄膜的周期可以在生長時人為控制，因而得到了人造的晶體結(jié)構(gòu)即超晶格。多層薄膜中各層的組分突變的超晶格稱為組分調(diào)制超晶格；各層摻雜原子型號發(fā)生突變的超晶格稱摻雜調(diào)制超晶格。組分調(diào)制超晶格的能帶圖與多量子阱類似，惟一的區(qū)別是超晶格中由于勢壘

28、層厚度小于電子的德布羅意（de Broglie）波長，相鄰勢阱中的電子波函數(shù)發(fā)生交疊，因而多量子阱的離散能級將展變?yōu)槟軒?，其能帶寬度及位置與勢阱深度、寬度及勢壘厚度有關(guān)。超晶格具有一些普通半導(dǎo)體中沒有發(fā)現(xiàn)的有用性質(zhì)。 #15799. 共振隧道（resonance tunneling） 在低偏壓下相鄰量子阱的相同子帶間的隧道穿透。此時電子穿過一個或數(shù)個勢壘而不失去其相位關(guān)系。共振隧穿發(fā)生時可以伴隨聲子發(fā)射過程。 #15800. 單電子隧道效應(yīng)（single electron tunneling effect） 一個包含極少量電子，具有極小電容值的粒子稱為庫侖島，其能量由電勢能及電子間互作用庫侖能

29、組成，可表示為E=-QVg+Q2/2C。當(dāng)庫侖島上增加或減少一個電子時，其能量增加e2/C。單個電子進(jìn)入或離開庫侖島需要e2/C的激活能。在極低溫和小偏壓下，導(dǎo)體內(nèi)的電子不具備e2/C的能量，故電子不能穿越庫侖島，此現(xiàn)象稱為庫侖阻塞。通過給庫侖島加?xùn)艍嚎梢愿淖兤潆妱菽芗翱偰芰?，在某個特定的柵壓下，庫侖島總電荷Q=Ne和Q=(n+1)e的最小能量是簡并的，即態(tài)密度間隙消失。此時，即發(fā)生單個電子隧穿庫侖島的現(xiàn)象，稱為單電子隧穿效應(yīng)。 #15801. 整數(shù)量子霍爾效應(yīng)（integer quantum Hall effect） 二維電子氣系統(tǒng)在強(qiáng)磁和低溫條件下的霍爾效應(yīng)表現(xiàn)出明顯的量子化性質(zhì)。1980

30、年馮克利青（Von Klitzing）等人首先觀測到了量子化霍爾效應(yīng)。他們測量了Si MOSFET反型層中二維電子氣系統(tǒng)中的電子在15T強(qiáng)磁場和低于液He溫度下的霍爾電壓VH，沿電流方向的電勢差VP與柵壓VG的關(guān)系。當(dāng)磁場垂直于反型層，磁感應(yīng)強(qiáng)度B與沿反型層流動的電流強(qiáng)度I保持不變時，改變柵壓VG，可改變反型層中載流子密度ns。在正常的霍爾效應(yīng)中應(yīng)有VH1/VG（如果nsVG），但在強(qiáng)磁和低溫下，某些VG間隔內(nèi)，VH曲線出現(xiàn)平臺，對應(yīng)于平臺時的VP最小趨近于零，由此得到的霍爾電阻XY=-VH/I是量子化的，其值為 它只與物理常數(shù)h（普朗克常數(shù)）和q有關(guān)?；魻栯娮枧c整數(shù)i相聯(lián)系的量子化性質(zhì)稱整數(shù)

31、量子霍爾效應(yīng)。在1K以下，實驗還進(jìn)一步觀察到i為分?jǐn)?shù)的霍爾平臺，即分?jǐn)?shù)量子化霍爾效應(yīng)。在調(diào)制摻雜的GaAs-GaAlAs等異質(zhì)結(jié)構(gòu)中也能觀測到量子化霍爾效應(yīng)。 #15803. 量子限制效應(yīng)（quantum confinement effect） 微結(jié)構(gòu)材料三維尺度中至少有一個維度與電子德布羅意（de Broglie）波長相當(dāng)，因此電子在此維度中的運動受到限制，電子態(tài)呈量子化分布，連續(xù)的能帶將分解為離散的能級，當(dāng)能級間距大于某些特征能量（如熱運動量KB；塞曼能h，超導(dǎo)能隙等）時，系統(tǒng)將表現(xiàn)出和大塊樣品不同的甚至是特有的性質(zhì)，例如超晶格中由于能級離散引起的帶隙展寬及吸收邊的藍(lán)移。 #15805.

