GB∕T 39842-2021 集成電路（IC）卡封裝框架

?ICS31.200L56

中華人民共和國國家標準

GB/T39842—2021

集成電路(IC)卡封裝框架

Itegratedcircuit(IC)cardpackagingframework

2021-03-09發(fā)布

2021-07-01實施

GB/T39842—2021

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本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任。本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)歸口。

本標準起草單位:山東新恒匯電子科技有限公司。

本標準主要起草人：朱林、邵漢文、王廣南、陳鐸。

I

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GB/T39842—2021

集成電路（IC）卡封裝框架

1范圍

本標準規(guī)定了集成電路（IC）卡封裝框架（以下簡稱IC卡封裝框架）的技術要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、貯存和運輸。

本標準適用于IC卡封裝框架，包括接觸式IC卡封裝框架和非接觸式IC卡封裝框架。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有修改單）適用于本文件。

GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫

GB/T2423.17電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ka:鹽霧

GB/T2423.50環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗GB/T2423.51—2020環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ke:流動混合氣體腐蝕試驗GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T3922紡織品色牢度試驗耐汗?jié)n色牢度

GB/T13557印制電路用撓性覆銅箔材料試驗方法

GB/T16545—2015金屬和合金的腐蝕腐蝕試樣上腐蝕產(chǎn)物的清除

GB/T16649.2識別卡帶觸點的集成電路卡第2部分：觸點的尺寸和位置

GB/T16921—2005金屬覆蓋層覆蓋層厚度測量X射線光譜法

GB/T17554.1識別卡測試方法第1部分:一般特性測試

GB/T25933—2010高純金

GB/T25934—2010（所有部分）高純金化學分析方法

GB/T32642—2016平板顯示器基板玻璃表面粗糙度的測量方法

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件。

3.1

IC卡封裝框架ICcardpackagingframework

由絕緣材料與帶圖形的導電材料疊壓而成，是保護芯片的載體，也是芯片與外部設備進行信息交換的接口。

注：從數(shù)據(jù)傳輸方式上可分為單界面接觸式IC卡封裝框架、雙界面接觸式IC卡封裝框架和非接觸式IC卡封裝框架。

3.2

單界面接觸式IC卡封裝框架singlesideICcardpackagingframework

只能以接觸的方式，實現(xiàn)與外部設備信息交換的IC卡封裝框架。

3.3

非接觸式IC卡封裝框架contactlessICcardpackagingframework

只能以射頻等非接觸的方式，實現(xiàn)與外部設備信息交換的IC卡封裝框架。

3.4

雙界面IC卡封裝框架doublesideICcardpackagingframework

能夠通過物理直接接觸的方式實現(xiàn)與外部設備的信息交換，也可以通過射頻等非接觸的方式實現(xiàn)與外部設備的信息交換的IC卡封裝框架。

3.5

6PinIC卡封裝框架6PinICcardpackagingframework

GB/T16649.2規(guī)定的6個觸點（Cl、C2、C3、C5、C6、C7）的接觸式IC卡封裝框架。

注：見閣1、閣3?

3.6

8PinIC卡封裝框架8PinICcardpackagingframework

GB/T16649.2規(guī)定的8個觸點（Cl、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8）的接觸式IC卡封裝框架。

注：見閣2、閣4。

3.7

接觸面contactside

接觸式IC卡封裝框架傳遞信息時，1（3卡封裝框架上與外部設備接觸的導電體圖形表面。

3.8

壓焊面bondingside

接觸面的對立面，芯片的承載面，封裝面。

3.9

齒孔sprockethole

IC卡封裝框架每邊一排邊孔，設備通過此邊孔傳送IC卡封裝框架，并用于定位IC卡封裝框架的位置。

注：見圖1、圖2、圖3、圖4。

3.10

接觸塊contactpin

位于IC卡封裝框架接觸面上，包含GB/T16649.2規(guī)定觸點的導電體圖形。

注：見圖1、圖2、圖8、圖9?

