51_單片機(jī)多功能電子時(shí)鐘的設(shè)計(jì)

51單片機(jī)多功能電子時(shí)鐘的設(shè)計(jì) 摘要： 本設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了一款具有日期、時(shí)間、星期和氣溫同步顯示功能的電子時(shí)鐘 .工作原理是主控 MCU 讀取實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片 DS12C887，獲取時(shí)間信息，由全數(shù)字單總線結(jié)構(gòu)溫度傳感器 DS18B20 讀取溫度信息，經(jīng) MCU 處理，送 LCD 顯示， 關(guān)鍵字 : DS12C887 DS18B20 電子時(shí)鐘 1. 課題分析 隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子技術(shù)為人們的生活帶來(lái)了越來(lái)越大的方便 .本課題旨在借助實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片 DS12C887和溫度傳感器 DS18B20 和 51單片機(jī)設(shè)計(jì)一個(gè)多功能的電子時(shí)鐘 .由于 DS12C887 芯片內(nèi)附加鋰電池，在上電情況下可以通過(guò)電源充電，斷電后可以利用內(nèi)部鋰電池供電繼續(xù)工作，在掉電重新上電后，不影響時(shí)間數(shù)據(jù)，不需重新對(duì)時(shí)，方便可靠 . 2. 方案論證 當(dāng)下，日歷芯片很多，萬(wàn)年歷實(shí)現(xiàn)方案很多，我們根據(jù)自己實(shí)際情況，提出如下方案 . 2.1 時(shí)間部分： 方案一、利用單片機(jī)內(nèi)部定時(shí)器產(chǎn)生秒信號(hào)，通過(guò)軟件處理得到時(shí)間信息，送 LCD 顯示 . 方案二、利用通用串行實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片 DS1302 產(chǎn)生時(shí)間信息，利用 MCU 讀取時(shí)間信息，送LCD 顯示 . 方案三、通過(guò)實(shí)時(shí)時(shí) 鐘芯片 DS12887，獲取時(shí)間信息，經(jīng) MCU 處理，送 LCD 顯示 . 方案一電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可控性強(qiáng)，但斷電后時(shí)間數(shù)據(jù)完全消失，再次上電后需重新設(shè)定，且由于電路本身缺陷和附加干擾較多，時(shí)間誤差較大 .方案二電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，時(shí)間精度較高，由于使用串行數(shù)據(jù)傳輸，節(jié)省 MCU 資源，但 DS1302 無(wú)內(nèi)置電池，掉電后，數(shù)據(jù)丟失，重新上電后需對(duì)時(shí) .方案三采用實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片 DS12C887，其內(nèi)部具有內(nèi)置鋰電池，在掉電的情況下可以正常工作 10 年以上，且?guī)в蟹且资?RAM，可以保證在掉電的情況下，用戶的定時(shí)信息不會(huì)丟失；帶有溫度補(bǔ)償，保 證時(shí)間數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確 .經(jīng)過(guò)綜合考慮，我們認(rèn)為方案三滿足設(shè)計(jì)需求 . 2.2 溫度部分 由于只是測(cè)量氣溫，用數(shù)字溫度傳感器單總線結(jié)構(gòu) DS18B20 即可滿足要求，該器件采用單總線結(jié)構(gòu)，且數(shù)字傳輸，可以與 CPU 直接接口，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)便，可靠性好 . 2.3 主控部分 選用單片微控制器 AT89C52 作為主控 .系統(tǒng)方案方框圖如圖 2.1 所示 . 