微電子制造概論-考試復(fù)習(xí)提綱.ppt

1、微電子制造概論,復(fù)習(xí)提綱,題目類型,1：名詞解釋（英文縮寫(xiě)翻譯，解釋）（每題4分，5題，共20分） 2：填空（每空2分，10空，共20分） 3：簡(jiǎn)答（每題510分，5題，共45分） 4：分析計(jì)算（每題15分，1題，共15分）,每章主要知識(shí)點(diǎn),1、半導(dǎo)體原理 2、半導(dǎo)體器件原理 3、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4、半導(dǎo)體制造基礎(chǔ) 5、芯片互聯(lián)和封裝技術(shù) 6、無(wú)源元件制造技術(shù) 7、PCB設(shè)計(jì)和制造技術(shù) 8、SMT技術(shù)基礎(chǔ),1、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),1.1 半導(dǎo)體的能帶理論（分析導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體的區(qū)別） 1.2 半導(dǎo)體的載流子（種類、特點(diǎn)） 1.3 本征半導(dǎo)體和本征激發(fā) 1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體的種類，p型和n型半導(dǎo)體

2、的類型區(qū)別，主要摻入雜質(zhì)的種類，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子，施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)，補(bǔ)償效應(yīng),1、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),1.5 載流子遷移（漂移）運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 1.6 載流子濃度，費(fèi)米能級(jí)的意義 1.7 非平衡載流子：熱平衡和非熱平衡的區(qū)別，非平衡載流子載流子的特點(diǎn)，載流子的復(fù)合（種類，壽命，復(fù)合中心）,2、半導(dǎo)體器件原理,2.1 pn結(jié)：pn結(jié)的形成，內(nèi)電場(chǎng)，空間電荷區(qū)，pn結(jié)的電流電壓特性，擊穿的種類和原因； 2.2 雙極型晶體管（三極管）：種類（pnp、npn），結(jié)構(gòu)，分析其能夠產(chǎn)生電流放大的條件，分析其開(kāi)關(guān)特性的條件和原因 2.3 場(chǎng)效應(yīng)管晶體管（MOS管）：場(chǎng)效應(yīng)的原理，MOS管的結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)型和

3、耗盡型、n溝道和p溝道-不同MOS管的工作開(kāi)啟電壓條件 2.4 CMOS管的結(jié)構(gòu),3、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)基礎(chǔ),3.1 邏輯電路基礎(chǔ)：基本邏輯運(yùn)算（與，或，非，與非，或非）的運(yùn)算法則、真值表、邏輯圖（符號(hào)）、邏輯表達(dá)式、時(shí)序圖，簡(jiǎn)單邏輯電路 3.2 CMOS門(mén)電路：非電路，與非電路，或非電路，其他的邏輯電路轉(zhuǎn)換為上面的三種電路的組合,3、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)基礎(chǔ),3.3 集成電路的設(shè)計(jì)流程 3.4 集成電路的版圖設(shè)計(jì)： 3.4.1 什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？ 3.4.2 什么是基于“”的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則？ 3.4.3 什么是按比例縮小原則？有什么用？ 3.4.4 什么是摩爾定律？有什么用？ 3.5 集成電路的系統(tǒng)設(shè)計(jì)： 3

4、.5.1 設(shè)計(jì)方法有哪些？ 3.5.2 什么是ASIC？PAL？GAL？FPGA？,4、半導(dǎo)體制造基礎(chǔ),4.1 半導(dǎo)體級(jí)別硅的生產(chǎn)工藝 4.2 單晶硅錠的生長(zhǎng)工藝 4.2.1 CZ拉伸法：原理，拉伸設(shè)備的結(jié)構(gòu) 4.2.2 懸浮區(qū)熔法：原理，設(shè)備結(jié)構(gòu) 4.2.3 兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn) 4.3 晶圓（wafer，硅圓片）的制造工藝 4.4 潔凈室的分類標(biāo)準(zhǔn),4、半導(dǎo)體制造基礎(chǔ),4.5、氧化工藝：氧化工藝的種類（優(yōu)缺點(diǎn)），適用于哪些應(yīng)用； 4.6、化學(xué)氣相淀積（CVD）：定義、種類 4.6.1 外延：定義，外延的方法，外延的應(yīng)用 4.6.2 氮化硅：作用，主要工藝 4.6.3 多晶硅：作用，主要工藝 4

