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章末檢測(cè)試卷(三)第三章<<<1.下列結(jié)構(gòu)示意圖中,表示晶胞的是選擇題√123456789101112131415161718192.下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的比較正確的是A.CCl4、MgCl2、Si3N4的熔點(diǎn)依次升高B.Rb、K、Na、Li的沸點(diǎn)依次降低C.晶體硅、碳化硅晶體、金剛石的熔點(diǎn)依次降低D.HF、HCl、HBr的沸點(diǎn)依次升高√選擇題12345678910111213141516171819一般來(lái)說(shuō),熔點(diǎn):分子晶體<離子晶體<共價(jià)晶體,則熔點(diǎn):CCl4<MgCl2<Si3N4,故A正確;原子序數(shù)越大,堿金屬單質(zhì)的沸點(diǎn)越低,則沸點(diǎn):Rb<K<Na<Li,故B錯(cuò)誤;Si、SiC、金剛石都是共價(jià)晶體,共價(jià)鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高,共價(jià)鍵鍵長(zhǎng):C—C<Si—C<Si—Si,所以熔點(diǎn)的高低順序?yàn)榻饎偸?gt;SiC>Si,故C錯(cuò)誤;HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)最高,HCl、HBr不存在氫鍵,則沸點(diǎn):HF>HBr>HCl,故D錯(cuò)誤。選擇題123456789101112131415161718193.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列有關(guān)晶體的敘述正確的是A.在含4molSi—O的二氧化硅晶體中,氧原子的數(shù)目為4NAB.在124g白磷(P4)晶體中,含P—P個(gè)數(shù)為4NAC.30g二氧化硅晶體中含有0.5NA個(gè)二氧化硅分子D.12g金剛石中含C—C個(gè)數(shù)為2NA√選擇題123456789101112131415161718194.(2024·合肥高二月考)根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是選擇題12345678910111213141516171819晶體NaClMgCl2AlCl3SiCl4單質(zhì)R熔點(diǎn)/℃801714190-702300沸點(diǎn)/8572500A.SiCl4和AlCl3都是分子晶體,熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電B.MgCl2和NaCl都是離子晶體,熔融狀態(tài)能導(dǎo)電且易溶于水C.若單質(zhì)R是共價(jià)晶體,其熔、沸點(diǎn)的高低是由共價(jià)鍵的鍵能決定的D.固態(tài)時(shí)可導(dǎo)電的一定是金屬晶體√相比之下,AlCl3、SiCl4的熔、沸點(diǎn)都很低,可以判斷二者都是分子晶體,熔融狀態(tài)下不能電離出離子,所以不能導(dǎo)電,A項(xiàng)正確;MgCl2和NaCl的熔、沸點(diǎn)都較高,可以判斷二者都是離子晶體,熔融狀態(tài)下可以電離出離子,所以能導(dǎo)電,且這兩種物質(zhì)都易溶于水,B項(xiàng)正確;選擇題12345678910111213141516171819晶體NaClMgCl2AlCl3SiCl4單質(zhì)R熔點(diǎn)/℃801714190-702300沸點(diǎn)/8572500R的熔、沸點(diǎn)非常高,若其為共價(jià)晶體,則其熔、沸點(diǎn)的高低是由共價(jià)鍵的鍵能決定的:共價(jià)鍵鍵能越高,該物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)也越高,C項(xiàng)正確;固態(tài)時(shí)可導(dǎo)電的不一定是金屬晶體,比如石墨不是金屬晶體,但是石墨可以導(dǎo)電,D項(xiàng)錯(cuò)誤。選擇題12345678910111213141516171819晶體NaClMgCl2AlCl3SiCl4單質(zhì)R熔點(diǎn)/℃801714190-702300沸點(diǎn)/85725005.(2023·蘇州高二期末)現(xiàn)有四種晶體,其構(gòu)成粒子均為單原子核粒子,排列方式如圖所示。晶體的化學(xué)式正確的是選擇題√12345678910111213141516171819
選擇題12345678910111213141516171819
選擇題123456789101112131415161718196.Zn(OH)2溶于氨水可生成可溶性配合物[Zn(NH3)4](OH)2,下列說(shuō)法正確的是A.根據(jù)上述信息可推導(dǎo)出氫氧化鋅為兩性氫氧化物B.該配合物中只有離子鍵和配位鍵C.形成該配合物的離子方程式為Zn(OH)2+4NH3===[Zn(NH3)4]2++2OH-D.該配離子中由NH3提供空軌道,Zn2+提供孤電子對(duì)√選擇題12345678910111213141516171819NH3與Zn2+之間形成配位鍵,而OH-與[Zn(NH3)4]2+之間為離子鍵,NH3、OH-中有共價(jià)鍵,B項(xiàng)錯(cuò)誤;該配離子中提供空軌道的是Zn2+,D項(xiàng)錯(cuò)誤。選擇題123456789101112131415161718197.(2024·湖北,8)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)決定用途。下列事實(shí)解釋錯(cuò)誤的是選擇題12345678910111213141516171819