32、Wannier 激子（Wannier exciton） 半導(dǎo)體吸收具有帶隙能量的光子時產(chǎn)生的電子空穴對，在低溫下沒有足夠的動能使它們分開，相互靠近的電子、空穴由于庫侖互作用而形成的一個束縛態(tài)，很像氫原子中的質(zhì)子與電子那樣。Wannier激子的能量為 En=-13.6/2n2，n為量子數(shù)，為介電常數(shù)，是電子和空穴的折合有效質(zhì)量，它的能級在導(dǎo)帶底以下幾個毫電子伏范圍，因而在半導(dǎo)體的基本吸收邊的長波側(cè)可看到幾個清晰的激子吸收峰，對應(yīng)于處在量子數(shù)n較低的一些激子狀態(tài)。 #15806. 擴(kuò)展態(tài)（extended state） 非晶態(tài)材料中電子本征波函數(shù)不再是Bloch函數(shù)，其電子本征態(tài)分為擴(kuò)展態(tài)和局域態(tài)

33、，擴(kuò)展態(tài)波函數(shù)遍及整個材料，電子占據(jù)整個材料具有有限的概率。由于晶格勢能的無序漲落引起的散射，擴(kuò)展態(tài)電子的遷移率遠(yuǎn)小于晶體中的共有化電子。 #15808. 局域態(tài)（localize state） 固體材料中與特定位置相關(guān)，具有特定能量的電子態(tài)。當(dāng)一個電子占據(jù)此狀態(tài)時，它被束縛于具有特定能量的特定位置附近。無序固體中由于周期性被破壞，將產(chǎn)生帶尾局域態(tài)。材料中的缺陷態(tài)或施主、受主雜質(zhì)上的電子態(tài)，或強(qiáng)摻雜半導(dǎo)體中的帶尾態(tài)也都是局域態(tài)。存在局域態(tài)是無序的標(biāo)志。局域態(tài)電子的遷移必須通過跳躍（hopping）發(fā)生。 #15809. 遷移率邊（mobility edge） 無序系統(tǒng)中擴(kuò)展態(tài)與帶尾局域態(tài)間的能

34、量邊界。如導(dǎo)帶擴(kuò)展態(tài)與導(dǎo)帶尾的邊界Ec和價帶擴(kuò)展態(tài)與價帶尾的邊界E'c。如果把遷移率看成為電子態(tài)能量的函數(shù)，Mott提出在Ec，E'c處存在遷移率的突變。 #15811. 帶尾（band tail） 晶態(tài)半導(dǎo)體由于原子排列的長程周期性，導(dǎo)帶和價帶具有清晰的邊界。非晶半導(dǎo)體及重?fù)诫s半導(dǎo)體由于原子排列的長程周期性的破壞、晶格勢能的無序漲落使導(dǎo)帶及價帶向禁帶中延伸形成帶尾，帶尾電子態(tài)是局域態(tài)。 #15813. 隙態(tài)（state in gap） 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料能帶模型中遷移率隙中的電子狀態(tài)稱為隙態(tài)。隙態(tài)分為兩類：一類是帶尾態(tài)，包括導(dǎo)帶尾及價帶尾；另一類是與諸如懸掛鍵等缺陷相關(guān)聯(lián)的局域

35、態(tài)。隙態(tài)對非晶態(tài)半導(dǎo)體材料的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)有重要影響。性能優(yōu)良的非晶態(tài)半導(dǎo)體器件要求隙態(tài)密度低的材料。 #15814. 吸收（absorption） 光在半導(dǎo)體中傳播時具有衰減現(xiàn)象，稱為光吸收。半導(dǎo)體通常能強(qiáng)烈地吸收光能，吸收系數(shù)大約是105/cm的量級。材料吸收輻射能量會導(dǎo)致電子從低能級躍遷到較高的能級。電子在帶與帶之間的躍遷所形成的吸收過程稱作本征吸收。要發(fā)生本征吸收，光子能量必須等于或大于禁帶寬度Eg。當(dāng)入射光頻率低于v0（或波長大于0）時，吸收系數(shù)迅速下降，不可能發(fā)生本征吸收。這種吸收系數(shù)顯著下降的特定頻率v0（或特定波長0），稱為半導(dǎo)體的本征吸收限。不同材料具有不同的禁帶寬度，可得相

