CESA-2021-3-007《特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平評(píng)價(jià)方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)（征求意見(jiàn)稿）編制說(shuō)明

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

編制說(shuō)明

一、工作簡(jiǎn)況

2021年中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院?jiǎn)?dòng)了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《特定場(chǎng)景下的微控制器

低功耗水平評(píng)價(jià)方法》的研制工作，該標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)下達(dá)

立項(xiàng)通知，立項(xiàng)號(hào)CESA-2021-3-007。任務(wù)下發(fā)后，由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究

院牽頭，起草單位包括中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、南京低功耗芯片技術(shù)研究院

有限公司、無(wú)錫中感微電子股份有限公司、北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司、北

京芯可鑒科技有限公司、南京郵電大學(xué)、上海靈動(dòng)微電子股份有限公司等單位，

歸口單位為中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)和中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。

2、主要工作過(guò)程：

（一）標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研

為指導(dǎo)特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)試，2021年1月由中國(guó)電子技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭，聯(lián)合微控制研制單位，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用情況，進(jìn)行了調(diào)研和分

析，初步確定了特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)試方案，明確了后續(xù)相關(guān)的

工作內(nèi)容，包含測(cè)試方法、測(cè)試工具及測(cè)試內(nèi)容三大板塊。。

2021年3月15日，召開(kāi)第一次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確依據(jù)ULPMark基準(zhǔn)測(cè)試的原

理，根據(jù)我國(guó)現(xiàn)有微控制低功耗水平，確立微控制器功耗測(cè)試方法的原理及過(guò)

程，通過(guò)便攜測(cè)試裝置測(cè)試現(xiàn)有微控制器低功耗值，為方便全國(guó)所有研制單位測(cè)

試奠定基礎(chǔ)，不必再需要高精度測(cè)量設(shè)備，如果需要仲裁測(cè)量值及溯源便攜裝

置，需要使用高精度測(cè)量設(shè)備。

2021年4月15日-2021年4月16日，召開(kāi)第二次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確特定場(chǎng)景下

的微控制器低功耗水平測(cè)試的測(cè)試場(chǎng)景，分為為靜態(tài)測(cè)試、動(dòng)態(tài)測(cè)試及間態(tài)測(cè)

試，共三個(gè)章節(jié)。主要原因是因?yàn)榈凸奈⒖刂破鏖L(zhǎng)期處于電池供電狀態(tài)，其工

作時(shí)間較短，休眠時(shí)間較長(zhǎng)，并且在兩個(gè)狀態(tài)轉(zhuǎn)換間消耗的電流較大。

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

2021年6月4日，召開(kāi)第三次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確三個(gè)大類：靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)功

耗及間態(tài)功耗，各個(gè)測(cè)試大類有不同的專注點(diǎn)，每個(gè)大類又可以分為若干小類或

直接細(xì)化到測(cè)試項(xiàng)目，具體如下表：

表1測(cè)試項(xiàng)目專注點(diǎn)

類型測(cè)試區(qū)域?qū)ＷⅫc(diǎn)

基礎(chǔ)靜態(tài)功耗

靜態(tài)測(cè)試內(nèi)容保持功耗

Always-On區(qū)域功耗

基礎(chǔ)動(dòng)態(tài)功耗

微控制

密集計(jì)算功耗

器芯片

動(dòng)態(tài)測(cè)試密集IO功耗

模擬信號(hào)采集功耗

拓展存儲(chǔ)器訪問(wèn)功耗

間態(tài)測(cè)試喚醒功耗測(cè)試

（二）標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)

2021年6月9日，標(biāo)準(zhǔn)牽頭單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院，聯(lián)合南京低功耗

芯片技術(shù)研究院有限公司、無(wú)錫中感微電子股份有限公司、北京兆易創(chuàng)新科技股

份有限公司、北京芯可鑒科技有限公司、南京郵電大學(xué)、上海靈動(dòng)微電子股份有

限公司等單位在中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)內(nèi)正式申請(qǐng)立項(xiàng)，并通過(guò)評(píng)審。

（三）標(biāo)準(zhǔn)編制

2021年8月12日，召開(kāi)第四次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)。討論了被測(cè)芯片在測(cè)試時(shí)應(yīng)處于