事實(shí)解釋A甘油是黏稠液體甘油分子間的氫鍵較強(qiáng)B王水溶解鉑濃鹽酸增強(qiáng)了濃硝酸的氧化性C冰的密度小于干冰冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低D石墨能導(dǎo)電未雜化的p軌道重疊使電子可在整個(gè)碳原子平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)√甘油分子中有3個(gè)羥基,分子間可以形成更多的氫鍵,且O元素的電負(fù)性較大,故其分子間形成的氫鍵較強(qiáng),因此甘油是黏稠液體,A正確;王水溶解鉑,主要是因?yàn)闈恹}酸提供的Cl-能與被硝酸氧化產(chǎn)生的高價(jià)態(tài)的鉑離子形成穩(wěn)定的配合物從而促進(jìn)鉑的溶解,B不正確;冰晶體中水分子間形成較多的氫鍵,氫鍵的方向性導(dǎo)致水分子間形成氫鍵后空隙變大,冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低,密度小于干冰,C正確;選擇題12345678910111213141516171819在石墨晶體結(jié)構(gòu)中,每個(gè)碳原子用3個(gè)價(jià)電子通過(guò)sp2雜化軌道與相鄰的碳原子形成共價(jià)鍵,還有1個(gè)價(jià)電子處于碳原子的未雜化的2p軌道上,層內(nèi)碳原子的這些p軌道相互平行,相鄰碳原子p軌道相互重疊形成大π鍵,這些p軌道的電子可以在整個(gè)層內(nèi)運(yùn)動(dòng),因此石墨能導(dǎo)電,D正確。選擇題12345678910111213141516171819
選擇題12345678910111213141516171819√
選擇題123456789101112131415161718199.科學(xué)家合成了一種新的化合物,其中W、X、Y、Z為同一短周期元素,Z核外最外層電子數(shù)是X核外電子數(shù)的一半。下列說(shuō)法正確的是A.元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)閄>Y>ZB.W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑:W<ZC.元素Z、X、W的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)依次升高D.該新化合物中Y不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)√選擇題12345678910111213141516171819由題給信息可知,W、X、Y、Z分別為Na、Si、P、Cl元素。元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)镾i<P<Cl,A錯(cuò)誤;Na+有2個(gè)電子層,Cl-有3個(gè)電子層,W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑:r(Na+)<r(Cl-),B正確;元素Z、X、W的單質(zhì)分別為Cl2、Si、Na,分別屬于分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體,Si的熔點(diǎn)最高,氯氣的熔點(diǎn)最低,C錯(cuò)誤;選擇題123456789101112131415161718192個(gè)硅原子和1個(gè)P原子形成2個(gè)共價(jià)鍵,陰離子得到1個(gè)電子,所以該化合物中磷原子最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),D錯(cuò)誤。選擇題1234567891011121314151617181910.工業(yè)上常以印刷線路板堿性蝕刻廢液{主要成分為[Cu(NH3)4Cl2]}為原料制備CuCl(晶胞結(jié)構(gòu)如圖)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.基態(tài)Cu+的核外電子排布式為[Ar]3d10B.[Cu(NH3)4]2+中含有4個(gè)配位原子C.NH3的鍵角小于CH4的鍵角D.晶胞中距離Cu+最近且距離相等的Cl-有2個(gè)√選擇題12345678910111213141516171819選擇題已知Cu是29號(hào)元素,其基態(tài)原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s1,故基態(tài)Cu+的核外電子排布式為[Ar]3d10,A正確;[Cu(NH3)4]2+中Cu2+為中心離子,NH3為提供孤電子對(duì)的配體,N原子為配位原子,故含有4個(gè)配位原子,B正確;12345678910111213141516171819選擇題NH3和CH4分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4,NH3中含有一個(gè)孤電子對(duì),且孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用力大于成鍵電子對(duì)之間的12345678910111213141516171819排斥作用力,故NH3的鍵角小于CH4的鍵角,C正確;由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,晶胞中距離Cu+最近且距離相等的Cl-有4個(gè),D錯(cuò)誤。11.鐵的晶體有多種結(jié)構(gòu),其中兩種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲、乙所示(acm、bcm分別為晶胞邊長(zhǎng)),下列說(shuō)法正確的是A.兩種鐵晶體中均存在金屬陽(yáng)離子和