圖 2.1 系統(tǒng)方案 3.方案實(shí)現(xiàn) 3 1 器件簡(jiǎn)介 (1)AT89C52 AT89C52 是 ATMEL 公司生產(chǎn)的通用低功耗 8位 CMOS 微控器，具有 8051 內(nèi)核和 8KB 的可編程 Flash 程序存儲(chǔ)空間以及 256 字節(jié) RAM.有 32 個(gè)通用 IO 口線和全雙工串口，兩個(gè)數(shù)據(jù)指針、兩個(gè) 16 位可編程計(jì)數(shù)器 /定時(shí)器、 8 個(gè) 2 級(jí)優(yōu)先級(jí)中斷源，具有片內(nèi)時(shí)鐘電路，通過(guò)簡(jiǎn)單的外接器件即可實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘電路 . (2)DS12C887 引腳結(jié)構(gòu)及其功能如圖 3.1. 圖 3.1 DS12C887 引腳結(jié)構(gòu) AD0-AD7:地址 /數(shù)據(jù)總線 NC ：空腳 MOT ：總線模式選擇 CS ：片選信號(hào) AS ：地址鎖存信號(hào) R/W ：寫信號(hào)（ intel 總線模式下） DS ：讀信號(hào)（ intel 總線模式下） RESET ：復(fù)位信號(hào) IRQ : 中斷請(qǐng)求輸岀 VCC ： +5V 電源 GND ：電源地 DS12C887是美國(guó) DALLAS半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片 .采用 24 引腳雙列直插式的封裝形式 .芯片的晶體振蕩器、振蕩電路、充電電路和可充電鋰電池等一起封裝在芯片內(nèi)部，組成一個(gè)加厚的集成電路模塊 .電路通電時(shí)，其內(nèi)部充電電路便自動(dòng)對(duì)其內(nèi)部電池充電 .可保證時(shí)鐘數(shù)據(jù) 10 年內(nèi)不會(huì)丟失 .DS12C887內(nèi)部設(shè)有方便的接口電路，接口設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便，使其與各種微處理器的接口大大簡(jiǎn)化 .使用時(shí)無(wú)需外圍電路元件，通過(guò)對(duì) MOT 引腳的電平控制，可以實(shí)現(xiàn)與不同的計(jì)算機(jī)總線連接 .DS12C887 能夠自 動(dòng)存取并更新當(dāng)前的時(shí)間， CPU 可通過(guò)讀取 DS12C887 的內(nèi)部時(shí)標(biāo)寄存器得到當(dāng)前的時(shí)間和日歷，也可通過(guò)選擇二進(jìn)制碼或 BCD 碼初始化芯片的 10 個(gè)時(shí)標(biāo)寄存器 .其中 114 字節(jié)的非易失性靜態(tài) RAM 可供用戶使用，可以在控制器掉電的情況下，保存一些重要的數(shù)據(jù) .DS12C887 的 4 個(gè)狀態(tài)寄存器用來(lái)控制和指出 DS12C887 模塊當(dāng)前的工作狀態(tài)，除數(shù)據(jù)更新周期外，程序可隨時(shí)讀寫這 4 個(gè)寄存器 .其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖 3.2. 圖 3.2 DS12C887 內(nèi)部結(jié)構(gòu) (3)DS18B20 DS18B20 是美國(guó) DALLAS 半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的可組網(wǎng)數(shù)字式溫度傳感器，在其內(nèi)部使用了在板（ ON-B0ARD）專利技術(shù) .全部傳感元件及轉(zhuǎn)換電路僅集成在形如三極管的一個(gè)集成電路內(nèi) .DS18B20 采用單總線接口方式，與微處理器連接時(shí)僅需要一條總線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通訊；支持多點(diǎn)組網(wǎng)功能，多個(gè) DS18B20 可以并聯(lián)在一條總 線上，即可實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)溫；在使用中不需要任何外圍元件 .