3.11

腔孔cavity

位于IC卡封裝框架壓焊面的絕緣基材上，用于放置芯片的孔。

注：見閣3、閣4。

3.12

壓焊孔bondinghole

位于IC卡封裝框架壓焊面的絕緣基材上，用于壓焊金線的孔。

注：見閣3、閣4、閣8、閣9?

3.13

壓焊點bondingpad

位于雙界面IC卡封裝框架壓焊面上的導電體圖形，用于壓焊金線的金屬點。

注：見閣5、閣6、閣7、閣9。

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9

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3.14

壓焊塊bondingblock

位于雙界面IC卡封裝框架壓焊面上的導電體圖形，用于連接卡基天線的金屬塊。見閣5、閣6、閣7、閣10。

□

□

□

□

□

□

□

□

□

□

□

□

圖16Pin單/雙界面IC卡封裝框架接觸面

匚I

齒孔

C6

□

C2

C4

C1

C2

C3

C4

匚I

□

□

匚1

□

□

□

□

匚I

C6

C2

C了

C3

C1

C5

X

C2

C3

接觸塊

C6

C2

C7

C3

C8

C6

C7

"C6"

1- \

C2

C7

C3

C6一

'C2

C7

C3

C8

圖28Pin單/雙界面IC卡封裝框架接觸面

圖36Pin單界面IC卡封裝框架壓焊面

。0。

OO

。0。

□

□

□

□

O O □

。0。O O □

□

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□

□

□

□

oo

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oo

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oo

oo

°n°

o_o

oo

圖48Pin單界面IC卡封裝框架壓焊面

□

□

□

□

□

□

□

O O

oo

□

HF

O O

xnnP

oo

□

焊接塊

O O

oo

HFnx

oo

oo

□

-CT

壓焊點

oo

O —■

oo

oo

□

圖56Pin雙界面IC卡封裝框架壓焊面

□

□

□

—￡

醒

gg;

OESE13Onr

Ba:391

2i—1

a

□

□

□

壓焊點

□

□

□

□

□

□

□

□

□JL￡

agi

a

□

焊接塊

乜、

冇-

□

□

□

■^1

^kuiuuj

En;3nl

nr

□

壓焊孔

□

□

□

n

□

□

□

□

&~11~i2

ae

□

>§i

□

□

nr

□

□

□

圖68Pin雙界面IC卡封裝框架壓焊面

圖7非接觸式IC封裝框架

4技術要求

4.1集成電路（IC）卡封裝框架結構

4.1.1單界面接觸式IC封裝框架截面圖見圖8。

圖8單界面接觸式IC封裝框架截面圖

4.1.2雙界面接觸式IC封裝框架截面圖見圖9。

圖9雙界面接觸式IC封裝框架截面圖

4.1.3

非接觸式IC封裝框架截面圖見圖10。

表面處理層

導電金屬層

絕緣材料層

圖10非接觸式IC封裝框架截面圖

4.2外形尺寸及公差

接觸塊最小尺寸及位置應符合GB/T16649.2中觸點尺寸和位置的規(guī)定。外形尺寸及公差見表1。

外形尺寸標注7K意圖見圖11、圖12、圖13。

17

ooQO

□S2

□

□

□

oooO

□

表1外形尺寸及公差

參數(shù)

單位

標稱值

符號

公差

IC卡封裝框架總厚度

mm

—

—

±0.02

IC卡封裝框架寬度

mm

35

士0.075

X向齒孔中心距離

mm

4.75

Sp

±0.03

y向齒孔中心距離

mm

31.83

Sc

±0.02

齒孔徑

mm

1.422

±0.05

X向腔孔中心距離

mm

—

cx

±0.02

Y向腔孔中心距離

mm

—

cy

±0.02

齒孔中心到框架邊距離

mm

1.585

Se

士0.075

腔孔到參考點距離

mm

—

BX，By

±0.02

壓焊孔、腔徑

mm

—

—

±0.02

X向36個齒孔間距

mm

171

L

士0.2

接觸塊到參考點距離

mm

—

Xi

士0.075

mm

—

Yi

士0.075

導線間距

mm

>0.25

±0.05

mm

<0.25

b.

