北京科技大學(xué)

1、北京科技大學(xué) 大學(xué)物理A （下）期末樣題 選擇題（每題 3分，共30 分） 1 點(diǎn)電荷-q位于圓心處，A、B、C、D為同一圓周上的四點(diǎn)，如圖所示。將一試驗(yàn)電荷 從A點(diǎn)分別移動(dòng)到B、C、D各點(diǎn)，則（） （A）從A到B,電場(chǎng)力做功最大。 （B）從A到C,電場(chǎng)力做功最大。 （C）從A到D,電場(chǎng)力做功最大。 （D）從A到以上各點(diǎn)，電場(chǎng)力做功相等。 2.如果某帶電體其體電荷密度 r增大為原來的 2倍，則 其電場(chǎng) 變?yōu)樵瓉淼模ǎ?(A) 2 倍；(B) 1/2 倍； (C) 4倍； (D) 1/4 倍。 3 .在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)，如圖所示。B的大小以速率dB dt變 化。在磁場(chǎng)中有

2、 A、B兩點(diǎn)，其間可放置直導(dǎo)線 AB和 AB彎曲導(dǎo)線，則（） （A）電動(dòng)勢(shì)只在 AB導(dǎo)線中產(chǎn)生。 （B）電動(dòng)勢(shì)只在AB導(dǎo)線中產(chǎn)生。 （C）電動(dòng)勢(shì)在 AB和AB導(dǎo)線中都產(chǎn)生，且兩個(gè)電動(dòng)勢(shì)大小相等。 （D）AB導(dǎo)線中的電動(dòng)勢(shì)小于 ab導(dǎo)線中的電動(dòng)勢(shì)。 R，直線CA和 4. 通有電流為I的“無限長(zhǎng)”導(dǎo)線彎成如圖形狀，其中半圓段的半徑為 DB平等地延伸到無限遠(yuǎn)，則圓心 0點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為（ (C) %I也 4 二R 8R (B) 4R 2 二R %I R (D) 2R 二 R ) D B 5. 在陰極射線管外，如圖放置一個(gè)蹄型磁鐵，則陰極射線將 （） （A）向下偏。 (B) 向上偏。 (C) 向

3、紙外偏。 (D) 向紙內(nèi)偏。 6. 靜止質(zhì)量不為零的高速運(yùn)動(dòng)的微觀粒子，其物質(zhì)波波長(zhǎng)與速度的關(guān)系為() (A) v ；( B )% ” 1 / v ； 1 1 ；22 (C) 人 x I 2 ；( D) 九 OC v C V V v c 7 .具有下列哪一能量的光子能被處在主量子數(shù) n二2的能級(jí)的氫原子吸收？() (A)1.51eV; (C)2.16eV; (B)1.89eV ; (D)2.40eV。 8.波長(zhǎng)，=500 nm的光沿x軸正向傳播。若光的波長(zhǎng)的不確定量 =10 nm,則估 算其中光子的坐標(biāo)不確定量至少為( (A) 25mm ; (C)250cm; ) (B) 50cm; (D)5

4、00cm。 9.在氫原子發(fā)射光譜的巴耳末譜線系中，光譜線所對(duì)應(yīng)的氫原子所發(fā)射的最小波長(zhǎng)和最 大波長(zhǎng)之比為() (A)7/9; (C)4/9; (B)5/9; (D)2/9。 10.若(1)是指鍺用銻(5價(jià)元素)攙雜，(2)指硅 (3價(jià)元素)攙雜，分別得到各自雜質(zhì)半導(dǎo)體。下列說 確的是() (A) (1 )、(2)均為n型半導(dǎo)體。 (B) (1)為n型半導(dǎo)體，(2)為p型半導(dǎo)體。 (C) (1)為p型半導(dǎo)體，(2)為n型半導(dǎo)體。 (D) (1 )、(2)均為p型半導(dǎo)體。 用鋁 法正 填空題(每題 3分，共27分，答案以答題卡上的為準(zhǔn)) B1 1 在某時(shí)刻，半徑 R的無限長(zhǎng)通電螺線管的截面上的磁場(chǎng)

