版圖技巧總結(jié)

【版圖學(xué)習(xí)筆記】Candence操作DESIGNRULE各器件簡述版圖技巧布局布線版圖流程ELLA的心得Candence操作一．進入版圖工作環(huán)境：1。進入unit：Xmanger1。3..9＝》Xbrowser＝》EDA4＝》用戶名＝》密碼界面上右鍵－》tools－》terminal－》在layout目錄輸入icfb登陸Candenceicfb后面加“＆"的作用是之后可以繼續(xù)在Shell窗口操作命令在icfb窗口tools－》librarymanager－》選擇library，cell，view。如果是新建，則FILE－》new里面新建。5．在icfb窗口的tools－》librarypath可以加庫二．最常用快捷鍵：f:全景圖ctrl＋z：放大shift＋z:縮小shift＋f:詳細版圖（非symbol)u:undow：上一界面i:調(diào)用器件q：看屬性r：畫矩形p:固定長度的可折線l：lable標注端口、電源、地等。所標識的金屬層，用該層TEXT層標識。如，M6層金屬則選擇M6TEXT層。s:拉伸收縮Shift＋C：把線斷開(注意:先選中線，再操作）Shift＋M：merge（同上,先選中線）k:標尺shift＋k：取消標尺器件旋轉(zhuǎn)：q－》選rotate度數(shù)－》Apply對于已選器件：“M“左鍵右鍵旋轉(zhuǎn)g：格點鼠標在各格點移動一般不用如果取消，則再按一次“g"shift+x：進入調(diào)用器件的下層shift＋b：返回上層F3：在選擇了操作命令后,按F3可以顯示旋轉(zhuǎn)，寬度調(diào)整等被操作器件特性。該鍵很有用.Undo默認為一步。若要增加次數(shù)，在ICFB窗口的OPTIONS里選擇USERPREFERENCES，改變undo次數(shù)。三．Layout環(huán)境界面常用操作左邊的窗口為“LSW”窗口。AV:allviewNV:noviewAS:allselectNS：noneselect（在連線時,可以先選NV，所有層次都看不見，再選中需要連線的層次，則版圖上只顯示該層，方便連線.需要修改時，可以選NS，再選擇需要修改的層次,方便改動。按右鍵選擇活動的層次。）下面為各層.可自己修改，添加刪除.常見操作快捷方式已在上文歸納。以下是版圖設(shè)計過程中一些遇到問題后總結(jié)的操作打散單元：EDIT-〉HIERARCHY—〉FLATTEN—>FLATTENPCELLS完成版圖后標端口:CREAT-〉PINSFROMLABLESDRC以后找錯誤:VERITY—〉MARKERS-〉FINDS操作中,先按“s”,再選擇需要strentch的部分,再拉伸。Shift＋c操作中，需要先選中需要CUT的線條。在做GUARDRING里面，可以選擇NDIFF_M1,選擇一定的row和coloum,注意此時選擇其中的”CONTACT“的行和列，這樣就可以直接構(gòu)成guarding。二.DESINGRULES根據(jù)各不同工藝,DESIGNRULES各不相同。但大致尺寸仍然類似。規(guī)則也基本相同。經(jīng)過DRC，最容易出問題的：最小延伸：主要指多晶硅必須伸出有源區(qū)最小寬度：在線畫好后，添加CONTACT與VIA等時，可能會因為位置擺放問題導(dǎo)致最小線寬不符合要求。最小間距:不僅要注意各層自己的間距,如METEL1與METEL1連線間間距，還要注意不同層之間間距符合設(shè)計規(guī)則。最小包圍：由于要滿足內(nèi)層的最小寬度以及外層與內(nèi)層的最小包圍，因此在連接部分等處要求內(nèi)層材料比原先寬度增加一些。