《化合物半導體芯片工廠設計規(guī)范》

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SJ

中華人民共和國電子行業(yè)標準

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化合物半導體芯片工廠設計規(guī)范

Codefordesignofcompoundsemiconductorchipmanufacturingfactory

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XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部??發(fā)布

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1總則

1.0.1為在化合物半導體芯片工廠設計中貫徹執(zhí)行國家現(xiàn)行法律、法規(guī)，做到

技術先進、安全可靠、經(jīng)濟適用、節(jié)約資源，并符合職業(yè)衛(wèi)生和環(huán)境保護的

要求，制定本規(guī)范。

1.0.2本規(guī)范適用于新建、改建和擴建的生產(chǎn)制造化合物半導體外延片、化合

物半導體芯片工廠的工程設計。

【條文說明】本規(guī)范為化合物芯片工廠設計的行業(yè)標準，適用于各種類型化

合物半導體芯片工廠的新建、擴建和改建設計。目前常用的化合物半導體材

料有砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等，不

同材料的生產(chǎn)和加工方式有很多種。由于化合物半導體外延、化合物半導體

芯片種類較多，技術發(fā)展迅速。為適應不同技術水平芯片生產(chǎn)對于環(huán)境的需

求，本規(guī)范對于工業(yè)、總體、建筑與結構、微振動控制、氣體動力、暖通空

調凈化、給排水、電氣、化學品、空間管理與BIM、綠色低碳等方面制定工

程設計中英遵循的相關規(guī)定，確保工程設計做到技術先進、安全可靠、經(jīng)濟

適用、環(huán)境友好。

1.0.3化合物半導體芯片工廠設計，除應符合本標準外，尚應符合國家現(xiàn)行有

關標準、規(guī)范的規(guī)定。

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2術語

2.0.1化合物半導體Compoundsemiconductor

由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的并具有確定的禁帶寬度和能

帶結構等半導體性質的化合物。

2.0.2外延epitaxy

采取化學反應晶體生長技術，在決定晶向的化合物基質襯底表面上生長有相

同晶格結構的一層或多層半導體材料的過程。

2.0.3金屬有機化合物化學氣相沉積設備metal-organicchemicalvapor

deposition（MOCVD）machine

利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長金屬有機化合物半導體的生長設

備。

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3基本規(guī)定

3.0.1化合物半導體芯片工廠設計應合理利用資源，保護環(huán)境，防止和減少在

建設生產(chǎn)活動中產(chǎn)生廢氣、廢水、廢液、廢渣、粉塵以及噪聲、振動、電磁

波輻射對環(huán)境的污染和危害。

3.0.2化合物半導體芯片工廠在設計時應符合下列規(guī)定：

1應滿足設備搬入、安裝、調試、檢修、維護及生產(chǎn)管理的要求；

2應根據(jù)生產(chǎn)工藝的特點，采取節(jié)約能源措施，采用節(jié)能環(huán)保的新技術、

新設備、新材料；

3應滿足職業(yè)健康與安全的要求；

4應滿足消防安全的要求。

3.0.3化合物半導體芯片工廠設計應滿足生產(chǎn)工藝要求，并應根據(jù)未來生產(chǎn)規(guī)

劃或生產(chǎn)工藝改進需求考慮預留條件。

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4工藝工程

4.1一般規(guī)定

4.1.1工藝工程設計應符合下列規(guī)定：

1生產(chǎn)高效率和保障產(chǎn)品質量；

2保障生產(chǎn)人員的勞動安全，減輕勞動強度；

3生產(chǎn)線的人流、物流順暢；

4選用經(jīng)濟、適用的工藝參數(shù)；

5具備靈活性和適應性；

6降低工程造價和減少運行費用。

4.1.2工藝工程設計參數(shù)應根據(jù)生產(chǎn)工藝的特點確定，并應符合下列規(guī)定：

1生產(chǎn)空間、面積、動力供給應滿足產(chǎn)品生產(chǎn)大綱的要求；

2生產(chǎn)環(huán)境、動力品質參數(shù)應滿足生產(chǎn)工藝的要求；

3原輔材料、產(chǎn)品儲運設施應滿足工藝生產(chǎn)的要求；

4宜預留生產(chǎn)線產(chǎn)能提升、升級改造所需的空間、面積、動力需求。

【條文說明】4.1.2目前常用的化合物半導體材料有砷化鎵（GaAs）、磷化銦

（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等，不同材料的生產(chǎn)和加工方式有很

多種，使用的生產(chǎn)設備，生產(chǎn)環(huán)境，動力需求以及動力品質有所不同，因此，

工藝工程設計需要根據(jù)化合物半導體材料生產(chǎn)工藝的特點和具體要求，搜集

工藝條件，確定工程設計參數(shù)，這也是工廠設計的前提條件。

考慮到化合物半導體材料的不同，工藝技術發(fā)展的多變性，宜采取較為

靈活的設備布置形式和設備安裝方式；工程設計中預留生產(chǎn)面積（含倉儲）、

設備搬運通道、動力、自動化搬運設備接口和空間是必要的。

4.1.3與生產(chǎn)工藝直接相關的生產(chǎn)車間宜采用連續(xù)運轉的生產(chǎn)組織方式。

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4.2基本工序與生產(chǎn)協(xié)作

4.2.1化合物半導體芯片工廠的生產(chǎn)工序應根據(jù)不同產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝確定，基

本工序可根據(jù)附錄A確定。

【條文說明】4.2.1化合物半導體芯片制造類似硅集成電路芯片制造，附錄

A.0.1化合物半導體芯片制造基本工藝流程框圖反映了化合物半導體芯片制造

主要流程和工序之間的邏輯關系，以光刻工序為中心的循環(huán)往復，從幾十道

至幾百道加工步驟，最終形成器件所需的圖形和布線，該流程框圖中未包括

批量生產(chǎn)所必須的檢驗和測量工序，以及針對特定產(chǎn)品結構所需的特定加工

工序。針對不同化合物半導體材料特定加工工序，在條文解釋中進行了說明。

隨著化合物半導體芯片技術的不斷發(fā)展，這些特定加工工序也在不斷的增加。

因此，在工程設計中工藝設計人員應以附錄A為基礎，仔細了解具體項目的

產(chǎn)品和工藝路線，制定出適合具體項目的工藝流程。

4.2.2廠區(qū)內(nèi)應配置輔助生產(chǎn)設施。不同生產(chǎn)廠房之間生產(chǎn)區(qū)宜采用連廊方式

進行生產(chǎn)連接。

【條文說明】4.2.2化合物半導體芯片工廠生產(chǎn)需要生產(chǎn)輔助部門和廠務配套

設施，生產(chǎn)輔助部門包括，車間辦公、換鞋、更衣、休息、參觀、質檢、維

修、倉儲、消防值班等技術服務部門。廠務配套設施包括，變配電、空調機

房、冷凍站、空壓站、純水站、冷卻循環(huán)水站、廢水處理站、廢液收集站、

化配站、大宗氣體站、特氣站等動力保障部門。

4.2.3廠區(qū)內(nèi)部分輔助生產(chǎn)工序可采用外部協(xié)作方式實現(xiàn)：

1生產(chǎn)設備的大修，儀器儀表的校驗；

2生產(chǎn)工藝過程需使用的工具、掩膜版、模具的制作和修理；

3原輔材料及成品的廠外運輸；

4潔凈服的清洗；

5廢液、廢晶圓片和其它固體廢棄物的回收處理。

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4.3工藝區(qū)劃

4.3.1工藝區(qū)劃應符合下列規(guī)定：

1生產(chǎn)線應根據(jù)工藝流程布置；

2相同工序的設備宜集中布置；

3設備布置應設置搬運、安裝、操作、維修的空間；

4生產(chǎn)區(qū)的人流和物流出入口應分別設置；

5生產(chǎn)區(qū)域應設置設備搬運口和搬運通道；

6光刻設備和其它振動敏感的設備宜遠離振動源布置；

7外延設備宜集中布置；

8與生產(chǎn)密切聯(lián)系的輔助生產(chǎn)部門宜靠近生產(chǎn)區(qū)；

9下技術夾層可根據(jù)工藝設備和工藝輔助設備的需要選擇合適的布局方

式；

10采用自動搬運系統(tǒng)時，要考慮生產(chǎn)區(qū)自動搬運系統(tǒng)傳輸空間和布局規(guī)