的工作狀態(tài)，測(cè)試所使用的固件應(yīng)存儲(chǔ)于被測(cè)芯片內(nèi)部的非易失性存儲(chǔ)器中，測(cè)

試電路中除被測(cè)芯片及必要的阻容、晶振等無(wú)源器件外不應(yīng)有其它結(jié)構(gòu)及電氣連

接。測(cè)試過(guò)程中，不得由測(cè)試裝置以外的設(shè)備控制被測(cè)芯片或與其通訊。

并且進(jìn)一步規(guī)定了參與測(cè)量的部分主要模塊，具體有：

a）內(nèi)核；

b）內(nèi)存；

c）GPIO；

d）UART；

e）SPI；

f）ADC；

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

2021年10月20日，召開(kāi)第五次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)。討論了測(cè)試指標(biāo)的具體定義，如

功耗、動(dòng)態(tài)測(cè)試，進(jìn)一步明確測(cè)試指標(biāo)定義，為參考標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試的人員都有標(biāo)

準(zhǔn)的定義。

2021年12月13日，召開(kāi)第六次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確測(cè)試裝置要求，具體包含可

編程電源、數(shù)字電流計(jì)、測(cè)試控制器、數(shù)字總線接口、波形發(fā)生器、SPIFlash

芯片，具體如下：

測(cè)試裝置用于執(zhí)行測(cè)試流程并測(cè)量測(cè)試結(jié)果，其包含以下部分：

a）可編程電源，用于產(chǎn)生被測(cè)芯片的工作電壓；

b）數(shù)字電流計(jì)，用于測(cè)量被測(cè)芯片的工作電流；

c）測(cè)試控制器，用于控制被測(cè)芯片執(zhí)行測(cè)試流程；

d）數(shù)字總線接口：與被測(cè)芯片連接，用于數(shù)字通訊功能測(cè)試；

e）波形發(fā)生器：與被測(cè)芯片連接，用于模擬功能測(cè)試；

f）SPIFlash芯片：與被測(cè)芯片連接，用于相關(guān)功能測(cè)試；

2022年4月15日-2021年4月16日，召開(kāi)第七次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，根據(jù)前期調(diào)研結(jié)

果，一些微控制器產(chǎn)品根據(jù)用途不同，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)也不一樣，如有些產(chǎn)品在通訊

接口上不需要SPI接口，有些產(chǎn)品不需要ADC模塊等，因此在標(biāo)準(zhǔn)中給出了可選模

塊，用*號(hào)標(biāo)記。

3、主要起草人及其所做的工作

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭組織編制，參與標(biāo)準(zhǔn)編制的成員單

位有南京低功耗芯片技術(shù)研究院有限公司、無(wú)錫中感微電子股份有限公司、北京

兆易創(chuàng)新科技股份有限公司、北京芯可鑒科技有限公司、南京郵電大學(xué)、上海靈

動(dòng)微電子股份有限公司等單位。

中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)化工作的組織、協(xié)調(diào)和標(biāo)準(zhǔn)文本的

編制工作。其他成員單位提供了標(biāo)準(zhǔn)所涉及的技術(shù)內(nèi)容的材料，并全程參與了技

術(shù)細(xì)節(jié)的討論。

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問(wèn)題

1、編制原則

在編制標(biāo)準(zhǔn)過(guò)程中，遵循了以下四項(xiàng)原則。

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

一是遵循國(guó)家法律、法規(guī)等相關(guān)規(guī)定，制定過(guò)程嚴(yán)格按照程序執(zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)

的編制過(guò)程經(jīng)歷了標(biāo)準(zhǔn)編制籌備階段、標(biāo)準(zhǔn)草案編制階段（草案討論、編制、內(nèi)

部征求意見(jiàn)、修改、再征求意見(jiàn)等環(huán)節(jié)），制定過(guò)程嚴(yán)格按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制定程序

要求。目前是到審定稿的意見(jiàn)征求階段。本標(biāo)準(zhǔn)的編制嚴(yán)格遵循GB1.1《標(biāo)準(zhǔn)化

工作導(dǎo)則——標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)》的要求，并使用中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)編輯器進(jìn)行文本的編

