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材料分析測(cè)試技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋山東科技大學(xué)第一章單元測(cè)試
X射線特征譜的產(chǎn)生機(jī)理與()有關(guān)。
A:X射線管的陽(yáng)極靶材的原子結(jié)構(gòu)
B:X射線管的電壓
C:X射線管的電流
D:X射線管的陰極材料
答案:X射線管的陽(yáng)極靶材的原子結(jié)構(gòu)
倒易矢量的長(zhǎng)度與正點(diǎn)陣中同名晶面的晶面間距()
A:沒(méi)有關(guān)聯(lián)
B:垂直
C:相等
D:成倒數(shù)
答案:成倒數(shù)
粉末多晶樣品中,不同晶面指數(shù)的倒易點(diǎn)分布在()半徑的倒易球上。
A:不同
B:相同
C:任意
D:其他選項(xiàng)都不對(duì)
答案:不同
在體心點(diǎn)陣中,當(dāng)(HKL)晶面的H+K+L為奇數(shù)時(shí),產(chǎn)生系統(tǒng)消光。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)關(guān)于X射線衍射儀的測(cè)量動(dòng)作,說(shuō)法正確的是()。
A:機(jī)械連動(dòng)時(shí),樣品臺(tái)轉(zhuǎn)過(guò)θ角時(shí),計(jì)數(shù)管轉(zhuǎn)θ角。
B:機(jī)械連動(dòng)時(shí),樣品臺(tái)轉(zhuǎn)過(guò)θ角時(shí),計(jì)數(shù)管轉(zhuǎn)2θ角。
C:樣品臺(tái)和計(jì)數(shù)管可以分別繞O軸轉(zhuǎn)動(dòng),也可機(jī)械連動(dòng)。
D:樣品臺(tái)和計(jì)數(shù)管必須機(jī)械連動(dòng)
答案:機(jī)械連動(dòng)時(shí),樣品臺(tái)轉(zhuǎn)過(guò)θ角時(shí),計(jì)數(shù)管轉(zhuǎn)2θ角。
;樣品臺(tái)和計(jì)數(shù)管可以分別繞O軸轉(zhuǎn)動(dòng),也可機(jī)械連動(dòng)。
X射線衍射儀中,通常用于測(cè)定2θ范圍不大的一段衍射圖,常用于精確測(cè)定衍射峰的積分強(qiáng)度和位置的掃描方式為()。
A:慢速掃描
B:其他選項(xiàng)都不對(duì)
C:步進(jìn)掃描
D:連續(xù)掃描
答案:步進(jìn)掃描
當(dāng)?shù)挂浊蚺c反射球相交,交線是一個(gè)圓環(huán),環(huán)上每一點(diǎn)都滿足衍射條件,可以產(chǎn)生衍射。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)X射線衍射的充分條件是()。
A:其他選項(xiàng)都不對(duì)
B:晶面間距大于等于半波長(zhǎng)
C:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子為零。
D:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子不為零。
答案:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子不為零。
晶體的X射線衍射方向反映了晶胞的()
A:原子種類
B:形狀
C:原子位置
D:大小
答案:形狀
;大小
每種晶體物質(zhì)都有自己特定的晶體結(jié)構(gòu),晶體結(jié)構(gòu)不同則X射線衍射花樣也就各不相同。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第二章單元測(cè)試
影響電磁透鏡分辨率的因素包括()。
A:衍射效應(yīng)
B:球差
C:色差
D:像散
答案:衍射效應(yīng)
;球差
;色差
;像散
孔徑半角越小,衍射效應(yīng)所決定的電磁透鏡的分辨率越高。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)透射電鏡的成像操作和電子衍射操作是通過(guò)調(diào)節(jié)()的位置來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
A:投影鏡
B:聚光鏡
C:物鏡
D:中間鏡
答案:中間鏡
制備透射電鏡薄膜樣品時(shí),離子減薄既適用于導(dǎo)電樣品,又適用于不導(dǎo)電樣品。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)產(chǎn)生電子衍射的充分條件是滿足布拉格方程。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)材料發(fā)生衍射時(shí),可以產(chǎn)生衍射的晶面為()。
A:(110)
B:(111)
C:(100)
D:(200)
答案:(110)
;(111)
;(100)
;(200)
衍射襯度在晶體和非晶體中都是存在的。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)根據(jù)衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)原理,理想晶體衍射強(qiáng)度隨()而變化。
A:樣品質(zhì)量
B:樣品厚度
C:偏離矢量
D:衍射矢量
答案:樣品厚度
;偏離矢量
暗場(chǎng)像中位錯(cuò)線的像為亮線。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第三章單元測(cè)試
電子束與固體樣品作用時(shí),產(chǎn)生的信號(hào)有()。
A:背散射電子
B:特征X射線