36、當(dāng)?shù)谋菊魑臻L波限。半導(dǎo)體中的光吸收主要是本征吸收。另外，還有激子吸收、自由載流子吸收、雜質(zhì)吸收和晶格吸收等。 #15816. 吸收光譜（absorption spectrum） 光在半導(dǎo)體材料中的吸收系數(shù)隨光的頻率（或波長）而變化的譜線稱為吸收光譜。研究半導(dǎo)體本征吸收光譜可決定禁帶寬度，是了解能帶的復(fù)雜結(jié)構(gòu)和區(qū)分直接帶隙和間接帶隙半導(dǎo)體的重要依據(jù)。其他吸收光譜對研究半導(dǎo)體性質(zhì)也有重要意義。 #15817. 光學(xué)帶隙（optical band gap） 非晶態(tài)半導(dǎo)體的本征吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區(qū)域：價帶擴(kuò)展態(tài)到導(dǎo)帶擴(kuò)展態(tài)的吸收為冪指數(shù)區(qū)；價帶擴(kuò)展態(tài)到導(dǎo)帶尾的吸收為指數(shù)區(qū)；價帶尾到導(dǎo)帶

37、尾的吸收為弱吸收區(qū)。非晶半導(dǎo)體的帶隙沒有明確的定義。定義其光學(xué)帶隙的簡單方法是E03或E04，即吸收系數(shù)為103cm-1或104cm-1時所對應(yīng)的光子能量。物理意義較明確的定義方法是Tauc帶隙，主要考慮冪指數(shù)區(qū)的帶-帶吸數(shù)，此時(hv)c(hv-Eg)，C和與能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)，對于拋物線形能帶結(jié)構(gòu)取2，由(hv)1/2hv關(guān)系曲線求得的Eg稱為Tauc帶隙。 #15818. 發(fā)光（luminescence） 發(fā)光是物質(zhì)的一種非熱輻射的光發(fā)射。熱輻射的基本特征是不隨發(fā)熱體的性質(zhì)而改變。發(fā)光則反映材料的特征，它是外界因素如光、電等與物質(zhì)的相互作用，使物質(zhì)從基態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)經(jīng)過輻射躍遷過程達(dá)到

38、弛豫而發(fā)出的紫外、可見或紅外輻射。外界作用一旦停止，發(fā)光也將結(jié)束，但有一個延續(xù)時間，比光的振動周期（10-14秒）長得多?？梢愿鶕?jù)此原理把發(fā)光與散射、反射等其他光發(fā)射區(qū)分開來。 由于激發(fā)方式的不同，發(fā)光可分為光致發(fā)光、電致發(fā)光、陰極射線發(fā)光、化學(xué)發(fā)光、輻射發(fā)光等。其主要應(yīng)用領(lǐng)域在光源、顯示器、探測器及光電子器件等方面。 #15819. 光致發(fā)光（photoluminescence） 材料通過吸收光子產(chǎn)生激發(fā)態(tài)的輻射躍遷。激發(fā)過程為單光子或多光子吸收過程。光致發(fā)光包括光吸收、能量傳遞、光發(fā)射等過程，這些過程與材料結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列有關(guān)，光致發(fā)光技術(shù)是研究固體中電子過程的重要手段。一般情況下

39、光致發(fā)光光子的能量小于激發(fā)光子的能量（斯托克斯位移），在特定條件下發(fā)射光子的能量可以超過激發(fā)光子的能量（反斯托克斯位移）。日光燈是利用汞蒸氣放電產(chǎn)生的紫外光激發(fā)涂飾在燈管壁上的發(fā)光材料而發(fā)出可見光的。 #15821. 電致發(fā)光（electroluminescence） 固體器件或化學(xué)電池中由于電荷流動而引起的發(fā)光現(xiàn)象。固體器件的電致發(fā)光主要有兩種類型：本征電致發(fā)光及注入型電致發(fā)光。本征電致發(fā)光通常將發(fā)光材料與絕緣介質(zhì)混合置于兩極板間或?qū)l(fā)光材料薄膜夾在兩絕緣層之間，在交變電場作用下電子場致碰撞激發(fā)或離化發(fā)光中心而引起發(fā)光。例如用ZnS薄膜制成的字符顯示屏、計算機(jī)終端顯示屏等。注入型電致發(fā)光器件