輯。

二是充分借鑒和吸收國(guó)內(nèi)外相關(guān)文獻(xiàn)和經(jīng)驗(yàn)。本標(biāo)準(zhǔn)編制過(guò)程中，吸收借鑒

了一些國(guó)內(nèi)外的技術(shù)文獻(xiàn)和經(jīng)驗(yàn)，這些內(nèi)容雖然沒(méi)有正式成為國(guó)內(nèi)、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，

但已經(jīng)成為了業(yè)內(nèi)廣泛使用的方法、規(guī)范。

三是本標(biāo)準(zhǔn)本著立足于通用計(jì)算CPU性能基準(zhǔn)工具的設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求，基于

最新的技術(shù)方案和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，確保標(biāo)準(zhǔn)滿足計(jì)算產(chǎn)業(yè)的需求和業(yè)界技術(shù)發(fā)展的趨

勢(shì)。

四是該標(biāo)準(zhǔn)涉及相關(guān)方眾多，鼓勵(lì)計(jì)算產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)單位參與，以確保本標(biāo)準(zhǔn)

規(guī)定的內(nèi)容科學(xué)合理，具有普適性。

2、確定主要內(nèi)容的依據(jù)

本標(biāo)準(zhǔn)是針對(duì)嵌入式微控制器功耗測(cè)量方法的標(biāo)準(zhǔn)，在制訂過(guò)程中參考了

EEMBC組織的ULPMark基準(zhǔn)測(cè)試，設(shè)計(jì)了對(duì)微控制器產(chǎn)品的功耗水平測(cè)試的方法。

在標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的確定過(guò)程中，通過(guò)調(diào)研國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的低功耗設(shè)計(jì)廠商，聽(tīng)取了相關(guān)的

意見(jiàn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中測(cè)試內(nèi)容部分進(jìn)行了討論及意見(jiàn)征求，確認(rèn)了本標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)方面

的可行性和合理性，最終形成本審定稿。

主要內(nèi)容框架如下：

（1）測(cè)試目標(biāo)選擇要求：包括被測(cè)試的芯片其內(nèi)核類型、支持的外設(shè)與開(kāi)

發(fā)環(huán)境等。

（2）基礎(chǔ)的電參數(shù)要求：包括被測(cè)芯片可接受的電氣范圍、傳遞信號(hào)的端

口參數(shù)等。

（3）測(cè)試項(xiàng)目：包括所有的測(cè)試項(xiàng)目，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目要指定各自的詳細(xì)規(guī)

范，如測(cè)試條件、測(cè)試內(nèi)容、評(píng)判條件等。

3、編制過(guò)程中解決的主要問(wèn)題

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

微控制器產(chǎn)品的功能眾多、應(yīng)用范圍廣泛，市場(chǎng)上有數(shù)以千百計(jì)的生產(chǎn)廠家，

而微控制器作為一種重要的元器件，使用這些產(chǎn)品的二次開(kāi)發(fā)廠商更是不計(jì)其

數(shù)。在這些最終產(chǎn)品中，低功耗特性是一個(gè)很普遍的需求，對(duì)此，微控制器生產(chǎn)

廠家們采用了多種創(chuàng)新的技術(shù)，例如深度睡眠、外設(shè)設(shè)備數(shù)據(jù)的主動(dòng)傳輸和計(jì)算

等。

目前市面上的微控制器產(chǎn)品種類眾多，但彼此之間往往是功能相似，但實(shí)現(xiàn)

細(xì)節(jié)大不相同，進(jìn)而導(dǎo)致不同的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)環(huán)境、控制模式也各不相同，不同芯

片在性能和功耗水平上有不同的取舍。在這些因素限制下，很難通過(guò)一個(gè)方法對(duì)

多數(shù)產(chǎn)品進(jìn)行一個(gè)公平的比較。

2021年，EEMBC組織成立了ULPMark工作組，并開(kāi)發(fā)了針對(duì)微控制器產(chǎn)品的

功率和能量的分析測(cè)試方法。到目前為止ULPMark推出了三種測(cè)試，其中兩種用

于深度睡眠，一種用于活動(dòng)工作負(fù)載。這些方法專注于微控制器的常用外設(shè)，如

脈寬調(diào)制(PWM)、模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)、串行外設(shè)接口(SPI)和實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)。