劃。

【條文說明】4.3.1本條規(guī)定了工藝區(qū)劃的主要原則：

2化合物半導體芯片生產(chǎn)相同工序集中布置，有利于生產(chǎn)管理和設備加

工能力調整，相同工序生產(chǎn)環(huán)境要求基本一致，易于進行環(huán)境的控制和調整，

動力供應和各類排放的品種、性質相近、負荷集中，有利于管道布置，節(jié)能

降耗和安全生產(chǎn)。例如，光刻設備集中布置，有利于微振設計，化學氣相沉

積設備（CVD）集中布置，有利于特種氣體集中供應和管線排布。

7很多外延設備使用氫氣，宜將外延設備集中布置，為防止氫氣泄露，

為各專業(yè)采取必要的安全措施帶來便利條件。

8為了應對潔凈生產(chǎn)車間突發(fā)事件，緊急應變中心（EmergencyResponse

Center,ERC）等輔助生產(chǎn)部門需要靠近潔凈生產(chǎn)區(qū)入口設置。

9化合物半導體芯片生產(chǎn)主設備和輔助設備有采用同層布置，有結合潔

凈送風方式，將輔助設備布置在下技術夾層，要結合具體項目綜合確定。

10隨著芯片制造尺寸的加大，工藝區(qū)劃之初要考慮自動搬運系統(tǒng)在生產(chǎn)

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區(qū)的物流通道，房間吊頂下的合理運行空間，穿越樓板的洞口位置等。

4.3.2生產(chǎn)區(qū)設置參觀設施時，參觀通道宜與潔凈生產(chǎn)區(qū)隔離，并應保證生產(chǎn)

區(qū)物流和人員疏散通道的通暢。

4.3.3外延設備應設置單獨房間。

【條文說明】4.3.3外延設備經(jīng)常用到氫氣，氫氣屬于易燃易爆氣體，將使用

氫氣的外延設備單獨隔離設置，穿越房間的管道嚴格封堵，避免氫氣泄漏至

其他不相關聯(lián)的區(qū)域，有利于控制風險，有利于各專業(yè)采取相關措施。

4.3.4光刻工序宜集中設置在單獨房間內(nèi)。

【條文說明】4.3.4光刻設備屬于精密精細加工設備，也是芯片制造的關鍵工

序，通常溫度、濕度以及空氣潔凈度控制要嚴于其他加工工序，將光刻工序

設置在單獨房間內(nèi)有利于環(huán)境要求的控制和調整。

4.3.5廠區(qū)內(nèi)應設有原輔材料和產(chǎn)品倉儲設施，并應符合下列規(guī)定：

1應根據(jù)所存儲物料的物理化學性質和存儲環(huán)境要求，分類設置各類庫

房；

2設置必要的甲乙類倉庫；

3主要原輔材料和產(chǎn)品倉庫宜設置裝卸貨平臺；

4當使用叉車搬運時，應設置叉車充電區(qū)。

【條文說明】4.3.52化合物半導體芯片制造通常會使用不同種類的化學品

和特種氣體，在廠區(qū)室外設置甲乙類倉庫有利于保障生產(chǎn)廠房的安全，有利

于生產(chǎn)的連續(xù)性。

4.4設備配置

4.4.1生產(chǎn)設備和輔助生產(chǎn)設備宜選擇安全可靠、自動化程度高、節(jié)能環(huán)保、

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易于維修保養(yǎng)的設備，潔凈區(qū)內(nèi)的生產(chǎn)設備還應符合現(xiàn)行國家標準《電子工

業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》GB50472的有關規(guī)定。

4.4.2對振動敏感的工藝設備應滿足相應的微振控制標準。

【條文說明】4.4.2通常光刻設備和部分量測設備等有微振動控制要求，工藝

工程設計中需要考慮這部分內(nèi)容。

4.4.32英寸～6英寸芯片生產(chǎn)線宜采用港灣式潔凈室；8英寸及以上芯片生

產(chǎn)線宜采用開放式潔凈室，設備采用微環(huán)境和標準機械接口系統(tǒng)。

4.4.48英寸及以上芯片加工生產(chǎn)線宜采用自動物料搬送系統(tǒng)（AMHS）。

【條文說明】4.4.4采用自動物料搬送系統(tǒng)（AMHS）可有效降低操作人員的

勞動強度，減少物料傳輸?shù)氖д`，有利于芯片制造的加工和管理，加快傳輸

速度，提高產(chǎn)能，合理利用空間，降低生產(chǎn)環(huán)境要求等方面有諸多益處，對

于大規(guī)模生產(chǎn)和有條件的企業(yè)可以考慮。

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5廠址選擇及總體規(guī)劃

5.1廠址選擇

5.1.1廠址選擇應符合國家及地方的總體規(guī)劃要求，應按建設規(guī)模、原材料來

源、交通運輸、供電、供水、供氣、工程地質、企業(yè)協(xié)作條件、場地現(xiàn)有設

施、環(huán)境保護和產(chǎn)品市場流向各因素進行技術經(jīng)濟比較后確定。

5.1.2廠址選擇應符合下列要求：

1應避免生產(chǎn)的危險或有害因素對周邊人群居住或活動環(huán)境產(chǎn)生影響。

2應避開大氣含塵量高及含有對工藝生產(chǎn)有影響的化學物質的區(qū)域。

3建設場地環(huán)境的振源和振動值不得對工藝生產(chǎn)造成不利影響。

4工程地質、水文復雜的地帶及具有開采價值的礦藏區(qū)不應選為廠址。

【條文說明】5.1.21化合物半導體芯片廠房所需生產(chǎn)原料較多具有毒有害

及易制爆危險化學物質。在廠房選址時，應考慮廠房對周邊人群居住或活動

環(huán)境的影響，避免工廠的危險有害因素對周邊人群居住或活動環(huán)境造成污染

與危害。在設置距離滿足《建筑設計防火規(guī)范》GB50016相關規(guī)定的前提下，

盡量避免建設在人員生活、活動密集地區(qū)；

2廠址應選擇在大氣含塵量低，遠離化工廠、制藥廠、垃圾焚燒廠的地區(qū)，

廠址如不能遠離嚴重空氣污染源時，則應位于最大頻率風向上風側或全年最

小頻率風向下風側；

3廠址選擇應遠離鐵路、碼頭、飛機場、交通要道等有振動或噪聲干擾的區(qū)