陰離子B.乙晶體晶胞中所含有的鐵原子數(shù)為14C.甲、乙兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為1∶2D.甲、乙兩種鐵晶體的密度比為b3∶2a3√選擇題12345678910111213141516171819
選擇題1234567891011121314151617181912.(2024·湖北,11)黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí),純金為24K。Au—Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖,Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.Ⅰ為18K金B(yǎng).Ⅱ中Au的配位數(shù)是12C.Ⅲ中最小核間距Au—Cu<Au—AuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中,Au與Cu原子個(gè)數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1選擇題√12345678910111213141516171819
選擇題12345678910111213141516171819
選擇題1234567891011121314151617181913.砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說(shuō)法正確的是A.砷化鎵是一種分子晶體B.砷化鎵中不存在配位鍵C.晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)量比為4∶1D.晶胞中Ga原子與周圍等距且最近的As原子形成的空
間結(jié)構(gòu)為正四面體選擇題12345678910111213141516171819√
選擇題12345678910111213141516171819
選擇題12345678910111213141516171819√
選擇題12345678910111213141516171819根據(jù)晶胞可以知道,q、i位置的O原子與體心Ti原子處于同一直線上,且該直線與底面對(duì)角線平行,q的坐標(biāo)為(0.19,0.81,0.5),則i原子的坐標(biāo)為(0.81,0.19,0.5),B錯(cuò)誤;
選擇題12345678910111213141516171819
15.鐵氮化合物(FexNy)在磁記錄材料領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。某FexNy的晶胞如圖1所示,Cu可以完全替代該晶體中a位置Fe或者b位置Fe,形成Cu替代型產(chǎn)物Fe(x-n)CunNy。FexNy轉(zhuǎn)化為兩種Cu替代型產(chǎn)物的能量變化如圖2所示,下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是
A.Cu元素位于元素周期表中的ds區(qū)B.圖1中氮原子的配位數(shù)為6C.更穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式
為FeCu3ND.當(dāng)a位置Fe位于體心時(shí),b位置Fe位于棱上選擇題√12345678910111213141516171819選擇題12345678910111213141516171819Cu在周期表中位于第四周期第ⅠB族,屬于ds區(qū)元素,故A正確;由圖1可知,氮原子的上下左右前后各有1個(gè)鐵原子,故其配位數(shù)為6,故B正確;
選擇題12345678910111213141516171819根據(jù)圖1,將頂點(diǎn)置于體心(如圖所示),即當(dāng)a位置Fe位于體心時(shí),b位置Fe位于棱上,故D正確。16.第ⅤA族元素及其化合物在生產(chǎn)、生活中用途廣泛。(1)苯胺()的晶體類型是
。苯胺與甲苯()的相對(duì)分子質(zhì)量相近,但苯胺的熔、沸點(diǎn)分別高于甲苯的熔、沸點(diǎn),原因是
。
非選擇題12345678910111213141516171819分子晶體苯胺分子之間存在氫鍵而甲苯分子間不存在氫鍵苯胺是有機(jī)化合物,其晶體類型是分子晶體;由于苯胺分子中N原子電負(fù)性大、原子半徑小,易形成分子間氫鍵N—H…N,導(dǎo)致熔、沸點(diǎn)比相對(duì)分子質(zhì)量相近的甲苯高。(2)兩種氧化物的熔點(diǎn)如下表所示,解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因:
。
非選擇題P4O6、SO2均為分子晶體,分子間作用力:P4O6>SO2SO2和P4O6均為分子晶體,分子晶體中一般相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,熔點(diǎn)越高。12345678910111213141516171819氧化物SO2P4O6熔點(diǎn)/℃-75.523.8(3)貴金屬磷化物Rh2P可用作電解水的高效催化劑,其立方晶胞如圖所示。已知晶胞參數(shù)為anm,晶體中與P距離最近的Rh的數(shù)目為
,晶體的密度為
g·cm-3(列出計(jì)算式)。
非選擇題123456789101112131415161718198
非選擇題
1234567891011121314151617181917.銅是過(guò)渡金屬元素,可以形成多種化合物。(1)CuCl的鹽酸溶液能夠與CO發(fā)生反應(yīng):CuCl+CO+H2O===Cu(CO)Cl·H2O。①電負(fù)性:C