這些測(cè)試的基礎(chǔ)是十個(gè)一秒的活動(dòng)槽，每個(gè)活動(dòng)槽具有ADC、SPI、PWM、RTC的

可變使用情況，并允許外圍設(shè)備在其活動(dòng)完成后進(jìn)入睡眠狀態(tài)，完成后，系統(tǒng)會(huì)

根據(jù)消耗的能量對(duì)芯片進(jìn)行評(píng)分并形成榜單。ULPMark基準(zhǔn)測(cè)試目前已經(jīng)發(fā)展為

具有全球影響力的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。

但ULPMark基準(zhǔn)測(cè)試也存在一些不足，由于其應(yīng)用范圍廣，為兼顧部分結(jié)構(gòu)

較為簡(jiǎn)單的低成本產(chǎn)品，其測(cè)試項(xiàng)有限、測(cè)試內(nèi)容較為基礎(chǔ)，且缺乏拓展性，無(wú)

法體現(xiàn)出眾多新產(chǎn)品附帶的新的高級(jí)低功耗特性。同時(shí)，由于其指定了固定的測(cè)

試內(nèi)容并且只能提供整個(gè)過(guò)程中的統(tǒng)一分?jǐn)?shù)，也不便于針對(duì)各個(gè)功能進(jìn)行評(píng)價(jià)，

測(cè)試結(jié)果缺乏對(duì)具體應(yīng)用的針對(duì)性。另外，目前國(guó)內(nèi)在性能測(cè)試技術(shù)研究及性能

工具研制方面還處在快速發(fā)展階段，亟需編制一批相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)相關(guān)性能基準(zhǔn)工

具的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)等工作。

標(biāo)準(zhǔn)編制過(guò)程中解決的主要問(wèn)題有：

（1）特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)評(píng)無(wú)標(biāo)準(zhǔn)可依的問(wèn)題：產(chǎn)業(yè)界及

相關(guān)組織中缺乏可以參考的現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)或解決辦法，國(guó)外的ULPMark基準(zhǔn)測(cè)試雖然

提供了可參考的測(cè)試方法，但由于其本身不是標(biāo)準(zhǔn)，且設(shè)計(jì)思路上相差較大，在

測(cè)試內(nèi)容方面缺乏可用的參考。

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

（2）特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)評(píng)的兼容性問(wèn)題：由于應(yīng)用用途

不同，因此各個(gè)研制單位為應(yīng)用而裁剪的功能模塊也不同，因此在標(biāo)準(zhǔn)中明確了

一定要具體的基本的模塊，有給出了可選擇模塊。

（3）特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)評(píng)須滿足哪些技術(shù)要求的問(wèn)題：

就如何規(guī)定場(chǎng)景，在此標(biāo)準(zhǔn)中，明確三個(gè)大類場(chǎng)景：靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)功耗及間態(tài)

功耗，各個(gè)測(cè)試大類有不同的專注點(diǎn)。

針對(duì)以上問(wèn)題，該標(biāo)準(zhǔn)擬結(jié)合實(shí)際微控制器低功耗水平測(cè)評(píng)，研究并標(biāo)準(zhǔn)化

微控制器低功耗水平測(cè)評(píng)技術(shù)要求，達(dá)到用于實(shí)際指導(dǎo)相關(guān)性能基準(zhǔn)工具的研

制、測(cè)試等目的。

三、主要試驗(yàn)[或驗(yàn)證]情況分析

目前已初步完成微控制器低功耗水平測(cè)試方法及測(cè)試工具，基本上驗(yàn)證了本

標(biāo)準(zhǔn)中相關(guān)內(nèi)容的可操作性，同時(shí)隨著試驗(yàn)的進(jìn)行，過(guò)程中也積累了一些新的想

法，可以進(jìn)一步豐富標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，完善標(biāo)準(zhǔn)文本。后續(xù)，我們會(huì)聯(lián)合業(yè)內(nèi)的多家廠