域。

5.1.3廠址應具有滿足生產(chǎn)生活及發(fā)展規(guī)劃所必需的水源、電源和燃氣，并應

滿足企業(yè)遠期發(fā)展規(guī)劃的需要。

5.1.4工廠防洪標準應按100年重現(xiàn)期確定，場地設計標高應高于設計頻率水

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位0.5m。

5.2總體規(guī)劃

5.2.1廠區(qū)宜包括生產(chǎn)、動力、管理、倉儲等功能區(qū)域，以生產(chǎn)區(qū)為核心布置。

生產(chǎn)、動力、管理之間的人員宜通過連廊進行聯(lián)系。

【條文說明】5.2.1化合物半導體芯片廠區(qū)通常建筑規(guī)模較大，生產(chǎn)、運維及

管理研發(fā)人員較多，采用連廊作為各建筑間人員聯(lián)系的通道可以有效地減少

人員行走的距離，減少更衣、換鞋的時間，以及外界環(huán)境的影響，連廊可根

據(jù)氣候條件采用開敞式或封閉式，連廊的高度不得影響廠區(qū)車輛通行。

5.2.2廠區(qū)的總體規(guī)劃應符合所在地區(qū)的規(guī)劃要求，應根據(jù)工廠的規(guī)模、生產(chǎn)

流程、交通運輸、環(huán)境保護、消防、安全衛(wèi)生等要求，結合場地自然條件、

用地周邊環(huán)境確定。

5.2.3廠區(qū)的總平面布置應符合下列要求：

1總平面布置應符合生產(chǎn)工藝流程及微振控制要求。生產(chǎn)廠房根據(jù)生產(chǎn)

工藝特點和各種功能區(qū)的具體要求，宜結合多層布置；

2生產(chǎn)、動力、管理、倉儲區(qū)各功能區(qū)域應合理布置。各種輔助和附屬

設施宜鄰近其服務的車間，動力供應設施宜接近負荷中心；

3原料物料的運輸路線應短捷、方便，并應避免物流與人流交叉干擾。

【條文說明】5.2.32化合物半導體芯片廠區(qū)總平面布置時，在充分考慮產(chǎn)品

生產(chǎn)工藝特點和具體工程項目中潔凈廠房與各功能區(qū)合理布置的情況下，在

合理進行人流、物流組織，方便運行維護管理、合理布置公用動力管線、降

低能量消耗、確保安全生產(chǎn)的條件下，盡量使各種輔助和附屬設施鄰近其服

務的車間，服務路徑最短化，最大限度的降低建設及運維成本。

5.2.4廠區(qū)內(nèi)宜規(guī)劃設備搬入路線流線及臨時存儲場地。

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【條文說明】5.2.4工廠從試生產(chǎn)到滿負荷生產(chǎn)時間較長，工藝設備通常分批

購置及到貨。而設備在凈化區(qū)的搬運及安裝耗時較多，所以在生產(chǎn)廠房附近

宜有面積較大的臨時存儲場地，用于到貨的生產(chǎn)設備臨時堆放。

5.2.5對于有微振控制要求的廠房，應對場地進行實際測試，并應與容許振動

值比較分析后確定位置選擇。

【條文說明】5.2.5芯片廠房在位置選擇時，應實際測定擬建工廠廠址或已有

工廠內(nèi)擬選擇芯片廠房的場地周圍，現(xiàn)有振源和預測可能的振源的振動影響。

此項測定正逐漸被相關科技人員和工程項目承建者關注和重視，但是由于微

振控制要求和各類振源對微振控制的影響評價的技術復雜性，所以本條規(guī)定

中強調“實際測定”和“模擬振源”的影響。

5.2.6儲存易燃、易爆、有毒物品的庫房、儲罐宜布置在場區(qū)全年最小頻率風

向的上風側，并應遠離火源、主要建（構）筑物和人員集中的地帶。

5.2.7廠區(qū)道路的面層應選用整體性能好、發(fā)塵少的材料。

【條文說明】5.2.7為減少電子工業(yè)潔凈廠房周圍的塵源或散發(fā)微粒的數(shù)量，

規(guī)范中規(guī)定，在芯片廠房周圍及其周邊或對于設有芯片廠房的電子工廠內(nèi)相

關道路的路面選擇時，應選擇整體性能好、不易產(chǎn)生裂縫的材料，不得選用

容易發(fā)塵材料鋪砌，通常推薦采用瀝青路面。

5.2.8廠區(qū)綠化不應種植易產(chǎn)生花粉及飛絮的植物。

【條文說明】5.2.8芯片潔凈廠房周圍進行綠化時，一般可以采用鋪草坪的方

式或草坪間種灌木等樹種的方式。由于電子產(chǎn)品的品種較多，不可能推薦一

種綠化方式，考慮到種植各類樹種、花草等可能產(chǎn)生花粉等塵粒，并且微粒

的化學組成十分復雜，為確保產(chǎn)品質量，本規(guī)范中規(guī)定：不應種植對生產(chǎn)環(huán)

境和產(chǎn)品質量有影響易產(chǎn)生花粉及飛絮的植物。

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6建筑與結構

6.1一般規(guī)定

6.1.1化合物半導體芯片工廠的建筑平面和空間布局應滿足生產(chǎn)工藝流程的

要求，并適應產(chǎn)品生產(chǎn)發(fā)展的靈活性。

【條文說明】6.1.1化合物半導體芯片廠房的建筑平面和空間布局應具有適當

的靈活性，為生產(chǎn)工藝的調整創(chuàng)造條件。本條規(guī)定是指在不增加面積、高度

的情況下，進行局部的工藝和生產(chǎn)設備調整，在這種情況下，廠房柱網(wǎng)選擇

及內(nèi)墻的可變性就是一個重要的措施。為此，在廠房設計時不宜采用內(nèi)墻承

重體系，并應在柱網(wǎng)選擇時優(yōu)先考慮大跨度柱網(wǎng)，為工藝布局及后續(xù)調整預

留條件。

6.1.2廠房應合理組織人流、物流及消防疏散路線，并根據(jù)需要設置參觀通道。

【條文說明】6.1.2化合物半導體芯片工廠在考慮其平面布局和構造處理時,

應合理組織人流、物流運輸及消防疏散線路，避免一般生產(chǎn)對潔凈生產(chǎn)帶來

不利的影響。當防火要求與潔凈生產(chǎn)要求有沖突時，應采取措施，在確保消

防疏散的前提下，減少對潔凈生產(chǎn)的不利影響。隨著芯片廠房對參觀需求的

不斷提高，在方案初始應考慮參觀走道的設置條件，在滿足參觀與工藝生產(chǎn)

的互不干擾的同時，力求參觀效果的最優(yōu)化。

6.1.3工廠外圍護結構的材料選型應符合生產(chǎn)所需環(huán)境的氣密、保溫、隔熱、

防火、防潮、防塵、耐久、易清洗等要求，宜采用成品預制板材，滿足裝配

式建筑相關要求。

【條文說明】6.1.3化合物半導體芯片廠房由于常年保持恒溫恒濕凈化的環(huán)境，

如果氣密、保溫和隔熱的措施不到位，會增加工廠生產(chǎn)的能源消耗。防潮、

防塵、耐久及易清洗也主要是滿足工廠凈化環(huán)境的要求。成品預制板具有構

件可在加工廠內(nèi)進行機械化和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，施工現(xiàn)場可直接安裝，方便快捷，

可縮短施工工期，產(chǎn)品質量更易得到有效控制等優(yōu)點。在國家大力推行裝配

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式的背景下，本類芯片廠房的外圍護結構應優(yōu)先選用成品預制板材。