C:俄歇電子
D:二次電子
答案:背散射電子
;特征X射線
;俄歇電子
;二次電子
電子束與固體樣品作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生背散射電子。背反射電子的產(chǎn)額隨樣品()的增加而增多。
A:表面面積
B:厚度
C:原子序數(shù)
D:表面形貌
答案:原子序數(shù)
掃描電鏡的二次電子像中,樣品表面的深凹槽底部產(chǎn)生較多二次電子,在熒光屏上這些部位的亮度較大。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)在掃描電鏡觀察樣品,對(duì)樣品微觀組織形貌敏感的成像信號(hào)是()。
A:俄歇電子
B:二次電子
C:背反射電子
D:特征X射線
答案:二次電子
與光鏡呈像相比,掃描電鏡圖像立體感強(qiáng),形態(tài)逼真,這是由于掃描電鏡的()比光鏡大100-500倍。
A:尺寸
B:速度
C:景深
D:放大倍數(shù)
答案:景深
掃描電鏡中,無(wú)論二次電子呈像還是背散射電子呈像,圖像的分辨率不發(fā)生改變。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)被樣品原子核反彈回來(lái)的入射電子稱為非彈性背散射電子,能量基本上沒(méi)有損失。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)掃描電鏡的分辨率等于入射電子束直徑。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)掃描電鏡的背散射電子像中,圖像上亮區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)()暗區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。
A:其他選項(xiàng)都可以
B:等于
C:小于
D:大于
答案:大于
二次電子像襯度最亮的表面區(qū)域是()。
A:法線與電子束成36°的表面
B:法線與電子束成66°的表面
C:法線與電子束成0°的表面
D:法線與電子束成86°的表面
答案:法線與電子束成86°的表面
第四章單元測(cè)試
電子探針的能譜儀和波譜儀比較,波譜儀()。
A:分析速度慢
B:分辨率高
C:適合粗糙表面工作
D:分析元素范圍廣
答案:分析速度慢
;分辨率高
;分析元素范圍廣
在電子探針中,測(cè)定X射線特征能量的譜儀為能量分散譜儀,簡(jiǎn)寫為()。
A:EPMA
B:EDS
C:XRD
D:WDS
答案:EDS
利用電子探針,可以對(duì)樣品的成分進(jìn)行()。
A:只能定量分析
B:定性分析
C:定量分析
D:只能定性分析
答案:定性分析
;定量分析
利用電子探針的波譜儀,一個(gè)分光晶體能夠覆蓋的波長(zhǎng)范圍有限的,因此一個(gè)分光晶體只能檢測(cè)一定原子序數(shù)范圍的元素。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)在電子探針面分析中,根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布,可確定該元素在試樣中分布情況,亮區(qū)代表元素含量()。
A:低
B:沒(méi)有
C:中等
D:高
答案:高
電子探針的主要功能是進(jìn)行微區(qū)成分分析。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)利用電子探針對(duì)材料微區(qū)成分進(jìn)行面分析,包含幾種元素就顯示幾種元素的分布圖像。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)電子探針只能對(duì)材料進(jìn)行微區(qū)成分分析,不能同步觀察材料微觀形貌。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)在電子探針中,測(cè)定X射線特征波長(zhǎng)的譜儀為波長(zhǎng)分散譜儀,簡(jiǎn)寫為EDS。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)電子探針和X射線衍射儀一樣,都可以直接確定材料中所包含的物相。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第五章單元測(cè)試
差熱分析法的簡(jiǎn)稱為()。
A:DTA
B:EDS
C:WDS
D:DSC
答案:DTA
差熱分析中,若試樣沒(méi)有熱效應(yīng)時(shí),記錄儀所記錄的ΔT曲線,為水平直線,稱為()。
A:基線
B:DTA
C:吸熱峰
D:放熱峰
答案:基線
熱分析技術(shù)中,試樣用量越多,熱效應(yīng)大,內(nèi)部傳熱慢,溫度梯度大,導(dǎo)致峰形擴(kuò)大,峰頂溫度滯后,容易使相鄰峰重疊,降低分辨率。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)差熱分析中,試樣對(duì)曲線會(huì)產(chǎn)生影響,影響因素有()。
A:試樣粒度
B:試樣的裝填
C:試樣結(jié)晶度
D:試樣用量
答案:試樣粒度
;試樣的裝填
;試樣結(jié)晶度
;試樣用量
在熱分析技術(shù)中,參比物質(zhì)的選擇是任意的。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)熱重分析法的簡(jiǎn)稱為()。
A:EDS
B:TG
C:DTA
D:DSC
答案:TG
在熱分析技術(shù)中,利用程序溫控裝置,可以升溫、降溫,但不能測(cè)定材料在恒溫過(guò)程中發(fā)生的變化。()
A
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