測(cè)溫范圍為 55 125，結(jié)果以 9 位數(shù)字量方式串行傳送 .DS18B20 測(cè)溫原理如圖 3.3 所示 . 圖 3.3 DS18B20 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖中低溫度系數(shù)晶振的振蕩頻率受溫度影響很小，用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號(hào)送給計(jì)數(shù)器 1.高溫度系數(shù)晶振隨溫度變化其振蕩率明顯改變，所產(chǎn) 生的信號(hào)作為計(jì)數(shù)器 2 的脈沖輸入 .計(jì)數(shù)器 1和溫度寄存器被預(yù)置在 55所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值 .計(jì)數(shù)器 1對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行減法計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)器 1 的預(yù)置值減到 0 時(shí)，溫度寄存器的值將加 1 ，計(jì)數(shù)器 1 的預(yù)置將重新被裝入，計(jì)數(shù)器 1 重新開(kāi)始對(duì)低溫度系數(shù)晶體振蕩器產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，如此循環(huán)直到計(jì)數(shù)器 2 計(jì)數(shù)到 0 時(shí)，停止溫度寄存器值的累加，此時(shí)溫度寄存器中的數(shù)值即為所測(cè)溫度 .其內(nèi)部帶有非線性修正，確保溫度數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性 .DS18B20的測(cè)溫分辨率為 0.5以 9位數(shù)據(jù)格式表示，其中最低有效位（ LSB）由比較器進(jìn)行 0.25比較，當(dāng)計(jì)數(shù)器 1 中的余值轉(zhuǎn)化成溫度后低于 0.25時(shí)，清除溫度寄存器的最低位（ LSB），當(dāng)計(jì)數(shù)器 1 中的余值轉(zhuǎn)化成溫度后高于 0.25，置位溫度寄存器的最低位（ LSB）， DS18B20 溫度數(shù)據(jù)格式如表 3.1 所示 . 表 3.1 DS18B20 溫度數(shù)據(jù)格式 DS18B20 采用 12 位二進(jìn)制數(shù)據(jù)表示溫度，分成兩 個(gè)字節(jié)，低字節(jié)低四位為小數(shù)位，低字節(jié)高四位和高字節(jié)低四位組成溫度信息的 8 位整數(shù)位，其中第一位為符號(hào)位，為 0表示溫度為正值，為 1 表示溫度為負(fù)值 .當(dāng)溫度為負(fù)值時(shí)，數(shù)據(jù)采用補(bǔ)碼存放 .高字節(jié)高四位無(wú)效，與符號(hào)位保持一致 .溫度與數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)關(guān)系如表 3.2 所示 . 表 3.2 部分溫度對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù) 3.2 硬件電路設(shè)計(jì) 本課題涉及電路原理圖和 PCB 圖均由 Altium Designer Summer 09 繪制 . (1)電源部分 圖 3.7 整機(jī)電源電路 由于電路微控器供電電壓為 5V， osyno6188 供電電壓為 3V 或 4.5V， osyno6188 對(duì)電源電壓精度要求不高，決定整機(jī)采用 5V 電源供電，在電源處串聯(lián)一只 1N4003 二極管，為osyno6188 供電， 1N4003 為硅管，正向?qū)▔航翟?0.7V 左右，經(jīng)過(guò)二極管后，得到約 4.3V電壓，為 osyno6188 供電 .