6.1.4生產(chǎn)廠房設備宜采用貨梯搬運，廠房內(nèi)應設置與生產(chǎn)設備尺寸和重量匹

配的貨運電梯。當在外墻設置設備搬入的吊裝口及吊裝平臺時，應考慮設備

搬入的安全性及便捷性。

【條文說明】6.1.4芯片生產(chǎn)所使用的設備昂貴,從安全角度考慮使用電梯是

比較穩(wěn)妥的搬運方式。在凈化等系統(tǒng)的設備安裝以及工藝設備搬入初期，由

于搬運量較大，通常也會采用吊裝的方式來搬運。此外，有些超重超寬的設

備無法用電梯搬運時，也需要采用吊裝的方式來搬運。

6.1.5生產(chǎn)廠房內(nèi)應設有工藝設備、動力設備的運輸安裝通道；搬運通道區(qū)域

的樓地面應滿足搬入設備荷載要求。

6.1.6生產(chǎn)廠房中技術夾層、技術夾道的建筑設計,應滿足各種風管和各種動力

管線安裝、維修要求。

6.1.7生產(chǎn)廠房結構的安全等級、結構設計年限、結構重要性系數(shù)應符合現(xiàn)行

國家標準《建筑結構可靠度設計統(tǒng)一標準》GB50068的有關規(guī)定。

6.1.8生產(chǎn)廠房結構的抗震設防類別應遵守現(xiàn)行國家標準《建筑工程抗震設防

分類標準》GB50223的規(guī)定。

6.1.9工藝生產(chǎn)樓層可采用華夫板、開洞厚板或格構梁等樓蓋形式。

【條文說明】6.1.9華夫板為Waffle板見圖6.1.9（a）所示、開洞厚板為Cheese

板見圖6.1.9（b）所示，格構梁見圖6.1.9（c）所示。樓層開有洞口是為了滿

足氣體垂直層流和二層配管的要求。

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（a）華夫板示意(b)開洞厚板(c)格構梁

圖6.1.9樓蓋示意圖

6.1.10生產(chǎn)廠房內(nèi)具有完整工序或連續(xù)性工藝生產(chǎn)設備布置的潔凈生產(chǎn)區(qū)不

宜設置伸縮縫。

6.1.11生產(chǎn)廠房上部結構與基礎之間不應設置隔振支座。

6.2防火與疏散

6.2.1化合物半導體芯片生產(chǎn)廠房的火災危險性類別應為丙類,并應符合《建

筑防火通用規(guī)范》GB50037及相關國家標準的規(guī)定。建筑耐火等級不應低于二

級。

6.2.2廠房和倉庫的層數(shù)和每個防火分區(qū)的最大允許建筑面積應符合表6.2.2-1

和表6.2.2-2的規(guī)定：

表6.2.2-1廠房的層數(shù)和每個防火分區(qū)最大允許建筑面積

生產(chǎn)的廠房的耐最多允每個防火分區(qū)最大允許建筑面積（m2）

火災?；鸬燃壴S層數(shù)單層多層高層地下或半地下廠房

險性類廠房廠房廠房（包括地下或半地

別下室）

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SJ/TXXXXX—XXXX

甲一級240003000--

二級30002000

乙一級不限500040002000-

二級6400030001500-

丙一級不限不限60003000500

二級不限800040002000500

丁一、二級不限不限不限40001000

戊一、二級不限不限不限60001000

表6.2.2-2倉庫層數(shù)和面積

儲存物品的倉庫的最多每座倉庫的最大允許占地面積和每個防火分區(qū)的最

火災危險性耐火等允許大允許建筑面積（m2）

類別級層數(shù)單層倉庫多層倉庫高層倉庫地下或半地

下倉庫（包

括地下或半

地下室）

每座防火每座防火每座防火防火

倉庫分區(qū)倉庫分區(qū)倉庫分區(qū)分區(qū)

甲3、4項一級118060-----

1、2、5、一、二1750250-----

6項級

乙1、3、4一、二32000500900300---

項級

2、5、6一、二528007001500500---

項級

丙1項一、二5400010002800700----150

級

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SJ/TXXXXX—XXXX

2項一、二不限600015004800120040001000300

級

丁一、二不限不限3000不限150048001200500

級

戊一、二不限不限不限不限2000600015001000

級

6.2.4生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)的上技術夾層、下技術夾層和潔凈生產(chǎn)層，當按其構造

特點和用途作為同一防火分區(qū)時，上、下技術夾層的面積可不計入防火分區(qū)

的建筑面積，但應分別采取相應的消防措施。

【條文說明】6.2.4化合物半導體芯片潔凈廠房多為垂直單向流潔凈室。此類

潔凈室的潔凈生產(chǎn)區(qū)與下技術夾層是以多孔活動地板和多孔混凝土板分隔，

下技術夾層是回風靜壓箱，并可能安裝生產(chǎn)輔助設施、各類管線等。多孔活

動地板上開孔多少視回風量確定，而多孔混凝土板上的開孔每個孔洞的直徑

一般是350mm左右，下技術夾層不設崗位操作人員。上技術夾層是送風靜壓

箱，它以布置高效空氣過濾器和燈具的吊頂格柵與潔凈生產(chǎn)區(qū)相連。上技術

夾層沒有崗位操作人員。由于上述構造特點和使用特性，潔凈室的上下技術

夾層的建筑面積可不計入防火分區(qū)的建筑面積。上下技術夾層和潔凈生產(chǎn)層，

按其構造特點和用途，可作為同一防火分區(qū)。對于非單向流的技術夾層，一

般均設在吊頂上部，其潔凈生產(chǎn)層與吊頂上部的技術夾層按同一防火分區(qū)進

行設計、建造。

6.2.5廠房內(nèi)任一點至最近安全出口的直線距離不應大于表6.2.5的規(guī)定。

表6.2.5廠房內(nèi)任一點至最近安全出口的直線距離（m）

生產(chǎn)的火耐火等級單層廠房多層廠房高層廠房地下或半

災危險性或多層、高地下廠房

類別層廠房的（包括地

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SJ/TXXXXX—XXXX

首層下或半地

下室）

甲一、二級3025--

乙一、二級755030-

丙一、二級80604030

丁一、二級不限不限5045

戊一、二級不限不限7560

6.2.6丙類廠房潔凈室（區(qū)），在關鍵生產(chǎn)設備設有火災報警和滅火裝置以及

回風氣流中設有靈敏度嚴于0.01%obs/m的早期火災報警探測系統(tǒng)后，其每個

防火分區(qū)最大允許建筑面積不限，安全疏散距離不應大于表6.2.5規(guī)定的安全

疏散距離的1.5倍，當潔凈生產(chǎn)區(qū)人員密度小于0.02人/m2時，安全疏散距離

不應大于120m。

6.2.7廠房安全出口的設置，應符合下列規(guī)定：

1安全出口數(shù)目，應符合現(xiàn)行國家標準《建筑設計防火規(guī)范》GB50016

和《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》GB50472中的有關規(guī)定。

2丙類生產(chǎn)廠房在潔凈生產(chǎn)區(qū)人員密度小于0.02人/m2，且潔凈生產(chǎn)區(qū)與

生產(chǎn)支持區(qū)位于不同的防火分區(qū)時，可共用安全出口，安全出口應設置共用

前室或安全通道。

【條文說明】6.2.72潔凈室內(nèi)操作人員較少，人員密度極低，生產(chǎn)支持區(qū)