±0.03

不良品標記孔徑

mm

1.5

A

±0.1

不良品標記孔到參考點距離

mm

—

x2

±0.1

mm

—

Yz

±0.1

參考點

圖11外形尺寸1

圖12外形尺寸2

圖13外形尺寸3

4.3鍍層

4.3.1鍍層厚度

鍍層厚度應符合表2的規(guī)定。

表2鍍層厚度

代號

接觸面

pim

壓焊面（不包括腔孔）

ptm

Ni

Au

Ni

Au

P

1.4?3.0

閃鍍(Flash)

3?8

0.2?0.5

T

1.4?3.0

0.013?0.03

3?8

0.2?0.5

M

1.4?3.0

0.025?0.08

3?8

0.2?0.5

L

1.4?3.0

0.030?0.08

3?8

0.2?0.5

S

1.4?3.0

0.050?0.15

3?8

0.2?0.5

D

2.0?6.0

0.060?0.15

3?16

0.2?0.6

G

2.0?6.0

0.100?0.20

3?16

0.3?0.6

W

2.0?6.0

0.150?0.20

3?16

0.35?0.7

其他

按客戶要求

按客戶要求

按客戶要求

按客戶要求

4.3.2金屬層表面粗糙度

金屬層表面粗糙度應符合表3的規(guī)定。

表3金屬層表面粗糙度

參數(shù)

指標

接觸面金屬層粗糙度

（微觀不平度十點高度）＜3

壓焊面金屬層粗糙度

只z（微觀不平度十點高度）＜4Mm

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4.3.3鍍金層純度

鍍金層純度應符合GB/T25933—2010的規(guī)定。

4.4金屬層剝離強度

金屬層與絕緣層的剝離強度應不小于1N/mm。

4.5外觀要求

4.5.1單個IC卡封裝框架表面平整度

單個IC卡封裝框架表面平整度應不大于50Mm。

4.5.2 35mm寬度IC卡封裝框架翹曲

35mm寬度IC卡封裝框架翹曲應不大于1mm。

4.5.3壓焊孔表面平整度

壓焊孔表面平整度應不大于10//m。

4.5.4腔孔表面平整度

腔孔表面平整度應不大于30//m。

4.5.5壓焊孔、腔孔溢膠最大值

壓焊孔、腔孔溢膠最大值E應不大于100見圖14。4.5.6壓焊孔、腔孔毛刺最大值

壓焊孔、腔孔毛刺最大值M應不大于100gm，見圖15。

圖14胞,膠不意圖

圖15毛刺示意圖

4.5.7鍍層外觀

鍍層表面應致密、平滑、色澤均勻呈鍍層本色，不準許有起泡、玷污、斑點、水跡、異物、發(fā)花、短路、斷路等缺陷。應無明顯污點、脫落、鍍層漏鍍、鍍層劃痕。

4.6可靠性

4.6.1耐溫性

耐溫性應符合表4的規(guī)定。

9

表4耐溫性

項目

試驗條件

合格判據(jù)

高溫錫焊

溫度288°C±5°C，持續(xù)時間10s

導電金屬與絕緣材料不分層

溫度穩(wěn)定性

溫度260°C±5°C，持續(xù)時間3min

導電金屬與絕緣材料不分層

恒定濕熱

溫度85°C，相對濕度85%，持續(xù)時間504h

導電金屬與絕緣材料不分層

高壓蒸煮

溫度121°(2士2°C，絕對氣壓0.2MPa，相對濕度100%，持續(xù)時間24h

導電金屬與絕緣材料不分層

24h后金屬層剝離強度大于0.2N/mm

4.6.2耐化學性

人工汗液的配制方法應符合GB/T3922的規(guī)定。耐化學性應符合表5的規(guī)定。

表5耐化學性

項目

合格判據(jù)

