有關(guān)IR2104的自舉電容和NMOS選擇問題

1、有關(guān)IR2104的自舉電容和NMOS選擇問題這是我第一次用IR2104有一些疑問希望各位師傅能不吝賜教電機驅(qū)動電壓為170V，頻率40KHZ，電流3A的矩形波電路圖如下所示自舉電容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4該如何選擇？U1,U2前邊是否要加隔離電路？謝謝啦！170v要加光耦了，自舉電容1uf低ESL低ESR即可。是在U1,U2前加的吧恩，前面加為什麼要加上D3,D4,D5和D6?有何作用?為什麼要加上D3,D4,D5和D6? dead time management.為mos管放電提供低的回路最好再給mosfet的gs間加個10k的電阻不過有位師傅說限流電阻為33歐姆所以D3,D4,D

2、5，D6加不加無所謂是這樣嗎？電路圖參數(shù)已選定，大家?guī)涂纯词欠窈线m1N4004和10K其實也可以省能具體說一下嗎？10K電阻不是確保：關(guān)機后柵極存儲的電荷通過10K電阻迅速釋放，以保證電荷的迅速釋放的嗎？還有1N4004呢？謝謝了！10K不能省，1N4004還是省下來吧，也好幾毛錢了NMOS附送的二極管比1N4004高級的多我也認為10K不能省覺得 adcr 老稻說的比較又道理都不能省。10K電阻是用來保護GS在關(guān)斷時不被擊穿，而1N4004是續(xù)流用的，不能省，這里建議1N4004換成MUR160以上的快速恢復二極管我還想問下各位師傅自舉電容C3,C4應該沒有耐壓要求吧如果反并聯(lián)續(xù)流管是不是應

3、該注意正向壓降問題。如果你并的壓降比體二極管壓降大豈不是悲劇了肖特基或者“同步續(xù)流”？請教下GS間10K電阻的作用LZ,我按你的圖改改，自己做了塊。上面半橋是正常的，但是下面那半路中MOS管一上電就有1A多的電流輸出。很奇怪，電路沒地方短路，2104兩端輸出均正常。原理圖如下。自舉電容1uf低ESL低ESR即可。20樓的圖，下面的那半橋，為什么HO接到低端MOS，LO接到了高端MOS呢？有沒有誰做過用220V ac整流堆整流流出來，然后用ir2104驅(qū)動mos管驅(qū)動電機的兄弟呢？請問不加光耦有什么后果？0樓歪才，想用一個信號來控制2個2104，（正相和反相），但LO和HO輸出電平不一樣的，正確

4、做法是一片2104的信號輸入端加反相器Nmos不是自己帶了一個二極管了嗎，為什么還要再加一個續(xù)流二極管呢你好，我想問一下為什么1N4004不能省，不是NMOS內(nèi)部不是已經(jīng)加了二極管了嗎你好，我想問一下為什么1N4004不能省，不是NMOS內(nèi)部不是已經(jīng)加了二極管了嗎.如果內(nèi)部有的話可以省掉，自舉回路的二極管要用MUR系列的，比較合適如果內(nèi)部有的話可以省掉，自舉回路的二極管要用MUR系列的，比較合適但是我看到有的資料也說MOS內(nèi)部的二極管是由于寄生作用產(chǎn)生的，性能不是很好。但是在看MOS管的數(shù)據(jù)手冊時（比如IRF3205)，其內(nèi)部的二極管可以持續(xù)通過電流110A，性能很好。這使我比較迷惑，你能解答

5、一下嗎？10K可以不要。用主動升壓,C3,C4也可以省有關(guān)IR2104的自舉電容和NMOS選擇問題用主動升壓,C3,C4也可以省兄臺能不能給推薦個電路 主動升壓能滿占空比嗎驅(qū)動供電的地方最好加一個1000uf的電解電容我的電路圖是有一點問題的，首先把接在VB上的二極管換成了快速恢復的FR307，然后在電源上接了電解電容，在V .大神，你這個電路驅(qū)動有沒有成功啊，怎么我和你的電路一樣，沒有成功啊關(guān)于IR2104s 自舉電容的取值問題關(guān)于IR2104S.htmlIR2104S自舉電容的取值問題最近用到IR2104S這個芯片來驅(qū)動H橋。查了一些資料和很多人畫的電路，都說自舉電容的取值對芯片是否能夠正

6、常工作有很大的影響。但是不同的人設(shè)計的電路在其他參數(shù)類似的情況下，自舉電容的取值卻又不太統(tǒng)一。有沒有使用過這個芯片的高人，指點一下究竟應該如何來取這個自舉電容的值。比較合適。鏈接中是我找到的一個關(guān)于如何來取這個電容值得文章，但是公式中有很多參數(shù)諸如Icbs，Vls，Vmin代表的意義不是很清楚。請大家指點。通常按10UF取值即可用0.1UF也可以用0.1UF也可以,驅(qū)動的是IRF640供應:IR系列產(chǎn)品現(xiàn)貨供應IR的MOS型號:歡迎各界人士來電和詢價，或發(fā)郵箱給我等等，會在第一時間回復你。IRL3803SPBF30V/140AIRLR7807ZPBF30V43AIRFZ34NPBF55V/26

7、AIRF3205PBF55V/98AIRFR024NTRPBF55V/17AIRFZ44NPBF55V/49AIRF9Z34NPBF-55V/17AIRF1010EPBF60V/81AIRF540NPBF100V/44AIRF3315PBF150V/21AIRF6215PBF-150V/13AIRF9640PBF-200V/-11AIRFR220NPBF200V/5AIRF620200V/5.2AIRF630NPBF200V/9.5AIRF640NPBF200V/18AIRFB38N20DPBF200V/44AIRFP260NPBF200V/50AIRFP264PBF250V/38AIRF74

8、0PBF400V/10AIRF830PBF500V/4.5AIRF840PBF500V/8AIRFP450PBF500V/14AIRFP460APBF500V/20A供應IR-PERI的IGBT模塊型號:歡迎各界人士來電或詢價等等GA75TS120U75A/1200VGA100TS120U100A/1200VGA150TS120U150A/1200VGA200TS120U200A/1200V供應現(xiàn)貨IGBT：歡迎各界人士來電或詢價等等IRG4PF50WDPBF900V/28AIRG4PF50WPBF900V/28AIRG4PC40W600V/20AIRGPS40B120UDPBF1200V/4

9、0AIRG4PC40UDPBF600V/20A聯(lián)系人：徐先生手機-mali：SZXYF1984163.COMMSN:SZXYF1984163.COMQQ:342184874ON Semiconductor D44VH10G , NPN 雙極晶體管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 4針 TO-220AB封裝產(chǎn)品詳細信息NPN 功率晶體管，ON Semiconductor這些 ON Semiconductor 晶體管可放大模擬或數(shù)字信號。 它們還可切換直流或用作振蕩器。雙極性晶體管，On SemiconductorON Semiconductor 的各種雙極晶體管，包括以下類別：小信號晶體管通用晶體管雙 NPN 和 PNP 晶體管功率晶體管高電壓晶體管射頻雙極晶體管低噪聲，雙匹配和復雜的雙極晶體管產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)查找不到您搜索的產(chǎn)品？請先選擇您所需要的屬性，然后點擊下面的按鈕晶體管類型NPN最大直流集電極電流15 A最大集電極-發(fā)射極電壓80 V封裝類型TO-220AB安裝類型通孔最大功率耗散83 W最小直流電