40、是pn結(jié)型發(fā)光器件，是利用注入的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子間的輻射復(fù)合而發(fā)光，如GaAs、GaP、GaN等不同波段的發(fā)光二極管。聚合物半導(dǎo)體發(fā)光器件也是注入型電致發(fā)光器件。 #15822. pn結(jié)（p-n junction） 在一塊n型（或p型）半導(dǎo)體單晶上，用適當(dāng)?shù)墓に嚪椒ǎㄈ绾辖鸱?、擴(kuò)散法和離子注入法等）把p型（或n型）雜質(zhì)摻入其中，使這塊單晶的不同區(qū)域分別具有p型和n型的導(dǎo)電類型，在二者的交界面處就形成了pn結(jié)。pn結(jié)剛形成時，p區(qū)的多數(shù)載流子空穴向n區(qū)擴(kuò)散，在n區(qū)邊界附近與電子復(fù)合。p區(qū)失去空穴，在其邊界附近就剩下帶負(fù)電的受主離子；同理，n區(qū)電子也向p區(qū)擴(kuò)散，在其邊界附近剩下帶正電的施主離

41、子。結(jié)果在p區(qū)和n區(qū)交界面的兩側(cè)形成帶正、負(fù)電荷的區(qū)域，稱為空間電荷區(qū)，也叫耗盡區(qū)（多數(shù)載流子缺乏）?？臻g電荷區(qū)內(nèi)正、負(fù)離子電荷總量相等，其中形成的電場方向由n區(qū)指向p區(qū)，它就是pn結(jié)的自建電場。在平衡時，自建電場的大小正好能阻止空穴和電子進(jìn)一步擴(kuò)散，使空間電荷區(qū)寬度保持一定。當(dāng)結(jié)上加正向電壓時（即p區(qū)接電源正極，n區(qū)接負(fù)極），自建電場削弱，使多數(shù)載流子（p區(qū)的空穴，n區(qū)的電子）容易通過pn結(jié)，因而電流較大，這時pn結(jié)叫做正偏結(jié)，電流稱為正向電流；當(dāng)結(jié)上加反向電壓時，內(nèi)建電場增加，只有少數(shù)載流子（p區(qū)的電子，n區(qū)的空穴）易通過pn結(jié)，因而電流很小，這時pn結(jié)叫做反偏結(jié)，電流叫做反向電流。pn結(jié)

42、具有單向?qū)щ娦?，這是pn結(jié)最基本的性質(zhì)之一。pn結(jié)這種整流特性是很多半導(dǎo)體器件和電路的核心。整流器及許多其他類型的二極管都是只含1個pn結(jié)的器件；一般結(jié)型晶體管是2個pn結(jié)構(gòu)成的器件；晶體閘流管是含有3個或4個pn結(jié)的器件。 #15823. 耗盡區(qū)（depletion region） 在半導(dǎo)體pn結(jié)、肖特基結(jié)、異質(zhì)結(jié)中，由于界面兩側(cè)半導(dǎo)體原有化學(xué)勢的差異導(dǎo)致界面附近能帶彎曲，從而形成能帶彎曲區(qū)域電子或空穴濃度的下降，這一界面區(qū)域在半導(dǎo)體物理中稱為耗盡區(qū)。 #15825. 緩變pn結(jié)（graded p-n junction） 從p區(qū)到n區(qū)摻雜濃度逐漸改變的pn結(jié)，如用固態(tài)擴(kuò)散工藝制造的pn結(jié)。大