5%氯化鈉溶液浸泡1min

外觀無明顯變化

5%乙酸溶液浸泡1min

外觀無明顯變化

5%碳酸鈉溶液浸泡1min

外觀無明顯變化

60%乙醇溶液浸泡1min

外觀無明顯變化

10%蔗糖溶液浸泡1min

外觀無明顯變化

FuelB(ISO1817)浸泡1min

外觀無明顯變化

50%的乙燔乙二醇浸泡1min

外觀無明顯變化

人造汗液堿溶液浸泡24h

外觀無明顯變化

人工汗液酸溶液浸泡24h

外觀無明顯變化

4.6.3鹽霧

鹽霧應符合表6的規(guī)定。

表6鹽霧

項目

表面厚度代號

合格判據(jù)

鹽霧試驗(24h)

全部

水洗后，表面電阻＜500mQ

鹽霧試驗(48h)

P、T

酸洗后，腐蝕點＜100個/cm2

鹽霧試驗(96h)

M、L、S、D、G、W、其他

酸洗后，腐蝕點＜100個/cm2

4.6.4流動混合氣體腐蝕

流動混合氣體濃度應符合GB/T2423.51—2020中表1方法1的規(guī)定。

流動混合氣體腐蝕96h，酸洗后腐蝕點＜100個/cm2。

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5檢驗方法

5.1外觀檢驗方法

5.1.1檢驗環(huán)境

檢驗人員在檢驗IC卡封裝框架外觀時，應在10萬級的潔凈室中，穿無塵衣、戴無塵帽、戴口罩、戴手指套，不能直接用手去觸摸IC卡封裝框架表面，避免因裸手接觸造成IC卡封裝框架污染。

5.1.2目測方法

IC卡封裝框架檢驗時，應使用專用的、配有電機和光源的框架檢驗工作臺，工作臺應干凈，平整。檢驗時應在光源下，距IC卡封裝框架30cm?40cm，眼睛與集成電路（IC）卡封裝框架表面保持±30°的角度，進行目測，見圖16。

光源檢測人員

圖16目測

5.1.3外觀測量方法

外觀測量方法按表7的規(guī)定。

表7外觀測量方法

檢驗項目

檢驗要求章條號

檢驗方法

外形尺寸及公差

4.2

使用滿足測量精度的量具或工具進行測量

鍍層厚度

4.3.1

按GB/T16921—2005測量

金屬層剝離強度

4.4

按GB/T13557測量

金屬層表面粗糙度

4.3.2

按GB/T32642—2016測量

鍍金層純度

4.3.3

按GB/T25934—2010測量

5.2可靠性檢驗方法

可靠性檢驗方法按表8的規(guī)定。

表8可靠性檢驗方法

檢驗項目

檢驗要求章條號

檢驗方法

耐溫性

4.6.1

按附錄A進行高壓蒸煮測試按GB/T2423.2進行溫度穩(wěn)定性測試按GB/T2423.50進行恒定濕熱測試按附錄B進行高溫錫焊測試

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表8（續(xù)）

檢驗項目

檢驗要求章條號

檢驗方法

耐化學性

4.6.2

按GB/T17554.1測試

鹽霧

4.6.3

按GB/T2423.17.GB/T16545—2015測試

流動混合氣體腐燭

4.6.4

按GB/T2423.51—2020,GB/T16545—2015測試

6檢驗規(guī)則

6.1檢驗分類

檢驗分為：

a） 出廠檢驗；

b） 型式檢驗。

6.2出廠檢驗

6.2.1檢驗批

一個檢驗批應由相同類型，在相同的條件下，采用相同原材料和工藝生產(chǎn)，并在同一時間內(nèi)提交檢驗的產(chǎn)品組成。

6.2.2抽樣方案

應按GB/T2828.1規(guī)定的一般檢查水平II和一次正常抽樣方案，從提交的檢驗批中按表9規(guī)定隨機抽取試樣。

表9抽樣

分組

檢驗項目

檢驗要求章條號

出廠檢驗

型式檢驗

抽樣方案

A組

外觀要求

4.5

100%

50/0

B組

外形尺寸及公差

4.2

AQL=0.65

50/0

鍍層厚度

4.3.1

金屬層剝離強度

4.4

金屬層表面粗糙度

4.3.2

鍍金層純度

4.3.3

耐溫性

4.6.1

耐化學性

4.6.2

鹽霧

4.6.3

流動混合氣體腐蝕

4.6.4

6.2.3檢驗程序

應按表9規(guī)定進行檢驗。

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A組檢驗100%進行，剔除不合格品；B組檢驗從通過A組檢驗的檢驗批中，按表9規(guī)定抽樣進行。

