我國電子工藝現(xiàn)狀.doc

電子工藝中國電子元件產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從無到有、從小到大的發(fā)展歷程。從五、六十年代的初創(chuàng)到七十年代的成長，從八十年代的改革開放到九十年代以后的全面發(fā)展。中國加入WTO，更為我國電子元件產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展契機(jī)，也使全行業(yè)面臨參與國際競爭的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。五十年代，中國電子元件產(chǎn)業(yè)引進(jìn)前蘇聯(lián)和民主德國的生產(chǎn)技術(shù)。六十年代初，適應(yīng)半導(dǎo)體化的要求發(fā)展了85 、1 25系列小型電子元件、低功率產(chǎn)品，為地面和航空電子設(shè)備試制服務(wù)。七十年代，推廣“七專”產(chǎn)品，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量，并為軍事裝備、航天電子設(shè)備配套。開展聲表面波技術(shù)、微波鐵氧體和混合集成電路的研究。八十年代，實(shí)行改革開放，引進(jìn)大生產(chǎn)技術(shù)，為彩色電視機(jī)和錄音機(jī)的生產(chǎn)提供多種配套產(chǎn)品，我國電子元件產(chǎn)量持續(xù)上升。九十年代以來，隨著國際生產(chǎn)的大轉(zhuǎn)移，我國制造業(yè)基地地位的顯現(xiàn)，跨國公司的大舉進(jìn)入，品種規(guī)格齊全、品質(zhì)提高、出口增加 。新企業(yè)不斷涌現(xiàn)、老企業(yè)滾動發(fā)展。歷經(jīng)50年的發(fā)展，我國電子元件的完整產(chǎn)業(yè)體系已全面形成。電子元件產(chǎn)業(yè)得到全面、快速的發(fā)展，無論產(chǎn)品種類、規(guī)格、產(chǎn)能和產(chǎn)量，技術(shù)水平都得到很大提高。 我國電子元件行業(yè)的問題現(xiàn)狀 1.低價取勝的營銷策略，將勢必導(dǎo)致持續(xù)競爭力的降低，甚致喪失。低價營銷是我國企業(yè)目前的殺手戟，但這是在產(chǎn)品的技術(shù)含金量不如國外產(chǎn)品情況下的一種不得已行為。但確是一種近乎“自殺式”行為！我國元器件比日本產(chǎn)品的價格便宜5成極為普遍！電阻器、加熱器、連接器等通用零部件價格， 有的甚至不足日本廠商的110！原因：目前絕大部分我國元器件企業(yè)還是把自己的生存之本寄托在設(shè)備和營銷上但卻忽略了 工藝的進(jìn)步、 工藝的進(jìn)步、人才的培養(yǎng)和技術(shù)開發(fā)的投入。2. 自主創(chuàng)新不足，產(chǎn)品質(zhì)量水平在世界上屬中低擋。中國是電子元件的生產(chǎn)大國，但決非生產(chǎn)強(qiáng)國。最早開發(fā)鎳電極多層陶瓷電容器(MLCC)的太陽誘電，目前MLCC的最高容量已達(dá)lOOF，出貨量為170億個月 億個。太陽誘電下城忠通表示，生產(chǎn)一顆高品質(zhì)的高容值電容需要600多個制造工序，目前具備這種多個制造工序，技術(shù)實(shí)力的廠家還很少，如在型號為0805的產(chǎn)品規(guī)格上太陽誘電可以做到22F電容值，這是絕大部分競爭對手目前還做不到的。由于手機(jī)、PC、數(shù)碼相機(jī)、 由于手機(jī)、PC、數(shù)碼相機(jī)、LCD Tv等產(chǎn)量持續(xù)增長，加上部分終端產(chǎn)品對電容單位需求量在迅速上升(如基于 如基于Intel 單核平臺約需26.4F外部電容，而到雙核平臺就需77 2 F，翻了將近 三倍)。目前高容值陶瓷電容全球市場供應(yīng)緊缺。3.元件質(zhì)量水平參差不齊，產(chǎn)品的一致性、供貨穩(wěn)定性不夠。與當(dāng)前國際上倡導(dǎo)并實(shí)施的技術(shù)創(chuàng)新、提升產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平差距甚遠(yuǎn)。 4.