43、多數(shù)緩變pn結(jié)數(shù)學(xué)上可作為線性緩變結(jié)處理。通常由擴(kuò)散工藝制備的pn結(jié)為緩變pn結(jié)，但在淺擴(kuò)散結(jié)或高反偏時它更接近于單邊突變pn結(jié)。 #15826. 突變pn結(jié)（abrupt p-n junction） 用合金法制造的pn結(jié)，n型區(qū)中施主雜質(zhì)濃度和p型區(qū)中受主雜質(zhì)濃度都是均勻分布的。在交界面處雜質(zhì)濃度由nA（p型區(qū)）突變?yōu)閚D（n型區(qū)），具有這種雜質(zhì)分布的pn結(jié)稱為突變結(jié)。實際的突變結(jié)，兩邊的雜質(zhì)濃度差很多，通常稱這種結(jié)為單邊突邊結(jié)（記為p+n，或n+p）。 #15827. pn結(jié)電容（p-n junction capacitance） pn結(jié)具有電容特性。pn結(jié)電容包括勢壘電容和擴(kuò)散電容兩部分

44、。pn結(jié)的耗盡層寬度隨加在pn結(jié)上的電壓而改變。當(dāng)pn結(jié)加正向偏壓時，勢壘區(qū)寬度變窄、空間電荷數(shù)量減少，相當(dāng)于一部分電子和空穴“存入”勢壘區(qū)。正向偏壓減小時，勢壘區(qū)寬度增加，空間電荷數(shù)量增多，這相當(dāng)于一部分電子和空穴的“取出”。對于加反向偏壓情況，可作類似分析。pn結(jié)的勢壘寬度隨外加電壓改變時，勢壘區(qū)中電荷也隨外加電壓而改變，這和電容器充放電作用相似。這種pn結(jié)的電容效應(yīng)稱勢壘電容。另外，在正偏結(jié)中，有少數(shù)非平衡載流子分別注入n區(qū)和p區(qū)的一個擴(kuò)散長度范圍內(nèi)（稱做擴(kuò)散區(qū)），其密度隨正向電壓的增加而增加，即在兩個擴(kuò)散區(qū)內(nèi)儲存的少數(shù)非平衡載流子的數(shù)目隨pn結(jié)的正向電壓而變化。這種由于擴(kuò)散區(qū)的電荷數(shù)量

45、隨外加電壓的變化所產(chǎn)生的電容效應(yīng)，稱為pn結(jié)的擴(kuò)散電容。pn結(jié)電容是可變電容。勢壘電容和擴(kuò)散電容都隨外加電壓而變化。pn結(jié)電容使電壓頻率增高時，整流特性變差，是影響由pn結(jié)制成器件高頻使用的重要因素。利用pn結(jié)電容隨外加電壓非線性變化特性，可制成變?nèi)荻O管，在微波信號的產(chǎn)生和放大等許多領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。 #15828. pn結(jié)勢壘（barrier of p-n junction） pn結(jié)的空間電荷區(qū)中，存在由n邊指向p邊的自建電場。因此，自然形成n區(qū)高于p區(qū)的電勢差Vd。相應(yīng)的電子勢能之差即能帶的彎曲量qVd稱為pn結(jié)的勢壘高度。pn結(jié)的p區(qū)和n區(qū)的多數(shù)載流子運動時必須越過勢壘才能到達(dá)對方區(qū)

46、域，載流子的能量低于勢壘高度，就被勢壘阻擋而不能前進(jìn)，這個墊壘叫做pn結(jié)勢壘。pn結(jié)的勢壘高度與兩邊半導(dǎo)體中的雜質(zhì)濃度及其分布、溫度以及半導(dǎo)體材料的禁帶寬度Eg有關(guān)。除pn結(jié)勢壘外，還有金屬與半導(dǎo)體接觸的接觸勢壘（肖特基勢壘）、半導(dǎo)體表面形成的表面勢壘等。勢壘高度受外加電場的影響，當(dāng)外加電場削弱勢壘區(qū)中電場時，勢壘降低，載流子容易通過；外加電場加強(qiáng)勢壘區(qū)的電場時，勢壘高度升高，載流子不易通過。利用pn結(jié)勢壘這一特性可制成整流、檢波等多種半導(dǎo)體器件。 #15829. pn結(jié)擊穿（electrical breakdown of p-n junction） 對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR

