模電第1章-半導體器件練習2016(有答案)

推薦精選推薦精選推薦精選二極管和三極管練習題1、N型半導體中的多數(shù)載流子是(A)，而P型半導體中的多數(shù)載流子是(B)。A.自由電子B.空穴C.正離子D.負離子2、要得到P型半導體，可在本征半導體硅或鍺中摻入少量的(A)，要得到N型半導體，則需要摻入少量的(C)。A.三價元素B.四價元素C.五價元素D.六價元素3、雜質(zhì)半導體中多數(shù)載流子濃度(B)。A.只與溫度有關 B.取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無關C.與溫度無關 D.與摻雜濃度和溫度都無關4、PN結正偏是指(B)。A.N區(qū)電位高于P區(qū) B.P區(qū)電位高于N區(qū)C.與外加電壓無關 D.P區(qū)和N區(qū)電位相等5、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為(C)V。A.0.1B.C.0.5D.0.26、當溫度升高時，二極管伏安特性曲線的正向部分(C)，反向特性曲線(B)。A.上移B.下移C.左移D.右移7、理想二極管模型相當于(A)。A.一個理想開關B.一個恒壓源C.一個動態(tài)電阻D.一條斜線8、理想二極管構成的電路如圖所示，則（C）。A．V截止U0＝－10VB．V截止U0＝－3VC．V導通U0＝－10VD．V導通U0＝－6V9、由理想二極管構成的電路如圖所示，電壓UAB=(B)。A.-3VB.-12VC.0VD.-15V推薦精選推薦精選推薦精選10、理想二極管構成的電路如圖，則(D)。A.V截止U0=-4VB.V導通U0=+4VC.V截止U0=+8VD.V導通U0=+12V11、圖示電路中，D1、D2為理想二極管，則ao兩端的電壓為（C）。A．－3VB．0VC．1VD．4V12、圖示電路，二極管VD1，VD2為理想元件，則UAB為（C）伏。A．－12VB．15VC．0VD．3V13、如圖所示電路中的二極管性能均為理想，電路中的電壓UAB=（C）。A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二極管電路如圖所示。輸入電壓只有0V或5V兩個取值。利用二極管理想模型分析，在vI1和vI2電壓的不同組合情況下，輸出電壓vO的值是（A）。

A.vO的b列B.vO的c列C.vO的a列D.vO的d列推薦精選推薦精選推薦精選15、圖示電路中，二極管導通時壓降為0.7V，若UA=0V,UB=3V,則UO為（B）。A.5VB.0.7VC.3.7VD.0V16、二極管正偏時應重點關注（A），反偏時應重點關注（A）。A.導通電流和耗散功率，最大反向電壓B.結電容，最高工作頻率C.最高工作頻率，導通電流和耗散功率D.最高工作頻率，最大反向電壓17、對于普通的點接觸二極管，一般具有的特性是(B)。A.最大整流電流大，最高工作頻率高B.最大整流電流小，最高工作頻率高C.最大整流電流大，最高工作頻率低D.最大整流電流小，最高工作頻率低18、兩只穩(wěn)壓值分別為6V和9V硅穩(wěn)壓管并聯(lián)，可得到的穩(wěn)壓值是(A)。A.6V，0.7VB.0.7V，0.7VC.9V，0.7VD.6V，9V19、穩(wěn)壓管電路如圖所示。兩穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值均為6.3V，正向導通電壓為0.7V，其輸出電壓Uo為（B）。A.0.7VB.7VC.6.7VD.20、電路如圖所示，設DZ1的穩(wěn)定電壓為5V，DZ2的穩(wěn)定電壓為7V，兩管正向壓降均為0V，若輸入Ui為8V，則輸出U0的值為（A）。A.5VB.7VC.12VD.2V21、圖示電路中，硅穩(wěn)壓管DZ1的穩(wěn)定電壓為8V，DZ2的穩(wěn)定電壓為6V，正向壓降均為0.7V，則輸出電壓UO為(A)。A.2VB.14VC.6VD.8V推薦精選推薦精選推薦精選22、下圖中正確使用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路是(B)。23、穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知輸出電壓Uo為(D)。A.6VB.0C.7VD.1V24、在下圖所示的電路中，已知穩(wěn)壓管DZ1的穩(wěn)定電壓VZ1=5V，DZ2的穩(wěn)定電壓VZ2=12V，則輸出電壓V0為（B）。A0.7VB5VC12VD20V25、發(fā)光二極管正常工作時處于(A)狀態(tài)，光電二極管正常工作時應處于(B)狀態(tài)。A.正偏B.反偏C.反向擊穿D.任意26、晶體管是一種(C)的器件。A.電流控制電壓B.電壓控制電壓C.電流控制電流D.電壓控制電流27、晶體管的(C)。A.發(fā)射區(qū)的摻雜濃度小于集電區(qū)B.基區(qū)很薄，摻雜濃度較大C.基區(qū)與集電區(qū)的接觸面積較大D.發(fā)射極與集電極可以互換28、工作在放大區(qū)的某晶體管，如果測得晶體管IB=30uA時IC=2.4mA，而IB=40uA時IC=3mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為(B)。A.100B.60C.809、半導體三極管處在放大狀態(tài)時是(D)。A.C結正偏e結正偏 B.C結反偏e結反偏C.C結正偏e結反偏 D.C結反偏e結正偏推薦精選推薦精選推薦精選30、某放大狀態(tài)的三極管，測得其管腳電位為：①腳u1=0V,②腳u2=-0.7V，③腳u3=6V，則可判定該管為(C)。A.NPN型①是e極 B.NPN型③是e極C.NPN型②是e極 D.NPN型①是c極31、測得放大電路中的三極管管腳電位分別為-9V、-6V和-6.2V，說明該晶體管是(B)。A.NPN鍺管 B.PNP鍺管C.NPN硅管 D.PNP硅管31、用萬用表直流電壓擋測得電路中晶體管各電極對地電位如圖所示，說明該晶體管的工作狀態(tài)是(D)。A.放大B.損壞C.飽和D.截止32、某電路中晶體三極管的符號如圖，測得各管腳電位標在圖上，則該管處在（C）。A．放大狀態(tài)B．飽和狀態(tài)C．截止狀態(tài)D．狀態(tài)不能確定33、測得放大電路中晶體管各電極電位如圖所示，該管的電極從左到右依次為(A)。A.e、b、cB.b、e、cC.c、e、bD.c、b、e34、晶體管的ICEO大，說明其(A)。