內(nèi)主要為人員流動巡查。因此當潔凈室與生產(chǎn)支持區(qū)位于不同的防火分區(qū)時，

可通過設置共用前室或安全通道共用疏散出口。

6.2.8潔凈生產(chǎn)區(qū)與非潔凈生產(chǎn)區(qū)在一個防火分區(qū)內(nèi)時，潔凈生產(chǎn)區(qū)與非潔凈

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SJ/TXXXXX—XXXX

生產(chǎn)區(qū)之間應設置不燃燒體隔斷措施。

1潔凈生產(chǎn)區(qū)與非潔凈生產(chǎn)區(qū)之間隔墻的耐火極限不應低于1h；

2當隔墻不到頂時，其相應頂棚的耐火極限不應低于1h；

3該隔墻上的門窗耐火極限不應低于乙級。

【條文說明】6.2.8控制了防火分區(qū)建筑面積后,還需要在一個防火分區(qū)內(nèi)將潔

凈區(qū)與非潔凈區(qū)之間設置防火分隔，本條規(guī)定防火分隔應為不燃燒體，并規(guī)

定了耐火極限，主要是從保護潔凈區(qū)的財產(chǎn)安全出發(fā)。

6.2.9當廠房潔凈區(qū)與非潔凈區(qū)設置在同一個防火分區(qū)，潔凈區(qū)按本規(guī)范6.2.6

條相關要求設置，且滿足與非潔凈之間按本規(guī)范6.2.9條相關要求分隔時，潔

凈區(qū)的的防火分區(qū)面積及安全疏散距離按本規(guī)范6.2.6條執(zhí)行；非潔凈區(qū)的防

火分區(qū)面積按本規(guī)范6.2.2-6.2.3條條執(zhí)行，安全疏散距離應按本規(guī)范6.2.5條執(zhí)

行。

【條文說明】6.2.9本條明確了當潔凈與非潔凈區(qū)設置在一個防火分區(qū)時，應

各自滿足各自區(qū)域的防火分區(qū)及疏散距離的相關要求。

6.2.10潔凈生產(chǎn)廠房的外墻應在設置便于消防救援人員出入的消防救援口，

并應符合下列規(guī)定：

1沿外墻的每個防火分區(qū)在對應消防救援操作面范圍內(nèi)設置的消防救援

口不應少于2個，且應均勻布置，對應消防救援操作面范圍內(nèi)間距不宜大于

80米；

2當為滿足潔凈生產(chǎn)需求，建筑設置為無外窗的建筑時，應每層設置消

防救援口，有外窗的建筑應自第三層起每層設置消防救援口；

3消防救援口的凈高度和凈寬度分別不應小于1.0m，當利用門時，凈寬

度不應小于0.8m；

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SJ/TXXXXX—XXXX

4消防救援口應易于從室內(nèi)和室外打開或破拆，采用玻璃窗時，應選用

安全玻璃；

5消防救援口應設置可在室內(nèi)和室外識別的永久性明顯標志。

【條文說明】6.2.10消防救援口要結合樓層走道兩側或端部外墻上的開口以及

救援場地，在外墻上選擇合適的位置設置，確保具有外墻的每個防火分區(qū)均

設置不少于2個消防救援口，消防救援口可以利用符合要求的外窗或門。

由于化合物半導體芯片廠房房潔凈室（區(qū)），在關鍵生產(chǎn)設備設有火災報

警和滅火裝置以及回風氣流中設有靈敏度嚴于0.01%obs/m的早期火災報警探

測系統(tǒng)后，其每個防火分區(qū)最大允許建筑面積不限，為保證消防人員的進入

及撲救，本條限制了消防救援口應均勻布置，且對應消防救援操作面范圍內(nèi)

間距不宜大于80米

本條規(guī)定的“無外窗的建筑”是指建筑外墻上未設置外窗或外窗開口大

笑不符合消防救援窗的要求，包括部分樓層無外窗或全部樓層無外窗的建筑。

化合物半導體芯片廠房由于常年需保持恒溫恒濕凈化的環(huán)境，開設外窗會對

廠房氣密、保溫和隔熱造成一定影響，增加工廠生產(chǎn)的能源消耗，故而，潔

凈室（區(qū)）外墻應盡量少開或不開窗。但潔凈芯片廠房空間密閉,設有人員凈

化和物料凈化設施,火災發(fā)生后,撲救極為不利。潔凈廠房同層外墻設通往潔

凈區(qū)的消防救援口,可方便消防人員的進入及撲救。

6.3室內(nèi)裝修

6.3.1生產(chǎn)廠房的建筑圍護結構和室內(nèi)裝修，應選用氣密性良好,且在溫度和濕

度變化時變形小、污染物濃度符合現(xiàn)行國家有關標準規(guī)定限值的材料。潔凈

室（區(qū)）裝飾材料及密封材料不得采用釋放對室內(nèi)各種產(chǎn)品品質有影響物質

的材料。

【條文說明】6.3.1材料在溫度、濕度變化時易引起變形而導致縫隙泄漏或發(fā)

塵,不利于確保室內(nèi)潔凈環(huán)境。潔凈室(區(qū))內(nèi),某些產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中可能發(fā)生

因所用材料釋放至空氣中的化學污染物對產(chǎn)品質量的影響,為此本條作了相

關的補充規(guī)定。

20

SJ/TXXXXX—XXXX

6.3.2潔凈室（區(qū)）內(nèi)墻壁和頂棚宜采用輕質壁板構造，其表面，應平整、光

滑、不起塵、避免眩光，便于除塵，并減少凹凸面；潔凈室地面應平整，耐

磨、易清洗，不易積聚靜電，避免眩光，不開裂等。地面墊層應做防潮構造。

6.3.3潔凈室（區(qū)）裝修材料的燃燒性能應符合下列規(guī)定：

1頂棚、壁板及墻面材料的燃燒性能等級不應低于A級；

2地面、高架地板裝修材料的燃燒性能等級不應低于B1級。

【條文說明】6.3.31潔凈室（區(qū)）的頂棚、壁板及墻體為避免因室內(nèi)或室

外一方發(fā)生火災殃及另外一方，須規(guī)定其燃燒性能，即雖不能要求它與土建

式頂棚或隔墻具有同樣耐火極限，至少也須要求它的燃燒性能同建筑物相一

致，即采用不燃燒體。

2本條對化合物半導體芯片廠房地面及高架地板裝修材料燃燒性能做出不低

于B1級的規(guī)定，主要由于：①此類芯片廠房產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對環(huán)境要求較高，

地面通常兼具不產(chǎn)塵及防靜電等多重要求，目前國內(nèi)外針對此類廠房主流的

地面材料多為環(huán)氧自流平及PVC等材料：②在此類潔凈廠房內(nèi)凈化空調系統(tǒng)

混人新風前的回風氣流中設置高靈敏度早期報警火災探測器及其報警系統(tǒng)或

稱空氣采樣式煙霧探測系統(tǒng)，這類探測系統(tǒng)是主動抽取環(huán)境中空氣，只要空

氣中有煙霧，就能及時報警，并在火災形成前數(shù)小時，實現(xiàn)早期報警，生產(chǎn)