新功能新結(jié)構(gòu)和高性能（高溫、高頻、大容量、低ESR和ESL等）的電子元件仍需大量進(jìn)口，整機(jī)國產(chǎn)化率仍然較低。一方面我國元件產(chǎn)量大量增加，不少產(chǎn)品產(chǎn)量已居世界首位，但同時元件進(jìn)出口貿(mào)易逆差越來越大。 5.元件企業(yè)和整機(jī)企業(yè)缺乏深層次合作，導(dǎo)致元件企業(yè)信息不靈，與整機(jī)配套十分被動、滯后?，F(xiàn)象：通用元件生產(chǎn)過剩。新型整機(jī)研發(fā)所需新型元件，國內(nèi)企業(yè)又難以滿足。不難看出，我國電子元件行業(yè)所存在的問題是： 1.大而不強(qiáng)產(chǎn)業(yè)企業(yè)規(guī)模偏小 2.廉而不貴產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)能力弱、 核心和關(guān)鍵技術(shù)依賴進(jìn)口 3.低價競爭營銷削弱了行業(yè)整體競爭力 4.片式化、復(fù)合化的技術(shù)發(fā)展緩慢，與世 界強(qiáng)國差距很大 我國電子元件的發(fā)展趨勢1. 片式化、小型化電子產(chǎn)品的多功能化和便攜式同時要求電子元件產(chǎn)品不斷縮小元件的尺寸。 以多層陶瓷電容器(MLCC)為例， 目前的主流產(chǎn)品尺寸正在從0603型向0402型過渡，而更受市場歡迎的高端產(chǎn)品是0201型。 尺寸的縮小涉及一系列材料和工藝題， 已成為目前無源元件的研究熱點(diǎn)， 已成為目前無源元件的研究熱點(diǎn)，一些新材料和前沿技術(shù)(如納米技術(shù)等)已開始用于超小型片式元件的工藝之中。 2多功能化隨著電子新型產(chǎn)品功能的不斷增加，對片式元件功能的要求也越來越多樣化。 盡管從數(shù)量上看，電子元件的片式化率已高達(dá)70以上，但發(fā)展很不均衡，一些元件由于工藝、結(jié)構(gòu)及材料等原因，片式化的難度較大。如具有電感結(jié)構(gòu)的磁珠元件，其功能不在于作為一個電感器，而是用來抗電磁干擾。目前，片式化的磁珠元件已成為用量最大的一類片式電感類元件。這些新元件的設(shè)計(jì)和材料都是電子元件所面臨的新問題我國片式電感無論在品種、使用頻段和性能方面與日本TDK均存在很大差距。目前，為了實(shí)現(xiàn)微波陶瓷元件、過流保 護(hù)元件、敏感陶瓷元件、磁性變壓器等元件的片式化，世界各國都在開發(fā)具有低溫 燒結(jié)特性的微波陶瓷介質(zhì)和敏感陶瓷材料 及相應(yīng)材料的多層共燒技術(shù)。以及開發(fā)具 有電磁兼容特性的低溫共燒陶瓷與鐵氧體復(fù)合材料，低介低溫共燒（LTCC）陶瓷材料，高頻低損耗鐵氧體材料，微波片式濾波器材料及工藝等。 3.集成模塊化無源電子元件在制造工藝，材料，結(jié)構(gòu)上差異性， 在元件的小型化方面與半導(dǎo)體器件的高度集成化相比，發(fā)展相對緩慢。近年來，由于低溫共燒陶瓷(LTCC)等技術(shù)的突破，才使無源集成技術(shù)進(jìn)入了實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化階段，并成為備受關(guān)注的技術(shù)制高點(diǎn)?；贚TCC技術(shù)的片式元件及其集成化產(chǎn)品的產(chǎn)值一直以每兩年翻一番的速度發(fā)展。到2010年，僅中國內(nèi)地的LTCC產(chǎn)品市場就將達(dá)到3O億美元。 4.微波、高頻化、寬帶化目前電子整機(jī)向微波、毫米波、高頻寬帶方向發(fā)展的趨勢十分強(qiáng)勁，如無線移動通信已發(fā)展到 2 GHz，藍(lán)牙技術(shù)是2 4 GHz，短距離的無線數(shù)據(jù)交換系統(tǒng)已可達(dá)到58 GHz。相控陣?yán)走_(dá)用T/R組件的工作頻率已在波x段和ku波段。此外，高速數(shù)字電路產(chǎn)品越來越多，光通信的傳輸速度已從25Gbps發(fā)展到發(fā)展到10 Gbps。這些進(jìn)展都對電子元器件的高頻和寬頻化提出了更高的要求。此外，降低寄生電感和寄生電容、提高自諧振頻率、降低高頻ESR、提高高頻Q值 等要求也不斷被提出。 5.綠 色 化 在電子