47、時，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿。發(fā)生擊穿時的反向電壓稱為pn結(jié)的擊穿電壓。 擊穿電壓與半導(dǎo)體材料的性質(zhì)、雜質(zhì)濃度及工藝過程等因素有關(guān)。pn結(jié)的擊穿從機(jī)理上可分為雪崩擊穿、隧道擊穿和熱電擊穿三類。前兩者一般不是破壞性的，如果立即降低反向電壓，pn結(jié)的性能可以恢復(fù)；如果不立即降低電壓，pn結(jié)就遭到破壞。pn結(jié)上施加反向電壓時，如沒有良好散熱條件，將使結(jié)的溫度上升，反向電流進(jìn)一步增大，如此反復(fù)循環(huán)，最后使pn結(jié)發(fā)生擊穿。由于熱不穩(wěn)定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿，此類擊穿是永久破壞性的。pn結(jié)擊穿是pn結(jié)的一個重要電學(xué)性質(zhì)，擊穿電壓限制了pn結(jié)的工作電壓，所以半導(dǎo)體器件對擊穿電壓都

48、有一定的要求。但利用擊穿現(xiàn)象可制造穩(wěn)壓二極管、雪崩二極管和隧道二極管等多種器件。 #15830. 雪崩擊穿（avalanche breakdown） 當(dāng)反向偏壓很大時，勢壘區(qū)中的電場很強(qiáng)，因而通過勢壘區(qū)的電子和空穴可以在電場作用下獲得很大的動能，當(dāng)能量足夠大時，和晶格碰撞而使價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶，產(chǎn)生新的電子-空穴對，這種現(xiàn)象稱為“碰撞電離”。新生的電子-空穴以及原有的電子和空穴，在電場作用下，又可重新獲得足夠的能量，再次和晶格碰撞而產(chǎn)生電子-空穴對。如此繼續(xù)下去，載流子增加猶如“雪崩”的特性，稱為載流子倍增效應(yīng)。由于倍增效應(yīng)，使反向電流迅速增加從而發(fā)生擊穿，這就是雪崩擊穿的機(jī)理。雪崩擊穿除與勢

49、壘區(qū)中電場有關(guān)外，還與勢壘區(qū)寬度有關(guān)。勢壘區(qū)寬的易發(fā)生雪崩擊穿。 #15831. 隧道擊穿（tunnel breakdown） 隧道擊穿是在強(qiáng)電場下，由于隧道效應(yīng)使大量電子從價帶穿過禁帶而進(jìn)入導(dǎo)帶所引起的一種擊穿。因為最初是由齊納（Zener）提出的，故又稱齊納擊穿。當(dāng)pn結(jié)的反向電壓比較大時，勢壘區(qū)能帶發(fā)生傾斜，甚至可以使n區(qū)的導(dǎo)帶底比p區(qū)的價帶頂還低，使p區(qū)價帶的電子有可以隧道穿過勢壘到達(dá)n區(qū)導(dǎo)帶中去，使反向電流急劇增大，發(fā)生隧道擊穿。對于摻雜濃度比較高的情況下，勢壘區(qū)薄，往往易發(fā)生隧道擊穿。 #15832. 金屬-半導(dǎo)體接觸（metal-semiconductor contact） 在半

50、導(dǎo)體片上淀積一層金屬形成緊密的接觸。硅器件和集成電路中大量采用的鋁-硅接觸就是典型的實例。金屬-半導(dǎo)體接觸中最重要的有兩類典型接觸：一類是金屬與半導(dǎo)體的沒有整流作用的接觸，稱為歐姆接觸，這種接觸與一個電阻等效；另一類是整流接觸，具有類似于pn結(jié)的單向?qū)щ娦?。上述特性是由于金?半導(dǎo)體接觸時，兩者的功函數(shù)不同，電子可以從金屬流向半導(dǎo)體，或半導(dǎo)體流入金屬，從而使半導(dǎo)體表面形成表面勢壘（又稱阻擋層）或反阻擋層所致。反阻擋層是很薄的高電導(dǎo)的區(qū)域，它對金屬和半導(dǎo)體接觸電阻影響很小。表面阻擋層存在使金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用。在半導(dǎo)體表面處的禁帶中存在著表面態(tài)，對應(yīng)能級稱為表面能級。表面能級對表面勢壘有