5、方向如圖。兩根金屬棒長(zhǎng)2R。 一根放在圓柱截面的直徑位置，另一根放在圓柱體外。 兩根金屬棒又分別用導(dǎo)線和電流計(jì)連 成回路。當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度以 dB / dt鼻0變化時(shí)，則金屬棒AA1的電動(dòng)勢(shì) 為=； BB1 所連接的回路中的電流i2二 2 均勻磁場(chǎng)中放有兩塊半導(dǎo)體。 當(dāng)有電流通過它們時(shí)， 它們上下表面積累電荷情況如圖 所示。 (1) 其中（1 ）是型，（2）是型。 3. 有一平行板電容器，其間充有兩層均勻介質(zhì)，厚度分別為11和12。設(shè)介質(zhì)是漏電的, 電阻率分別為；1和=2,介質(zhì)的介電常數(shù)分別為 ；1和；2,如圖。今在電容器極板間接上電池， 設(shè)電流達(dá)到穩(wěn)定時(shí)極板間電勢(shì)差- =U，則兩種介質(zhì)分界面上所

6、帶的自由電荷面密度 j1 = j 2 ) 11 12，: 2 :。（提示：兩層介質(zhì)中的電流密度相等 4. 圖示為幾種不同的磁介質(zhì)的 BH關(guān)系曲線，其中虛線表示的是B= f H的關(guān)系。 你認(rèn)為a、b、c各代表哪一類磁介質(zhì)的 BH關(guān)系曲線? a代表 的B -H關(guān)系曲線; b代表 的B -H關(guān)系曲線; c代表 的B H關(guān)系曲線。 5. 在一維無限深勢(shì)阱（0 xw a）中運(yùn)動(dòng)的粒子，其波函數(shù)為 山（x） =J?sin（ n n x）（0 w x a） a a 若粒子處于n=1的狀態(tài)，在（0a/4）區(qū)間發(fā)現(xiàn)粒子的概率是 。 6. 對(duì)于兔-491 nm的入射光，某光電管陰極發(fā)射光電子的遏止電壓為0.71V

7、。當(dāng)入射 光的波長(zhǎng)為 nm時(shí)，其遏止電壓變?yōu)?.43V（ e =1.600,9 C, hi = 6.63漢10亠 J s） 7. 太陽(yáng)輻射本領(lǐng)的峰值在 465 nm處。將太陽(yáng)視為黑體，太陽(yáng)表面溫度為 單位面積上的輻射功率為 。（貯=5.610W/m2K4, 2.910mK） 8. 康普頓散射中，當(dāng)散射角（散射光子與入射光子方向交角）時(shí)散射光 子的波長(zhǎng)大得最多；此時(shí)散射光子的波長(zhǎng)比入射光子的波長(zhǎng)大了nm。（電子質(zhì) 量 m0 = 9.1 10 1Kg） 9.原子內(nèi)電子的量子態(tài)由n、I、m,、ms四個(gè)量子數(shù)表征。當(dāng)n、l、m, 一定時(shí)，不同 的量子態(tài)數(shù)目為 ；當(dāng)n、丨一定時(shí)，不同的量子態(tài)數(shù)目為 ；當(dāng)

8、n 定時(shí)，不同的量子態(tài)數(shù)目為 三計(jì)算題（共43 分） 1. （10分）如圖，一無限長(zhǎng)圓柱形直導(dǎo)體，橫截面半 為R。在導(dǎo)體內(nèi)有與其軸 0對(duì)稱分布、半徑為 a的兩 圓柱形孔，它們軸 0、0平行于導(dǎo)體軸 0并與導(dǎo)體 相距為b。設(shè)導(dǎo)體載有均勻分布的電流I，求圓柱形孔 軸線0上的磁感應(yīng)強(qiáng)度。 2. （8分）如圖所示，金屬薄圓盤半徑為 R,可繞通過盤 且與盤面垂直的轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)。設(shè)角速度為,方向俯視盤面， 逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度 B垂直盤面向上，A為盤 一點(diǎn)。求盤心 0與A點(diǎn)間電勢(shì)差V。-Va。盤中心與盤邊緣 電勢(shì)高？ 心 0 繞0 邊緣 誰(shuí)的 3 （10分）在康普頓散射中，一個(gè)波長(zhǎng)為0.030?的入射光子與一個(gè)靜止的自由電子發(fā)生彈 性碰撞。碰撞后的反沖電子速度為0.6c （c