PSUBWITHOUTTAB:P襯底需要接地本次DRC下來總結(jié)：Via四周距離一端必須大于規(guī)則距離，另三端大于最小包圍。P襯底接地和NWELL里接高必須和器件小于20UM最高層金屬間距稍大0。44其他為0。28電容兩極板需要用第六層引線出來，若用第五層,則它會認為是電容板的一層,報錯。三．各器件簡述1。MOS管2.三極管3.電容4。電阻5。電感在很多工藝庫中,以上器件都是可以調(diào)用的。因此不需要自己畫。如果沒有可以調(diào)用的器件，就按照designrule中對各層的定義,自己繪制器件.本次流片所用到的器件：四．版圖技巧Z1．對敏感線的處理對敏感線來說,至少要做到的是在它的走線過程中盡量沒有其他走線和它交叉。因為走線上的信號必然會帶來噪聲,交錯糾纏的走線會影響敏感線的信號。對于要求比較高的敏感線，則需要做屏蔽。具體的方法是，在它的上下左右都連金屬線，這些線接地。比如我用M3做敏感線，則上下用M2和M4重疊一層，左右用M3走,這些線均接地.等于把它像電纜一樣包起來。2．匹配問題的解決電路中如果需要匹配，則要考慮對稱性問題。比如1:8的匹配，則可以做成3×3的矩陣，“1"的放在正中間，“8”的放在四周。這樣就是中心對稱.如果是2：5的匹配，則可以安排成AABABAA的矩陣.需要匹配和對稱的電路器件，擺放方向必須一致。周圍環(huán)境盡量一致.3．噪聲問題的處理噪聲問題處理的最常用方法是在器件周圍加保護環(huán).Nmos管子做在襯底上因此周圍的guardring是Pdiff，在版圖上是一層PPLUS，上面加一層DIFF，用CONTACT連M1。Pdiff接低電位.Pmos管子做在NWELL里面因此周圍的GUARDING是Ndiff,在版圖上先一層NPLUS，上面加一層DIFF，用CONTACT連M1。Ndiff接高電位。在一個模塊周圍為了和其他模塊隔離加的保護環(huán)，用一圈NWELL，里面加NDIFF，接高電位。電阻看類型而定,做在P襯底上的周圍接PDIFF型guarding接地；做在NWELL里面的則周圍接NDIFF型guarding接高電位。各種器件，包括管子，電容，電感,電阻都要接體電位。如果不是RF型的MOS管，則一般盡量一排N管一排P管排列，每排或者一堆靠近的同類型管子做一圈GUARDING，在P管和N管之間有走線不方便打孔的可以空出來不打。4．版圖對稱性當電路需要對稱的時候，需要從走線復(fù)雜度，面積等方面綜合考慮.常見的對稱實現(xiàn)方式:一般的,畫好一半,折到另一半去,復(fù)制實現(xiàn)兩邊的對稱。如果對稱性要求高的,可以用質(zhì)心對稱的方式，把管子拆分成兩個,四個甚至更多.如把一個管子拆成兩個可以ABBA的方式如果有四個管子，可以各拆成三個，用ABCDABCDABCD的方式五．布局布線布局布線是一個全局問題。在畫較大的電路時候是很重要的。首先確定各模塊的位置,在確定位置的時候需要考慮的問題主要有：各輸入輸出之間的連線最短，最方便;各模塊接出去連PAD的各端口方便；高頻線距離盡量短；輸入輸出之間相隔比較遠等。這些問題需要在著手畫各模塊之前先有個安排.在畫好各模塊后擺放時會做調(diào)整,但大局不變。連線一般的規(guī)則是單數(shù)層金屬和雙數(shù)層金屬垂直，比如一三五層連水平;二四六層連垂直。但這樣的主要目的是各層能方便走線，排得密集.所以也不是死規(guī)則，在布線較稀疏的情況下可以做適量變通。在布線時最重要的問題是考慮電路的各支路電流問題。首先要明確各支路電路的峰值，這樣就能確定金屬線的最小寬度.確保整條支路不會被電流過大而燒斷。當然連線也不能太寬，這樣的話電容會大。電路中如果畫到電流源可以離得較遠,因為電流源理想的時候電阻無窮大,這就意味著電流源連出來的線可以長一些，因為不需考慮連線太長電阻太大的問題。