51、很大的影響。 #15833. 肖特基勢壘（Schottky barrier） 金屬和半導(dǎo)體接觸形成半導(dǎo)體表面勢壘，此勢壘又稱肖特基勢壘。 #15834. 歐姆接觸（Ohmic contact） 金屬與半導(dǎo)體接觸形成非整流的接觸，即歐姆接觸。它不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，也不會使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著的改變。歐姆接觸在實際中有很重要的應(yīng)用。半導(dǎo)體器件一般都要利用金屬電極輸入或輸出電流，這就要求在金屬和半導(dǎo)體之間有良好的歐姆接觸。在超高頻和大功率器件中，歐姆接觸是設(shè)計和制造的關(guān)鍵問題之一。制作歐姆接觸最常用的方法是用重?fù)诫s的半導(dǎo)體與金屬接觸，常常是在n型或p型半導(dǎo)體上作一層重?fù)诫s區(qū)后再與金屬

52、接觸，形成金屬-n+-n或金屬-p+-p結(jié)構(gòu)。 #15835. 肖特基缺陷（Schottky defect） 是一種化合物半導(dǎo)體中的點缺陷。在化合物MX中，在T0K時，由于晶格熱振動，能量大的原子離開原格點進(jìn)入晶格間隙或進(jìn)入表面，或蒸發(fā)到外界，而失去原子的晶格位置即出現(xiàn)空缺生成空位以符號VM（或VX）表示?？瘴皇腔衔锇雽?dǎo)體中常見的點缺陷之一。如果對一個按化學(xué)計量比組成的化合物MX晶體，在產(chǎn)生VM的同時，也產(chǎn)生數(shù)目相同的VX。此時產(chǎn)生的缺陷稱肖特基缺陷，記作(VM+VX)?？瘴豢梢允侵行?，也可帶正電或負(fù)電。它對化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有較大的影響。 #15836. 熱離子發(fā)射（thermion

53、emission） 金屬或半導(dǎo)體表面的電子具有熱運動的動能足以克服表面勢壘而產(chǎn)生的電子發(fā)射現(xiàn)象。金屬或半導(dǎo)體向真空發(fā)射電子所需的最低能量稱為逸出功或功函數(shù)，即表面勢壘高度。在金屬半導(dǎo)體接觸界面同樣存在熱離子發(fā)射，此時所要克服的勢壘由金屬半導(dǎo)體接觸勢壘決定。 #15837. 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（semiconductor heterojunction） 組成pn結(jié)的n型區(qū)和p型區(qū)用不同的半導(dǎo)體材料組成時，其過渡區(qū)就稱之為半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)。 #15838. 拉曼散射（Raman scattering） 拉曼散射是指入射光子與組成系統(tǒng)（如液體、透明玻璃、固體等）的分子間的非彈性碰撞引起的分子與光子間的能量交換

54、，使一部分入射光子的能量發(fā)生改變，因此其波長改變的現(xiàn)象。由于能量守恒，光子獲得或失去的能量應(yīng)等于分子能量的改變。通過測量光子能量的改變可以檢測分子能量的改變，這種改變通常與分子的轉(zhuǎn)動，振動能量及電子能量有關(guān)。 #15839. 霍爾效應(yīng)（Hall effect） 在半導(dǎo)體薄片的兩端之間通以電流，如果在與薄片垂直的方向外加一磁場，則電子和空穴在洛倫茲力作用下，將沿著與磁場方向垂直的方向移動。如沿洛倫茲力的方向設(shè)置電極，則可檢測出電壓（霍爾電壓）。這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)?；魻栯妶鯡Y與電流密度JX和磁感應(yīng)強(qiáng)度BZ成正比，即EY=RHJXBZ，比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù)?；魻栂禂?shù)的數(shù)值與正負(fù)和半導(dǎo)體的導(dǎo)電

55、類型、載流子濃度、遷移率大小以及溫度、樣品形狀等因素有關(guān)?；魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體物理性質(zhì)的一個很重要的方法，可測定載流子濃度、導(dǎo)電類型和霍爾遷移率。利用霍爾效應(yīng)制成的電子器件稱為霍爾器件。由于霍爾器件有在靜止?fàn)顟B(tài)下感受磁場的能力，而且構(gòu)造簡單、小型、堅固，同時是以多數(shù)載流子工作為主、頻率響應(yīng)寬、壽命長、可靠性高，所以在測量技術(shù)、自動化技術(shù)及信息處理等方面得到廣泛的應(yīng)用。常用材料有硅、鍺和遷移率高的砷化鎵、銻化銦、砷化銦等族化合物半導(dǎo)體。 #15878. 佩爾捷效應(yīng)（Peltier effect） 當(dāng)兩種不同的半導(dǎo)體或者半導(dǎo)體與金屬相接觸并接通電流時，接觸面處除產(chǎn)生焦耳熱以外，還要吸熱或放熱，稱為

