HIT技術(shù)發(fā)展交流論壇

1、HIT 技術(shù)發(fā)展交流論壇關(guān)于 HIT 論壇問(wèn)題交流 : 1. 非晶硅的沉積在常規(guī)產(chǎn)線 PECVD 上可以完成嗎，或是需要怎樣的調(diào)整？回答：不可 以在常規(guī)產(chǎn)線上完成，設(shè)備結(jié)構(gòu)完全不同，所用特氣只有硅 烷相同，常規(guī)產(chǎn)線的 PECVD 無(wú)法用于 HIT 電池制作非晶硅； 2. 目前行業(yè)主流的非晶硅沉積設(shè)備有哪些（包括廠商 ）？回答：美國(guó)應(yīng)用材料、梅耶博格、瑞士indotec、韓國(guó)Jusung,臺(tái)灣精曜、日本 ULvac 、上海理想能源 3. 非晶硅在行業(yè)內(nèi) 成本怎么樣 （ 和背鈍化的氧化鋁相比 ）？回答： HIT 電池沉積 的四層非晶硅成本與 perc 電池的氧化鋁成本差不多。 非晶硅 鈍化和氧化鋁

2、鈍化是兩回事，非晶硅是化學(xué)鈍化，而氧化鋁 屬于場(chǎng)鈍化，兩者鈍化原理不同，當(dāng)然鈍化效果也不一致； 4. TCO 的制備，目前業(yè)界主流設(shè)備有哪些？回答：日本 ULvac 、德國(guó)馮 .阿登納、 應(yīng)用材料 PVD（ 光伏部分已經(jīng)停產(chǎn) ）、 韓國(guó)sntek、德國(guó)singulus、梅耶博格、臺(tái)灣精曜等。5. PVD 在 HIT 上應(yīng)用， 有沒有其他方式可以實(shí)現(xiàn)？回答： PVD 廣泛 用于薄膜電池以及半導(dǎo)體行業(yè)， HIT 只是 PVD 應(yīng)用的很小的 一個(gè)部分 ,主要沉積的是 ITO 的 TCO 導(dǎo)電薄膜還有一種 TCO 制備叫反應(yīng)等離子體沉積（RPD），沉積的是IWO薄膜6. TCO 到底是一個(gè)什么樣的概念

3、 （就像 SINx 膜是氨氣和硅烷的合 成）？回答： TCO 全稱叫透明導(dǎo)電薄膜，作用是透光、減反 以及導(dǎo)電， 是簡(jiǎn)并的 N 型半導(dǎo)體， 氮化硅只是透光和減反是 絕緣體。 TCO 現(xiàn)在常用的是 ITO 和 IWO ，分別是氧化銦摻 錫和氧化銦摻鎢，本身是混合好的固體，利用磁控濺射鍍膜 技術(shù)和蒸鍍沉積到硅片正反面； 7. HIT 現(xiàn)在的成本以及未來(lái) 的成本下降趨勢(shì)； 回答：現(xiàn)如今成電池成本較 perc 高 10-20% 之間， 組件成本低于常規(guī)組件 perc 至少 10%，總體來(lái)說(shuō)只要 靶材、銀漿以、硅片切薄以及電鍍銅，組件多主柵和疊片技 術(shù)，最終 HIT 完全可以匹配現(xiàn)有 perc 成本。 8

4、. smrtwire 現(xiàn) 在在國(guó)內(nèi)有沒有類似的供應(yīng)商； 回答： SWCT 只是梅耶 博格推廣的技術(shù)， SWCT 使用低熔點(diǎn)合金與電池連接， MBB 使用焊接， 電池做到 130um 以下時(shí)， 要盡量避免使用應(yīng)力會(huì) 累積的焊接技術(shù)，這也是為什麼松下使用 CF 模組技術(shù)的原 因。疊瓦某種程度也達(dá)到這個(gè)目的，使用導(dǎo)電膠。這種技術(shù) 對(duì)組件的功率提升大概在 5W ，提升有限，后續(xù)的 HIT 可能 會(huì)直接越過(guò) SWCT 和 MBB （不適合 HIT ）直接疊片； 9. 目 前 HIT 量產(chǎn)效率 22% ，比較單晶 PERC 或 PERT 雙面，效率 21.5%考慮成本及工藝穩(wěn)定性并沒有優(yōu)勢(shì)，發(fā)展前景如何？

5、 另外雙面電池效率測(cè)試官方標(biāo)準(zhǔn)大概什么時(shí)候推出來(lái)？回 答： HIT 現(xiàn)在量產(chǎn)效率是偏低的，原因可能是設(shè)備陳舊以及 本身工藝優(yōu)化做的不好，現(xiàn)在 HIT 門檻效率是 22.5%，相信 明年會(huì)輕松突破 23%。還有 HIT 電池生產(chǎn)穩(wěn)定性沒有大家想 的那么嚴(yán)，電池良率可以輕松到 99%，只是產(chǎn)線管控稍微比常規(guī)嚴(yán)一點(diǎn)，沒有不穩(wěn)定一說(shuō)。雙面的 HIT 電池，背面的功 率可以做到正面的 90-95%, 如果技術(shù)功底好 98%也是可能 的。成本計(jì)算：效率折算： perc 雙面電池正面效率 21.5% ， 背面 16%，等效正面效率 21.5+1.6=23.1PERC 雙面組件的測(cè) 試光強(qiáng) =（1+背面短路電

