2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型按照反型層類型的不同，MOSFET可分四種不同的基本類型

N溝MOSFET：P溝增強(qiáng)型：VG=0，器件沒有導(dǎo)通P溝耗盡型：VG=0，器件已經(jīng)導(dǎo)通

P溝MOSFET：P溝增強(qiáng)型：VG=0，器件沒有導(dǎo)通P溝耗盡型：VG=0，器件已經(jīng)導(dǎo)通

6.8場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型表6.2四種器件的截面、輸出特性和轉(zhuǎn)移特性

6.8場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型表6.2四種器件的截面、輸出特性和轉(zhuǎn)移特性

小結(jié)飽和區(qū)跨導(dǎo)：對(duì)式（6-74）求導(dǎo)

飽和區(qū)的漏極電阻

柵極電容

＝ZL

（6-79）（6-80）（6-81）小結(jié)給出了交流等效電路圖6-20計(jì)算了截止頻率

提高工作頻率或工作速度的途徑：溝道長度要短，載流子遷移率要高。

（6-82）制備出一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET，相關(guān)參數(shù)為：

MS=-0.89eV,QM=0,QIT=0,

xo=0.05

m,AG=10-3cm2,NA=1015/cm3,假設(shè)T=300K。確定平帶電壓VFB。確定反型開始對(duì)應(yīng)的柵電壓VTh給定的MOSFET是增強(qiáng)型MOSFET還是耗盡型MOSFET圖1圖2等效電路和頻率響應(yīng)

(4)如果MOSFET中內(nèi)部狀態(tài)如下圖1所示，在圖2所示的ID-VD特性曲線上確定相應(yīng)的工作點(diǎn)（5）若在VG-VTh=3V、VD=1V情況下，MOSFET的漏斷電流ID=2.5

10-4A,采用平方律關(guān)系，求在VG-VTh=3V、VD=4V情況下的漏斷電流？等效電路和頻率響應(yīng)

（1）

(2)(3)由于

，MOSFET開始導(dǎo)通，在VG=0時(shí)器件導(dǎo)通，因此是耗盡型MOSFET（4）可見MOSFET溝道被夾斷，相應(yīng)于飽和開始的點(diǎn)為點(diǎn)D。（5）如果

MOSFET工作夾在夾斷前的情況，由平方定律公式，有

當(dāng)VG-VT=3V，VD=4V，器件進(jìn)入飽和，有

等效電路和頻率響應(yīng)

室溫下理想P溝MOSFET（1）VD=0，器件開啟

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