A.熱穩(wěn)定性差B.工作電流大C.擊穿電壓高D.壽命長35、某三極管的極限參數(shù)PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO）=30V，若它的工作電壓UCE=1V，則工作電流IC不得超過(C)mA。A.150B.5C.100D.5036、根據(jù)下圖所示的晶體管電極上所標的實測對地電壓數(shù)據(jù)，則該管是處于（B）。A.飽和狀態(tài)B.截止狀態(tài)C.放大狀態(tài)D.倒置狀態(tài)推薦精選推薦精選推薦精選37、根據(jù)下圖所示的晶體管電極上所標的實測對地電壓數(shù)據(jù)，則該管是處于（A）。A.放大狀態(tài)B.截止狀態(tài)C.飽和狀態(tài)D.倒置狀態(tài)38、三極管的主要參數(shù)UCEO其定義是(A)。A.集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓B.集電極—發(fā)射極正向壓降C.基極—發(fā)射極正向壓降D.集電極—發(fā)射極反向飽和電流39、某三極管接在放大電路上，它的三個管腳的電位分別為U1=-12V，U2=-5.2V，U3=-5V，則對應該管的管腳排列依次是(D)。A.E、B、C B.B、C、EC.B、E、C D.C、B、E40、NPN型三極管處在放大狀態(tài)時是(C)。A.UBE<0,UBC<0B.UBE>0,UBC>0C.UBE>0,UBC<0D.UBE<0,UBC>041、工作在放大狀態(tài)的某PNP晶體三極管，各電極電位關系為(A)。A.VC<VB<VEB.VC>VB>VEC.VC<VE<VBD.VC>VE>VB42、從提高晶體管放大能力出發(fā)，除了將晶體管基區(qū)做得很薄，且摻雜濃度很低之外，工藝上還要采取如下措施：(B)。A.發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結面積小B.發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結面積大C.發(fā)射區(qū)摻雜濃度低，集電結面積小D.發(fā)射區(qū)摻雜濃度低，集電結面積大43、某一晶體管的極限參數(shù)為PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=15V，在下列情況下，為正常工作狀況的是（D）。A.UCE=8V，IC=18mA B.UCE=2V，IC=40mAC.UCE=20V，IC=10mA D.UCE=3V，IC=10mA44、三極管工作在開關狀態(tài)下，其“關”態(tài)和“開”態(tài)，分別指三極管的(A)。A.截止狀態(tài)和飽和狀態(tài)B.截止狀態(tài)和放大狀態(tài)C.放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)D.飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)推薦精選推薦精選推薦精選45、晶體三極管工作在飽和區(qū)時發(fā)射結、集電結的偏置是(B)。A.發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置B.發(fā)射結正向偏置，集電結正向偏置C.發(fā)射結反向偏置，集電結反向偏置D.發(fā)射結反向偏置，集電結正向偏置46用萬用表的R×100Ω和R×1kΩ擋分別測量一個正常二極管的正向電阻，兩次測量結果是(B)。