(填“>”“=”或“<”)O。
非選擇題12345678910111213141516171819<同一周期的主族元素,元素的原子序數(shù)越大,元素的電負(fù)性就越大,所以電負(fù)性:C<O。②CO常溫下為氣體,固態(tài)時(shí)屬于
晶體。
非選擇題12345678910111213141516171819分子CO常溫下為氣體,固態(tài)時(shí)屬于分子晶體。(2)Cu+與NH3形成的配合物可表示成[Cu(NH3)n]+,該配合物中,Cu+的4s軌道及4p軌道通過(guò)sp雜化接受NH3提供的孤電子對(duì)。[Cu(NH3)n]+中Cu+與n個(gè)氮原子的空間結(jié)構(gòu)呈
形,n=
。
非選擇題12345678910111213141516171819直線該配合物中,Cu+的4s軌道及4p軌道通過(guò)sp雜化接受NH3提供的孤電子對(duì)。所以在[Cu(NH3)n]+中Cu+與n個(gè)氮原子的空間結(jié)構(gòu)呈直線形,Cu+與2個(gè)氮原子形成配位鍵。2(3)CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子[Cu(En)2]2+(En是乙二胺的簡(jiǎn)寫):非選擇題12345678910111213141516171819①配離子[Cu(En)2]2+的中心原子基態(tài)L層電子排布式為
。②乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
,乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是_____________________________________________________。
2s22p6sp3雜化分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵乙二胺③配合物[Cu(En)2]Cl2中不存在的作用力類型有
(填字母)。
A.配位鍵 B.極性鍵C.離子鍵 D.非極性鍵E.氫鍵 F.金屬鍵非選擇題12345678910111213141516171819EF18.硼及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、新型材料等方面應(yīng)用廣泛。(1)區(qū)分晶體硼和無(wú)定形硼最可靠的科學(xué)方法為對(duì)固體進(jìn)行
,晶體硼的單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體,能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形,這種性質(zhì)稱為晶體的
。與硼處于同周期且相鄰的兩種元素和硼的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/p>
。
非選擇題12345678910111213141516171819X射線衍射實(shí)驗(yàn)自范性C>Be>B非選擇題12345678910111213141516171819區(qū)分晶體硼和無(wú)定形硼最可靠的科學(xué)方法為對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn),晶體硼的單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體,能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形,這種性質(zhì)稱為晶體的自范性;與硼處于同周期且相鄰的兩種元素分別為Be、C,同周期元素第一電離能從左到右呈增大的趨勢(shì),但第ⅡA、ⅤA族反常,因此第一電離能由大到小的順序?yàn)镃>Be>B。(2)我國(guó)科學(xué)家對(duì)硼烷化學(xué)的研究開(kāi)啟了無(wú)機(jī)化學(xué)的新篇章。①最簡(jiǎn)單的硼烷是B2H6,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示,B原子的雜化方式為_(kāi)____。
非選擇題sp312345678910111213141516171819根據(jù)分子結(jié)構(gòu),B的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,因此B原子的雜化方式為sp3。②氨硼烷(NH3BH3)被認(rèn)為是最具有潛力的新型儲(chǔ)氫材料之一,分子中存在配位鍵,提供孤電子對(duì)的原子是
。
非選擇題N12345678910111213141516171819氨硼烷(NH3BH3)分子中存在配位鍵,BH3中無(wú)孤電子對(duì),NH3中N有一個(gè)孤電子對(duì),因此提供孤電子對(duì)的原子是N。③硼氫化鈉(NaBH4)是一種重要的儲(chǔ)氫載體,其陰離子空間結(jié)構(gòu)是
。
非選擇題正四面體形12345678910111213141516171819
(3)砷化硼(BAs)為立方晶系晶體,其結(jié)構(gòu)如圖所示。晶胞沿z軸在平面的投影圖中,B原子構(gòu)成的幾何形狀是
。已知:晶體的密度為dg·cm-3,As原子的半徑為apm,假設(shè)B、As原子相切,則B原子的半徑為_(kāi)__________________pm(寫出計(jì)算表達(dá)式即可)。
非選擇題12345678910111213141516171819
(平面)正方形
非選擇題可以將這個(gè)晶胞分成8個(gè)小的立方體,B原子在其中四個(gè)小的立方體的體心,晶胞沿z軸在平面的投影圖中,B原子投影在底1234567891
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