6、流 /正面短路電流 *0.135 ） *1000W=1100WPERC 組件功率 =330WHIT 正面效率 23%， 背面 21%，等效正面效率 23+2.1=25.1HIT 雙面組件測(cè)試光強(qiáng) =（ 1+背面短路電流 /正面短路電流 *0.135 ）=1186WHIT 組件 功率（60）=375W以上兩者組件功率差異在 40W,電池等效正 面效率差異 2%，效率每升高 1%，成本降低 7-8%， 2 個(gè)百分 點(diǎn) 15% 左右。今年關(guān)鍵靶材方面已經(jīng)國(guó)產(chǎn)，銀漿現(xiàn)在價(jià)格也 接近高溫銀漿，現(xiàn)如今上的企業(yè)只要設(shè)備選型合理工藝優(yōu)化 做得好， HIT 電池和 perc 電池成本完全可以縮減在 10%之內(nèi)。

7、 再加上發(fā)電端的優(yōu)勢(shì)如下： Perc 電池第一年衰減 3%，后 面每年衰減 0.7， HIT 電池首年 0.5，第二年開始 0.4，松下 HIT 組件用了 11 年，衰減 2-3%（單玻）。 Perc 電池 20 年 后只剩下 83%左右， HIT 至少還有 91.5%以上， HIT 雙面率 更高，整個(gè)發(fā)電生涯完全可以較單面perc 組件多發(fā) 20-30%的電。 雙面電池現(xiàn)在只測(cè)試正面效率，沒有標(biāo)準(zhǔn)而言，現(xiàn) 在標(biāo)準(zhǔn)都是針對(duì)雙面組件測(cè)試，算法和上面公式一致，綜合 正背面短流獲取光強(qiáng)測(cè)試； 總之 HIT 電池成本是高在硅片、 電池， 硅片貴 5-8% ，切薄即可， 電池主要是看材料和設(shè)備國(guó) 產(chǎn)化，

8、近兩年會(huì)得到解決，組件端雙玻再加上效率高成本低 于 perc ，發(fā)電端優(yōu)勢(shì)較大，雙面發(fā)電以及溫度系數(shù)可以碾壓 所有晶體硅量產(chǎn)光伏電池； P PERC 做到量產(chǎn) 22%沒有問(wèn) 題，再上去就要增加至少五道製程及設(shè)備，這樣 100MW 的 總投資額會(huì)超過(guò) HJT,且既有廠房的layout及生產(chǎn)流程大亂 N PERT:在雙面P PERC出現(xiàn)後，定位變得尷尬。正面效率跟 perc 差不多，背面也沒有高很多， 又沒有 HJT 溫度係數(shù)的優(yōu) 勢(shì)10、目前國(guó)內(nèi) Hit 最高效率是多少？與日本還有多少差距？hit 的成本如何核算？回答： 效率最高為上海微系統(tǒng) 23.6%（電 極采用印刷），日本技術(shù)最高為 kan

9、aka（鐘華）26.63%的HBC 電池，同時(shí)他們研發(fā)最高 HIT 電池效率為 25.1%，如果國(guó)內(nèi) 采用電鍍銅可以到達(dá) 24%，但是日本 25.1%采用的是五寸 125 的硅片效率容易做高一些。 目前得知的訊息為 HIT 在小批量 生產(chǎn) （100MW） 的情形下 , 組件生產(chǎn)成本為 0.55-0.7 USD/W,=> 採(cǎi)用多主柵及 500MW 生產(chǎn)架構(gòu)， 成本可到 0.4 USD/W11、行業(yè)內(nèi)使用的漿料是哪個(gè)國(guó)家的？是否方便透露品牌？回答：主要是日本京都電子、namics、京瓷，德國(guó)漢高，國(guó)產(chǎn)的較多在微系統(tǒng)進(jìn)行過(guò)測(cè)試， 數(shù)據(jù)還不錯(cuò)， 只是拉力欠佳；12、電阻值要求是？線寬現(xiàn)在做到多少了？拉力要求是多 少，用的是常規(guī)晶硅焊帶還是低溫焊帶？導(dǎo)電層是 ITO 還是 其他類型？一般要求烘干溫度是多少，多久的烘干溫度？保 存時(shí)間和保存溫度是否有要求？回答：低溫銀漿電阻率在 5-7*10-6 Q .cm，網(wǎng)版開口和網(wǎng)版具體參數(shù)與銀漿有關(guān)，網(wǎng)版 開口可以到30um,印刷后在50-60之間，拉力要求焊接后 1N/mm ，常規(guī)晶體硅焊帶即可。導(dǎo)電層較多，現(xiàn)如今主要是 ITO與IWO，以及實(shí)驗(yàn)用過(guò)的ITIO以及SRE。印刷烘干溫 度在 120-180 度之間，一般 3min ，最后