第四章1有一硅單晶片厚05mm其一端面上每107個(gè)硅原子包含兩_第1頁
第四章1有一硅單晶片厚05mm其一端面上每107個(gè)硅原子包含兩_第2頁
第四章1有一硅單晶片厚05mm其一端面上每107個(gè)硅原子包含兩_第3頁
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文檔簡介

1、第四章1.有一硅單晶片,厚0.5mm,其一端面上每107個(gè)硅原子包含兩個(gè)鎵原子,另一個(gè)端面經(jīng)處理后含鎵的濃度增高。試求在該面上每107個(gè)硅原子需包含幾個(gè)鎵原子,才能使?jié)舛忍荻瘸蔀?1026原子/m3.m 硅的點(diǎn)陣常數(shù)為0.5407nm。2. 在一個(gè)富碳的環(huán)境中對(duì)鋼進(jìn)行滲碳,可以硬化鋼的表面。已知在1000下進(jìn)行這種滲碳熱處理,距離鋼的表面1mm處到2mm處,碳含量從5at%減到4at%。估計(jì)在近表面區(qū)域進(jìn)入鋼的碳原子的流入量J(atoms/m2s)。(-Fe在1000的密度為7.63g/cm3,碳在-Fe中的擴(kuò)散常數(shù)D0=2.010-5m2/s,激活能Q=142kJ/mol)。 3. 為研究穩(wěn)

2、態(tài)條件下間隙原子在面心立方金屬中的擴(kuò)散情況,在厚0.25mm的金屬薄膜的一個(gè)端面(面積1000mm2)保持對(duì)應(yīng)溫度下的飽和間隙原子,另一端面為間隙原子為零。測(cè)得下列數(shù)據(jù):溫度(K)薄膜中間隙原子的溶解度(kg/m3)間隙原子通過薄膜的速率(g/s)12231440.002511361960.0014計(jì)算在這兩個(gè)溫度下的擴(kuò)散系數(shù)和間隙原子在面心立方金屬中擴(kuò)散的激活能。4. 一塊含0.1%C的碳鋼在930滲碳,滲到0.05cm的地方碳的濃度達(dá)到0.45%。在t0的全部時(shí)間,滲碳?xì)夥毡3直砻娉煞譃?%,假設(shè) =2.010-5exp(-/RT) (m2/s),(a) 計(jì)算滲碳時(shí)間;(b) 若將滲層加深

3、一倍,則需多長時(shí)間?(c) 若規(guī)定0.3%C作為滲碳層厚度的量度,則在930滲碳10小時(shí)的滲層厚度為870滲碳10小時(shí)的多少倍? 5. 含0.85%C的普碳鋼加熱到900在空氣中保溫1小時(shí)后外層碳濃度降到零。(a) 推導(dǎo)脫碳擴(kuò)散方程的解,假定t0時(shí),x=0處,=0。(b) 假如要求零件外層的碳濃度為0.8%,表面應(yīng)車去多少深度?( =1.110-7cm2/s) 6. 在950下對(duì)純鐵進(jìn)行滲碳,并希望在0.1mm的深度得到0.9wt%的碳含量。假設(shè)表面碳含量保持在1.20wt% ,擴(kuò)散系數(shù)D-Fe=10-10m2/s。計(jì)算為達(dá)到此要求至少要滲碳多少時(shí)間。 7. 設(shè)純鉻和純鐵組成擴(kuò)散偶,擴(kuò)散1小時(shí)

4、后,Matano平面移動(dòng)了1.5210-3cm。已知摩爾分?jǐn)?shù)CCr=0.478時(shí), =126/cm,互擴(kuò)散系數(shù) =1.4310-9cm2/s,試求Matano面的移動(dòng)速度和鉻、鐵的本征擴(kuò)散系數(shù)DCr,DFe。(實(shí)驗(yàn)測(cè)得Matano面移動(dòng)距離的平方與擴(kuò)散時(shí)間之比為常數(shù)。) 8. 有兩種激活能分別為E1=83.7KJ/mol和E2=251KJ/mol的擴(kuò)散反應(yīng)。觀察在溫度從25升高到600時(shí)對(duì)這兩種擴(kuò)散的影響,并對(duì)結(jié)果作出評(píng)述。 9. 碳在-Ti中的擴(kuò)散速率在以下溫度被確定:測(cè)量溫度擴(kuò)散系數(shù)D(m2/s)736210-13782510-138351.310-12(a) 試確定公式D=D0exp(-

5、Q/RT)是否適用;若適用,則計(jì)算出擴(kuò)散常數(shù)D0和激活能Q。(b) 試求出500下的擴(kuò)散速率。10. 鐵在925滲碳4h,碳原子躍遷頻率為 1.7109/s,若考慮碳原子在鐵中的八面體間隙躍遷,(a) 求碳原子總遷移路程s;(b) 求碳原子總遷移的均方根位移 ;(c) 若碳原子在20時(shí)的躍遷頻率為=2.110-9/s,求碳原子在4h的總遷移路程和均方根位移。11. 根據(jù)實(shí)際測(cè)定lgD與1/T的關(guān)系圖,計(jì)算單晶體銀和多晶體銀在低于700溫度范圍的擴(kuò)散激活能,并說明兩者擴(kuò)散激活能差異的原因。12. 對(duì)于體積擴(kuò)散和晶界擴(kuò)散,假定擴(kuò)散激活能Q晶界 Q體積,試畫出其InD相對(duì)溫度倒數(shù)1/T的曲線,并指出

6、約在哪個(gè)溫度范圍內(nèi),晶界擴(kuò)散起主導(dǎo)作用。 13 試?yán)肍e-O分析純鐵在1000氧化時(shí)氧化層內(nèi)的組織與氧化濃度分布規(guī)律,畫出示意圖。14. 在NiO中引入高價(jià)的W6+。(a) 將產(chǎn)生什么離子的空位?(b) 每個(gè)W6+將產(chǎn)生多少個(gè)空位?(c) 比較NiO和滲W的NiO(即NiO-WO3)的抗氧化性哪個(gè)好?15. 已知Al在Al2O3中擴(kuò)散常數(shù)D0=2.810-3(m2/s),激活能477(KJ/mol),而O(氧)在Al2O3中的D0=0.19(m2/s),Q=636(KJ/mol)。(a) 分別計(jì)算兩者在2000K溫度下的擴(kuò)散系數(shù)D;(b) 說明它們擴(kuò)散系數(shù)不同的原因。16. 在NaCl晶體中摻有少量的Cd2+,測(cè)出Na在NaCl的擴(kuò)散系數(shù)與1/T的關(guān)系,如圖所示。圖中的兩段折現(xiàn)表示什么,并說明DNaCl與1/T不成線性關(guān)系的原因。17. 假定聚乙烯的聚合度為2000,鍵角為109.5(如圖所示),求伸直鏈的長度為Lmax與自由旋轉(zhuǎn)鏈的均方根末端距之比值,并解釋某些高分子材料在外力作用下可產(chǎn)生很大變形的原因。(鏈節(jié)長度l=0.514nm, =nl2) 18. 試分析高分子的分子鏈柔順性和分子量對(duì)粘流溫度的影響。 19. 已知聚乙烯的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg=-68,聚甲醛的Tg=-83,聚二甲基硅氧烷的Tg=-128,試分析高分子鏈的柔順性與它們的Tg的一般規(guī)律。

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