2024低壓配電網(wǎng)有源不平衡補(bǔ)償裝置

目前言 范圍 規(guī)范性引用文件 術(shù)語和定義 功能要求 運(yùn)行模式 輸出限流功能 保護(hù)及告警功能 通信接口 技術(shù)要求 額定值 環(huán)境條件 結(jié)構(gòu) 性能要求 溫升 絕緣性能 電氣間隙與爬電距離 電磁兼容性能 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)條件 試驗(yàn)項(xiàng)目 檢驗(yàn)規(guī)則..................................................................................................................................................試驗(yàn)分類...........................................................................................................................................出廠試驗(yàn)...........................................................................................................................................型式試驗(yàn) 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存 標(biāo)志和隨機(jī)文件 包裝與運(yùn)輸 貯存 附錄A（資料性附錄）電流不平衡度計(jì)算方法 幅值和相位均已知的情況 附錄B（資料性附錄）并聯(lián)型有源不平衡補(bǔ)償裝置補(bǔ)償需量計(jì) 本標(biāo)準(zhǔn)適用于50Hz、額定工作電壓不超過1000V（1140V）的低壓配電網(wǎng)中用于補(bǔ)償三相不平衡GB-T 電能質(zhì)量GB/T 半導(dǎo)體變流器通用要求和電網(wǎng)換相變流器第1-1GB/T GB 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)射頻設(shè)備騷擾特性GB/T 低壓成套開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第1GB/T13384－2008 GB/T13422－2013 半導(dǎo)體變流器電氣試驗(yàn)方法GB/T15576－2008 GB/T 低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1GB/T 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)GB/T17626.3－2016 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4－2008 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5－2008 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.18－2016 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)T/CPSS1002－2018 有源不平衡補(bǔ)償裝置ActiveUnbalanceCompensation補(bǔ)償電流需量compensationcurrent正序分量positive-sequence負(fù)序分量negative-sequence零序分量zero-sequence不平衡度unbalance 、 和 響應(yīng)時(shí)間compensationresponse輸出 最大過 圖1不平衡電流補(bǔ)償率unbalancecurrentcompensationk(1Iε,s)

無功功率補(bǔ)償率reactivepowercompensation

k(1Qq,s)

Qq,s——補(bǔ)償后電網(wǎng)側(cè)的無功功率，單位為千乏Qq,g——補(bǔ)償后負(fù)荷側(cè)的無功功率，單位為千乏GPRS，RS485，RS232，WiFi等通信接口，所支持的協(xié)議由制造商與用戶額定工作頻率：50接入電網(wǎng)標(biāo)稱電壓：380V（400V）、660V（690V）、1000V（1140V）。其他電壓由用額定補(bǔ)償容量：25kvar、50kvar、75kvar、100kvar150kvar。其他容量由用戶與制造商商室內(nèi)型：-5～+4035室外型：-25～+5035室內(nèi)型：最高溫度為+40℃時(shí)的相對(duì)濕度不超過50％。在較低溫度時(shí)允許有較高的相對(duì)濕度，例如，在+20℃時(shí)的相對(duì)濕度為90％。宜考慮到由于溫度的變化，有可能會(huì)偶爾℃1000m（1000m時(shí)，與之相關(guān)的溫升限值、絕緣等GB/T16935.1－20082裝置的結(jié)構(gòu)應(yīng)符合GB/T15576－20086.1GB/T4208－2017IP20，室外裝置外殼的防IP44。當(dāng)裝置采用通風(fēng)孔散熱時(shí)，通風(fēng)孔的設(shè)置不應(yīng)降低裝置的防護(hù)等級(jí)。表15050≤20≤7070GB/T7251.1－20139.2℃℃不應(yīng)小于100MΩ

表21122UN+1裝置應(yīng)承受GB/T16935.1－2008中表F.1要求的沖擊電壓。試驗(yàn)后，裝置應(yīng)無絕緣破壞。試驗(yàn)中，裝置的電氣間隙和爬電距離應(yīng)符合GB/T15576－20086.6GB/T16935.1－2008A.2的海拔修正系數(shù)表，對(duì)所在海拔的裝置裝置應(yīng)能承受GB/T17626.3－20165.23級(jí)的射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)。GB/T17626.4－20085章規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)3級(jí)的電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)。31MHz100kHz阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)。GB/T17626.2－20065章規(guī)定的3級(jí)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)。GB4824－2013550±1Hz5％，電壓偏差不超過±30.5％。海拔：1000m環(huán)境溫度：5～40大氣壓力：86kPa～106kPa5.3c）的要測(cè)點(diǎn)測(cè)點(diǎn)測(cè)點(diǎn)測(cè)點(diǎn)圖25.4QN級(jí)差進(jìn)行設(shè)置；1h。2kHz～20kHz5.4的要求。1h1K/h5.5規(guī)定。1min，試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)符合5.6.2的規(guī)定。5.7的要求。4.2的要求。應(yīng)能正常動(dòng)作且保護(hù)動(dòng)作與保護(hù)設(shè)定值間誤差小于±54.3發(fā)出相應(yīng)告警信息。GB/T17626.3－201653級(jí)的射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度5.8.1.1的要求。按照GB/T17626.4－20085.23級(jí)的電快速瞬變脈沖群抗擾度試5.8.1.2的要求。GB/T17626.18-－201653GB/T17626.2－200653級(jí)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)，測(cè)5.8.1.4的要求。按照GB/T17626.5－20085.23級(jí)的浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)，5.8.1.5的要求。按照GB4824－20135.8.2電源和功率模塊的附屬板卡在全載運(yùn)行工況下，分別在最低周圍溫度-255024h，性能正常。5min內(nèi)溫度保持在允差之內(nèi)。將裝置置于溫度為（40±2）℃、濕度為（93±3）2天，然后取出置于環(huán)1h～2h5.66.2.4表3浪涌（沖擊）附錄A.1～A.3所示：I

IAIB

IAIB

I0——零序電流；I1——正序電流；I2————ej120

IA

IB其中，負(fù)序不平衡度

I2

零序不平衡度I0

A.4～式ImaxImin

ImidImin

3

ImaxmaxmaxIAIBIC

ImaxImin

附錄設(shè)補(bǔ)償前三相負(fù)載電流為I、I、I，補(bǔ)償后以 I'I'I'1(I'I'I')為目標(biāo)