安全性較高，為本條規(guī)定的實施創(chuàng)造了有利條件。

6.3.4潔凈室（區(qū)）內(nèi)的擋煙垂壁應采用不易起塵材料，并應滿足《建筑防煙

排煙系統(tǒng)技術標準》GB51251相關設計要求。

6.3.5生產(chǎn)廠房室內(nèi)裝修材料的選擇應符合現(xiàn)行國家標準《建筑內(nèi)部裝修設計

防火規(guī)范》GB50222和《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》GB50472的規(guī)定。

潔凈室（區(qū)）頂棚、壁板及夾芯材料應為不燃燒體,且不得采用有機復合

材料。壁板的耐火極限不應低于0.4h，潔凈生產(chǎn)區(qū)與上回風層之間的吊頂應

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采用不燃材料，疏散走道頂棚的耐火極限不應低于1.0h。

【條文說明】6.3.5潔凈室的頂棚和壁板，為避免因室內(nèi)或室外一方發(fā)生火災

殃及另外一方，須規(guī)定其燃燒性能，即雖不能要求它與土建式頂棚或隔墻具

有同樣耐火極限，至少也須要求它的燃燒性能同建筑物相一致，即采用不燃

燒體，且不得采用有機復合材料，以避免燃燒時產(chǎn)生窒息性氣體、有害氣體

等。根據(jù)實施中的實際需要，在條文中增加了對壁板的耐火極限規(guī)定。目前

國內(nèi)外制造廠家生產(chǎn)的潔凈室用金屬壁板，大部分均能滿足上述要求。潔凈

室（區(qū)）頂棚以布置高效空氣過濾器和燈具的吊頂格柵與潔凈生產(chǎn)區(qū)相連，

且多為金屬單板或鋁蜂窩板，故而不再對其耐火極限另作要求。

6.3.6潔凈室(區(qū))不宜設置外窗，當設置外窗時，應采用雙層固定式玻璃窗或

氣密性不低于3級的外窗，同時應采取防結露及防曬措施。

【條文說明】6.3.6此條在原有《電子工程節(jié)能設計規(guī)范》GB50710相關條文

的基礎上，對設置外窗補充了防曬設計要求，避免因陽光照射而產(chǎn)生局部熱

點對潔凈室（區(qū)）的不利影響。

6.4結構設計

6.4.1生產(chǎn)廠房與結構選型、選材及構造應符合下列規(guī)定：

1宜采用鋼筋混凝土結構或鋼-混凝土混合結構；

2工藝生產(chǎn)樓層宜采用鋼筋混凝土結構或鋼梁混凝土板組合結構；

3采用華夫板、開洞厚板、格構梁時，梁間距宜滿足600mm的模數(shù)，

洞口直徑宜為350mm，且洞口中心線宜對齊。

6.4.2生產(chǎn)廠房宜采用框架、框架–剪力墻結構。

6.4.3潔凈生產(chǎn)區(qū)的樓層結構與支承屋面系統(tǒng)的主體結構間不宜設置結構縫。

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SJ/TXXXXX—XXXX

【條文說明】6.4.3最近十多年國內(nèi)外的芯片廠房潔凈生產(chǎn)區(qū)的樓層結構與支

承屋面系統(tǒng)的主體結構間不設置結構縫，如圖6.4.3（a）所示；而不采用與廠

房主體結構分隔的獨立潔凈生產(chǎn)區(qū)，如圖6.4.3（b）所示。

（a）（b）

圖6.4.3廠房主體結構與潔凈生產(chǎn)區(qū)示意圖

6.4.4生產(chǎn)廠房潔凈生產(chǎn)區(qū)內(nèi)鋼筋混凝土柱和梁的陽角處宜切角，切角邊長宜

為15mm~20mm。

6.4.5生產(chǎn)廠房樓蓋懸掛設備及管道時，其荷載應按實際負載確定，但不宜小

于0.5kN/m2。有潔凈要求的房間吊頂荷載應按實際負載確定且不宜小于

1.5kN/m2。當設有管線綜合支吊架時，應考慮管線綜合支吊架集中荷載對結構

構件的影響。

6.4.6生產(chǎn)廠房樓層活荷載的計算、驗算應符合下列要求：

1應滿足工藝設備的要求；

2地面堆料荷載應按大面積密集堆料或局部堆料兩種分布狀況確定；

3設備搬入口和搬入通道應根據(jù)設備搬入時的最大荷載需求確定。

【條文說明】6.4.6有明確支承點的大面積密集堆料，當支承面的中心距不大

于0.8m，且各支承面積不小于0.09m2時，可按投影面積計算其單位面積的荷

載；當支承條件不符合本條第3款要求時，應根據(jù)支承面數(shù)量、間距及幾何

形狀，按現(xiàn)行國家標準《建筑地面設計規(guī)范》GB50037的有關規(guī)定進行荷載

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計算。

6.4.7生產(chǎn)廠房的屋面系統(tǒng)根據(jù)其開間和跨度大小可采用下列結構形式：

1現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面；

2鋼屋架、鋼梁加鋼樓承板的現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面；

3有保溫層的壓型鋼板輕型屋面。

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7微振動控制

7.1一般規(guī)定

7.1.1根據(jù)工藝生產(chǎn)需求和生產(chǎn)設備布置，廠房內(nèi)微振動控制應滿足相應的微

振動控制標準。

7.1.2微振動宜采用頻域的恒帶寬或恒比例帶寬的振動位移、振動速度、振動

加速度或功率譜密度等表征。

【條文說明】7.1.2恒帶寬為一種分析或帶通濾波器的形式，其中帶寬恒定與

中心頻率無關，通常使用快速傅利葉轉換FFT的分析方法；恒定比例帶寬為

一種分析或帶通濾波器的形式，其中帶寬與中心頻率成正比，通常采用三分

之一倍頻程波段（每個倍頻程有三個比例波段，波段頻率寬度是波段中心頻

率的23%）；功率譜以頻率為函數(shù)的平方振幅（位移、速度、加速度），功率

譜密度為單位頻率振幅（位移、速度、加速度）平方。

7.1.3微振動控制應包括豎向和水平方向的控制。

7.1.4同一個工藝生產(chǎn)樓層中，垂直方向的微振動控制區(qū)域應根據(jù)各精密設備

的微振動控制要求確定，水平方向的微振動控制區(qū)域應按全部設備中最嚴格

的微振動控制標準確定。

【條文說明】7.1.4工藝生產(chǎn)樓層一般放置幾十臺甚至上百臺精密設備，同一