5、.7、金屬化： 4.7.1 金屬化的主要作用，材料 4.7.2 金屬化工藝：蒸發(fā)、濺射：原理，應(yīng)用,4、半導(dǎo)體制造基礎(chǔ),4.8、光刻 4.8.1 光刻膠的種類，優(yōu)缺點(diǎn)，應(yīng)用范圍 4.8.2 光刻工藝的主要步驟：成底模-涂膠-前烘-對(duì)準(zhǔn)和曝光-后烘-顯影-硬烘-檢查，每步驟的主要目的 4.8.3曝光光源種類，涂膠主要工藝，分辨率定義等 4.9、蝕刻 4.9.1 蝕刻的種類 4.9.2 濕法刻蝕的特點(diǎn)，缺點(diǎn) 4.9.3 干法刻蝕的特點(diǎn)，優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)，種類,4、半導(dǎo)體制造基礎(chǔ),4.10、雜質(zhì)注入 4.10.1 擴(kuò)散：原理、主要流程 4.10.2 離子注入：原理，設(shè)備，特點(diǎn) 4.11、CMP：化學(xué)機(jī)械拋

6、光的原理 4.12、CMOS集成電路的制作過(guò)程,5、芯片互聯(lián)和封裝技術(shù),5.1 引線鍵合技術(shù)：WireBonding（WB） 5.1.1、引線鍵合的定義 5.1.2、引線鍵合的方式 5.1.3、引線鍵合工藝的種類 5.1.4、引線的材料 5.2 載帶自動(dòng)焊技術(shù)：Tape Automated Bonding（TAB） 5.2.1、定義 5.2.2、與WB相比的優(yōu)點(diǎn) 5.3、倒裝焊技術(shù)：Flip Chip（FC） 5.3.1 定義 5.3.2 特點(diǎn),5、芯片互聯(lián)和封裝技術(shù),5.4 、封裝的種類 5.4.1 塑料封裝和陶瓷封裝的特點(diǎn) 5.4.2 插裝封裝：SIP，DIP，PGA等 5.4.2 貼裝封

7、裝：SOP，SOJ，QFP，BGA,6、無(wú)源元件制造技術(shù),6.1、無(wú)源元件的定義、種類 6.2、薄膜成膜技術(shù) 6.2.1、真空蒸發(fā)技術(shù)：原理，應(yīng)用范圍 6.2.2、濺射技術(shù)：原理，應(yīng)用范圍 6.2.3、膜厚監(jiān)控技術(shù)：種類 6.3、厚膜技術(shù)： 6.3.1、厚膜漿料的成分和其作用 6.3.2、厚膜工藝：印制（種類）燒結(jié) 6.3.3、厚膜厚度的測(cè)試：方阻（定義，測(cè)試方法） 6.3.4、微調(diào)技術(shù)：電阻微調(diào)技術(shù)種類，電容微調(diào),6、無(wú)源元件制造技術(shù),6.4、無(wú)源元件及其制造 6.4.1 分類 6.4.2 薄膜電阻的主要工藝 6.4.3 電解電容的主要結(jié)構(gòu)，鋁電解電容的主要工藝 6.4.4 集成式無(wú)源元件的

8、優(yōu)點(diǎn) 6.4.5 嵌入式無(wú)源元件的優(yōu)點(diǎn),7、PCB設(shè)計(jì)和制造技術(shù),7.1、PCB的基本術(shù)語(yǔ)：PCB、基板、單面板，雙面板，多層板，焊盤(pán)，連接盤(pán)，導(dǎo)線，過(guò)孔，盲孔，沉孔等 7.2、PCB設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 7.2.1 設(shè)計(jì)流程 7.2.2 元件布局準(zhǔn)則 7.2.3 布線準(zhǔn)則，以及常見(jiàn)的布線時(shí)要避免的問(wèn)題,7、PCB設(shè)計(jì)和制造技術(shù),7.3 PCB制造工藝 7.3.1 常見(jiàn)PCB基板材料：FR-1，F(xiàn)R-4，BT（基板材料，主要優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用范圍） 7.3.2 單面板制造流程 7.3.3 雙面板制造工藝： 7.3.3.1 孔金屬化的工藝種類 7.3.3.2 雙面板制造工藝種類,8、SMT技術(shù)基礎(chǔ),8.1 SMT技術(shù)概要 8.1.1 相對(duì)THT技術(shù)的特點(diǎn) 8.1.2 SMT主要工藝流程：?jiǎn)蚊嫒玈MD；雙面全SMD；一面SMD，另一面THC 8.2 焊膏印刷技術(shù) 8.2.1 焊膏的主要成分及其特點(diǎn) 8.2.2 焊膏印刷的種類（絲網(wǎng)印刷，鋼網(wǎng)印刷） 8.2.3 刮刀的種類和材料 8.2.4 印刷機(jī)的分類（手動(dòng)，半自動(dòng)，全自動(dòng)的區(qū)別） 8.2.5 點(diǎn)膠技術(shù)（貼片膠種類，點(diǎn)膠機(jī)種類）,8、SMT技術(shù)基礎(chǔ),8.3 貼片技術(shù) 8.3.1 貼片機(jī)的種類（高速，中低速） 8.3.2 貼片機(jī)的供料器種類和應(yīng)用范圍 8.3.3 貼片機(jī)的識(shí)別技術(shù) 8.3.4 提高貼片機(jī)貼片速度