56、佩爾捷效應(yīng)，而且這個效應(yīng)是可逆的。與兩個不同金屬接觸相比，半導(dǎo)體之間相接觸產(chǎn)生的效應(yīng)要大得多。通過佩爾捷效應(yīng)，使得一個接頭不斷吸熱而產(chǎn)生低溫，可制造溫差發(fā)電器和制冷器。為了提高效率，必須選擇澤貝克系數(shù)大的半導(dǎo)體材料，還必須選擇熱導(dǎo)率和電阻率小的材料。因此，一般常用Bi2Te3、Sb2Te3、Bi2Sb3等族化合物半導(dǎo)體作溫差制冷材料。 #15879. 塞貝克效應(yīng)（Seebeck effect） 當(dāng)兩個不同的導(dǎo)體a和b兩端相接，組成一個閉合線路，如兩個接頭A和B具有不同的溫度，則線路中便有電流，這種電流稱為溫差電流，這個環(huán)路便組成溫差電偶，產(chǎn)生電流的電動勢稱為溫差電動勢，其數(shù)值一般只與兩個接頭的

57、溫度有關(guān)。這個效應(yīng)是于1821年由澤貝克發(fā)現(xiàn)的，故稱為澤貝克效應(yīng)，溫差電動勢也稱為澤貝克電動勢（ab示之）。定義溫差電動勢率ab ab為單位溫差時的溫差電動勢，亦稱澤貝克系數(shù)，單位為V/K。兩個不同半導(dǎo)體也可構(gòu)成閉合線路，當(dāng)兩個接頭處溫度不同時，也要產(chǎn)生溫差電動勢，而且數(shù)值比金屬導(dǎo)體大得多。在室溫附近，半導(dǎo)體的ab有幾百V/K，而金屬的ab只在0.1與10V/K之間。因此，半導(dǎo)體在熱能與電能的轉(zhuǎn)換上，可以有較高的效率，在溫差發(fā)電方面有較廣的應(yīng)用。常用溫差發(fā)電半導(dǎo)體材料有Bi2Te3、ZnSb、PbTe、GeTe和FeSi2等。 #15880. 固體電子學(xué)（solid state electro

58、nics） 固體電子學(xué)是隨著固體器件特別是半導(dǎo)體/集成電路的空前發(fā)展出現(xiàn)的一門新興邊緣學(xué)科，該學(xué)科主要涉及用固體電子器件實現(xiàn)各種復(fù)雜電子系統(tǒng)。 #15881. 微電子學(xué)（microelectronics） 是研究在固體（主要是半導(dǎo)體）材料上構(gòu)成微小型化電子電路、子系統(tǒng)及系統(tǒng)的電子學(xué)分支學(xué)科，是當(dāng)今電子學(xué)的最重要組成部分，是信息科學(xué)、計算機(jī)科學(xué)、固體電子學(xué)、醫(yī)用電子學(xué)等學(xué)科的發(fā)展基礎(chǔ)。微電子學(xué)包括半導(dǎo)體材料與器件物理、集成電路及系統(tǒng)的設(shè)計及制造，并與光電子學(xué)及超導(dǎo)電子學(xué)相互滲透。 #15882. 納米電子學(xué)（nanoelectronics） 以納米尺度材料為基礎(chǔ)的器件制備、研究和應(yīng)用的電子學(xué)領(lǐng)域為納米電子學(xué)。由于量子尺寸效應(yīng)等量子力學(xué)機(jī)制，納米材料和器件中電子的形態(tài)具有許多新的特征。納米電子學(xué)是當(dāng)前科學(xué)界極為重視的研究領(lǐng)域，被廣泛認(rèn)為未來數(shù)十年將取代微電子學(xué)成為信息技術(shù)的主體，將對人類的工作和生活產(chǎn)生革命性影響。 #15883. 本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor） 完全不含雜質(zhì)和缺陷，僅依賴本征載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體材料。實際半導(dǎo)體不能絕對地純凈，本征半導(dǎo)體一般是指導(dǎo)電主要由材料的本征激發(fā)決定的純凈半導(dǎo)體。