6.2.4判定

一個或多個試樣有一項或多項檢驗未通過表9規(guī)定的檢驗，則判定為不合格。

6.2.5拒收批

若檢驗批中不合格品數(shù)大于表9中AQL值所對應的允許不合格判定數(shù)時，則加倍抽樣，對不合格項目進行復檢，若復檢仍不合格時，則判定該批不合格。

6.3型式檢驗

6.3.1通則

下列情況之一者，應進行型式檢驗：

a） 新產(chǎn)品生產(chǎn)試制定型鑒定；

b） 正式生產(chǎn)后，原材料、工藝等發(fā)生較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時；

c） 產(chǎn)品停產(chǎn)3個月及其以上，恢復生產(chǎn)時；

d） 出廠檢驗結果與上次檢驗存在較大差異時。

6.3.2抽樣方案

按表9規(guī)定。

6.3.3檢驗程序

應按表9規(guī)定進行檢驗。

50個試樣先進行A組檢驗，經(jīng)A組檢驗合格后，再進行B組檢驗。

B組的檢驗項目應按有關產(chǎn)品規(guī)范中的規(guī)定進行。

6.3.4判定

一個或多個試樣有一項或多項檢驗未通過表9規(guī)定的檢驗，則型式試驗不合格。

7包裝規(guī)格

7.1包裝

IC卡封裝框架以卷狀的形式，中間加隔離膜進行包裝后，再用塑料袋包裝進行抽真空。每兩卷為一箱，標簽標識向上。

注：如有特殊要求，以與客戶簽訂的訂單合同為準。

7.2標簽

每盤IC卡封裝框架均需帶有標簽。標簽上須標明以下內(nèi)容：

a） 制造單位名稱（或商標）；

b） 客戶產(chǎn)品編號；

c） 廠內(nèi)產(chǎn)品編號；

d） 合格數(shù)和缺陷數(shù)；

e） 接頭數(shù)；

f） 批號；

g） 表面處理日期；

h） 合格章。

8貯存

IC卡封裝框架原包裝密封儲存且符合以下貯存條件，保質期12個月（從表面處理日期開始）:

a） 溫度:20°C±5°C。

b） 相對濕度：50%±10%。

c） 無腐蝕性污染（如H2S、SO2、NaCl）。

9運輸

IC卡封裝框架在運輸裝卸過程中，外包裝不應破損，注意輕拿輕放，不能投擲、重壓，避免日曬雨淋。

附錄A（規(guī)范性附錄）高壓蒸煮試驗

A.1目的

在高壓蒸汽條件下，以加速的方式評價導電金屬層與絕緣材料層的抗潮濕能力。

A.2設備

A.2.1高壓蒸汽試驗箱，工作區(qū)域絕對氣壓達到0.2MPa（2bar），并有壓力和溫度指示裝置。

A.2.2試驗箱用水的電阻率應大于500O?m。

A.2.3試驗箱結構牢固，并有安全裝置，以保證試驗安全進行。

A.2.4放置試樣架在實驗過程中不應被水浸淹，同時水也不能濺到試樣上。

A.3試驗條件

試驗條件如下：

a） 試驗溫度：121°C±2°C;

b） 試驗壓力：絕對氣壓0.2MPa；

c） 試驗濕度：相對濕度100%;

d） 試驗時間：24h。

A.4試驗程序

A.4.1初始檢測

對試樣進行外觀檢查（必要時做金相分析），確保導電金屬與絕緣材料不分層。

A.4.2試驗方法

將試樣放在試驗架上，當試驗箱的溫度、壓力滿足A.3的試驗條件時，開始計時，到達設定時間24h后，將試樣取出。

A.4.3恢復

將試樣在正常氣候條件下恢復24h。

A.4.4最