核磁共振氫譜(化學(xué)位移)ppt課件

1、核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)、1、核磁共振氫光譜(1H-NMR )化學(xué)位移、Produced by Jiwu Wen、核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)、2、內(nèi)容核磁共振條件及面臨的問題1 .核磁共振條件的總結(jié)自旋核(I0)、(2)磁場(chǎng)B0 (3)施加射頻的能量hv等于自旋核磁能級(jí)的能量差：2.面臨的問題：根據(jù)核磁共振條件式，磁性原子核的共振頻率僅為磁旋轉(zhuǎn)比，因此，如果在某些條件下進(jìn)行測(cè)定，則所有的1H僅產(chǎn)生一條光譜線核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)、4、化學(xué)位移的發(fā)生、核外電子的影響、屏蔽效應(yīng)、化學(xué)位移、核外電子因施加磁場(chǎng)而產(chǎn)生電子環(huán)流，電子環(huán)流產(chǎn)生相應(yīng)的感應(yīng)磁場(chǎng)，感應(yīng)磁場(chǎng)的方向與原施加磁場(chǎng)的方向相反，磁場(chǎng)

2、強(qiáng)度為B0，此時(shí)原子核實(shí)際受到的磁場(chǎng)強(qiáng)度為原施加修正的核磁共振條件：由于屏蔽效應(yīng)不同，化學(xué)環(huán)境不同，原子核共振頻率不同，不同位置出現(xiàn)吸收峰，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)、5、化學(xué)位移的顯示方法和測(cè)定、化學(xué)位移的顯示方法位移常數(shù)測(cè)定和校正方法標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)(通常為TMS，即四甲基硅)對(duì)照法：高電場(chǎng)和低電場(chǎng)的區(qū)別、核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)、6、 TMS是對(duì)稱結(jié)構(gòu)，四個(gè)甲基的化學(xué)環(huán)境完全相同，無論是氫光譜還是碳光譜都只產(chǎn)生一個(gè)吸收峰。 Si的電負(fù)性小(1.9)，TMS中的氫核和碳核周圍的電子云密度高，屏蔽效果大，發(fā)生NMR信號(hào)所需的磁場(chǎng)強(qiáng)度一般有機(jī)物中的氫核和碳核比發(fā)生NMR信號(hào)所需

3、的磁場(chǎng)強(qiáng)度大得多，在高的場(chǎng)合，與大部分采樣信號(hào)重疊和干擾TMS沸點(diǎn)低(27 )，易于去除，有利于樣品回收。 核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)，7，化學(xué)位移的表示方法和測(cè)定，2.05，3.66，核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)，8，影響化學(xué)位移的因素，1 .誘導(dǎo)效應(yīng)：吸電子誘導(dǎo)效應(yīng)降低原子核周圍的電子云密度，化學(xué)位移低3 .混合效應(yīng)，2 .共軛效應(yīng)， 核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)、9、影響化學(xué)位移的因素、4、磁各向異性效應(yīng)、屏蔽和屏蔽解除、(1)雙鍵磁各向異性效應(yīng)、核磁共振氫光譜(化學(xué)位移)。 (3)叁鍵的磁各向異性效應(yīng)、核磁共振氫譜(化學(xué)位移)、12、影響化學(xué)位移的因素、(4)單鍵的磁各向異性效應(yīng)、直立鍵上的氫核位于屏蔽區(qū)域，高場(chǎng)平伏鍵上的氫核位于屏蔽區(qū)域，低場(chǎng)核磁共振氫譜(4) 影響化學(xué)位移的因素，5 .氫鍵：分子形成氫鍵后，氫核周圍電子云密度降低，產(chǎn)生屏蔽作用，化學(xué)位移向低場(chǎng)移動(dòng)，增大。 溫度：大多數(shù)信號(hào)的諧振位置受溫度的影響很小，但是-OH、-NH和-SH隨著溫度的升高形成氫鍵的程度下降，化學(xué)位移向高電場(chǎng)移動(dòng)，下降。 7 .溶劑效應(yīng)：溶劑的磁各向異性和溶質(zhì)與溶劑之間形成氫鍵影響溶質(zhì)中不同位置氫核的化學(xué)位移。 核磁共振氫譜(化學(xué)位移)、14、不同質(zhì)子的化學(xué)位移、核磁共振氫譜