類的設備集中布置，每一類設備的微振動控制標準不一樣，對于垂直方向的

微振動控制區(qū)域可以采用不同的微振動控制標準；由于樓板的剛度在水平方

向與豎向相比無窮大，各區(qū)域水平方向的振動基本一致，因此，水平方向的

微振動控制區(qū)域應按全部設備中最嚴格的微振動控制標準確定。

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7.2微振動控制標準

7.2.1工藝設備宜由設備制造廠商提供設備基礎平臺表面處的微振動頻域的

評價方法、微振動控制標準及要求。微振動控制標準無法確定時，可參照本

規(guī)范附錄B表B.0.2。

7.2.2工藝設備的基礎平臺表面振動幅值不宜超過相應微振動控制標準。

7.2.3光刻機的支承部位應滿足廠商提供的光刻機設備動剛度要求。

【條文說明】7.3.3步進式光刻機等光刻設備含有定位機械裝置，可使得晶圓

在光刻制程工序曝光時按照預定的位置安放，盡管光刻設備自身固有的定位

系統(tǒng)會產(chǎn)生內(nèi)在振動，但晶圓每次定位后有靜止允許的時間，在光刻制程工

序中通常是靜止的，因此光刻制程中振動僅取決于周圍的環(huán)境微振動。

近年來，步進掃描投影（或掃描光刻機）的新式光刻機，因線寬越來越

小，通過臺架和光罩飛快的極限運行以提升光刻的處理量和解像能力。曝光

間的運動必須非常平穩(wěn)。為了達到平穩(wěn)的要求，在不同頻率下，控制系統(tǒng)會

產(chǎn)生動態(tài)的定位力，這種動態(tài)的定位力需由支承光刻機設備的結構來抵抗。

因此，工藝設備制造商除提出環(huán)境的微振動控制要求外，還提出了結構動剛

度的要求。

7.3微振動控制設計

7.3.1微振動控制設計應考慮生產(chǎn)廠房的外部振源和內(nèi)部振源引起的振動。

【條文說明】7.3.1生產(chǎn)廠房外部振源包括道路交通、軌道交通、風荷載、施

工等，內(nèi)部振源包括人員行走、工藝生產(chǎn)設備振動、動力設備振動、管道振

動等。

7.3.2場地測點的間距應根據(jù)擬建生產(chǎn)廠房周邊的振源情況確定，不宜大于

100m。各測點的頻率或振幅差異顯著，應縮小測試間距。

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7.3.3生產(chǎn)廠房柱子的布置間距宜符合600mm的模數(shù)，VC-A、VC-B微振動

控制標準區(qū)域的柱間距不宜大于12m；VC-C、VC-D微振動控制標準的區(qū)域

內(nèi)柱距不宜大于7.2m。

【條文說明】7.3.3VC-A、VC-B、VC-C、VC-D見本規(guī)范附錄B表B.0.2。

7.3.4結構底板板應采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土結構，厚度不宜小于300mm，并應與

主體結構連成整體。

7.3.5生產(chǎn)廠房結構底板下的新近填土應密實。

【條文說明】7.3.5新近的回填土如果不處理，造成以后沉降量會比較大，結

構底板下形成空穴，不僅不利于微振動控制，對整個主體結構的安全也不利。

7.3.6微振動控制應按下列步驟進行微振動測試及分析評估工作：

1場地環(huán)境振動測試及分析評估；

2工程主體結構封頂后，工藝生產(chǎn)樓層結構的動力特性測試及分析評估；

3輔助設備系統(tǒng)運行、工藝設備安裝前，工藝生產(chǎn)樓層結構的微振動測試

及分析評估；

4工藝設備運行時基臺的微振動測試及分析評估。

7.3.7輔助設備及其管道和風管應根據(jù)功率、設置位置、管徑大小采取相應的

減振措施。

7.3.8有微振控制要求的設備基臺應根據(jù)工藝樓層的微振控制標準、設備的技

術要求選擇合適的結構方案。

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7.3.9基臺的鋼筋混凝土厚度不宜小于150mm。

7.3.10基臺的結構部分與周邊的架空地板及其支承鋼梁之間應設置伸縮縫，

縫寬宜為5mm~10mm。

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8氣體動力

8.1一般規(guī)定

8.1.1冷熱源的設置應結合當?shù)貧夂驐l件、能源結構及環(huán)保規(guī)定，經(jīng)綜合比較

后確定。

【條文說明】8.1.1工廠所在地區(qū)的氣候、能源結構、環(huán)保規(guī)定是選擇冷熱源

設施所考慮的必需條件。熱源優(yōu)先選用工廠余熱和城市、區(qū)域供熱，符合國

家政策的鼓勵范圍。具有城市工業(yè)燃氣供應的地區(qū)，可采用燃氣鍋爐、燃氣

熱水機組供熱或燃氣吸收式冷（熱）水機組供冷供熱。無區(qū)域供熱及工業(yè)燃

氣供應的地區(qū)，可采用燃油鍋爐供熱，電動壓縮式冷水機組供冷和燃油吸收

式冷（熱）水機組供冷、供熱。

8.1.2大宗氣體供應系統(tǒng)的設置，應根據(jù)用氣量及項目所在地氣體資源狀況確

定。

8.1.3干燥壓縮空氣系統(tǒng)應根據(jù)生產(chǎn)工藝要求、供氣量和氣體品質等因素確定。

【條文說明】8.1.3干燥壓縮空氣系統(tǒng)的設計還應考慮壓縮空氣系統(tǒng)的損耗。

8.1.4工藝真空系統(tǒng)應按生產(chǎn)工藝要求及系統(tǒng)損耗量確定。

8.1.5特種氣體采用外購供應，在工廠內(nèi)設置儲存、供應系統(tǒng)。

【條文說明】8.1.5從目前化合物半導體芯片工廠特種氣體使用的具體情況看，

特種氣體多采用外購鋼瓶氣體、液態(tài)氣體，在工廠內(nèi)設置儲存、分配系統(tǒng)。

8.2冷熱源

8.2.1冷熱源宜集中設置，供應應連續(xù)可靠。

【條文說明】8.2.1考慮管理、操作、維修的方便性，冷、熱源設備一般采用

集中設置的方式，如在工廠建立鍋爐房、冷凍站等冷、熱源供應設施。

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8.2.2系統(tǒng)應設置節(jié)能措施，可采用熱回收設計滿足同時供冷及供熱；在氣候