電源電路為普通穩(wěn)壓電源電路，由于不是本項(xiàng)目主要方面，不再贅述 . (2)AT89C52 最小系統(tǒng)電路 圖 3.8 AT89C52 單片機(jī)最小系統(tǒng) 電路由震蕩電路，復(fù)位電路和單片 機(jī)構(gòu)成最小系統(tǒng) .震蕩電路為單片機(jī)提供工作時(shí)鐘，由石英晶體和補(bǔ)償電容構(gòu)成 .由于語(yǔ)音部分需要 1200bps 波特率，石英晶體選取11.0592MHz，保證波特率零誤差，補(bǔ)償電容選取 30pF 瓷片電容 .復(fù)位電路在上電時(shí)為單片機(jī)提供復(fù)位信號(hào)，由 10uF 電容和 10K 電阻構(gòu)成的 RC 充電電路構(gòu)成，當(dāng)系統(tǒng)復(fù)位上電瞬間，電源通過(guò)電阻 R 為電容充電，在電阻上得到下降的指數(shù)充電電壓，由高電平經(jīng)過(guò)一段時(shí)間到達(dá)低電平，提供單片機(jī)需要的高脈沖復(fù)位信號(hào) .電源部分電容為去耦電容 .EA 拉高， MCU上電后，從內(nèi)部程序存儲(chǔ)器開(kāi)始執(zhí)行 . (3)osyno6188 及外圍電路設(shè)計(jì) . 圖 3.9 osyno6188 及外圍電路 系統(tǒng)采用 4.5V 電源供電模式，電源 VDD 由電源電路中 VCC 串接二極管后獲得 .電源電路、復(fù)位電路以及時(shí)鐘電路參考 osyno6188 用戶手冊(cè) .RXD、 TXD 為串行總線接口，分別連接主控 MCU 的 TXD、 RXD 端 . (4)DS12C887 與 AT89C52 接口電 路設(shè)計(jì) . 圖 3.10 DS12C887 接口電路 DS12C887 的 AD0-AD7 為地址 數(shù)據(jù)復(fù)用總線，與控制器地址 數(shù)據(jù)總線 (P0 口 )直接連接， R2 為上拉電阻； MOT 為總線模式選擇引腳，接地選擇 INTEL 總線連接方式； R/W 在 INTEL總線模式下位寫使能，接控制器讀信號(hào) WR(P3.6)端； DS 在 INTEL 總線模式下為讀使能信號(hào)，接控制器讀信號(hào) RD(P3.6)端； AS 為地址鎖存，接控制器地址鎖存信號(hào) ALE(30 腳 )端；RST 接電源拉高 ,片選 CS 直接接地使能。 由于液晶顯示器、 DS18B20 與控制器接口比較簡(jiǎn)單，不再分開(kāi)論述。 整機(jī)電路圖如圖 3.11 所示 . 電路板采用單面板制作，電路板圖由 Altium Designer Summer 09 繪制 . 將 PCB 文件底層打印到轉(zhuǎn)印紙磨光面上，并按電路板大小留 1cm 左右邊緣裁剪備用 .把比電路板略大的覆銅板用細(xì)砂紙打磨干凈，并將轉(zhuǎn)印紙帶墨一面覆蓋到覆銅面上，一邊用膠帶粘牢，然后將粘膠帶一邊送入轉(zhuǎn)印機(jī)轉(zhuǎn)印，轉(zhuǎn)印完成后打孔，放入三氯化鐵溶液中腐蝕，大約 15 分鐘左右腐蝕完成，用清水沖洗，將焊盤處用小刀將油墨小心刮開(kāi)，其余部分油墨不再處理，一是比較美觀，二是對(duì)銅膜具有保護(hù)作用，防止氧化 .焊接經(jīng)過(guò)檢測(cè)過(guò)的電子元件，制作完成 . 3.3 軟件設(shè)計(jì) (1)功能分析 根據(jù)課題要求，軟件應(yīng)該能 實(shí)現(xiàn)以下功能： 1)驅(qū)動(dòng) LCD1602 顯示 . 2)從 DS12C887 中讀取時(shí)間數(shù)據(jù)，并寫入調(diào)時(shí)信息和鬧鐘信息 . 3)掃描鍵盤，實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互，滿足用戶調(diào)時(shí)、定鬧的需求 . 4)實(shí)現(xiàn)控制器與 DS18B20 單總線接口，讀取溫度信息 . (2)設(shè)計(jì)流程 本課題所有程序均由 C 語(yǔ)言編寫 .開(kāi)發(fā)環(huán)境為 keil uvision2. 