商對(duì)測(cè)試內(nèi)容進(jìn)行補(bǔ)充。

測(cè)試工具的基本框圖如下：

四、知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況說(shuō)明

本標(biāo)準(zhǔn)不涉及知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題。

五、產(chǎn)業(yè)化情況、推廣應(yīng)用論證和預(yù)期達(dá)到的經(jīng)濟(jì)效果

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

無(wú)。

六、轉(zhuǎn)化國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)情況

無(wú)。

七、與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性

與現(xiàn)行法律法規(guī)以及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中的有關(guān)定義協(xié)調(diào)一致。

八、重大分歧意見(jiàn)的處理經(jīng)過(guò)和依據(jù)

無(wú)重大分歧。

九、貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議

建議列為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，在標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后盡快組織標(biāo)準(zhǔn)宣貫、試驗(yàn)驗(yàn)證。

十、替代或廢止現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議

無(wú)需要替代或廢止的現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

十一、其它應(yīng)予說(shuō)明的事項(xiàng)

無(wú)。

《特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平評(píng)價(jià)方法》

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)編制起草組2022-04-28

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

編制說(shuō)明

一、工作簡(jiǎn)況

2021年中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院?jiǎn)?dòng)了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《特定場(chǎng)景下的微控制器

低功耗水平評(píng)價(jià)方法》的研制工作，該標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)下達(dá)

立項(xiàng)通知，立項(xiàng)號(hào)CESA-2021-3-007。任務(wù)下發(fā)后，由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究

院牽頭，起草單位包括中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、南京低功耗芯片技術(shù)研究院

有限公司、無(wú)錫中感微電子股份有限公司、北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司、北

京芯可鑒科技有限公司、南京郵電大學(xué)、上海靈動(dòng)微電子股份有限公司等單位，

歸口單位為中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)和中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。

2、主要工作過(guò)程：

（一）標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研

為指導(dǎo)特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)試，2021年1月由中國(guó)電子技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭，聯(lián)合微控制研制單位，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用情況，進(jìn)行了調(diào)研和分

析，初步確定了特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平測(cè)試方案，明確了后續(xù)相關(guān)的

工作內(nèi)容，包含測(cè)試方法、測(cè)試工具及測(cè)試內(nèi)容三大板塊。。

2021年3月15日，召開(kāi)第一次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確依據(jù)ULPMark基準(zhǔn)測(cè)試的原

理，根據(jù)我國(guó)現(xiàn)有微控制低功耗水平，確立微控制器功耗測(cè)試方法的原理及過(guò)

程，通過(guò)便攜測(cè)試裝置測(cè)試現(xiàn)有微控制器低功耗值，為方便全國(guó)所有研制單位測(cè)

試奠定基礎(chǔ)，不必再需要高精度測(cè)量設(shè)備，如果需要仲裁測(cè)量值及溯源便攜裝

置，需要使用高精度測(cè)量設(shè)備。

2021年4月15日-2021年4月16日，召開(kāi)第二次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確特定場(chǎng)景下

的微控制器低功耗水平測(cè)試的測(cè)試場(chǎng)景，分為為靜態(tài)測(cè)試、動(dòng)態(tài)測(cè)試及間態(tài)測(cè)

試，共三個(gè)章節(jié)。主要原因是因?yàn)榈凸奈⒖刂破鏖L(zhǎng)期處于電池供電狀態(tài)，其工

作時(shí)間較短，休眠時(shí)間較長(zhǎng)，并且在兩個(gè)狀態(tài)轉(zhuǎn)換間消耗的電流較大。

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

2021年6月4日，召開(kāi)第三次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確三個(gè)大類：靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)功

耗及間態(tài)功耗，各個(gè)測(cè)試大類有不同的專注點(diǎn)，每個(gè)大類又可以分為若干小類或

直接細(xì)化到測(cè)試項(xiàng)目，具體如下表：

表1測(cè)試項(xiàng)目專注點(diǎn)

類型測(cè)試區(qū)域?qū)ＷⅫc(diǎn)

