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GB/T4937.17—2018/IEC60749-17:2003半導體器件機械和氣候試驗方法第17部分：中子輻照(IEC60749-17:2003,IDT)國家市場監(jiān)督管理總局中國國家標準化管理委員會IGB/T4937.17—2018/IEC60749-17:2003——第1部分：總則； ——第8部分：密封；——第11部分：快速溫度變化雙液槽法； ——第13部分：鹽霧；——第14部分：引出端強度(引線牢固性);——第16部分：粒子碰撞噪聲檢測(PIND); 第17部分：中子輻照；——第18部分：電離輻射(總劑量); ——第24部分：加速耐濕無偏置強加速應力試驗(HSAT);——第26部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗人體模型(HBM);——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗機械模型(MM);——第28部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗帶電器件模型(CDM)器件級；——第29部分：閂鎖試驗；——第31部分：塑封器件的易燃性(內(nèi)部引起的); ——第33部分：加速耐濕無偏置高壓蒸煮；ⅡGB/T4937.17—2018/IEC60749-17:2003 第38部分：半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法； 本部分為GB/T4937的第17部分。本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-17:2003《半導體器件機械和氣候試驗方法第17部分：1半導體器件機械和氣候試驗方法GB/T4937的本部分是為了測定半導體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性。本部分適用于集a)檢測和測量半導體器件關(guān)鍵參數(shù)的退化與中子注量的關(guān)系；b)確定規(guī)定的半導體器件參數(shù)在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內(nèi)(見第4章)。b)CaF?等熱釋光劑量計(TLD);c)適用的活化箔計數(shù)設(shè)備及TLD讀出設(shè)備。2.4劑量測定把活化箔中測得的放射量換算到中子注量的標準方法由有關(guān)標準給出。由箔的放射量換算到中子一旦確定了中子譜，并計算出等效的單能量注量，就應在隨后的輻照試驗中采用適當?shù)谋O(jiān)測箔表征。利用監(jiān)測箔得到的單能量中子注量僅在能譜保如果要求檢查器件在試驗中的γ射線吸收劑量，應采用熱釋光劑量計(TLD)或等效的方法來確定。熱釋光劑量計的使用應滿足國家標準或其他等效方法。2應按要求對每只器件進行輻射前的電測試。當規(guī)定了參數(shù)變化量(△)極限值時，應記錄輻射前堆有關(guān)工作人員一起討論決定。試驗器件的安裝應使得全部樣品上的中子注量總變化不超過20%。度應保持在20℃±10℃。規(guī)定的電測試應在輻射后24h內(nèi)完成。如果殘余的放射性物質(zhì)(放射水平
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