1)主程序設(shè)計(jì) 主程序流程圖如圖所示 圖 3.13 主程序流程圖 主程序作用是當(dāng)系統(tǒng)上電后，首先對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行初始化（包括 MCU 的串行通信設(shè)置和 LCD 的初始化）然后讀取時(shí)間信息和溫度信息，檢查是否需要更新時(shí)間緩沖存儲(chǔ)區(qū) ,如果系統(tǒng)處于正常顯示模式，則更新時(shí)間緩存區(qū)，并同步顯示，若系統(tǒng)處于調(diào)整時(shí)間模式下，則停止對(duì)時(shí)間緩沖區(qū)的更新，顯示時(shí)間與時(shí)間緩存區(qū)同步，當(dāng)退出調(diào)時(shí)模式時(shí)，更新到 DS12C887的時(shí)標(biāo)寄存器中 .主程序還負(fù)責(zé)檢測(cè)當(dāng)前時(shí)間是否為整點(diǎn)或等于設(shè)定報(bào)時(shí)時(shí)間，在整點(diǎn)或定時(shí)時(shí)間調(diào)用報(bào)時(shí)函數(shù)，實(shí)現(xiàn)整點(diǎn)報(bào)時(shí)和定時(shí) 2)DS12C887 接口程序 . DS12C887 與控制器通過(guò)總線連接，主控器采取讀寫外部存儲(chǔ)器的方法讀取時(shí)間信息和寫入調(diào)時(shí)和定時(shí)信息 .DS12C887 的時(shí)標(biāo)寄存器地址為 0-13 字節(jié) ,具體分布如圖所示 . 圖 3.14 DS12C887 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) 其中 10-13 字節(jié)分別為寄存器 A-D.其中寄存器 C、 D 為只讀 . 寄存器 A 機(jī)構(gòu)如圖所示： 表 3.5 DS12C887 寄存器 A 結(jié)構(gòu) UIP 為更新標(biāo)志位，標(biāo)志芯片是否即將進(jìn)行更新 .當(dāng) UIP 為 1 時(shí)，表明更新即將開(kāi)始 ；為 0 時(shí)，表示在至少 244 s 內(nèi)芯片不會(huì)進(jìn)行更新，此時(shí)可以通過(guò)讀寫相應(yīng)字節(jié)獲取時(shí)間信息和設(shè)置信息 .UIP 位為只讀位且不受復(fù)位信號(hào) 影響，通過(guò)把 B 寄存器中的 SET 位置 1將 UIP 位清零并禁止時(shí)間更新 .DV0-DV2 用來(lái)開(kāi)關(guān)晶體振蕩器和復(fù)位分頻器 ,本課題中不需設(shè)置 .RS0-RS3 用于控制分頻器輸出，設(shè)置成不同的值可以在 SQW 引腳得到不同的分頻輸出或得到周期性的中斷 (通過(guò)控制寄存器 B 實(shí)現(xiàn) ).由于本設(shè)計(jì)不涉及，具體設(shè)置值與對(duì)應(yīng)頻率請(qǐng)參考 DS12C887 技術(shù)文檔 ,不在列舉 . 寄存器 B 結(jié)構(gòu)如圖所示 . 表 3.6 DS12C887 寄存器 B 結(jié)構(gòu) 當(dāng) SET位為 0時(shí)，時(shí)間正常更新；當(dāng) SET位置 1時(shí)，停止更新 ,此時(shí)， MUC可以對(duì) DS12C887進(jìn)行初始化，該位不受復(fù)位信號(hào)影響 .PIE 位為周期性中斷使能位，該位為 1 時(shí)，周期性中斷使能；為 0 時(shí)禁止中斷 .本課題中此位置 0.AIE 位為鬧鐘中斷使能位本課題中由于沒(méi)有使用中斷，該位置 0.UIE 為更新完成中斷使能位，本設(shè)計(jì)中不考慮 .SQWE 為方波使能信號(hào)，本設(shè)計(jì)不予處理 .DM 位為數(shù)據(jù)格式選擇位，置 1 時(shí)時(shí)間數(shù)據(jù)以二進(jìn)制格式存放，清 0 后，數(shù)據(jù)以 BCD 碼格式存放 .24/12 位為時(shí)間格式設(shè)置位，該位為 1 時(shí)，時(shí)間為 24 小時(shí)格式，為 0 時(shí)，時(shí)間為 12 小時(shí)格式，該位不受復(fù)位信號(hào)影響 .DSE 為夏令時(shí)使能位，本設(shè)計(jì)不予考慮 寄存器 C 結(jié)構(gòu)如圖所示 . 