基礎(chǔ)靜態(tài)功耗

靜態(tài)測(cè)試內(nèi)容保持功耗

Always-On區(qū)域功耗

基礎(chǔ)動(dòng)態(tài)功耗

微控制

密集計(jì)算功耗

器芯片

動(dòng)態(tài)測(cè)試密集IO功耗

模擬信號(hào)采集功耗

拓展存儲(chǔ)器訪問(wèn)功耗

間態(tài)測(cè)試喚醒功耗測(cè)試

（二）標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)

2021年6月9日，標(biāo)準(zhǔn)牽頭單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院，聯(lián)合南京低功耗

芯片技術(shù)研究院有限公司、無(wú)錫中感微電子股份有限公司、北京兆易創(chuàng)新科技股

份有限公司、北京芯可鑒科技有限公司、南京郵電大學(xué)、上海靈動(dòng)微電子股份有

限公司等單位在中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)內(nèi)正式申請(qǐng)立項(xiàng)，并通過(guò)評(píng)審。

（三）標(biāo)準(zhǔn)編制

2021年8月12日，召開(kāi)第四次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)。討論了被測(cè)芯片在測(cè)試時(shí)應(yīng)處于

的工作狀態(tài)，測(cè)試所使用的固件應(yīng)存儲(chǔ)于被測(cè)芯片內(nèi)部的非易失性存儲(chǔ)器中，測(cè)

試電路中除被測(cè)芯片及必要的阻容、晶振等無(wú)源器件外不應(yīng)有其它結(jié)構(gòu)及電氣連

接。測(cè)試過(guò)程中，不得由測(cè)試裝置以外的設(shè)備控制被測(cè)芯片或與其通訊。

并且進(jìn)一步規(guī)定了參與測(cè)量的部分主要模塊，具體有：

a）內(nèi)核；

b）內(nèi)存；

c）GPIO；

d）UART；

e）SPI；

f）ADC；

中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)

2021年10月20日，召開(kāi)第五次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)。討論了測(cè)試指標(biāo)的具體定義，如

功耗、動(dòng)態(tài)測(cè)試，進(jìn)一步明確測(cè)試指標(biāo)定義，為參考標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試的人員都有標(biāo)

準(zhǔn)的定義。

2021年12月13日，召開(kāi)第六次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，明確測(cè)試裝置要求，具體包含可

編程電源、數(shù)字電流計(jì)、測(cè)試控制器、數(shù)字總線接口、波形發(fā)生器、SPIFlash

芯片，具體如下：

測(cè)試裝置用于執(zhí)行測(cè)試流程并測(cè)量測(cè)試結(jié)果，其包含以下部分：

a）可編程電源，用于產(chǎn)生被測(cè)芯片的工作電壓；

b）數(shù)字電流計(jì)，用于測(cè)量被測(cè)芯片的工作電流；

c）測(cè)試控制器，用于控制被測(cè)芯片執(zhí)行測(cè)試流程；

d）數(shù)字總線接口：與被測(cè)芯片連接，用于數(shù)字通訊功能測(cè)試；

e）波形發(fā)生器：與被測(cè)芯片連接，用于模擬功能測(cè)試；

f）SPIFlash芯片：與被測(cè)芯片連接，用于相關(guān)功能測(cè)試；

2022年4月15日-2021年4月16日，召開(kāi)第七次標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，根據(jù)前期調(diào)研結(jié)

果，一些微控制器產(chǎn)品根據(jù)用途不同，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)也不一樣，如有些產(chǎn)品在通訊

接口上不需要SPI接口，有些產(chǎn)品不需要ADC模塊等，因此在標(biāo)準(zhǔn)中給出了可選模

塊，用*號(hào)標(biāo)記。

3、主要起草人及其所做的工作

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭組織編制，參與標(biāo)準(zhǔn)編制的成員單

位有南京低功耗芯片技術(shù)研究院有限公司、無(wú)錫中感微電子股份有限公司、北京

兆易創(chuàng)新科技股份有限公司、北京芯可鑒科技有限公司、南京郵電大學(xué)、上海靈

動(dòng)微電子股份有限公司等單位。

中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)化工作的組織、協(xié)調(diào)和標(biāo)