六．版圖流程整體布局――各模塊布局――模塊布線――各模塊通過DRC，LVS――整體布線――整體通過DRC，LVS，通過天線效應(yīng)DRC――提取后仿參數(shù)DRC:在線的有DIVA只需把.rul文件放在相應(yīng)目錄下直接在線跑Dracula：非在線LVS：也有DIVA,DRACULA等。本次使用calibre進行l(wèi)vs。具體流程如下：版圖生成GDS文件。在icfb窗口的“file”中選“export”的“stream”生成netlist。在ADS中的“tool”里export網(wǎng)表用LVS文件，修改其中對應(yīng)的layyout和netlist文件名稱.把以上三個文件放在同一目錄下。EDA中在該目錄下跑CALIBRE命令：calibre（空格)－lvs（空格）做lvs的文件名在生成的lvs.rep中找錯誤。注意:layout中，gnd和vdd作為pin。Pin只用.txt對應(yīng)的metal標識。在跑好LVS后，要在版圖上對應(yīng)的地方找到可能的錯誤，需要以下步驟:在icfb窗口：load“～/calivre.skl”Calibre－Setup－Socket…在lvs路徑caliber－rvesvdb&在【svdb】窗口setup－layoutviewer七．ELLA的心得1．關(guān)于電路的問題畫模擬版圖首先要注意的是線寬問題。每條支路上的電流是多少要問清電路設(shè)計者。對于比較大電流的支路，線寬一定要滿足電流，但也不能太寬，否則寄生電容肯定會大.可以采用幾條金屬線上下重疊并聯(lián)的方式，這樣的話寬度小了電流又能滿足。畫版圖的時候也不能一味埋頭苦畫，遠抱著質(zhì)疑的態(tài)度。比如判斷設(shè)計者給出的電流是否正確可信,給出的結(jié)構(gòu)和器件尺寸是否合理等.這就需要對電路知識有很好的了解，懂電路來畫版圖才有意思。2．關(guān)于ESD的問題一般的工藝模型里可能會提供ESD模型。但是本次流片并沒有.ESD需要自己畫。參考文件中給出ESD的設(shè)計規(guī)則，有些是DRC做不出來的，需要自己注意.ESD需要在輸入輸出口，電源和地之間，不同的電源之間等都做,而且結(jié)構(gòu)不同.對于柵直接接到PAD的電路,需要特別注意。在柵往外接的時候接一個200歐姆的電阻，這樣電流進來的時候不容易將柵極擊穿.在該PAD兩邊最好放GND和VDD的pad，這樣電流容易往兩邊走。3．關(guān)于濾波電容問題在電路的空隙地方填入濾波電容.具體接法是：NMOS管的源漏接地,柵接電源；PMOS管的源漏接電源，柵接地。本次電路中濾波電容采用mm模型，管子做成10um×10um,四周圍相應(yīng)的GUARDRING.4．關(guān)于天線效應(yīng)第一層金屬在接?xùn)艜r候如果面積很大就會收集離子使得電位升高而擊穿柵氧層。此時應(yīng)該將第一層金屬斷開,往上連接，最好連到最高層。如果需要走第一層就再連回來。5．關(guān)于電源線和地線問題電源線和地線一般在60um左右。但是線寬超出20um工藝上有問題因此需要打孔。本次電路的處理方式是沒有打孔，將線接成三根20um的從pad引出來，布線時，按照Vddgndvddgndvddgnd這樣間隔的布線。整個版圖的電源和地線呈網(wǎng)格狀，這樣壓降小，穩(wěn)定。6．學(xué)會看參考文件總的文件是guideline里面有一些規(guī)定。不像DRC那樣必須遵守。這次沒有仔細看。關(guān)于DRC,LVS，LPE等的相關(guān)文件在給出的文件里都有。DESIGNRULE等文件需要在畫之前先有了解。