表 3.7 DS12C887 寄存器 C 結(jié)構(gòu) 其中 4 個(gè)有效位均為中斷標(biāo)志，本設(shè)計(jì)不予考慮 ,但當(dāng)初始化完成并 禁止中斷時(shí)，應(yīng)將該寄存器讀取清 0. 寄存器 D 結(jié)構(gòu)如圖所示 表 3.8 DS12C887 寄存器 D 結(jié)構(gòu) VRT 位指示片內(nèi)鋰電池狀態(tài)，當(dāng)為 0 時(shí)，說(shuō)明內(nèi)部鋰電池耗盡，不能保證內(nèi)部 RAM 中數(shù)據(jù)和時(shí)間數(shù)據(jù)的正確性 .該位只讀 . 3)DS18B20 接口程序設(shè)計(jì) . DS18B20 設(shè)置寄存器結(jié)構(gòu)如圖 3.9 所示 表 3.9 DS18B20 設(shè)置寄存器結(jié)構(gòu) 通過(guò)設(shè)置該寄存器中 R1、 R0 的不同狀態(tài)，可以得到不同的溫度分辨率，分辨率越高，轉(zhuǎn)換所需時(shí)間也越長(zhǎng) (見(jiàn)圖 ).為簡(jiǎn)便起見(jiàn)，本課題中采用系統(tǒng)復(fù)位后的默認(rèn)值，即 R1R0=11,分辨率為 12 位數(shù)據(jù) .其余位為傳感器內(nèi)部使用，不能進(jìn)行操作 . 表 3.9 DS18B20 控制寄存器 R0、 R1 設(shè)置與分辨率對(duì)應(yīng)關(guān)系 由于 DS18B20數(shù)據(jù)傳送采取單總線方式，所以對(duì)操作時(shí)序和操作步驟有著嚴(yán)格的要求，任何不符合步驟的操作，都可能造成 DS18B20 不響應(yīng) .每次在對(duì) DS18B20 進(jìn)行操作時(shí)，都要進(jìn)行初始化 .初始化時(shí)序如圖所示： 圖 3.15 DS18B20 初始化時(shí)序圖 首先，控制器將總線拉低并保持 480 s，釋放總線，等待 15-60 s 后，如果復(fù)位成功， DS18B20 會(huì)將總線拉低，產(chǎn)生一個(gè) 60-240 s 的低脈沖，控制器通過(guò)檢測(cè)低脈沖信號(hào)確定復(fù)位是否成功 .復(fù)位成功后，在上拉電阻的作用下， DS18B20 會(huì)恢復(fù)到高電平靜止?fàn)顟B(tài) . 在靜止?fàn)顟B(tài)，總線在內(nèi)部上拉電阻作用下，保持高電平 .當(dāng)控制器進(jìn)行讀寫操作時(shí)，先將總線拉低 1 s 以 上， DS18B20 回應(yīng)一個(gè)高電平應(yīng)答信號(hào)，控制器檢測(cè)到應(yīng)答信號(hào)后，即可對(duì)總線進(jìn)行操作 . 向 DS18B20 讀寫一位數(shù)據(jù)時(shí)序如圖所示： 圖 3.16 DS18B20 讀寫數(shù)據(jù)時(shí)序圖 寫” 0”時(shí)，控制器將總線拉低 30 s 以上即可，寫” 1”時(shí)，控制器將總線拉低 15 s，然后釋放總線 .讀數(shù)據(jù)時(shí)，控制器將總線拉低 15 s，然后 釋放總線并讀取總線上的數(shù)據(jù) . 4)LCD 顯示驅(qū)動(dòng)程序 a.基本操作時(shí)序： 讀狀態(tài) : 輸入 :RS=L,RW=H,E=H 輸出 :D0-D8=狀態(tài)字 寫指令 : 輸入 :RS=L,RW=L,D0-D7=指令碼， E=高脈沖 輸出 :無(wú) 讀數(shù)據(jù) : 輸入 :RS=H,RW=H,E=H 輸出： D0-D7 數(shù)據(jù) 寫數(shù)據(jù)：輸入： RS=H,RW=L,D0-D7=數(shù)據(jù)， E=高脈沖 輸出 : 無(wú) b.狀態(tài)字說(shuō)明 STA7 STA6 STA5 STA4 STA3 STA2 STA1 STA0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 表 3.10 LCD 狀態(tài)字寄存器結(jié)構(gòu) STA0-STA6:當(dāng)前數(shù)據(jù)地址指針的數(shù)值 STA