適宜地區(qū)，可采用免費制冷作為冷源，采用熱泵作為熱源。

【條文說明】8.2.2熱回收冷水機組具有較高的能效比，結合化合物半導體芯

片工廠生產(chǎn)一般存在同時需要供冷及供熱的工況，可采用熱回收型冷水機組，

滿足同時供冷及供熱。在我國部分地區(qū)冬季或春、秋過渡季節(jié)，室外干球溫

度較低，冷卻塔可以制備溫度較低的冷卻水，一般可滿足工藝冷卻水系統(tǒng)及

空調系統(tǒng)干盤管等的使用需求。冷卻塔制備相同冷量的耗電量遠低于冷凍機

的耗電量。

8.2.3在滿足用水溫度的前提下，應加大冷熱水供回水溫差、提高冷水機組出

水溫度。

【條文說明】8.2.3加大冷熱水供回水溫差、可以減少水泵的耗電量；提高冷

水機組出水溫度，可以提高冷凍機的能效比。

8.2.4當設置鍋爐房時，鍋爐的排放應符合現(xiàn)行國家標準《鍋爐大氣污染物排

放標準》GB13271的有關規(guī)定，同時還應滿足當?shù)卮髿馕廴疚锱欧乓蟆?/p>

8.3大宗氣體

8.3.1大宗氣體供應系統(tǒng)可設置在工廠內(nèi)或臨近廠區(qū)位置，采用現(xiàn)場制氣或外

運液態(tài)、氣態(tài)氣體供應。

【條文說明】8.3.1大宗氣體供應系統(tǒng)宜設置在工廠內(nèi)或鄰近處設置制氣裝置

是為了便于氣體輸送，外購液態(tài)氣儲罐或瓶裝氣體是目前許多半導體芯片工

廠的實際狀況。

8.3.2大宗氣體純化裝置應根據(jù)氣源品質和生產(chǎn)工藝的要求設置，純化間的設

置應滿足介質的火災危險要求和防泄爆要求。

【條文說明】8.3.2氫氣純化間的火災危險性應按甲類確定，且純化間應靠外

墻設置，并應設置防爆泄壓設施。氧氣純化間的火災危險性應按乙類確定。

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非氫活化的惰性氣體純化間的火災危險性應按戊類確定。

8.3.3氣體管道和閥門的選材應滿足輸送氣體的品質要求，氫氣、氧氣的引入

管道上應設置緊急切斷閥，并應設置導除靜電的接地設施。

【條文說明】8.3.3大宗氣體管道和閥門的選擇與輸送氣體品質的要求關聯(lián)度

較大，應根據(jù)氣體的純度確定管道材料和閥門類型，通常氣體管道閥門、附

件的材質宜與相連接的管道材質一致。氫氣、氧氣的引入管道設置自動切斷

閥是安全設計的要求，設置靜電泄放的接地設施為了防止靜電產(chǎn)生。

8.4干燥壓縮空氣

8.4.1空壓機應根據(jù)工藝用氣量的需求配置；后處理設備的選型，應根據(jù)用氣

對含水量、油分、微粒粒徑及數(shù)量的要求確定。

【條文說明】8.4.1干燥壓縮空氣應考慮供氣量、供氣品質和壓縮空氣系統(tǒng)的

損耗。根據(jù)化合物半導體芯片工廠生產(chǎn)工藝對壓縮空氣的要求，一般情況下

應選用無油潤滑空氣壓縮機。

8.4.2干燥壓縮空氣露點低于-40℃時，宜采用不銹鋼管。當壓縮空氣露點低于

-70℃時，宜采用內(nèi)壁拋光不銹鋼管道。

8.5工藝真空

8.5.1工藝真空泵房，應靠近使用點設置，當輸送距離過長時，宜在生產(chǎn)廠房

內(nèi)設置多個真空泵房。

【條文說明】8.5.1根據(jù)工藝真空系統(tǒng)的特點，工藝真空設備應盡可能靠近工

藝設備，在生產(chǎn)廠房內(nèi)如果輸送距離過長時，可設置多個真空泵房以減小輸

送距離。

8.5.2工藝真空系統(tǒng)的管道材料宜選用不銹鋼管道或厚壁聚氯乙烯管道。

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8.6特種氣體

8.6.1生產(chǎn)廠房內(nèi)的特種氣體，應根據(jù)氣體的危險性質和氣體體積設置獨立的

特氣房間。

【條文說明】8.6.1特種氣體站房的生產(chǎn)的火災危險性類別應符合現(xiàn)行國家標

準《建筑設計防火規(guī)范》GB50016的有關規(guī)定。生產(chǎn)廠房內(nèi)的特種氣體間根

據(jù)氣體性質宜分為易燃性氣體間、毒性（腐蝕性）氣體間、惰性（氧化性）

氣體間、劇毒性氣體間等。

8.6.2自燃性、易燃性、腐蝕性、或毒性特種氣體鋼瓶，應設置在具有連續(xù)機

械排風的特種氣體柜內(nèi)；潔凈室內(nèi)的上述氣體閥門及非焊接接口，應設置在

具有連續(xù)機械排風的閥門箱內(nèi)。

【條文說明】8.6.2從安全角度考慮，規(guī)定自燃性、易燃性、腐蝕性、毒性氣

瓶設置在具有連續(xù)機械排風的特種氣體柜內(nèi)，以及氣體閥門和非焊接接口設

置在具有連續(xù)機械排風的閥門箱內(nèi)，閥門箱的設置是為了把泄露點放置在封

閉的裝置內(nèi)，防止外泄。

8.6.3特種氣體系統(tǒng)下列區(qū)域應設置氣體探測裝置。

1.特種氣體設備間。

2.自燃性、易燃性、腐蝕性、毒性氣瓶柜和閥門箱的排風口處。

3.其它可能發(fā)生泄漏的區(qū)域。

8.6.4危險性特種氣體的設備排風系統(tǒng)、氣體偵測系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)，均應

設置不間斷電源。

【條文說明】8.6.4自燃性、可燃性、腐蝕性、毒性的特種氣體的設備排風系

統(tǒng)、氣體偵測系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)設置不間斷電源是為了防止電源故障時，

保證系統(tǒng)及操作人員的安全。

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8.6.5低蒸汽壓力特種氣體設備宜靠近使用設備布置。

【條文說明】8.6.5考慮低蒸汽壓力特種氣體的蒸汽壓力較低，從氣瓶柜至工

藝設備的輸送管道距離應盡可能短，規(guī)定這類氣體供應設備宜靠近工藝設備。

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9供暖、通風、空調調節(jié)與凈化

9.1一般規(guī)定

9.1.1供暖、通風、空調與空氣凈化系統(tǒng)的設計應滿足生產(chǎn)工藝對生產(chǎn)環(huán)境的

要求。

9.1.2有下列情況之一者，凈化空調系統(tǒng)宜分開設置：

1生產(chǎn)過程中散發(fā)的物質對其他工序、設備交叉污染，對產(chǎn)品質量或操

作人員健康、安全有影響；

2對溫、濕度控制要求差別大；

3凈化空調系統(tǒng)與一般空調系統(tǒng)。

【條文說明】9.1.2化合物半導體芯片工廠凈化空調系統(tǒng)的劃分原則。第1款

是為防止交叉污染，確保產(chǎn)品質量和保護人員健康以及安全運行作出的規(guī)定。

第2款是為了方便運行管理、減少能量消耗作出的規(guī)定。第3款是為了方便

運行管理、減少設備投資和方便安裝調試等作出的規(guī)定。

9.2供暖

9.2.1空氣潔凈度等級嚴于8級的潔凈室不得采用散熱器采暖。

【條文說明】9.2.1本條規(guī)定是為防止散熱器引發(fā)污染影響潔凈室。

9.2.2非潔凈區(qū)供暖系統(tǒng)的設置應符合現(xiàn)行國家標準《工業(yè)建筑供暖通風與空

氣調節(jié)設計規(guī)范》GB50019的有關規(guī)定。

9.3通風與廢氣處理

9.3.1化合物半導體芯片工廠通風系統(tǒng)和事故通風系統(tǒng)的設計應符合現(xiàn)行國

家標準《工業(yè)建筑供暖通風與空氣調節(jié)設計規(guī)范》GB50019的有關規(guī)定。其

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廢氣處理系統(tǒng)的設計應符合現(xiàn)行國家標準《電子工業(yè)廢氣處理工程設計標準》

GB51401的相關規(guī)定。

9.3.2排除氫氣與空氣混合物時，建筑物全面排風系統(tǒng)室內(nèi)吸風口的布置應符

合下列規(guī)定：

1吸風口上緣至頂棚平面或屋頂?shù)木嚯x不應大于0.1m；

2因建筑構造形成的有爆炸危險氣體易聚集處應設置導流設施。

【條文說明】9.3.2本條規(guī)定了排除氫氣爆炸危險氣體時，全面排風系統(tǒng)排風

口的布置要求。氫氣比空氣輕且具有爆炸性，如果氫氣散發(fā)到房間內(nèi)，會聚

集在頂棚內(nèi)，當達到一定濃度氫氣會發(fā)生爆炸。因此排風口應貼近頂棚，并

且在結構梁上設置聯(lián)通管進行導流排氣。

9.3.3事故排風的排風口應符合下列規(guī)定：

1不應布置在人員經(jīng)常停留或經(jīng)常通行的地點；

2排風口與機械送風系統(tǒng)的進風口的水平距離不應小于20m，當水平距

離不足20m時，排風口應高于進風口，并不得小于6m；

3當排氣中含有可燃氣體時，事故通風